CZ2006475A3 - Mekká magnetická podkladová vrstva pro magnetickámédia a rozprašovací elektroda na bázi mekké magnetické slitiny - Google Patents
Mekká magnetická podkladová vrstva pro magnetickámédia a rozprašovací elektroda na bázi mekké magnetické slitiny Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2006475A3 CZ2006475A3 CZ20060475A CZ2006475A CZ2006475A3 CZ 2006475 A3 CZ2006475 A3 CZ 2006475A3 CZ 20060475 A CZ20060475 A CZ 20060475A CZ 2006475 A CZ2006475 A CZ 2006475A CZ 2006475 A3 CZ2006475 A3 CZ 2006475A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- atomic
- nickel
- tungsten
- molybdenum
- carbon
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 134
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 title description 52
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 176
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 125
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 125
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 53
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 47
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 37
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 58
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 29
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910021398 atomic carbon Inorganic materials 0.000 claims 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 3
- 241000282941 Rangifer tarandus Species 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1157—Substrate composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Magnetické záznamové médium, které obsahuje substrát, podkladovou vrstvu nanesenou na substrátu, pricemž tato podkladová vrstva je tvorena magnetickymekkou slitinou obsahující alespon jeden mekký feromagnetický prvek a alespon jeden prvek pusobící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chromu (Cr), wolframu (W), molybdenu(Mo), uhlíku (C), medi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb), kremíku(Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al), a vrstvu pro magnetické ukládání dat nanesenou na podkladové vrstve. Je popsána rovnež rozprašovací elektroda tvorená touto magneticky mekkou slitinou, pricemž tatomagneticky mekká slitina se používá rovnež v mekkých magnetických vrstvách u magnetických záznamových hlav.
Description
Měkká magnetická podkladová vrstva pro magnetická média a rozprašovací elektroda na bázi měkké magnetické slitiny
Oblast techniky [0001] Tento vynález se obecně týká rozprašovacích elektrod a magnetických záznamových médií. Konkrétně se vynález týká rozprašovacích elektrod na bázi korozivzdorných měkkých magnetických slitin a použití takových elektrod k nanášení filmu pro použití u magnetických kolmým záznamem a měkkého magnetického záznamových médií s záznamových hlav.
u magnetických
Dosavadní stav techniky [0002] K uspokojení požadavku na stále větší kapacitu ukládání dat jsou vyžadována média s vyšší hustotou magnetického záznamu. Ze všech přístupů k dosažení vysoké hustoty dat se stále jeví nejslibnější kolmý magnetický záznam (PMR). Na rozdíl od magnetického záznamového média s podélným záznamem má vrstva pro magnetické ukládání dat záznamového média své magnetické siločáry orientovány kolmo k ose záznamového média u kolmého magnetického záznamu. Rovněž u kolmého magnetického záznamu lze použitím měkké magnetické podkladové vrstvy (SUL) pod vrstvou pro magnetické ukládání dat získat vyšší záznamové pole.
[0003] Například jednopólová záznamová hlava a odpovídající magnetická záznamová média mající měkkou podkladovou vrstvu umožňuje dosažení záznamových polí více než dvojnásobných vzhledem k těm, která jsou dostupná pro běžný podélný záznam. Dosahuje se toho tím, že SUL působí jako magnetické zrcadlo, čímž účinně zdvojnásobuje tloušťku záznamové vrstvy a umožňuje tak silnější výstupní signály. Tyto měkké podkladové vrstvy jsou magneticky měkké slitiny (s vysokou magnetickou indukcí • ♦ ·
• ·· · • · · (Bs) , vysokou permeabilitou (pc) , nízkou koercitivitou (Hc)), jako například slitiny Co, Ni a Fe. Podobné magneticky měkké vrstvy založené na těchto slitinách se používají rovněž jako součásti v prvcích zapisovacích pólů a čtecích senzorů obsažených v konstrukcích magnetických záznamových hlav.
[0004] Ačkoliv u PMR aplikací používajících magneticky měkké slitiny lze dosáhnout vyšších záznamových polí a vyššího výkonu, jak je popsáno výše, mohou být takové slitiny vysoce náchylné ke korozi, což může během provozu mechaniky pevného disku potenciálně způsobit významná selhání spolehlivosti jak v magnetických záznamových médiích, tak v záznamové hlavě.
Podstata vynálezu [0005] Tento vynález je obecně zaměřen na řešení výše popsaných problémů vytvořením rozprašovacích elektrod na bázi korozivzdorné měkké magnetické slitiny pro použití k nanesení korozivzdorné magnetických podkladové a měkkých vrstvy v magnetických měkké magnetické záznamových médiích vrstvách u magnetických záznamových hlav, čehož výsledkem je spolehlivý a vysoce účinný kolmý magnetický záznam.
[0006] Jako jeden příklad provedení předmětného vynálezu je zde uvedeno magnetické záznamové médium mající korozivzdornou měkkou magnetickou podkladovou vrstvu. Konkrétně toto magnetické záznamové médium obsahuje substrát, podkladovou vrstvu nanesenou na substrátu, přičemž tato podkladová vrstva je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb) , křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al), a vrstvu pro magnetické ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě.
• ·· ··· [0007] Podle dalšího provedení je předmětem vynálezu magnetická záznamová hlava, která obsahuje zapisovací pól a čtecí senzor, přičemž zapisovací pól a čtecí senzor obsahuje měkký magnetický film nanesený na horním povrchu substrátu a přičemž tento měkký magnetický film je tvořen magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W), molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).
[0008] Podle ještě dalšího provedení je předmětný vynález zaměřen na způsob výroby magnetického záznamového média, zahrnující první naprašovací krok spočívající v naprášení podkladové vrstvy na substrát z první rozprašovací elektrody, která je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W), 'molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al), a druhý naprašovací krok spočívající v naprašování vrstvy pro magnetické ukládání dat na podkladovou vrstvu z druhé rozprašovací elektrody.
[0009] Podle ještě jednoho provedení je předmětný vynález zaměřen na rozprašovací elektrodu zahrnující magneticky měkkou slitinu obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al) .
• · · « • ·· ··· ·· ·· [0010] U dalšího provedení je vynález zaměřen na způsob výroby magnetické záznamové hlavy mající zapisovací pól a čtecí senzor, přičemž tento způsob zahrnuje naprašovací krok spočívající v naprášení magneticky měkkého filmu na horní stranu substrátu naneseného na alespoň jeden ze zapisovacího pólu a čtecího senzoru, přičemž tento magneticky měkký film se naprašuje z rozprašovací elektrody, která je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu) , niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb) , křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al) .
[0011] U výše uvedených provedeni je tento alespoň jeden měkký feromagnetický prvek s výhodou vybrán ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni) a tento alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán z podmnožiny výše uvedené skupiny prvků působících jako inhibitory v závislosti na zvoleném feromagnetickém prvku.' Množství tohoto prvku působícího jako inhibitor obsažené v magneticky měkké slitině je omezeno předem určenou horní hranicí atomárního poměru, přičemž tato předem určená hranice atomárního poměru je závislá na tom, který měkký feromagnetický prvek je vybrán nebo které měkké feromagnetické prvky jsou vybrány, a na tom, který prvek je vybrán jako inhibitor.
[0012] Tímto způsobem se získá magneticky měkká slitina, která má vysokou nasycenou magnetickou indukci (Bs) - větší než 0,5 tesla, vysokou permeabilitu (pc) - vyšší než 10,0 při 1 kHz, a nízkou koercitivitu (Hc) - menší než 8000 oersted.
[0013] Další znaky a výhody vynálezu budou uvedeny v popisu níže a částečně budou zřejmé z popisu nebo mohou být získány ··» • · ·
praktickým prováděním vynálezu. Cíle a jiné výhody vynálezu lze uskutečnit a dosáhnout provedeními konkrétně popsanými v tomto popise a nárocích, jakož i znázorněnými na připojených výkresech.
[0014] Rovněž je třeba zdůraznit, že jak předcházející obecný popis, tak následující podrobný popis, jsou pouze příkladná provedení sloužící k vysvětlení a dalšímu objasnění vynálezu, tak jak je nárokován.
Přehled obrázků na výkresech [0015] K lepšímu porozumění vynálezu jsou připojeny obrázky, které tvoří nedílnou součást tohoto popisu a slouží ke znázornění provedení vynálezu, přičemž spolu s popisem slouží k objasnění principů vynálezu.
[0016] Obrázek 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů záznamového média mající měkkou magnetickou podkladovou vrstvu podle jednoho provedení předmětného vynálezu.
[0017] Obrázky 2A-2E znázorňují součásti záznamové hlavy mající měkkou magnetickou filmovou vrstvu podle jednoho provedení předmětného vynálezu.
[0018] Obrázek 3 znázorňuje naprašování měkké magnetické filmové vrstvy na záznamové médium (nebo některou součást záznamové hlavy) podle jednoho provedení předmětného vynálezu.
[0019] Obrázek 4 je blokové schéma k objasnění způsobu výroby záznamového média nebo součástí záznamové hlavy, majících měkkou magnetickou filmovou vrstvu podle jednoho provedení předmětného vynálezu.
···· • ·« «· «« φ · • 9·1
Podrobný popis příkladů provedení [0020] V následujícím podrobném popisu jsou uvedeny mnohé konkrétní detaily za účelem plného objasnění předmětného vynálezu. Je však zřejmé, že běžný odborník v oboru může vynález provádět i bez některých těchto konkrétních detailů. V jiných příkladech nejsou podrobně popisována dobře známá provedeni a postupy z důvodu lepšího objasnění vlastního vynálezu.
[0021] Vynález je obecně zaměřen na vytvoření rozprašovacích elektrod na bázi korozivzdorné měkké magnetické slitiny pro použití k nanesení korozivzdorné měkké magnetické filmové vrstvy jako podkladové vrstvy ve vrstveném magnetickém záznamovém médiu s kolmým záznamem a jako magneticky měkké filmové vrstvy na magnetických záznamových hlavách, což vede ke spolehlivému a vysoce účinnému magnetickému záznamu. Tímto způsobem se vyrobí magnetická záznamová média a součásti magnetických záznamových hlav mající korozivzdornou měkkou magnetickou podkladovou vrstvu, což má za následek vyšší záznamová pole a spolehlivé korozivzdorné provedení.
[0022] Obrázek 1 znázorňuje magnetické záznamové médium 100 podle předmětného vynálezu, které obsahuje vrstvu tenkých filmů obsahující korozivzdornou měkkou magnetickou podkladovou vrstvu 104, která byla vytvořena během procesu rozprašování s použitím rozprašovací elektrody podle předmětného vynálezu. Jak je zřejmé z obrázku 1, magnetické záznamové médium 100 obsahuje substrát 101 a korozivzdornou měkkou magnetickou podkladovou vrstvu 104. Mezi substrátem 101 a podkladovou vrstvou 104 je nanesena vrstva 102, která není nezbytně nutná a která může obsahovat jednu nebo více podkladových vrstev, antiferomagnetickou vrstvu nebo vrstvu jiného typu. U alternativního provedení vynálezu je vrstva 102 vynechána. Podobně může být ve vrstvě tenkých filmů obsažena případná « A ·· ·· ·» ·3 · ·»
9 99 999 • ···>·· • « 9 9 9 9
999 999 99 99 vrstva nebo vrstvy 105 mezi podkladovou vrstvou 104 a záznamovou vrstvou 106, jako například vrstva zárodečných krystalů nebo jiné podkladové vrstvy. U alternativního provedení vynálezu jsou případná vrstva nebo vrstvy 105 vynechány.
[0023] Jak je zmíněno výše, podkladová vrstva 104 je nanesena na horní straně substrátu 101 nebo na horní straně případných mezilehlých nízkoúrovňových vrstev 102. Podkladová vrstva 104 je tvořena korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, jak je zde podrobněji rozebráno. Jak je zřejmé z obrázku 1, magnetické záznamové médium 100 obsahuje vrstvu 106 pro magnetické ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě 104. Magnetické záznamové médium 100 dále může obsahovat případnou ochrannou vrstvu 107, která může obsahovat jednu nebo více vrstev, jako například povlak uhlíku (C) nebo vrstvu lubrikantu, přičemž u alternativního provedení je ochranná vrstva 107 vynechána. Vrstva 106 pro magnetické ukládání dat má magnetické siločáry, které jsou kolmé k rovině substrátu 101. Podkladová vrstva 104 má naopak magnětické siločáry, které jsou v rovině substrátu 101, přičemž vytvářejí magnetickou smyčku s vrstvou 106 pro magnetické ukládání dat.
[0024] Takto provedená podkladová vrstva 104 podle předmětného vynálezu umožňuje dosažení spolehlivého, vysoce účinného kolmého magnetického záznamu (PMR) během provozu magnetického záznamového média 100. Podkladová vrstva 104 působí jako magnetické zrcadlo a účinně zdvojnásobuje tloušťku vrstvy 106 pro magnetické ukládání dat, čímž se dosahují silnější výstupní signály z magnetického záznamového média 100. Konkrétně je podkladová vrstva 104 tvořena korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, která obsahuje alespoň jeden nebo více měkkých magnetických prvků a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze. Tímto měkkým magnetickým prvkem nebo
| ···· | * | • | ·· | ·· | ||
| • | ·· | ·· | • | • | • | |
| ··· | • | • | • | • | ··· | |
| • · | • | • | fl · | • | • I | |
| • | • | • | • | • | • fl | |
| ··· | ··· | ·· | ·· |
těmito měkkými magnetickými prvky v měkké magnetické slitině je s výhodou jeden z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni), nebo jakákoliv kombinace těchto prvků, přičemž ale v měkké magnetické slitině mohou být obsaženy i jiné měkké feromagnetické prvky. U předmětného vynálezu obsahuje měkká magnetická slitina rovněž jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze, které jsou vybrány podle měkkého feromagnetického prvku nebo prvků, který nebo které mají být obsaženy v měkké magnetické slitině. To proto, že některé prvky působící jako inhibitory koroze působí korozivzdorně ve slitinách majících určité vybrané měkké feromagnetické prvky, ale v jiných ne.
[0025] Níže uvedená tabulka 1 uvádí seznam prvků působících jako inhibitory koroze, které lze u předmětného vynálezu použít k vytvoření korozivzdorně měkké magnetické slitiny, použitých ve spojení s jedním nebo více měkkými magnetickými prvky ze skupiny zahrnující kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni) . Jak je zmíněno výše, skupina prvků působících jako inhibitory koroze, které mohou být účinně použity s jedním každým z těchto měkkých feromagnetických prvků, je různá, protože některé prvky působící jako inhibitory koroze působí účinně s některými měkkými magnetickými prvky, ale s jinými nikoliv.
• · • · fl • ·
| INHIBITORY KOROZE PRO SLITINY KOBALTU (Co) | INHIBITORY KOROZE PRO SLITINY ŽELEZA (Fe) | INHIBITORY KOROZE PRO SLITINY NIKLU (Ni) |
| Chrom (Cr) (do at.poměru 25%) | Chrom (Cr) (do at.poměru 30%) | Chrom (Cr) (do at.poměru 30%) |
| Wolfram (W) (do at.poměru 15%) | Wolfram (W) (do at.poměru 5%) | Wolframu (W) (do at.poměru 4%) |
| Molybden (Mo) (do at.poměru 10%) | Molybden (Mo) (do at.poměru 5%) | Molybden (Mo) (do at.poměru 28%) |
| Uhlík (C) (do at.poměru 2%) | Uhlík (C) (do at.poměru 0,3%) | Uhlík (C) (do at.poměru 2%) |
| Měď (Cu) (do at.poměru 2%) | Nikl (Ni) (do at.poměru 30%) | Měď (Cu) (do at.poměru 3%) |
| Nikl (Ni) (do at.poměru 20%) | Mangan (Mn) (do at.poměru 15%) | Hliník (Al) (do at.poměru 2%) |
| — | Dusík (N) (do at.poměru 0,4%) | Tantal (Ta) (do at.poměru 20%) |
| — | Titan (Ti) (do at.poměru 20%) | Titan (Ti) (do at.poměru 10%) |
| — | Niob (Nb) (do at.poměru 2%) | Niob (Nb) (do at.poměru 10%) |
| - | Křemík (Si) (do at.poměru 1%) | Křemík (Si) (do at.poměru 11%) |
Tabulka 1: Inhibitory koroze pro jednotlivé měkké feromagnetické prvky [0026] Jak je zřejmé z tabulky 1, je zde uveden seznam prvků působících jako inhibitory koroze pro všechny tři měkké magnetické prvky - kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni) . U předmětného vynálezu obsahuje korozivzdorná měkká magnetická slitina jeden nebo více měkkých magnetických prvků ze skupiny zahrnující kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni) a jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze ze seznamu v tabulce 1 odpovídajícímu každému měkkému feromagnetickému prvku obsaženému ve slitině.
[0027] Pokud například slitina obsahuje kobalt (Co), pak se jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze vybere ze skupiny zahrnující chrom (Cr) , wolfram (W) , molybden (Mo) , uhlík (C) , měď (Cu) a nikl (Ni), aby kobalt (Co) ve slitině získal korozivzdornost. Jak je zřejmé z tabulky 1, jednomu každému z uvedených prvků působících jako inhibitory koroze odpovídá horní hranice procentuálního zastoupení atomárního poměru. Ta představuje horní hranici atomárního poměru s ohledem na odpovídající feromagnetický prvek pro příslušné množství toho konkrétního prvku působícího jako inhibitor koroze obsažené ve slitině. Například slitina obsahující kobalt (Co) spolu s wolframem (W) jako prvkem působícím jako inhibitor koroze by měl mít do 15% atomárního poměru wolframu (W) vzhledem k množství kobaltu (Co) ve slitině. Jinak řečeno, pokud slitina obsahuje jeden milion atomů kobaltu (Co), pak může být ve slitině do 150000 atomů wolframu (W). Horní hranice pro tyto prvky působící jako inhibitory koroze jsou uvedeny pro jedem každý z těchto měkkých 'feromagnetických prvků, protože účinnost prvku působícího jako inhibitor koroze se nezvýší, když se tento prvek působící jako inhibitor koroze přidá do slitiny v množství vyšším, než je tato horní hranice, a navíc proto, že přídavek tohoto prvku působícího jako inhibitor koroze v množství nad touto horní hranicí může ovlivnit měkké magnetické vlastnosti slitiny.
[0028] Jak je zřejmé z tabulky 1, prvky působící jako inhibitory koroze uvedené v tabulce 1 jsou různé pro každý z odpovídajících měkkých feromagnetických prvků - kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni). Takto předmětný vynález vytváří kombinace měkkých magnetických slitin, které mohou být použity v podkladové vrstvě 104 magnetického záznamového média 100 a pro výrobu rozprašovacích elektrod, které jsou použity pro • · výrobu podkladové vrstvy 104. Z dalších sloupců tabulky 1 je zřejmé, že, pokud slitina obsahuje železo (Fe), pak se jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze musí vybrat ze skupiny obsahující chrom (Cr), wolfram (W) , molybden (Mo) , uhlík (C) , nikl (Ni), mangan (Μη) , dusík (N) , titan (Ti), niob (Nb) a křemík (Si), aby kobalt (Fe) ve slitině získal korozivzdornost.
[0029] Podobně pokud slitina obsahuje nikl (Ni), vybere se jako složka slitiny jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze ze skupiny obsahující chrom (Cr), wolfram (W) , molybden (Mo), uhlík (C) , měď (Cu), hliník (Al), tantal (Ta), titan (Ti), niob (Nb) a křemík (Si), aby kobalt (Ni) ve slitině získal korozivzdornost. Jak je zmíněno výše, tato korozivzdorná měkká magnetická slitina podle předmětného vynálezu může být tvořena rovněž dvěma nebo více ze skupiny feromagnetických prvků obsahující kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni). Například tato korozivzdorná měkká magnetická slitina může být slitina Co-Fe, slitina Co-Ni nebo slitina CoFe-Ni, nebo jakákoliv jiná možná kombinace měkkých magnetických prvků ze skupiny obsahující kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni). V takovém případě může být vybrán z příslušného sloupce tabulky 1 jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze odpovídající každému z měkkých feromagnetických prvků obsažených ve slitině. Množství vybraných prvků působících jako inhibitory koroze by pak mohlo být do hranice atomárního poměru uvedeného v příslušném sloupci vzhledem k množství feromagnetického prvku pro ten sloupec, který je obsažen ve slitině.
[0030] Z tabulky 1 je zřejmé, že někdy stejné prvky působící jako inhibitory koroze, jako například wolfram (W) , mohou být použity pro všechny tři feromagnetické prvky - kobalt (Co) , železo (Fe) a nikl (Ni) v případě slitiny Co-Fe-Ni. V takovém • · kobaltu (Co), železa (Fe) a udržují požadované měkké magnetické slitiny, přičemž
Tímto způsobem se vlastnosti měkké případě množství wolframu (W) obsažené ve slitině by mohlo zahrnovat jednotlivá množství wolframu (W) do hranice atomárního poměru uvedené v tabulce 1 pro jeden každý z niklu (Ni) magnetické slitina vykazuje přiměřenou odolnost vůči korozi. Konkrétně korozivzdorná měkká magnetická slitina pro podkladovou vrstvu 104 podle předmětného vynálezu má vysokou nasycenou magnetickou indukci (Bs) - větší než 0,5 tesla, je magneticky měkká a má vysokou permeabilitu (pc) vyšší než 10,0 při 1 kHz a nízkou koercitivitu (Hc) - menší než 8000 oersted.
[0031] Korozivzdorná měkká magnetická slitina podkladové vrstvy 104 může obsahovat rovněž i jiné prvky navíc k jednomu nebo více měkkým feromagnetickým prvkům ze skupiny zahrnující kobalt (Co), železo (Fe) a nikl (Ni), a jeden nebo více prvků působících jako inhibitory koroze uvedených v tabulce 1. Podkladová vrstva 104 podle předmětného vynálezu má buď nanokrystalickou nebo amorfní strukturu. Proto může být žádoucí, aby korozivzdorná měkká magnetická slitina obsahovala jedno nebo více nukleačních činidel, aby se ve filmu z měkké magnetické slitiny podkladové vrstvy 104 vytvořila nanokrystalická struktura. Tato nukleační činidla mohou obsahovat jeden nebo více vzácných kovů, jako je například měď (Cu), stříbro (Ag) a zlato (Au).
[0032] U alternativního provedení může být vhodné, když korozivzdorná měkká magnetická slitina obsahuje jednu nebo více sklotvorných přísad, aby film z měkké magnetické slitiny podkladové vrstvy 104 získal amorfní formu. Takto lze docílit, aby podkladová vrstva 104 byla tvořena jednotlivými magnetickými doménami. Sklotvorné přísady mohou zahrnovat jeden nebo více nižších přechodných prvků, jako je například ····· · · ·· ♦· ·· · ·· ·· · · φ ···· · · · ···ύ • · · · ······ • · · · · · · · ··· »·· ··· ·«· ·· ·· zirkonium (Zr), hafnium (Hf), vanad (V), tantal (Ta) a niob (Nb) , a polokovy, jako je například bor (B) , křemík (Si), germanium (Ge), arsen (As), antimon (Sb) a tellur (Te).
K vnesení tohoto jednoho nebo více takových nukleačních činidel nebo sklotvorných přísad do slitiny lze použít známé metody.
[0033] Korozivzdorná měkká magnetická slitina popsaná výše ve spojitosti s podkladovou vrstvou 104 magnetického záznamového média 100 může být použita rovněž k vytvoření měkké magnetické filmové vrstvy v součástech záznamové hlavy pro zlepšení působení v hlavě 200 pro kolmý magnetický záznam (PMR).
[0034] Obrázek 2A znázorňuje hlavu 200 pro kolmý magnetický záznam (PMR), která obsahuje zapisovací pól 210 podle jednoho provedení předmětného vynálezu. Jak je zřejmé z obrázku 2, zapisovací pól 210 obsahuje několik vrstev 211 až 214.
Konkrétně zapisovací pól 210 obsahuje substrát 211, kterým je s výhodou vypálená fotorezistentní vrstva. Podle vynálezu je na horní straně substrátu 211 nanesena ifiěkká magnetická filmová vrstva 213. Zapisovací pól 210 obsahuje rovněž měděné prvky a vrstvu 212 a slitinovou vrstvu 214, která je s výhodou vrstva oxidu hliníku. Je třeba připomenout, že vrstvy znázorněné pro zapisovací pól jsou zde uvedeny jako příkladná provedení a že vrstvy 211, 212 a 214 mohou být tvořeny jinými prvky a/nebo slitinami.
[0035] Jak je zmíněno výše, měkká magnetická filmová vrstva
213 je nanesena na horní straně substrátu 211 a je tvořena korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, jak je popsáno výše ve spojitosti s korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou podkladové vrstvy 104 magnetického záznamového média
100 znázorněného na obrázku 1. Totéž, co bylo popsáno výše v souvislosti s obrázkem 1 a tabulkou 1, lze aplikovat rovněž * ·0*0 0 ·» 00 0· • 0 0 99 ·· · · · • ··· · 0 0 0 ···
00 0 000000
0 0 0 0000
000 000 000 000 00 00 na korozivzdornou měkkou magnetickou slitinu, která je použita pro měkkou magnetickou filmovou vrstvu 213 zapisovacího pólu 210.
[0036] Obrázek 2B znázorňuje čtecí senzor 220 jako součást záznamové hlavy 200, ale čtecí senzor 220 může být u dalších alternativních provedení proveden i odděleně. Jak je znázorněno na obrázku 2B, čtecí senzor 220 má senzorovou jednotku 221, do které se při provozu přivádí proud, aby se odečetla odezva magnetických segmentů média 230. Obrázek 2C znázorňuje soustavu vrstev senzorové jednotky 221 znázorněné na obrázku 2B. Jak je znázorněno, zahrnuje senzorová jednotka 221 antiferomagnetickou vrstvu 222, volnou feromagnetickou vrstvu 223, distanční vrstvu 224 a měkkou přilehlou vrstvu 225. Podle tohoto provedení vynálezu jsou volná feromagnetická vrstva 223 a měkká přilehlá vrstva 225 provedeny jako měkké magnetické filmové vrstvy, které jsou tvořeny korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, jak je popsáno výše ve spojitosti s korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou podkladové vrstvy 104 magnetického záznamového média 100 znázorněného na obrázku 1. Takto provedená senzorová jednotka 221 pracuje efektivně a je odolná vůči korozi.
[0037] Obrázek 2D ilustruje další provedení čtecího senzoru 220 jako součásti záznamové hlavy 200, ale u dalších alternativních provedení může být čtecí senzor 220 proveden i odděleně. Jak je znázorněno na obrázku 2D, čtecí senzor 220 má senzorovou jednotku 221, do které se při provozu přivádí proud, aby se odečetla odezva magnetických segmentů média 230. Obrázek 2E znázorňuje sestavu vrstev senzorové jednotky 221 znázorněnou na obrázku 2D. Jak je znázorněno, zahrnuje senzorová jednotka 221 antiferomagnetickou vrstvu 222, volnou feromagnetickou vrstvu 223, distanční vrstvu 224 a připevněnou feromagnetickou vrstvu 225. Podle tohoto provedení vynálezu ··· ·· ·· · · · • ··· · · · · ··· • ·· · ······ • · · · ···· ··· ··· ··· ··· ·· ·· jsou volná feromagnetická vrstva 223 a připevněná feromagnetická vrstva 225 měkké magnetické filmové vrstvy, které jsou tvořeny korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, jak je popsáno výše s odkazem na korozivzdornou měkkou magnetickou slitinu podkladové vrstvy 104 magnetického záznamového média 100 znázorněného na obrázku 1. Takto provedená senzorová jednotka 221 pracuje efektivně a je odolná vůči korozi. U provedeni čtecího senzoru 220 popsaného výše na obrázcích 2B až 2E může senzorová jednotka 221 případně obsahovat i ochrannou vrstvu (není znázorněna), která může být provedena jako jedna nebo více vrstev, jako například povlak uhlíku (C) nebo vrstva lubrikantu.
[0038] Obrázek 3 je grafický diagram, který znázorňuje naprašování filmu korozivzdorné měkké magnetické slitiny na záznamové médium (nebo na některou součást záznamové hlavy) podle předmětného vynálezu. Na obrázku 3 je znázorněn substrát
300, kterým může být substrát z magnetického média, jako například magnetické záznamové médium 100 nebo substrát některé součásti záznamové hlavy, jako například zapisovací pól 210 nebo čtecí senzor 220 záznamové hlavy 200. Na substrát
300 záznamového média se jako podkladová vrstva 301 nanáší naprašováním film korozivzdorné měkké magnetické slitiny.
K nanášení filmu korozivzdorné měkké magnetické slitiny podle vynálezu k vytváření podkladové vrstvy 301 lze použít známé způsoby naprašování a známá zařízení k tomu určená.
Zjednodušené zobrazení způsobu naprašování znázorněné na obrázku 3 je zde uvedeno z důvodu objasnění, přičemž k provedení vynálezu lze použít i jiné postupy naprašování a jiná zařízení k naprašování, aniž by došlo k odchýlení se od rozsahu vynálezu nebo omezení jeho rozsahu.
[0039] Jak je zřejmé z obrázku 3, zařízení obsahuje rozprašovací elektrodu 310, která je tvořena korozivzdornou • · • · · · měkkou magnetickou slitinou, jak je popsáno výše s odkazem na korozivzdornou měkkou magnetickou slitinu podkladové vrstvy 104 magnetického záznamového média 100 znázorněného na obrázku 1. Popis této korozivzdorné měkké magnetické slitiny, která tvoři rozprašovači elektrodu 310, je rovněž uveden výše v souvislosti s obrázkem 1 a tabulkou 1. Rozprašovací elektroda 310 může být kulatá, čtvercová, obdélníková nebo může mít mnoho jiných tvarů, jako například plný nebo dutý válcový nebo téměř jakýkoliv jiný tvar. Rozprašovací elektroda 310 se vytváří z korozivzdorné měkké magnetické slitiny podle předmětného vynálezu jakýmkoliv z několika známých procesů, jako například indukčním tavením, ingotovým plynovým tavením a práškovou metalurgií.
[0040] V příkladě znázorněném na obrázku 3 je rozprašovací elektroda 310, tvořená korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou popsanou výše s odkazem na obrázek 1 a tabulku 1, elektricky uzemněná. Na substrát 300 je naopak přiveden kladný elektrický náboj. Mezi rozprašovací elektrodou 310 a substrátem 300 je umístěn mrak ionizovaného argonového plynu 305, jak je znázorněno na obrázku 3. Ionizovaný argonový plyn 305, mající kladný náboj, má vektor rychlosti orientován směrem k povrchu rozprašovací elektrody 310, což je částečně způsobeno elektrickým uzemněním aplikovaným na rozprašovací elektrodou 310. Ionizovaný plyn bombarduje povrch rozprašovací elektrody 310 a vytlačuje nebo rozprašuje částice z korozivzdorné měkké magnetické slitiny z rozprašovací elektrody 310. Tyto částice z rozprášené korozivzdorné měkké magnetické slitiny jsou vypuzeny ven z rozprašovací elektrody 310 a na povrch substrátu 300, což je částečně způsobeno kladným nábojem aplikovaným na substrát 300. Tento proces pokračuje, dokud není na horním povrchu substrátu 300 nanesen film z korozivzdorné měkké magnetické slitiny mající požadovanou tloušťku, čímž se na horním povrchu substrátu 300 • · • · • · · · vytvoří podkladová vrstva 301. Mezi substrátem 300 a podkladovou vrstvou 301 mohou být umístěny i jiné mezilehlé vrstvy, jak je popsáno výše s odkazem na obrázek 1. K naprašování jiných typů vrstev na substrát 300, jako například magnetické záznamové vrstvy v případě média pro magnetický záznam dat, mohou být použity jiné známé typy rozprašovacích elektrod.
[0041] Obrázek 4 je blokové schéma objasňující jednotlivé kroky jednoho příkladného provedení vynálezu, u něhož se vyrábí magnetické záznamové médium mající podkladovou vrstvu z korozivzdomé měkké magnetické slitiny. Obrázek může být použit rovněž k obecnému znázornění vytváření filmu z korozivzdomé měkké magnetické slitiny v některé součásti záznamové hlavy. Tento způsob začíná krokem 401, dále se v kroku 402 nanesou na horní stranu substrátu s použitím naprašování z jedné nebo více rozprašovacích elektrod určité nízkoúrovňové vrstvy, jako například antiferomagnetická vrstva nebo jiné typy podkladových vrstev. 0 alternativního provedení vynálezu je krok 402 vynechán.
[0042] Dále se na horní stranu substrátu nebo na horní stranu nízkoúrovňových vrstev, pokud byly aplikovány, napráší z rozprašovací elektrody na bázi korozivzdomé měkké magnetické slitiny (krok 403) podkladová vrstva na bázi korozivzdomé měkké magnetické slitiny. Tato rozprašovací elektroda na bázi korozivzdomé měkké magnetické slitiny je tvořena korozivzdornou měkkou magnetickou slitinou, jak je popsáno výše s odkazem na obrázek 1 a tabulku 1. Naprášení může být provedeno postupem popsaným výše s odkazem na obrázek 3 nebo některým jiným známý rozprašovacím procesem.
[0043] Poté, co je v kroku 403 aplikována podkladová vrstva na bázi korozivzdomé měkké magnetické slitiny, mohou být případně na horní stranu podkladové vrstvy na bázi korozivzdorně měkké magnetické slitiny naprášeny jiné podkladové vrstvy nebo vrstva zárodečných krystalů (krok 404). Dále se na horní stranu podkladové vrstvy na bázi korozivzdorně měkké magnetické slitiny (nebo na horní stranu mezilehlých podkladových vrstev nebo vrstvy zárodečných krystalů) napráší alespoň jedna vrstva pro magnetické ukládání dat z různých rozprašovacích elektrod (krok 405) . Na horní stranu vrstvy pro magnetické ukládání dat se v kroku 406 napráší další ochranná vrstva nebo vrstvy, jako například povlak uhlíku (C) a/nebo vrstva lubrikantu, a proces končí (krok 407). U alternativního provedení je krok 406 vynechán a na vrstvě pro magnetické ukládání dat není naprášena žádná ochranná vrstva. Mohou být přidány nebo vynechány další kroky z výše popsaných příkladných postupů výroby magnetického záznamového média, aniž by došlo k odchýlení se od rozsahu vynálezu.
[0044] Předmětný vynález byl konkrétně popsán s odkazem na různé obrázky a provedení, ale tyto příklady' je třeba chápat pouze jako příklady ilustrační a neměly by být brány tak, že by jakkoliv omezovaly rozsah vynálezu. Například rozprašovací elektrody, u nichž lze použít předmětný vynález, mohou být kulaté, čtvercové, obdélníkové, ale mohou mít i mnoho jiných tvarů, jako například přímý, válcový plný nebo dutý, nebo téměř jakýkoliv jiný tvar. Je třeba poznamenat, že odborník v oboru může provést různé změny a modifikace, aniž by došlo k odchýlení se od duchu a rozsahu vynálezu.
Claims (44)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Magnetické záznamové médium, obsahující: substrát;podkladovou vrstvu nanesenou na substrátu, přičemž tato podkladová vrstva je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al);a vrstvu pro magnetické ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě.
2. Magnetické záznamové médium vyznačující se tím, že alespoň j eden prvek je vybrán ze skupiny sestávající z (Fe) a niklu (Ni). 3. Magnetické záznamové médium vyznačující se tím, že alespoň jeden prvek je kombinace alespoň dvou prvků sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a 4. Magnetické záznamové médium vyznačující se tím, že alespoň jeden prvek je kobalt (Co) a alespoň j eden inhibitor koroze je vybrán ze skupiny podle nároku 1,1, médium podle nároku 1, (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo) , uhlíku (C) , mědi (Cu) a niklu (Ni). - 5. Magnetické záznamové médium podle nároku 4, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 25% atomárních chrómu (Cr), do 15% atomárních wolframu (W), do 10% atomárních molybdenu (Mo), do 20% atomárních uhlíku (C), do 2% atomárních mědi (Cu), a do 20% atomárních niklu (Ni).
- 6. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je železo (Fe) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb) a křemíku (Si) .
- 7. Magnetické záznamové médium podle nároku 6, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 5% atomárních wolframu (W), do 5% atomárních molybdenu (Mo), do 0,3% atomárních uhlíku (C) , do 30% atomárních niklu (Ni), do 15% atomárních manganu (Μη), do 0,4% atomárních dusíku (N), do 2% atomárních titanu (Ti), do 2% atomárních niobu (Nb) a do 1% atomárního křemíku (Si) .
- 8. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že teto alespoň jeden měkký feromagnetický
prvek je nikl (Ni) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku ( ,C), mědi (Cu) , titanu (Ti), niobu (Nb) , křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al). - 9.Magnetické záznamové médium podle nároku 8, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 28% atomárních molybdenu (Mo), do 4% atomárních wolframu (W) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 3% atomárních mědi (Cu) , do 11% atomárních křemíku (Si), do 11% atomárních niobu (Nb), do 10% atomárních tantalu (Ta), do 2% atomárních hliníku (Al) a do 2% atomárních titanu (Ti).
- 10. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má vysokou nasycenou magnetickou indukci (Bs) větší než 0,5 tesla.
- 11. Magnetické záznamové médium podle nároku 10, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má rovněž vysokou permeabilitu (pc) vyšší než 10,0 při 1 kHz, a nízkou koercitivitu (Hc) menší než 8000 oersted.
- 12. Magnetická záznamová hlava, obsahující: zapisovací pól; a čtecí senzor, vyznačující se tím, že zapisovací pól a čtecí senzor obsahuje magneticky měkký film nanesený na horním povrchu substrátu, přičemž tento magneticky měkký film je tvořen magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).
- 13. Magnetická záznamová hlava podle nároku 12, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je vybrán ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa • 9 (Fe) a niklu (Ni) .
- 14. Magnetická záznamová hlava podle nároku 12, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je kombinace alespoň dvou prvků vybraných ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni).
- 15. Magnetická záznamová hlava podle nároku 12, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je kobalt (Co) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo) , uhlíku (C) , mědi (Cu) a niklu (Ni).
- 16. Magnetická záznamová hlava podle nároku 15, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 25% atomárních chrómu (Cr), do 15% atomárních wolframu (W), do 10% atomárních molybdenu (Mo) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 2% atomárních mědi (Cu) a do 20% atomárních niklu (Ni).
- 17. Magnetická záznamová hlava podle nároku 12, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je železo (Fe) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb) a křemíku (Si) .
- 18. Magnetická záznamová hlava podle nároku 17, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 5%5% atomárních molybdenu (Mo), do do 30% atomárních niklu (Ni), do do 0,4% atomárních dusíku (N), do 2% atomárních niobu (Nb) a do 1% atomárních wolframu (W) , do 0,3% atomárních uhlíku (C) , 15% atomárních manganu (Mn), 2% atomárních titanu (Ti), do atomárního křemíku (Si).
- 19. Magnetická vyznačující se tím, prvek je nikl (Ni) záznamová hlava podle nároku 12, že alespoň jeden měkký feromagnetický a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr) , wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al) .
- 20. Magnetická záznamová hlava podle nároku 19, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 28% atomárních molybdenu (Mo), do 4% atomárních wolframu (W) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 3% atomárníčh mědi (Cu) , do
11% atomárních křemíku (Si), do 10% atomárních niobu (Nb), do 10% atomárních tantalu (Ta), do 2% atomárních hliníku (Al ) a do 2% atomárních titanu (Ti) . 21. Magnetická záznamová hlava podle nároku 12, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má vysokou nasycenou magnetickou indukci (Bs) větší než 0,5 tesla. - 22. Magnetická záznamová hlava podle nároku 21, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má rovněž vysokou permeabilitu (pc) vyšší než 10,0 při 1 kHz, a nízkou koercitivitu (Hc) menší než 8000 oersted.• · · • · ··· • · · · • · · · ·· ··
- 23. Způsob výroby magnetického záznamového média, obsahuj ící:první naprašovací krok spočívající v naprášení podkladové vrstvy na substrát z první rozprašovací elektrody, která je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W), molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al); a druhý naprašovací krok spočívající v naprášení vrstvy pro magnetické ukládání dat na podkladovou vrstvu z druhé rozprašovací elektrody.
- 24. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je vybrán ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni).
- 25. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je kobalt (Co) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu) a niklu (Ni).
- 26. Způsob podle nároku 25, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 25% atomárních chrómu (Cr), do 15% atomárních wolframu (W) , do 10% atomárních molybdenu (Mo), do 2% atomárních uhlíku (C) , do 2% atomárních mědi (Cu) a do 20% atomárních niklu (Ni).• 9 · ·· ·· · • · ·· ·· 999 9 99 9 9 999 9 9 99 9 9 999 99
- 27. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je železo (Fe) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo) , uhlíku (C), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb) a křemíku (Si).
- 28. Způsob podle nároku 27, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr) , do 5% atomárních wolframu (W), do 5% atomárních molybdenu (Mo), do 0,3% atomárních uhlíku (C) , do 30% atomárních niklu (Ni), do 15% atomárních manganu (Mn), do 0, 4% atomárních dusíku (N) , do 2% atomárních titanu (Ti) , do 2% atomárních niobu (Nb) a do 1% atomárního křemíku (Si).
- 29. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je nikl (Ni) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo) , uhlíku (C) , mědi (Cu), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).tím, že obsažen v atomárních atomárních
- 30. Způsob podle nároku 29, vyznačující se vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je magneticky měkké slitině v následujících mezích poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 28%
molybdenu (Mo) , do 4% atomárních wolframu (W) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 3% atomárních mědi (Cu) , do 11% atomárních křemíku (Si) , do 10% atomárních niobu (Nb) , do 10% atomárních tantalu (Taj , do 2% atomárních hliníku (Al) a do 2% atomárních titanu (Ti) . - 31. Rozprašovací elektroda obsahující:magneticky měkkou slitinu obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).
- 32. Rozprašovací elektroda podle nároku 31, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je vybrán ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni) .
- 33. Rozprašovací elektroda podle nároku 31, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je kobalt (Co) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu) a niklu (Ni).
- 34. Rozprašovací elektroda podle nároku- 33, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 25% atomárních chrómu (Cr), do 15% atomárních wolframu (W) , do 10% atomárních molybdenu (Mo), do 2% atomárních uhlíku (C) , do 2% atomárních mědi (Cu) a do 20% atomárních niklu (Ni).
- 35. Rozprašovací elektroda podle nároku 31, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je železo (Fe) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C) , niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb) a křemíku (Si).»··· • · ·
- 36. Rozprašovací elektroda podle nároku 35, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 5% atomárních wolframu (W) , do 5% atomárních molybdenu (Mo), do 0,3% atomárních uhlíku (C) , do 30% atomárních niklu (Ni), do 15% atomárních manganu (Mn), do 0,4% atomárních dusíku (N), do 2% atomárních titanu (Ti), do 2% atomárních niobu (Nb) a do 1% atomárních křemíku (Si).
- 37. Rozprašovací elektroda podle nároku 31, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je nikl (Ni) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu), titanu (Ti), niobu (Nb) , křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).
- 38. Rozprašovací elektroda podle nároku 37, vyznačující se tím, že vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je obsažen v magneticky měkké slitině v následujících mezích atomárních poměrů: do 30% atomárních chrómu (Cr), do 28% atomárních molybdenu (Mo), do 4% atomárních wolframu (W) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 3% atomárních mědi (Cu) , do 11% atomárních křemíku (Si), do 10% atomárních niobu (Nb), do 10% atomárních tantalu (Ta), do 2% atomárních hliníku (Al) a do 2% atomárních titanu (Ti).
- 39. Rozprašovací elektroda podle nároku 31, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má vysokou nasycenou magnetickou indukci (Bs) větší než 0,5 tesla.
- 40. Rozprašovací elektroda podle nároku 39, vyznačující se tím, že magneticky měkká slitina má rovněž vysokou permeabilitu (pc) vyšší než 10,0 při 1 kHz, a nízkou koercitivitu (Hc) menší než 8000 oersted.• · · • · ··· • · · · · • ♦ · · ·· ··
- 41. Způsob výroby magnetické záznamové hlavy mající zapisovací pól a čtecí senzor, obsahující:naprašovací krok spočívající v naprášení magneticky měkkého filmu na horní stranu substrátu naneseného na alespoň jednom ze zapisovacího pólu a čtecího senzoru, přičemž magneticky měkký film se naprašuje z rozprašovací elektrody, která je tvořena magneticky měkkou slitinou obsahující alespoň jeden měkký feromagnetický prvek a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze, který je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W), molybdenu (Mo), uhlíku (C) , mědi (Cu), niklu (Ni), manganu (Mn), dusíku (N) , titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al) .
- 42. Způsob podle nároku 41, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je vybrán ze skupiny sestávající z kobaltu (Co), železa (Fe) a niklu (Ni).
- 43. Způsob podle nároku 41, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je kobalt (Co) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo), uhlíku (C), mědi (Cu) a niklu (Ni).tím, že obsažen v atomárních atomárních , do 2% a do 20%
- 44. Způsob podle nároku 43, vyznačující se vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je magneticky měkké slitině v následujících mezích poměrů: do 25% atomárních chrómu (Cr), do 15% wolframu (W) , do 10% atomárních molybdenu (Mo) atomárních uhlíku (C) , do 2% atomárních mědi (Cu) atomárních niklu (Ni).
··«» « • ·· • • · • 9 9 9 9 • • 9 9 99 • · »· ·· • · 9 • * ·· · • · · · • · · · ·· ·» - 45. Způsob podle nároku 41, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je železo (Fe) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W), molybdenu (Mo), uhlíku (C), niklu (Ni), manganu (Μη), dusíku (N), titanu (Ti), niobu (Nb) a křemíku (Si).tím, že obsažen v atomárních atomárních
- 46. Způsob podle nároku 45, vyznačující se vybraný prvek působící jako inhibitor koroze je magneticky měkké slitině v následujících mezích poměrů: do 30 % atomárních chrómu (Cr) , do 5% wolframu (W) , do 5% atomárních molybdenu (Mo), do 0,3% atomárních uhlíku (C) , do 30% atomárních niklu (Ni), do 15% atomárních manganu (Μη), do 0,4% atomárních dusíku (N) , do 2% atomárních titanu (Ti), do 2% atomárních niobu (Nb) a do 1% atomárního křemíku (Si).
- 47. Způsob podle nároku 41, vyznačující se tím, že alespoň jeden měkký feromagnetický prvek je nikl (Ni) a alespoň jeden prvek působící jako inhibitor koroze je vybrán ze skupiny sestávající z chrómu (Cr), wolframu (W) , molybdenu (Mo) , uhlíku (C) , mědi (Cu), titanu (Ti), niobu (Nb), křemíku (Si), tantalu (Ta) a hliníku (Al).tím, že obsažen v atomárních atomárních podle nároku 47, vyznačující se sobici jako inhibitor koroze je slitině v následujících mezích atomárních chrómu (Cr), do 28%
- 48. Způsob vybraný prvek pů magneticky měkké poměrů: do 30%
molybdenu (Mo) , do 4% atomárních wolframu (W) , do 2% atomárních uhlíku (C) , do 3% atomárních mědi (Cu) , do 11% atomárních křemíku (Si) , do 10% atomárních niobu (Nb) , do 10% atomárních tantalu (Ta), do 2% atomárních hliníku (Al) a do 2% atomárních titanu (Ti).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/411,813 US20070253103A1 (en) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2006475A3 true CZ2006475A3 (cs) | 2007-11-07 |
Family
ID=37067435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20060475A CZ2006475A3 (cs) | 2006-04-27 | 2006-07-20 | Mekká magnetická podkladová vrstva pro magnetickámédia a rozprašovací elektroda na bázi mekké magnetické slitiny |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070253103A1 (cs) |
| EP (1) | EP1850334A1 (cs) |
| JP (1) | JP2007299505A (cs) |
| KR (1) | KR20070105813A (cs) |
| CN (1) | CN101064120A (cs) |
| CZ (1) | CZ2006475A3 (cs) |
| SG (1) | SG136847A1 (cs) |
| TW (1) | TW200741670A (cs) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5384969B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-01-08 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP5066136B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-07 | 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 | 磁場透過率の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材 |
| JP5726615B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2015-06-03 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 |
| JP6050050B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-12-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
| US9001463B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporaton | Magnetic recording head having protected reader sensors and near zero recessed write poles |
| US9349395B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-05-24 | International Business Machines Corporation | System and method for differential etching |
| KR101600169B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2016-03-04 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품용 금속 박막 및 금속 박막 형성용 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 |
| US9548073B1 (en) * | 2013-03-13 | 2017-01-17 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing high performance soft magnetic underlayers for magnetic recording media |
| JP7552604B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2024-09-18 | 株式会社プロテリアル | ターゲット |
| CN117448764A (zh) * | 2023-10-26 | 2024-01-26 | 中国特种设备检测研究院 | 一种TiNbSiN纳米复合涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (146)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3147112A (en) * | 1961-01-19 | 1964-09-01 | Du Pont | Ferromagnetic mn-ga alloy and method of production |
| JPS5789450A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amorphous magnetic alloy |
| US4868070A (en) * | 1984-11-29 | 1989-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Vertical magnetization type recording medium and manufacturing method therefor |
| US4994321A (en) * | 1986-01-24 | 1991-02-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and the method for preparing the same |
| DE3707522A1 (de) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetischer nitridfilm |
| US4881989A (en) * | 1986-12-15 | 1989-11-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Fe-base soft magnetic alloy and method of producing same |
| JP2513205B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-07-03 | ソニー株式会社 | 複合磁気ヘツド |
| JPS63193324A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| EP0297776B1 (en) * | 1987-06-30 | 1993-08-04 | Sony Corporation | Soft magnetic thin films |
| KR920005044B1 (en) * | 1987-07-23 | 1992-06-25 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JP2524514B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1996-08-14 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH01125910A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒素を含む磁性合金膜 |
| DE68921021T2 (de) * | 1988-05-17 | 1995-06-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Weichmagnetische Legierung auf Eisenbasis und daraus hergestellter Pulverkern. |
| JP2823203B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | Fe基軟磁性合金 |
| JPH0268703A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Hitachi Ltd | 軟磁性合金膜を用いた磁気ヘッド |
| JPH0744110B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-05-15 | 松下電器産業株式会社 | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド |
| US5028280A (en) * | 1988-12-15 | 1991-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic alloy films having a modulated nitrogen content |
| JPH02163912A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高磁束密度軟磁性合金薄膜及びその製造方法 |
| US5772797A (en) * | 1989-01-26 | 1998-06-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| US5117321A (en) * | 1989-01-26 | 1992-05-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| KR920003999B1 (ko) * | 1989-03-08 | 1992-05-21 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 연자성 합금막 |
| JPH0765228B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1995-07-12 | 松下電器産業株式会社 | 高磁束密度4元系合金電着薄膜の製造方法 |
| JPH02292721A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Tdk Corp | 磁気デイスク |
| EP0400550B1 (en) * | 1989-05-27 | 1995-01-11 | TDK Corporation | Soft magnetic alloy, method for making, magnetic core, magnetic shield and compressed powder core using the same |
| JPH03116409A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Canon Electron Inc | 磁気ヘッド |
| JPH03157801A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Tdk Corp | 磁気記録再生方法 |
| CA2030446C (en) * | 1989-11-22 | 2001-01-23 | Yoshihito Yoshizawa | Magnetic alloy with ultrafine crystal grains and method of producing same |
| DE69018422T2 (de) * | 1989-12-28 | 1995-10-19 | Toshiba Kawasaki Kk | Auf Eisen basierende weichmagnetische Legierung, ihr Herstellungsverfahren und Magnetkern daraus. |
| US5182693A (en) * | 1989-12-29 | 1993-01-26 | Tdk Corporation | Magnetic disk |
| DE69101726T2 (de) * | 1990-02-16 | 1994-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Weichmagnetische Dünnschichten aus Legierung und Magnetköpfe daraus. |
| JP2710441B2 (ja) * | 1990-03-14 | 1998-02-10 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性積層膜 |
| JP2710440B2 (ja) * | 1990-03-14 | 1998-02-10 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性合金膜 |
| JPH0785452B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | 磁性体膜とその製造方法 |
| CA2040741C (en) * | 1990-04-24 | 2000-02-08 | Kiyonori Suzuki | Fe based soft magnetic alloy, magnetic materials containing same, and magnetic apparatus using the magnetic materials |
| JP2675178B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1997-11-12 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性合金膜 |
| DE69117362T2 (de) * | 1990-07-13 | 1996-07-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Zusammengesetzter Magnetkopf |
| JP2789806B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 軟磁性窒化合金膜の作製方法 |
| JP2710453B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1998-02-10 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性合金膜 |
| JPH04214205A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH04289506A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH04289503A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH04289152A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Alps Electric Co Ltd | Fe系軟磁性合金圧粉体およびFe系軟磁性合金粉末の製造方法およびFe系軟磁性合金圧粉体の製造方法 |
| JP2774702B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1998-07-09 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
| JPH05109044A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 垂直磁気記録媒体 |
| WO1993011531A1 (fr) * | 1991-12-02 | 1993-06-10 | Nikko Kyodo Company, Limited | Tete magnetique a film mince |
| JPH05226151A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド用高飽和磁束密度・高耐熱性を有する軟磁性合金膜及び磁気ヘッド。 |
| JPH05251235A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性合金膜および磁気ヘッド |
| JPH05271885A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 軟磁性合金薄膜およびその製造方法 |
| JP2586367B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 軟磁性材料とその製造方法および磁気ヘッド |
| JP3279399B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2002-04-30 | アルプス電気株式会社 | Fe基軟磁性合金の製造方法 |
| US5931032A (en) * | 1998-04-16 | 1999-08-03 | Gregory; Edwin H. | Cutter and blow resistant lock |
| JPH06150241A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH06228716A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-16 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金膜 |
| JPH06338410A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性多層膜と磁気ヘッド |
| JPH07130538A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Hitachi Metals Ltd | 磁性合金膜および磁気ヘッド |
| JPH0850715A (ja) * | 1994-01-28 | 1996-02-20 | Komag Inc | 低ノイズ,高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法 |
| JP3127075B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2001-01-22 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 |
| JPH07268610A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-17 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金薄膜 |
| US5620574A (en) * | 1994-08-26 | 1997-04-15 | Stormedia, Inc. | Method of fabricating sputter induced, micro-texturing of thin film, magnetic disc media |
| US5800931A (en) * | 1994-09-29 | 1998-09-01 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with a MgO sputter deposited seed layer |
| JPH0917632A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
| US5909345A (en) * | 1996-02-22 | 1999-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| KR100262282B1 (ko) * | 1996-04-30 | 2000-10-02 | 니시무로 타이죠 | 자기 저항 효과 소자 |
| DE19802349B4 (de) * | 1997-01-23 | 2010-04-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Weichmagnetische amorphe Legierung, amorphe Legierung hoher Härte und ihre Verwendung |
| US6150046A (en) * | 1997-01-31 | 2000-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination magnetoresistive/inductive thin film magnetic head and its manufacturing method |
| JPH10340431A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| JP3544293B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-07-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 磁性材用Mn合金材料、Mn合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
| EP0899798A3 (en) * | 1997-08-28 | 2000-01-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance element, and magnetic head, thin film magnetic head, azimuth sensor and autocanceler using the same |
| JPH1173608A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Alps Electric Co Ltd | インダクティブ形ヘッド |
| JP3182399B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-07-03 | 株式会社東芝 | 軟磁性合金膜とその製造方法、磁気ヘッド、および磁気ディスク |
| US6042897A (en) * | 1997-11-17 | 2000-03-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination read/write thin film magnetic head and its manufacturing method |
| JPH11175920A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3263018B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2002-03-04 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| US6232775B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-05-15 | Alps Electric Co., Ltd | Magneto-impedance element, and azimuth sensor, autocanceler and magnetic head using the same |
| US5996213A (en) * | 1998-01-30 | 1999-12-07 | Read-Rite Corporation | Thin film MR head and method of making wherein pole trim takes place at the wafer level |
| US6228515B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-08 | Korea Institute Of Science And Technology | Underlayer for use in a high density magnetic recording media |
| JP3087715B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| KR100270605B1 (ko) * | 1998-04-23 | 2000-12-01 | 박호군 | 철계연자성박막합금및그의제조방법 |
| JP4082785B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2000187808A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド |
| DE19904951A1 (de) * | 1999-02-06 | 2000-08-17 | Krupp Vdm Gmbh | Weichmagnetische Nickel-Eisen-Legierung mit kleiner Koerzitivfeldstärke, hoher Permeabilität, verbesserter Verschleißbeständigkeit und verbesserter Korrosionsbeständigkeit |
| US6524491B1 (en) * | 1999-04-26 | 2003-02-25 | Headway Technologies, Inc. | Double plate-up process for fabrication of composite magnetoresistive shared poles |
| AU4431100A (en) * | 1999-05-11 | 2000-11-21 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium and its production method, and magnetic recorder |
| JP2000339635A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US6440589B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability |
| US6740353B1 (en) * | 1999-09-10 | 2004-05-25 | Tdk Corporation | Process for producing magnetic recording medium |
| JP3731640B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2006-01-05 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US6620531B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution |
| US6524724B1 (en) * | 2000-02-11 | 2003-02-25 | Seagate Technology Llc | Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate |
| US6716543B2 (en) * | 2000-02-23 | 2004-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing same |
| JP2001236643A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| US6738234B1 (en) * | 2000-03-15 | 2004-05-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic transducer |
| JP4207140B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2009-01-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| SG91343A1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-09-17 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| JP4309075B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
| JP3665261B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US7029772B2 (en) * | 2000-09-11 | 2006-04-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6821653B2 (en) * | 2000-09-12 | 2004-11-23 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, process for producing the same, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2002100030A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2002100018A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置 |
| JP2002133645A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US20020076579A1 (en) * | 2000-10-27 | 2002-06-20 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and medium substrate |
| US20020106297A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-base target and method of producing the same |
| US7166375B2 (en) * | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| JP3629431B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2005-03-16 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性膜の製造方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP3730518B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
| KR100394993B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2003-08-19 | 한국과학기술연구원 | FeCoNiN계 연자성 박막합금 조성물 |
| US6777066B1 (en) * | 2001-03-07 | 2004-08-17 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording media with improved interlayer |
| SG115476A1 (en) * | 2001-05-23 | 2005-10-28 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor and magnetic replay apparatus |
| US6682826B2 (en) * | 2001-08-01 | 2004-01-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6692619B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Sputtering target and method for making composite soft magnetic films |
| US6723458B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6818331B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-11-16 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP4626840B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2003099911A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6926977B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-08-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| SG108872A1 (en) * | 2001-10-24 | 2005-02-28 | Toda Kogyo Corp | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7138196B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-11-21 | Maxtor Corporation | Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording |
| US6567236B1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-20 | International Business Machnes Corporation | Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording |
| US7842409B2 (en) * | 2001-11-30 | 2010-11-30 | Seagate Technology Llc | Anti-ferromagnetically coupled perpendicular magnetic recording media with oxide |
| JP4019703B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-12-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| AU2002259093A1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-07-30 | Seagate Technology Llc | Low saturation induction material for magnetic recording head write pole |
| JP4157707B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
| JP4011355B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-11-21 | 富士通株式会社 | 軟磁性膜および薄膜磁気ヘッド |
| WO2003075263A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Seagate Technology Llc | Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording |
| JP4270797B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2009-06-03 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子 |
| US6723450B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US6912106B1 (en) * | 2002-08-06 | 2005-06-28 | Western Digital (Fremont), Inc. | Writer with a hot seed zero throat and substantially flat top pole |
| JP2004079058A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP4047115B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性膜及びこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに、前記軟磁性膜の製造方法 |
| JP4047114B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| AU2003291159A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Honeywell International Inc. | High purity nickel/vanadium sputtering components; and methods of making sputtering components |
| JP3965358B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2007-08-29 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気ヘッド |
| JP4317717B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-08-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直記録用薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置 |
| US20040191578A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Jingsheng Chen | Method of fabricating L10 ordered fePt or FePtX thin film with (001) orientation |
| US6893748B2 (en) * | 2003-05-20 | 2005-05-17 | Komag, Inc. | Soft magnetic film for perpendicular recording disk |
| JP4169663B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US7033685B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-04-25 | Seagate Technology Llc | High coercivity perpendicular magnetic recording media on polymer substrates |
| KR100590530B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 |
| US7297422B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Method for sputtering magnetic recording media |
| US20050181239A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Seagate Technology Llc | Granular magnetic recording media with improved corrosion resistance by pre-carbon overcoat ion etching |
| US7837836B2 (en) * | 2004-02-12 | 2010-11-23 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multi-stage sputter deposition of uniform thickness layers |
| US7310202B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-12-18 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with clad coil |
| JP2005276365A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | グラニュラ薄膜、垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| JP4222965B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2009-02-12 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録装置 |
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
-
2006
- 2006-04-27 US US11/411,813 patent/US20070253103A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-19 SG SG200604872-2A patent/SG136847A1/en unknown
- 2006-07-20 CZ CZ20060475A patent/CZ2006475A3/cs unknown
- 2006-08-03 TW TW095128498A patent/TW200741670A/zh unknown
- 2006-08-09 KR KR1020060075237A patent/KR20070105813A/ko not_active Ceased
- 2006-08-18 CN CNA200610115011XA patent/CN101064120A/zh active Pending
- 2006-08-22 EP EP06254396A patent/EP1850334A1/en not_active Withdrawn
- 2006-09-14 JP JP2006250032A patent/JP2007299505A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200741670A (en) | 2007-11-01 |
| SG136847A1 (en) | 2007-11-29 |
| JP2007299505A (ja) | 2007-11-15 |
| EP1850334A1 (en) | 2007-10-31 |
| CN101064120A (zh) | 2007-10-31 |
| US20070253103A1 (en) | 2007-11-01 |
| KR20070105813A (ko) | 2007-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7672080B1 (en) | Laminated perpendicular writer head including amorphous metal | |
| US9728216B2 (en) | Feromagnetically coupled magnetic recording media | |
| EP1930884A1 (en) | Ni-X, NI-Y, and NI-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording | |
| JP2008169483A (ja) | 粒状垂直磁気記録媒体の中間層を形成するための成膜ターゲットとして有用なレニウム(Re)ベースの合金及びそれを利用した媒体 | |
| US6630255B1 (en) | Multilayer perpendicular magnetic recording media with exchange decoupled spacer layers | |
| US6645614B1 (en) | Magnetic recording media having enhanced coupling between magnetic layers | |
| CZ2006475A3 (cs) | Mekká magnetická podkladová vrstva pro magnetickámédia a rozprašovací elektroda na bázi mekké magnetické slitiny | |
| US10783915B2 (en) | Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation | |
| KR100776383B1 (ko) | 개선된 스퍼터 타겟 합금 조성물 | |
| US20070099032A1 (en) | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target | |
| US6773556B1 (en) | Method for energy barrier equalization of magnetic recording media and media obtained thereby | |
| EP1605475B1 (en) | Magnetic film for magnetic device | |
| KR100830619B1 (ko) | 개선된 스퍼터 타겟 합금 조성물 | |
| US7138196B2 (en) | Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording | |
| US6129981A (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording disk device | |
| US20220028418A1 (en) | Read Head Sensor With Balanced Shield Design | |
| JP2001189005A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気記憶装置 | |
| CN116964670A (zh) | 用于磁记录介质的双晶种层 | |
| US6838188B1 (en) | Magnetic recording medium having ternary or quaternary alloy seedlayer | |
| US20060083950A1 (en) | Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device | |
| WO2004084193A1 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 | |
| EP1752996A2 (en) | Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device | |
| US20060078762A1 (en) | Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device | |
| US7088562B2 (en) | Electrical lead structures having crystalline structures that match underlying magnetic hard bias layers for magnetoresistive sensors | |
| EP1752995A1 (en) | Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device |