HK69393A - Semiconductor integrated circuit device with built-in memories - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device with built-in memories

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HK69393A
HK69393A HK693/93A HK69393A HK69393A HK 69393 A HK69393 A HK 69393A HK 693/93 A HK693/93 A HK 693/93A HK 69393 A HK69393 A HK 69393A HK 69393 A HK69393 A HK 69393A
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HK
Hong Kong
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circuit
memory
data
output
signal
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HK693/93A
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English (en)
French (fr)
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Fumio Tuchiya
Kiyoshi Matsubara
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Hitachi, Ltd.
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/102External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • GPHYSICS
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    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
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    • GPHYSICS
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    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Claims (10)

  1. Integrierte Halbleiterschaltung mit:    einer von einem periodischen Zeitsignal gesteuerten Informationsverarbeitungs-Schaltung (1);    einem mit einer peripheren Schaltung (21...30h) und einem Speicherfeld (20a..h) versehenen elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2), der mit der InformationsverarbeitungsSchaltung (1) verbunden ist und auf den entweder von der Informationsverarbeitungs-Schaltung (1) zum Auslesen darin gespeicherter Daten oder von außerhalb der integrierten Halbleiterschaltung zum Einschreiben von Daten zugegriffen wird,    gekennzeichnet durch    eine Steuerschaltung (27), die bewirkt, daß die periphere Schaltung (21...30h) statisch arbeitet, wenn auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speichern (2) von außerhalb der integrierten Halbleiterschaltung zugegriffen wird, und dynamisch in Antwort auf das periodische Zeitsignal, wenn auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) von der Informationsverarbeitungs-Schaltung (1) zugegriffen wird.
  2. Schaltung nach Anspruch 1,    wobei die periphere Schaltung (21...30h) eine Lese-Schaltung (25) umfaßt, mit: einem auf ein Datensignal des Speicherfelds (20a...h) ansprechenden Leseverstärker (SA); und einer auf das Ausgangssignal des Leseverstärkers (SA) ansprechenden Halteschaltung (34), und    wobei die Steuerschaltung (27) in der Lage ist, die Ausgabe eines Steuersignals zur Unterbrechung des Betriebsstroms der Leseverstärker (SA), nachdem die Lesedaten von der Halteschaltung (34) gehalten werden, zu bewirken.
  3. Schaltung nach Anspruch 2, weiterhin umfassend:    ein Hilfs-Speicherfeld (21) mit einer Hilfs-Datenleitung (DLd); und    einer Leseschaltung (26) für das Hilfs-Speicherfeld (21), die durch Feststellen eines vorbestimmten Pegels auf der Hilfs-Datenleitung (DLd) das Ende der Datenleseoperation feststellt,    wobei die Steuerschaltung in der Lage ist, in Antwort auf das Ausgangssignal der Leseschaltung (26) ein Steuersignal zum Unterbrechen des Betriebs des Leseverstärkers (SA) zu erzeugen.
  4. Integrierte Schaltung, die einen Einchip-Mikrocomputer bildet, umfassend:    einen Bus (7a, b);    eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU, 1), die von einem periodischen Zeitsignal gesteuert wird und an den Bus (7a, 7b) gekoppelt ist;    einen elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2), der mit an den Bus (7a, b) gekoppelten Adresseneingangs- und Dateneingangs/Ausgangs-Anschlüssen, mit einem Speicherfeld (20a...h) und einer peripheren Schaltung (21...30h) zum Zugriff auf das Speicherfeld (20a...h) versehen ist und auf den entweder von der CPU (1) oder von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird;    einen an den Bus (7a, b) gekoppelten ersten Außenanschluss (T1...T8, T24...T29), an den ein Adressensignal für den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) angelegt wird, wenn auf den Speicher von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird;    einen an den Bus (7a, b) gekoppelten zweiten Außenanschluss (T14...T21), an den Daten für den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) angelegt werden, wenn auf den Speicher von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird;    einen dritten Außenanschluß (11), an den ein Signal angelegt wird, daß angibt, ob auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) von der CPU oder von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird;    eine Unterscheidungseinrichtung (9) zur Unterscheidung auf der Grundlage des genannten angebenden Signals, ob auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird oder nicht;    gekennzeichnet durch    eine an die periphere Schaltung (21...30h) gekoppelte Steuereinrichtung (27), die auf ein Ausgangssignal (EPM) der Unterscheidungseinrichtung (9) anspricht, um zu bewirken, daß die periphere Schaltung statisch arbeitet, wenn auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird, und dynamisch, in Antwort auf das periodische Zeitsignal, wenn auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) von der CPU (1) zugegriffen wird.
  5. Schaltung nach Anspruch 4, wobei der Bus einen Datenbus (7b) zur Datenübertragung und einen Adressenbus (7a) zur Übertragung eines Adressensignals umfaßt.
  6. Schaltung nach Anspruch 4 oder 5, wobei die CPU (1) eine Taktgeneratoreinrichtung zur Versorgung des elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speichers (2) mit dem periodischen Zeitsignal umfaßt, so daß der genannte Speicher synchron mit der CPU (1) arbeitet, wenn die CPU (1) auf ihn zugreift, und wobei die Taktgeneratoreinrichtung den Speicher nicht mit dem periodischen Zeitsignal versorgt, wenn auf ihn von außerhalb des Einchip-Mikrocomputers zugegriffen wird.
  7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Speicherfeld (20a...h) eine Vielzahl von löschbar programmierbaren, nicht-flüchtigen Halbleiter-Speicherelementen (MC) umfaßt.
  8. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die periphere Schaltung (21...30h) einen Adressendekoder (22) aufweist, der umfaßt: einen ersten zwischen einem der Anschlüsse einer Energieversorgung (Vcc) und einem Ausgangsknoten (n1) eingeschalteten ersten MOSFET (Qp) zum speisen des Ausgangsknotens mit entweder einer Ladung für den dynamischen Betriebszustand oder einem Betriebsstrom für den statischen Betriebszustand; und einer Vielzahl von in Serie zwischen dem Ausgangsknoten (n1) und dem anderen Anschluß der Energieversorgung geschalteten zweiten MOSFETs (Qd1...Qd4), um von den entsprechenden Adressensignalen (A1...A7) geschaltet zu werden.
  9. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei auf den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2, 20a... 30h) von außerhalb der integrierten Halbleiterschaltung durch eine externe Schreibeinheit zugegriffen wird, die die in den Speicher zu schreibenden Daten liefert.
  10. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Schreibeinheit Spannungen an den elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (2) liefert.
HK693/93A 1984-11-26 1993-07-15 Semiconductor integrated circuit device with built-in memories HK69393A (en)

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JP24810684A JPH0736273B2 (ja) 1984-11-26 1984-11-26 半導体集積回路
JP24810884A JPH0636319B2 (ja) 1984-11-26 1984-11-26 半導体集積回路

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HK69393A true HK69393A (en) 1993-07-23

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HK693/93A HK69393A (en) 1984-11-26 1993-07-15 Semiconductor integrated circuit device with built-in memories

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US (2) US4783764A (de)
EP (1) EP0183232B1 (de)
KR (1) KR950000341B1 (de)
DE (1) DE3584142D1 (de)
HK (1) HK69393A (de)
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448517A (en) * 1987-06-29 1995-09-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure
US6545913B2 (en) 1987-06-29 2003-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory cell of nonvolatile semiconductor memory device
US5222046A (en) * 1988-02-17 1993-06-22 Intel Corporation Processor controlled command port architecture for flash memory
KR900019027A (ko) * 1988-05-23 1990-12-22 미다 가쓰시게 불휘발성 반도체 기억장치
JP2547615B2 (ja) * 1988-06-16 1996-10-23 三菱電機株式会社 読出専用半導体記憶装置および半導体記憶装置
US5511211A (en) * 1988-08-31 1996-04-23 Hitachi, Ltd. Method for flexibly developing a data processing system comprising rewriting instructions in non-volatile memory elements after function check indicates failure of required functions
US5428574A (en) * 1988-12-05 1995-06-27 Motorola, Inc. Static RAM with test features
US5065364A (en) * 1989-09-15 1991-11-12 Intel Corporation Apparatus for providing block erasing in a flash EPROM
FR2652672B1 (fr) * 1989-10-02 1991-12-20 Sgs Thomson Microelectronics Memoire a temps de lecture ameliore.
DE69132495T2 (de) * 1990-03-16 2001-06-13 Texas Instruments Inc., Dallas Verteilter Verarbeitungsspeicher
JPH0799636B2 (ja) * 1990-09-28 1995-10-25 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH0540730A (ja) * 1991-08-06 1993-02-19 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピユータ
TW231343B (de) 1992-03-17 1994-10-01 Hitachi Seisakusyo Kk
JP3765585B2 (ja) * 1992-08-10 2006-04-12 株式会社ルネサステクノロジ データ処理装置
US5687345A (en) * 1992-03-17 1997-11-11 Hitachi, Ltd. Microcomputer having CPU and built-in flash memory that is rewritable under control of the CPU analyzing a command supplied from an external device
US6414878B2 (en) 1992-03-17 2002-07-02 Hitachi, Ltd. Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein
US7057937B1 (en) 1992-03-17 2006-06-06 Renesas Technology Corp. Data processing apparatus having a flash memory built-in which is rewritable by use of external device
JP2761326B2 (ja) * 1992-05-28 1998-06-04 三菱電機株式会社 マルチプロセッサ型ワンチップマイクロコンピュータ
KR950013342B1 (ko) * 1992-10-06 1995-11-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 결함구제회로
US5559981A (en) * 1994-02-14 1996-09-24 Motorola, Inc. Pseudo static mask option register and method therefor
JP3584494B2 (ja) * 1994-07-25 2004-11-04 ソニー株式会社 半導体不揮発性記憶装置
US5867409A (en) * 1995-03-09 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Linear feedback shift register
US5982696A (en) * 1996-06-06 1999-11-09 Cirrus Logic, Inc. Memories with programmable address decoding and systems and methods using the same
US5952833A (en) 1997-03-07 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Programmable voltage divider and method for testing the impedance of a programmable element
JP3494849B2 (ja) * 1997-05-29 2004-02-09 富士通株式会社 半導体記憶装置のデータ読み出し方法、半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御装置
US6393540B1 (en) 1998-06-30 2002-05-21 Emc Corporation Moving a logical object from a set of source locations to a set of destination locations using a single command
US6883063B2 (en) * 1998-06-30 2005-04-19 Emc Corporation Method and apparatus for initializing logical objects in a data storage system
US6329985B1 (en) 1998-06-30 2001-12-11 Emc Corporation Method and apparatus for graphically displaying mapping of a logical object
US6282602B1 (en) * 1998-06-30 2001-08-28 Emc Corporation Method and apparatus for manipulating logical objects in a data storage system
US7383294B1 (en) 1998-06-30 2008-06-03 Emc Corporation System for determining the mapping of logical objects in a data storage system
US6542909B1 (en) * 1998-06-30 2003-04-01 Emc Corporation System for determining mapping of logical objects in a computer system
US6038194A (en) * 1998-12-28 2000-03-14 Philips Electronics North America Corporation Memory decoder with zero static power
US6359808B1 (en) 1999-10-19 2002-03-19 Advanced Micro Devices, Inc. Low voltage read cascode for 2V/3V and different bank combinations without metal options for a simultaneous operation flash memory device
JP2002170399A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
US7016245B2 (en) * 2004-02-02 2006-03-21 Texas Instruments Incorporated Tracking circuit enabling quick/accurate retrieval of data stored in a memory array

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025836B2 (ja) * 1978-05-24 1985-06-20 株式会社日立製作所 半導体不揮発性メモリ
US4208728A (en) * 1978-12-21 1980-06-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Programable logic array
JPH0472271B2 (de) * 1979-06-12 1992-11-17 Motorola Inc
US4289982A (en) * 1979-06-28 1981-09-15 Motorola, Inc. Apparatus for programming a dynamic EPROM
US4282446A (en) * 1979-10-01 1981-08-04 Texas Instruments Incorporated High density floating gate EPROM programmable by charge storage
US4494187A (en) * 1982-02-22 1985-01-15 Texas Instruments Incorporated Microcomputer with high speed program memory
JPH0762958B2 (ja) * 1983-06-03 1995-07-05 株式会社日立製作所 Mos記憶装置
JPS6151695A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4787764A (en) * 1985-08-17 1988-11-29 Citizen Watch Co., Ltd. Sheet feeder in printers, having an improved operability in sheet setting
JPS6243744A (ja) * 1985-08-21 1987-02-25 Nec Corp マイクロコンピユ−タ
US4763303A (en) * 1986-02-24 1988-08-09 Motorola, Inc. Write-drive data controller

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Publication number Publication date
US4783764A (en) 1988-11-08
EP0183232A3 (en) 1989-09-13
KR950000341B1 (ko) 1995-01-13
EP0183232A2 (de) 1986-06-04
KR860004469A (ko) 1986-06-23
SG43393G (en) 1993-06-25
US4908795A (en) 1990-03-13
DE3584142D1 (de) 1991-10-24
EP0183232B1 (de) 1991-09-18

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