JP2000215843A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

検査装置および検査方法

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JP2000215843A
JP2000215843A JP11012726A JP1272699A JP2000215843A JP 2000215843 A JP2000215843 A JP 2000215843A JP 11012726 A JP11012726 A JP 11012726A JP 1272699 A JP1272699 A JP 1272699A JP 2000215843 A JP2000215843 A JP 2000215843A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージの移動方向が如何なる方向であって
も、その移動方向に沿って配列された複数の検査領域か
ら連続的に試料の画像情報を取り込むことができる検査
装置および検査方法を提供する。 【解決手段】 可動ステージ27上の試料28に照射し
た電子ビームにより、試料28から発生する二次ビーム
を、所定面に結像させる電子光学系20を有し、該電子
光学系20の視野内に位置する試料28からの二次ビー
ムの像を所定面に投影する投影手段22と、電子ビーム
と二次ビームとの少なくとも一方の軌道を偏向する偏向
手段26,36と、所定面に投影された前記像を撮像す
るイメージセンサ41を有し、該イメージセンサ41か
らの出力信号に基づいて対応する画像情報を取り込む画
像取込手段37と、試料28の移動と偏向手段26,3
6による軌道の偏向とを同期させて制御する制御手段4
3とを備えたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームを利用
して試料の画像情報を取り込み、試料の欠陥箇所を検査
する検査装置および検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年のLSIの高集積化に伴って、ウエ
ハやマスクなどの試料における欠陥の検出感度を、より
一層高めることが要求されている。例えば、256Mビ
ットのDRAMでは、パターン寸法0.25μmに対し
て欠陥寸法0.1μmの検出感度が必要とされる。ま
た、上記した検出感度の向上だけでなく、欠陥検出の高
速化も望まれている。
【0003】そして、これらの要求に応えるべく、電子
ビームを用いた検査装置の開発が進められている。例え
ば、特開平7−249393号公報に記載された検査装
置や、特開平10−197462号公報に記載された検
査装置では、ビーム断面が矩形状に整形された矩形ビー
ムを用い、ステージを移動させながら試料面上を走査す
ることにより、欠陥検出の高速化を図っている。
【0004】しかし、特開平7−249393号公報に
記載された検査装置では、MCP(マイクロチャネルプ
レート)に投影される試料画像をラインCCDセンサに
て取り込むため、試料に照射する矩形ビームをラインC
CDセンサの形状に応じて細長く整形している。このた
め、MCPに投影される試料画像の面積が非常に小さく
なってしまい、MCPの寿命が低下するという問題が生
じていた。
【0005】これに対し、特開平10−197462号
公報に記載された検査装置では、MCPに投影される試
料画像をTDI(Time Delay Integration)アレイCC
Dセンサにて取り込むため、試料に照射する矩形ビーム
をTDIアレイCCDセンサの形状に応じて長方形に整
形している。このため、MCPに投影される試料画像の
面積も広い長方形となり、MCPの寿命を延ばすことが
できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のTD
IアレイCCDセンサを用いた検査装置では、試料画像
を取り込む際に、TDIアレイCCDセンサ90(図2
5)の各水平ライン91-1〜91-Nに蓄積された信号電
荷を垂直方向にシフトさせるため、この信号電荷のシフ
トに応じて試料も垂直方向に移動させなければならな
い。
【0007】このため、TDIアレイCCDセンサ90
を用いた検査装置では、試料を垂直方向に移動させるこ
とにより、試料92(図26)の垂直方向に配列された
複数の検査領域93〜95から、連続的に試料画像を取
り込むことができる。しかしながら、TDIアレイCC
Dセンサ90において、信号電荷をシフトさせる方向
は、上記のように予め垂直方向に決められているため、
試料92を水平方向に移動させた場合には試料画像を取
り込むことはできない。
【0008】したがって、試料92(図27)の水平方
向に配列された複数の検査領域96〜98についても、
検査領域96〜98各々から試料画像を取り込む際に
は、ステージを垂直方向に移動させなければならない。
【0009】そして、例えば検査領域96の画像取り込
みを終えてから、隣接する検査領域97の画像取り込み
を開始するまでには、試料92を斜め方向に移動させて
検査領域97の画像取り込み開始地点を位置決めする時
間が必要になる。このため、水平方向に配列された検査
領域96〜98の試料画像を取り込む場合には、検査領
域96の画像取り込み→位置決め→検査装置97の画像
取り込み→位置決め→……となり、連続的に試料画像を
取り込むことはできない。その結果、検査効率が低下す
る。
【0010】なお、このような問題は、上記したライン
CCDセンサを用いた検査装置でも同様に発生する。本
発明の目的は、ステージを移動させながら試料画像を取
り込むに当たり、ステージの移動方向が如何なる方向で
あっても、その移動方向に沿って配列された複数の検査
領域から連続的に画像情報を取り込むことができる検査
装置および検査方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】(請求項1)請求項1に
記載の検査装置は、移動可能なステージと、該ステージ
上に載置された試料に電子ビームを照射する照射手段
と、電子ビームの照射によって試料から発生する二次ビ
ームを、所定面に結像させる電子光学系を有し、該電子
光学系の視野内に位置する試料からの二次ビームの像を
所定面に投影する投影手段と、電子ビームと二次ビーム
との少なくとも一方の軌道を偏向する偏向手段と、所定
面に投影された前記像を撮像するイメージセンサを有
し、該イメージセンサからの出力信号に基づいて対応す
る画像情報を取り込む画像取込手段と、ステージの移動
に伴う試料の移動と偏向手段による軌道の偏向とを同期
させて制御する制御手段とを備えたものである。
【0012】このように、請求項1に記載の発明では、
電子光学系の視野内に位置する試料からの二次ビームの
像を所定面に投影し、この投影像をイメージセンサで撮
像する。また、試料に照射される電子ビームの軌道と、
試料から発生する二次ビームの軌道との少なくとも一方
を、ステージの移動に伴う試料の移動に同期して偏向さ
せる。
【0013】ここで、試料に照射される電子ビームの軌
道を偏向すると、試料面上における電子ビームの照射領
域の位置が移動する。このため、電子ビームの軌道を試
料の移動に同期して偏向させると、試料の所定領域に対
して電子ビームを照射し続けることができる。また、試
料から発生する二次ビームの軌道を偏向すると、電子光
学系の視野が移動する。このため、二次ビームの軌道を
試料の移動に同期して偏向させると、上記した所定面に
おいて投影像を停止させることができる。
【0014】したがって、ステージを移動させながら試
料の画像情報を取り込むに当たり、電子ビームと二次ビ
ームとの少なくとも一方の軌道を試料の移動に同期して
偏向させると、この同期期間中、所定面には同じ検査領
域の像が投影され、確実な試料画像の取り込みが可能と
なる。さらに、ステージの移動方向が如何なる方向であ
っても、その移動方向に沿って配列された複数の検査領
域から連続的に画像情報を取り込むことができる。
【0015】(請求項2)また、請求項2に記載の発明
は、請求項1に記載の検査装置において、照射手段が、
電子ビームの照射領域をイメージセンサの撮像面の形状
に応じて整形するビーム整形手段を有したものである。
したがって、請求項2に記載の発明によれば、電子ビー
ムを効率よく照射することができると共に、試料のチャ
ージアップおよびコンタミネーションの防止にも貢献で
きる。
【0016】(請求項3)また、請求項3に記載の発明
は、請求項1または請求項2に記載の検査装置におい
て、偏向手段が、電子ビームの軌道と二次ビームの軌道
とを偏向するものであり、制御手段が、偏向手段による
電子ビームの軌道の偏向と二次ビームの軌道の偏向とを
同期させて制御するものである。
【0017】したがって、請求項3に記載の発明によれ
ば、電子ビームの照射領域と電子光学系の視野との位置
関係を一定に保ちながら、試料画像の連続的な取り込み
が行えるため、上記した所定面の投影像を常に停止させ
ておくことができる。 (請求項4)また、請求項4に記載の発明は、請求項1
から請求項3の何れか1項に記載の検査装置において、
制御手段が、試料の移動に同期させた偏向手段の制御
と、試料の移動に同期させない偏向手段の制御とを交互
に行うものである。
【0018】したがって、請求項4に記載の発明によれ
ば、試料の移動に同期させた期間に1つの検査領域から
画像を取り込み、試料の移動に同期させない期間に次の
検査領域に移動することができるので、試料上の多数の
検査領域を次々に検査し、連続的に試料画像を取り込む
ことができる。 (請求項5)また、請求項5に記載の発明は、請求項1
から請求項4の何れか1項に記載の検査装置において、
イメージセンサを、二次元に配列された複数の受光画素
を有する二次元CCD撮像素子にて構成したものであ
る。
【0019】したがって、請求項5に記載の発明によれ
ば、二次元CCD撮像素子の撮像面に形成された試料像
をシャッター時間にわたって蓄積することができる。こ
のため、試料から発生した二次ビームが微弱であって
も、鮮明な画像情報を取り込むことができる。 (請求項6)また、請求項6に記載の検査方法は、試料
を載置したステージを移動させる移動工程と、試料に電
子ビームを面状に照射する照射工程と、移動工程におけ
る試料の移動に同期して、照射工程により照射された試
料から発生する二次ビームを静止画像としてイメージセ
ンサで検出する検出工程とを含むものである。
【0020】したがって、請求項6に記載の発明によれ
ば、試料からの二次ビームにより形成される二次ビーム
像を、試料の移動に同期させて検出することにより、安
定した静止画像を検出することができる。また、試料の
移動と停止とを繰り返すことなく、静止画像を検出でき
検査時間の短縮を図ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。
【0022】(第1実施形態)まず、第1実施形態につ
いて説明する。第1実施形態は、請求項1〜請求項6に
対応する。第1実施形態の検査装置10は、図1に示さ
れるように、一次コラム21と、二次コラム22と、チ
ャンバー23とで構成されている。一次コラム21は、
二次コラム22の側面に対して斜めに取り付けられてい
る。二次コラム22の下部には、チャンバー23が取り
付けられている。これら一次コラム21,二次コラム2
2,チャンバー23は、真空排気系(不図示)と繋がっ
ており、真空排気系のターボポンプにより排気されて、
内部の真空状態が維持される。
【0023】ここで、一次コラム21、二次コラム22
およびチャンバー23の構成について順に説明する。 〔一次コラム〕一次コラム21の内部には、電子ビーム
を出射する電子銃24が配置されている。この電子銃2
4の陰極には、矩形陰極で大電流を取り出すことができ
るランタンヘキサボライト(LaB6)が用いられる。
【0024】また、一次コラム21の内部には、電子銃
24から出射される電子ビーム(以下「一次ビーム」と
いう)の光軸上に、一次光学系25および一次偏向器2
6が配置されている。一次光学系25には、回転軸非対
称の四重極(または八重極)の静電レンズ(または電磁
レンズ)を使用することができるが、この第1実施形態
では、3段の静電レンズ25a,25b,25c(図3
参照)にて構成された例を説明する。
【0025】静電レンズ25a,25b,25cは各
々、図2(a)に示すように、4つの円柱ロッド1〜4か
らなり、対向する電極同士(1と3,2と4)が等電位
に設定され、かつ互いに逆の電圧特性(1と3に+V
q、2と4に−Vq)が与えられている。このような静
電レンズ25a,25b,25cは、いわゆるシリンド
リカルレンズと同様、矩形陰極の長軸(X軸)、短軸
(Y軸)各々で集束と発散とを引き起こすことができ
る。したがって、各静電レンズ25a,25b,25c
のレンズ条件を最適化することによって、出射電子を損
失することなく、一次ビームの断面を任意の形状に成形
することができる。図2(a)には、一次ビームの断面が
矩形状の場合が示されている。
【0026】また、一次偏向器26(図1)には、静電
偏向器または電磁偏向器を使用できるが、この第1実施
形態では、図2(b)に示されるように、独立した4つの
電極5〜8にて構成された二軸偏向可能な静電偏向器の
例を説明する。電極6,8に対する印加電圧V1を変化
させることで、一次ビームの軌道をX軸に沿って偏向す
ることができる。また、電極5,7に対する印加電圧V
1を変化させることで、一次ビームの軌道をY軸に沿っ
て偏向することができる。
【0027】さらに、一次コラム21(図1)には、一
次光学系25のレンズ電圧を制御する一次コラム制御ユ
ニット45と、一次偏向器26に印加する電圧を制御す
る偏向器制御ユニット47とが接続されている。これら
一次コラム制御ユニット45,偏向器制御ユニット47
は、CPU43に接続されている。
【0028】〔チャンバー〕チャンバー23の内部に
は、図1に示されるように、ステージ27が設置され、
ステージ27上には試料28が載置される。ステージ2
7は、XY方向に移動可能である。ステージ27には、
所定のリターディング電圧(後述する)が印加されてい
る。
【0029】チャンバー23には、ステージ27をXY
方向に駆動するステージ制御ユニット49と、ステージ
27の移動方向および移動量に応じたステージ移動信号
を出力するレーザ干渉計ユニット50とが接続されてい
る。さらに、ステージ制御ユニット49,レーザ干渉計
ユニット50は、CPU43に接続されている。 〔二次コラム〕二次コラム22の内部には、図1に示さ
れるように、試料28から発生する二次ビーム(後述す
る)の光軸上に、カソードレンズ29、ニューメニカル
アパーチャ30、ウィーンフィルタ31、第2レンズ3
2、フィールドアパーチャ33、第3レンズ34、第4
レンズ35、二次偏向器36および検出器37が配置さ
れる。
【0030】このうちカソードレンズ29は、通常、複
数枚の電極で構成される。ここでは、図3に示されるよ
うに、3枚の電極29a,29b,29cの構成例を説
明する。この場合、カソードレンズ29の下(試料28
側)から1番目の電極29aと2番目の電極29bとに
電圧を印加し、3番目の電極29cをゼロ電位に設定す
ることでレンズとして機能させることができる。
【0031】また、ニューメニカルアパーチャ30(図
1)は、開口絞りに相当するもので、上記カソードレン
ズ29の開口角を決定する。その形状は、円形の穴が開
いた金属製(Mo等)の薄膜板である。このニューメニ
カルアパーチャ30は、その開口部がカソードレンズ2
9の焦点位置になるように配置されている。このため、
ニューメニカルアパーチャ30とカソードレンズ29と
は、テレセントリックな電子光学系を構成している。
【0032】ウィーンフィルタ31は、電磁プリズムと
して作用する偏向器であり、ウィーン条件(E=vB。
なお、vは荷電粒子の速度、Eは電界、Bは磁界を表
し、E⊥Bである。)を満たす荷電粒子(例えば二次ビ
ーム)のみを直進させ、それ以外の荷電粒子(例えば一
次ビーム)の軌道を曲げることができる。第2レンズ3
2,第3レンズ34,第4レンズ35はすべて、ユニポ
テンシャルレンズまたはアインツェルレンズと呼ばれる
回転軸対称型のレンズであり、それぞれ3枚の電極で構
成されている(図5参照)。各レンズは通常、外側の2
つの電極をゼロ電位とし、中央の電極に印加する電圧を
変えることでレンズ作用が制御される。
【0033】また、第2レンズ32と第3レンズ34と
の間(図1)には、フィールドアパーチャ33が配置さ
れている。このフィールドアパーチャ33は、光学顕微
鏡の視野絞りと同様、視野を必要範囲に制限する。ここ
で、上記したカソードレンズ29、ニューメニカルアパ
ーチャ30、ウィーンフィルタ31、第2レンズ32、
フィールドアパーチャ33、第3レンズ34、および第
4レンズ35をまとめて、二次光学系20と呼ぶことに
する。
【0034】二次偏向器36は、上記した一次偏向器2
6(図2(b))と同様、独立した4つの電極5〜8にて
構成された二軸偏向可能な静電偏向器であり、電極6,
8に対する印加電圧V2を変化させることで、二次ビー
ムの軌道をX軸に沿って偏向することができる。また、
電極5,7に対する印加電圧V2を変化させることで、
二次ビームの軌道をY軸に沿って偏向することができ
る。
【0035】また、検出器37(図1)は、電子を加速
増倍するMCP38と、電子を光に変換する蛍光面39
および不図示の光学リレーレンズを有するFOP(ファ
イバオプティックプレート)40と、光学像を撮像する
二次元CCDセンサ41とから構成される。二次元CC
Dセンサ41は、二次元に配列された複数の受光画素を
有している。この検出器37には、画像処理ユニット4
2が接続されている。
【0036】さらに、二次コラム22には、カソードレ
ンズ29,第2レンズ32,第3レンズ34,第4レン
ズ35の各レンズ電圧を制御すると共に、ウィーンフィ
ルタ31に印加する電磁界を制御する二次コラム制御ユ
ニット46と、二次偏向器36に印加する電圧を制御す
る偏向器制御ユニット48とが接続されている。これら
二次コラム制御ユニット46,偏向器制御ユニット4
8,画像処理ユニット42は、CPU43に接続されて
いる。
【0037】なお、CPU43には、画像を表示するC
RT44が接続されている。次に、上記のように構成さ
れた検査装置10における一次ビームおよび二次ビーム
の軌道などについて順に説明する。 〔一次ビーム〕電子銃24からの一次ビームは、電子銃
24の加速電圧よって加速され、図3に示すように、一
次光学系25のレンズ作用および一次偏向器26の偏向
作用を受けながらウィーンフィルタ31の中心部に入射
する。なお、図3には、矩形陰極のX方向断面に放出さ
れた電子の軌道とY方向断面に放出された電子の軌道と
が示されている。
【0038】ウィーンフィルタ31に入射した一次ビー
ムは、ウィーンフィルタ31の偏向作用により軌道が曲
げられ、ニューメニカルアパーチャ30の開口部に到達
する。ここで、一次光学系25のレンズ電圧の設定によ
り、一次ビームはニューメニカルアパーチャ30の開口
部で結像するようになっている。ニューメニカルアパー
チャ30の開口部で結像した一次ビームは、カソードレ
ンズ29を介して、試料28面上に照射される。ここ
で、ニューメニカルアパーチャ30とカソードレンズ2
9とはテレセントリックな電子光学系を構成しているた
め、カソードレンズ29を通過した一次ビームは平行ビ
ームとなり、試料28面上に垂直かつ均一に照射され
る。すなわち、光学顕微鏡で云うケーラー照明が実現さ
れる。
【0039】また、試料28が載置されたステージ27
には上記のリターディング電圧が印加されているため、
カソードレンズ29の電極29aと試料28面との間に
は、一次ビームに対して負の電界が形成される。したが
って、カソードレンズ29を通過した一次ビームは、試
料28面に到達するまでに減速され、試料28のチャー
ジアップや破壊を防ぐようにしている。
【0040】なお、検査装置10内に散乱する不要な電
子ビームは、ニューメニカルアパーチャ30によって試
料28面に到達することが阻止され、試料28のチャー
ジアップやコンタミネーションを防いでいる。ところ
で、試料28面上における一次ビームの照射領域24A
は、一次光学系25へのレンズ電圧を制御することによ
り整形され、この第1実施形態では図4(a)に示される
ようにほぼ矩形状となっている。これは、二次元CCD
センサ41(図1)の撮像面の形状に対応させているた
めである(詳細は後述する)。
【0041】さらに、一次ビームの照射領域24A(図
3)の位置は、一次偏向器26への印加電圧V1の制御
により一次ビームの軌道をXY方向に偏向することで、
試料28面上をXY方向に移動させることができる。こ
の照射領域24Aの移動は、第1実施形態において、ス
テージ27の移動に伴う試料28の移動と同期して行わ
れる。
【0042】すなわち、ステージ27が移動すると、レ
ーザ干渉計ユニット50(図1)はステージ27の移動
方向および移動量を検出し、この検出結果に応じたステ
ージ移動信号をCPU43に出力する。CPU43は、
レーザ干渉計ユニット50からのステージ移動信号に同
期して、偏向器制御ユニット47を制御し、一次偏向器
26への印加電圧V1を変化させる。
【0043】例えば、ステージ27が、図4(b)に示さ
れるようにX軸に沿って移動量ΔXだけ移動した場合、
偏向器制御ユニット47(図1)は一次偏向器26の電
極6,8(図2(b))への印加電圧V1を変化させる。
その結果、一次ビームの軌道はX軸に沿って偏向し、試
料28上での一次ビームの照射領域24Aは、図4(b)
に示されるように、ステージ27の移動量ΔXに追従し
てΔXだけ移動することになる。
【0044】また、ステージ27が、図4(c)に示され
るようにY軸に沿って移動量ΔYだけ移動した場合、偏
向器制御ユニット47(図1)は一次偏向器26の電極
5,7(図2(b))への印加電圧V1を変化させる。そ
の結果、一次ビームの軌道はY軸に沿って偏向し、試料
28上での一次ビームの照射領域24Aは、図4(c)に
示されるように、ステージ27の移動量ΔYに追従して
ΔYだけ移動することになる。
【0045】このように、ステージ27の移動に伴う試
料28の移動と同期させて、一次ビームの照射領域24
Aを移動させることにより、試料28の所定領域aへの
一次ビームの照射を維持することができる。 〔二次ビーム〕一方、試料28面上に一次ビームが照射
されると、その照射領域24Aからは、二次電子、反射
電子、または後方散乱電子のうち、少なくとも1種から
なる二次ビームが発生する。
【0046】この二次ビームは、照射領域24Aの二次
元画像情報を有する。また、上記のように一次ビームが
試料28に対して垂直に照射されたので、二次ビームは
影のない鮮明な像を有することになる。ここで、試料2
8が載置されたステージ27には上記のリターディング
電圧が印加されているため、図5に示されるカソードレ
ンズ29の電極29aと試料28面との間には、二次ビ
ームに対して正の電界が形成される。したがって、試料
28から発生した二次ビームは、カソードレンズ29に
向けて加速され、効率よく二次光学系20の視野内に導
かれる。
【0047】そして、二次ビームは、カソードレンズ2
9によって集束作用を受け、ニューメニカルアパーチャ
30を通過すると共に、ウィーンフィルタ31の偏向作
用も受けずにそのまま直進し、第2レンズ32を介して
フィールドアパーチャ33上に結像する。このように、
二次ビームを、カソードレンズ29のみで結像させるの
ではなく、第2レンズ32と合わせて1回の結像を行わ
せることにより、レンズ収差の発生を抑えることができ
る。
【0048】また、ウィーンフィルタ31に印加する電
磁界を変えることで、二次ビームから、特定のエネルギ
ー帯を持つ電子(例えば二次電子、反射電子、または後
方散乱電子)のみを選択して通過させることができる。
そして、フィールドアパーチャ33を通過した二次ビー
ムは、後段に配置された第3レンズ34と第4レンズ3
5とによって集束発散を繰り返し、第3レンズ34によ
って1回結像されたのち、第4レンズ35によって検出
器37の検出面に再結像される。
【0049】このように、試料28から発生した二次ビ
ームは、合計3回結像したのち、検出器37に入射す
る。ここで、第3レンズ34と第4レンズ35とを合わ
せて1回の結像を行わせるようにしてもよい(合計2回
の結像)。なお、フィールドアパーチャ33は、後段の
第3レンズ34および第4レンズ35と共に、不要な二
次ビームを遮断して、検出器37のチャージアップやコ
ンタミネーションを防いでいる。ニューメニカルアパー
チャ30は、二次ビームに対しては、後段の第2レンズ
32〜第4レンズ35のレンズ収差を抑える役割を果た
している。
【0050】このように、試料28から発生して検出器
37の検出面に結像した二次ビームは、検出器37内の
MCP38を通過する際に加速増倍され、蛍光面39で
光に変換される。そして、蛍光面39からの光は、FO
P40を介して二次元CCDセンサ41の撮像面に結像
する。
【0051】なお、第3レンズ34,第4レンズ35
は、フィールドアパーチャ33上に得られた中間像を拡
大投影するためのレンズである。したがって、試料28
面上での照射領域24Aの二次元像は、検出器37の検
出面に拡大投影される。また、検出器37の検出面に投
影された照射領域24Aの二次元像(二次ビームの像)
は、蛍光面39において光学像に変換されたのち、FO
P40を介して二次元CCDセンサ41の撮像面に投影
される。因みに、FOP40は、蛍光面39での画像サ
イズと二次元CCDセンサ41での撮像サイズとを合わ
せるために、光学像を約1/3に縮小して投影する。
【0052】ここで、二次元CCDセンサ41の撮像面
に対応する試料28面上での領域を、撮像領域41A
(図6(a)参照)と云うことにする。当然のことなが
ら、この撮像領域41Aは、二次元CCDセンサ41の
撮像面の形状に応じて、ほぼ矩形状となっている。とこ
ろで、この撮像領域41Aの位置は、二次偏向器36
(図5)への印加電圧V2の制御により二次ビームの軌
道をXY方向に偏向することで、試料28面上をXY方
向に移動させることができる。
【0053】この撮像領域41Aの移動は、第1実施形
態において、ステージ27の移動に伴う試料28の移動
と同期して行われる。すなわち、上記した一次ビームの
照射領域24Aの場合と同様に、CPU43(図1)
は、レーザ干渉計ユニット50からのステージ移動信号
に同期して、偏向器制御ユニット48を制御し、二次偏
向器36への印加電圧V2を変化させる。
【0054】例えば、ステージ27が、図6(b)に示さ
れるようにX軸に沿って移動量ΔXだけ移動した場合、
偏向器制御ユニット48(図1)は二次偏向器36を構
成する電極6,8(図2(b))への印加電圧V2を変化
させる。その結果、二次ビームの軌道がX軸に沿って偏
向し、試料28上での撮像領域41Aは、図6(b)に示
されるように、ステージ27の移動量ΔXに追従してΔ
Xだけ移動することになる。
【0055】また、ステージ27が、図6(c)に示され
るようにY軸に沿って移動量ΔYだけ移動した場合、偏
向器制御ユニット48(図1)は二次偏向器36の電極
5,7(図2(b))への印加電圧V2を変化させる。そ
の結果、二次ビームの軌道はY軸に沿って偏向し、試料
28上での撮像領域41Aは、図6(c)に示されるよう
に、ステージ27の移動量ΔYに追従してΔYだけ移動
することになる。
【0056】このように、ステージ27の移動に伴う試
料28の移動と同期させて、撮像領域41Aを移動させ
ることにより、試料28の所定領域aと二次元CCDセ
ンサ41の撮像面との対応関係を維持することができ
る。一方、二次元CCDセンサ41の撮像面に投影され
た撮像領域41Aの光学像は、二次元CCDセンサ41
にて光電変換され、得られた信号電荷は、例えば1/3
0秒おきに二次元CCDセンサ41から画像処理ユニッ
ト42(図1)に出力される。画像処理ユニット42
は、二次元CCDセンサ41からの信号電荷をA/D変
換したのち、内部のVRAMに格納して画像情報を作成
し、CPU43に出力する。CPU43は、試料28の
撮像領域41Aに対応する画像をCRT44に表示させ
る。また、CPU43は、画像情報に対してテンプレー
トマッチング等を実行することで、試料の欠陥箇所を特
定する。
【0057】ここで、上記した第1実施形態の電子銃2
4,一次光学系25,ウィーンフィルタ31,ニューメ
ニカルアパーチャ30,カソードレンズ29,一次コラ
ム制御ユニット45は、請求項の「照射手段」に対応す
る。第1実施形態の検出器37の検出面は、請求項の
「所定面」に対応する。第1実施形態の二次光学系20
は、請求項の「電子光学系」に対応する。第1実施形態
の二次光学系20,二次コラム制御ユニット46は、請
求項の「投影手段」に対応する。第1実施形態の一次偏
向器26,二次偏向器36,偏向器制御ユニット47,
48は、請求項の「偏向手段」に対応する。第1実施形
態の二次元CCDセンサ41は、請求項の「イメージセ
ンサ」に対応する。第1実施形態の検出器37,画像処
理ユニット42は、請求項の「画像取込手段」に対応す
る。第1実施形態のCPU43は、請求項の「制御手
段」に対応する。第1実施形態の一次光学系25,一次
コラム制御ユニット45は、請求項の「ビーム整形手
段」に対応する。
【0058】次に、上記した第1実施形態の検査装置1
0において、ステージ27を一定速度で移動させながら
試料28の画像情報を取り込む際の動作について、図7
〜図10を用いて説明する。ここでは説明を分かりやす
くするため、ステージ27がX軸に沿って一定速度で移
動する場合を例に説明を行う。
【0059】なお、この第1実施形態では、上述した一
次ビームの照射領域24A(図4)が、撮像領域41A
(図6)と略同形状に整形されると共に、一次ビームの
照射領域24A(図4)の移動と撮像領域41A(図
6)の移動とがX軸に沿って同期制御される。したがっ
て、一次ビームの照射領域24Aと撮像領域41Aと
は、試料28面上において常に重なった状態が維持され
ることになる(図10(a)〜(g)中のクロスハッチング
部分が照射領域24Aと撮像領域41Aとの重なりを示
す)。
【0060】ここで、照射領域24Aの移動と撮像領域
41Aの移動とを同期制御する際に印加される一次偏向
器26への電圧V1(図7)と、二次偏向器36への電
圧V2(図8)とについて、具体的に説明する。なお、
図7,図8には、右縦軸に、照射領域24Aの位置,撮
像領域41Aの位置が合わせて示されている。一次偏向
器26への印加電圧V1(図7)は、最大値+V11か
ら最小値−V12へ一定の割合で減少する期間TD(時
刻t1〜t3,t4〜t6,…)と、最小値−V12か
ら最大値+V11へ一定の割合で増加する期間TU(時
刻t3〜t4,t6〜t7,…)とを交互に繰り返し、
周期的に変化する(周期T)。
【0061】このような周期変化のうち、印加電圧V1
が最大値+V11となる時刻t1,t4,t7…におい
て、照射領域24Aは、図7の右縦軸に示されるよう
に、地点Xaに位置する(図10(a),(d),(g)も参
照)。また、印加電圧V1が最小値−V12となる時刻
t3,t6…において、照射領域24Aは、図7の右縦
軸に示されるように、地点Xbに位置する(図10
(c),(f)も参照)。
【0062】さらに、印加電圧V1が一定の割合で減少
する期間TDにおいて、照射領域24Aは地点Xaから
地点Xbに向けて一定速度で移動する。また、印加電圧
V1が一定の割合で増加する期間TUにおいて、照射領
域24Aは地点Xbから地点Xaに向けて一定速度で移
動する。一方、二次偏向器36への印加電圧V2(図
8)は、最大値+V21から最小値−V22へ一定の割
合で減少する期間TD(時刻t1〜t3,t4〜t6,
…)と、最小値−V22から最大値+V21へ一定の割
合で増加する期間TU(時刻t3〜t4,t6〜t7,
…)とを交互に繰り返し、周期的に変化する(周期
T)。
【0063】このような周期変化のうち、印加電圧V2
が最大値+V21となる時刻t1,t4,t7…におい
て、撮像領域41Aは上記した照射領域24Aと同じ地
点Xaに位置する(図10(a),(d),(g)も参照)。
また、印加電圧V2が最小値−V22となる時刻t3,
t6…において、撮像領域41Aは上記した照射領域2
4Aと同じ地点Xbに位置する(図10(c),(f)も参
照)。
【0064】さらに、印加電圧V2が一定の割合で減少
する期間TDにおいて、撮像領域41Aは、上記した撮
像領域24Aと同様に地点Xaから地点Xbに向けて一
定速度で移動する。また、印加電圧V2が一定の割合で
増加する期間TUにおいて、撮像領域41Aは、上記し
た撮像領域24Aと同様に地点Xbから地点Xaに向け
て一定速度で移動する。
【0065】このように、照射領域24Aと撮像領域4
1Aとは、常に重なった状態を維持しながら地点Xaと
地点Xbとの間を周期的に往復移動することになる(周
期T)。このときの照射領域24A,撮像領域41Aの
移動範囲ΔX1は、撮像領域41AのX軸に沿った長さ
Lx(図10(a)参照)にほぼ等しい。
【0066】さらに第1実施形態では、上記した照射領
域24A,撮像領域41Aの往復移動(図7,図8)の
うち、地点Xaから地点Xbに向けて移動する期間TD
において、その移動をステージ27の移動に同期させ
る。このため、照射領域24A,撮像領域41Aは共
に、ステージ27の速さVxと同じ速さで、ステージ2
7の移動方向と同じ方向に、地点Xaから地点Xbに向
けて移動することになる。
【0067】また、ステージ27の速さVxおよび移動
方向は一定であるため、照射領域24A,撮像領域41
Aが地点Xbから地点Xaに向けて移動する期間TUに
おいて、照射領域24A,撮像領域41Aの移動は、ス
テージ27の移動方向とは逆方向であり、ステージ27
の移動に同期されないことになる。そして、この期間T
Uでの照射領域24A,撮像領域41Aの移動は高速に
行われる。
【0068】ところで、照射領域24A,撮像領域41
Aの往復移動の周期T(例えば1秒)は、第1実施形態
において、上記した撮像領域41Aの長さLx(図10
(a)参照)をステージ27(速さVx)が移動するのに
掛かる時間(Lx/Vx)に定めている。したがって、
ステージ27は、1周期分の時間Tが経過するごとに、
長さLxずつ移動していくことになる。すなわち、図9
に示されるように、時刻t1で地点X0に位置するステ
ージ27(図10(a)も参照)は、1周期後の時刻t4
において、長さLxだけ離れた地点X1まで移動(図1
0(d)も参照)し、さらに1周期が経過した時刻t7に
おいては、さらに長さLxだけ離れた地点X2まで移動
する(図10(g)も参照)ことになる。
【0069】上記のように制御される照射領域24A,
撮像領域41A,ステージ27によれば、ステージ27
上に載置される試料28の画像情報が、次のようにして
取り込まれていく。まず、時刻t1において(図10
(a))、ステージ27は地点X0に位置し、照射領域2
4A,撮像領域41Aは、地点Xaに位置している。こ
のため、二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点X
aに位置する検査領域Aの像が投影される。
【0070】そして、時刻t1〜時刻t3の期間TD
(図10(a)〜(c))、照射領域24A,撮像領域41
Aは、ステージ27の移動に同期しながら地点Xaから
地点Xbに向けて移動し、試料28の検査領域Aを追尾
する。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、検査領域Aの像が停止した状態で投影される。この
検査領域Aの像は、1/30秒おきに読み出される。C
RT44には、約1秒間(周期Tに相当する)、検査領
域Aの静止画像が表示される。
【0071】また、時刻t3〜時刻t4の期間TU(図
10(c)〜(d))、照射領域24A,撮像領域41A
は、ステージ27の移動方向(図中左方)とは逆方向
(図中右方)に高速移動される。そして、時刻t4にお
いて(図10(d))、ステージ27は、地点X0から長
さLxだけ離れた地点X1に位置し、照射領域24A,
撮像領域41Aは、再び地点Xaに戻っている。このた
め、二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点Xaに
位置する検査領域Bの像が投影される。なお、この検査
領域Bは、上記した検査領域Aに隣接している。
【0072】また、時刻t4〜時刻t6の期間TD(図
10(d)〜(f))、照射領域24A,撮像領域41A
は、再びステージ27の移動に同期しながら地点Xaか
ら地点Xbに向けて移動し、試料28の検査領域Bを追
尾する。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面
には、検査領域Bの像が停止した状態で投影される。こ
の検査領域Bの像は上記と同様に読み出され、CRT4
4には検査領域Bの静止画像が表示される。
【0073】また、時刻t6〜時刻t7の期間TD(図
10(f)〜(g))、照射領域24A,撮像領域41A
は、ステージ27の移動方向(図中左方)とは逆方向
(図中右方)に高速移動される。
【0074】そして、時刻t7において(図10
(g))、ステージ27は、地点X1から長さLxだけ離
れた地点X2に位置し、照射領域24A,撮像領域41
Aは、再び地点Xaに戻っている。このため、二次元C
CDセンサ41の撮像面には、地点Xaに位置する検査
領域Cの像が投影される。なお、この検査領域Cは、上
記した検査領域Bに隣接している。
【0075】以降、上記した検査領域Aや検査領域Bの
ときと同様にして、検査領域Cの像が二次元CCDセン
サ41の撮像面に停止した状態で投影される。この検査
領域Cの像も上記と同様に読み出され、CRT44には
検査領域Cの静止画像が表示される。このように、ステ
ージ27がX軸に沿って移動する場合には、照射領域2
4Aと撮像領域41AとをX軸に沿って往復移動させる
ことにより、このX軸に沿って配列された隣接する検査
領域A,B,C(図10)から、連続的に試料画像を取
り込むことができる。
【0076】また、検査装置10によれば、ステージ2
7がX軸に沿って移動する場合に限らず、ステージ27
がY軸に沿って移動する場合であっても、照射領域24
Aと撮像領域41AとをY軸に沿って往復移動させるこ
とにより、このY軸に沿って配列された隣接する複数の
検査領域から、連続的に試料画像を取り込むことができ
る。
【0077】さらに、検査装置10によれば、上記のよ
うにステージ27の移動方向に沿って配列された隣接す
る複数の検査領域(例えば図10のA〜C)だけでな
く、例えば図11のように、ステージ27の移動方向か
ら外れてジグザグ状に配置された複数の検査領域A,
B,C,D,Eからも、連続的に試料画像を取り込むこ
とができる。
【0078】この場合、各検査領域A,B,C,D,E
の静止画像を取り込む際には、上記した動作(図7〜図
10の時刻t1〜t3,t4〜t6,…参照)と同様
に、ステージ27の移動と照射領域24A,撮像領域4
1Aの移動とを同期させる。そして、ある検査領域(例
えばA)の静止画像を取り込んだのちに、照射領域24
A,撮像領域41Aを、ステージ27の移動方向(図中
左方)とは逆方向(図中右方)に高速移動させると共
に、ステージ27の移動方向と直交する方向(図中上方
または下方)にも高速移動させることで、ある検査領域
(例えばA)とは離れた次の検査領域(例えばB)の画
像取り込みを開始することができる。
【0079】なお、ある検査領域(例えばA)から次の
検査領域(例えばB)への高速移動時における照射領域
24A,撮像領域41Aの移動量は、ある検査領域(例
えばA)と次の検査領域(例えばB)との位置関係に応
じて予め定められたものである。このように、ステージ
27の移動方向に照射領域24A,撮像領域41Aを同
期移動させる期間と、検査領域の位置関係に応じて照射
領域24A,撮像領域41Aを高速移動させる期間とを
交互に繰り返すことにより、ジグザグ状に配置されて互
いに隣接しない複数の検査領域A,B,C,D,Eか
ら、連続的に試料画像を取り込むことができる。
【0080】さらに、検査装置10によれば、例えば図
12のように、ステージ27の移動方向と直交する方向
に沿って配置された検査領域A,Bからも、連続的に試
料画像を取り込むことができる。この場合、検査領域A
から検査領域Bへの照射領域24A,撮像領域41Aの
高速移動は、ステージ27の移動方向と直交する方向に
行われる。
【0081】また、検査装置10によれば、例えば図1
3のように、ステージ27が斜め方向に移動する場合で
も、照射領域24A,撮像領域41Aをステージの移動
方向に沿って斜めに同期移動させることにより、複数の
検査領域A〜G各々から静止画像を取り込むことができ
る。そして、ある検査領域(例えばA)から次の検査領
域(例えばB)へ、その位置関係に応じて照射領域24
A,撮像領域41Aを高速移動させることにより、各検
査領域A〜Gからの静止画像の取り込みを連続的に行え
る。
【0082】以上説明したように、第1実施形態の検査
装置10によれば、ステージ27の移動方向や試料28
の検査領域の配置に関わらず、連続的に各検査領域から
の静止画像の取り込みを行うことができ、検査の効率化
が図られる。したがって、図14のように、試料28の
一部領域28A内にまばらに配置された多数の検査領域
A〜Tから静止画像を連続的に取り込みたい場合には、
検査領域A〜Tの配置に応じて最も効率的なステージ2
7の移動曲線を定め、この移動曲線に沿ってステージ2
7を滑らかに移動させることで、画像取り込みを迅速に
行うことができる。
【0083】このように、ステージ27上に載置された
試料28の検査方向に制限が無くなるため、検査の自由
度が広がると共に、使い勝手の良い検査装置10とな
る。第1実施形態の検査装置10は、試料28の全面を
検査する場合に限らず、検査結果のレビューなど、試料
28の一部を比較的高倍率で検査する場合にも有効であ
り、効率よく検査することができる。
【0084】また、ステージ27を移動させながら試料
28の各検査領域の画像を取り込むに当たって、ステー
ジ27を停止させることなく、上記した周期T(例えば
1秒)に相当する期間、撮像領域41A,照射領域24
Aが追尾中の検査領域に応じた静止画像をリアルタイム
で表示させることができる。したがって、オペレータが
検査領域の試料画像を目視観察したい場合に非常に有効
である。
【0085】さらに、上記した第1実施形態では、照射
領域24Aの形状を、二次元CCDセンサ41の撮像面
の形状に応じて整形し、撮像領域41Aと略同形状とし
たので、画像取り込みに必要な試料28の領域のみに一
次ビームが照射されることになる。したがって、一次ビ
ームを効率よく照射することができる。また、試料28
のチャージアップおよびコンタミネーションの防止にも
貢献できる。
【0086】(第2実施形態)次に、第2実施形態につ
いて説明する。第2実施形態は、請求項1〜請求項6に
対応する。この第2実施形態は、上記した第1実施形態
の検査装置10(図1〜図6)における画像取り込み動
作の別の形態を説明するものである。
【0087】ここでも説明を分かりやすくするため、ス
テージ27がX軸に沿って一定速度で移動する場合を例
に説明を行う。また、この第2実施形態でも、一次ビー
ムの照射領域24A(図4)が、撮像領域41A(図
6)と略同形状に整形されると共に、照射領域24A
(図4)の移動と撮像領域41A(図6)の移動とがX
軸に沿って同期制御される。
【0088】したがって、照射領域24Aと撮像領域4
1Aとは、試料28面上において常に重なった状態が維
持されることになる(図18(a)〜(e)中のクロスハッ
チング部分が照射領域24Aと撮像領域41Aとの重な
りを示す)。さて、第2実施形態の画像取り込み動作
は、照射領域24A,撮像領域41Aの往復移動の範囲
ΔX2(図15,図16)が、上記した第1実施形態の
移動範囲ΔX1(図7,図8)よりも狭く、撮像領域4
1Aの長さLxの約半分となっている点を主たる特徴と
する(図18(a)も参照)。
【0089】このため、一次偏向器26への印加電圧V
1(図15)の最大値+V13,最小値−V14は各
々、上記した第1実施形態の最大値+V11,最小値−
V12(図7)の1/2に設定されている。また、二次
偏向器36への印加電圧V2(図16)の最大値+V2
3,最小値−V24も各々、上記した第1実施形態の最
大値+V21,−V22(図8)の1/2に設定されて
いる。
【0090】なお、一次偏向器26への印加電圧V1が
最大値+V13となる時刻t1,t3,t5…において
は、二次偏向器36への印加電圧V2も最大値+V23
となる。そして、照射領域24A,撮像領域41Aは共
に地点Xcに位置する。
【0091】また、一次偏向器26への印加電圧V1が
最小値−V14となる時刻t2,t4,t6…において
は、二次偏向器36への印加電圧V2も最小値−V24
となる。そして、照射領域24A,撮像領域41Aは共
に地点Xdに位置する。さらに、印加電圧V1,V2が
一定の割合で減少する期間TD(時刻t1〜t2,t3
〜t4,…)において、照射領域24A,撮像領域41
Aは、重なった状態を維持しながら地点Xcから地点X
dに向けて一定速度で移動する。このときの移動はステ
ージ27の移動に同期される。
【0092】また、印加電圧V1,V2が一定の割合で
増加する期間TU(時刻t2〜t3,t4〜t5,…)
において、照射領域24A,撮像領域41Aは、重なっ
た状態を維持しながら地点Xdから地点Xcに向けて一
定速度で移動する。このときの移動はステージ27の移
動に同期されない高速移動である。さらに、第2実施形
態の画像取り込み動作において、撮像領域24A,撮像
領域41Aの往復移動(図15,図16)の周期Kは、
撮像領域41Aの長さLxの半分(Lx/2)をステー
ジ27(速さVx)が移動するのに掛かる時間(Lx/
(2Vx))に定められる。
【0093】したがって、ステージ27は、図17に示
されるように、1周期分の時間Kが経過するごとに、長
さLx/2ずつ移動していくことになる。上記のように
制御される照射領域24A,撮像領域41A,ステージ
27によれば、ステージ27上に載置される試料28の
画像情報が、次のようにして取り込まれていく。
【0094】まず、時刻t1において(図18(a))、
ステージ27は地点X0に位置し、照射領域24A,撮
像領域41Aは、地点Xcに位置している。このため、
二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点Xcに位置
する検査領域Aの像が投影される。
【0095】そして、時刻t1〜時刻t2の期間TD
(図18(a)〜(b))、照射領域24A,撮像領域41
Aは、ステージ27の移動に同期しながら地点Xcから
地点Xdに向けて移動し、試料28の検査領域Aを追尾
する。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、検査領域Aの像が停止した状態で投影される。この
検査領域Aの像は、1/30秒おきに読み出される。C
RT44には、約0.5秒間(周期Kに相当する)、検
査領域Aの静止画像が表示される。
【0096】また、時刻t2〜時刻t3の期間TU(図
18(b)〜(c))、照射領域24A,撮像領域41A
は、ステージ27の移動方向(図中左方)とは逆方向
(図中右方)に高速移動される。そして、時刻t3にお
いて(図18(c))、ステージ27は、地点X0から長
さLx/2だけ離れた地点X1に位置し、照射領域24
A,撮像領域41Aは、再び地点Xcに戻っている。こ
のため、二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点X
cに位置する検査領域Bの像が投影される。なお、この
検査領域Bは、上記した検査領域Aの半分を含んでい
る。
【0097】また、時刻t3〜時刻t4の期間TD(図
18(c)〜(d))、照射領域24A,撮像領域41A
は、再びステージ27の移動に同期しながら地点Xcか
ら地点Xdに向けて移動し、試料28の検査領域Bを追
尾する。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面
には、検査領域Bの像が停止した状態で投影される。こ
の検査領域Bの像も上記と同様に読み出される。CRT
44に検査領域Bの静止画像が表示される。
【0098】また、時刻t4〜時刻t5の期間TU(図
18(d)〜(e))、照射領域24A,撮像領域41A
は、ステージ27の移動方向とは逆方向に高速移動され
る。そして、時刻t5において(図18(e))、ステー
ジ27は、地点X1から長さLx/2だけ離れた地点X
2に位置し、照射領域24A,撮像領域41Aは、再び
地点Xcに戻っている。このため、二次元CCDセンサ
41の撮像面には、地点Xcに位置する検査領域Cの像
が投影される。なお、この検査領域Cは、上記した検査
領域Bの半分を含んでいる。
【0099】以降、上記した検査領域Aや検査領域Bの
ときと同様にして、検査領域Cの像が二次元CCDセン
サ41の撮像面に停止した状態で投影される。この検査
領域Cの像も上記と同様に読み出され、CRT44には
検査領域Cの静止画像が表示される。なお、この第2実
施形態では、上記した検査領域Aの右側半分と検査領域
Bの左側半分とが共通し、検査領域Bの右側半分と検査
領域Cの左側半分とが共通している。したがって、検査
領域A〜Cの画像を取り込んだのち、画像のつなぎ合わ
せ処理を行うときに、共通した部分を例えば平均化処理
することで、画像のSN比を高めることができる。
【0100】以上説明したように、第2実施形態によれ
ば、上述した第1実施形態における効果に加えて、照射
領域24A,撮像領域41Aの往復移動の範囲ΔX2を
狭くした分だけ、検査装置10の一次光学系25や二次
光学系20の有効視野範囲を狭くでき、装置設計が容易
となる。 (第3実施形態)次に、第3実施形態について説明す
る。第3実施形態は、請求項1,請求項2,請求項4〜
請求項6に対応する。
【0101】この第3実施形態は、上記した第1実施形
態の検査装置10(図1〜図6)から一次偏向器26と
偏向器制御ユニット47とを省略した構成の検査装置に
おいて、ステージ27を一定速度で移動させながら試料
28の画像情報を取り込む際の動作を説明するものであ
る。ここでも説明を分かりやすくするため、ステージ2
7がX軸に沿って一定速度で移動する場合を例に説明を
行う。
【0102】このように、第3実施形態の検査装置には
一次偏向器26と偏向器制御ユニット47とが設けられ
ていないため、一次ビームの照射領域24Aは試料28
面上に静止する。なお、第3実施形態の検査装置には二
次偏向器36と偏向器制御ユニット48とが設けられて
いる。そして、二次偏向器36には、上記した第1実施
形態と同様の電圧V2が印加される(図8)。
【0103】さて、第3実施形態の画像取り込み動作
は、照射領域24Aを静止させ、撮像領域41Aを移動
範囲ΔX1(撮像領域41Aの長さLxにほぼ等しい)
内で往復移動させながら行われる(周期T)。ここで、
照射領域24Aの形状は撮像領域41Aの形状に応じて
整形され、第3実施形態では、図19に示されるよう
に、撮像領域41A(図20)をX軸に沿って2つ並べ
た形状に整形されている。
【0104】したがって、ステージ27上に載置される
試料28の画像情報は、次のようにして取り込まれてい
く。まず、時刻t1において(図21(a))、ステージ
27は地点X0に位置し、撮像領域41Aは地点Xaに
位置する。このとき、照射領域24Aと撮像領域41A
とは、地点Xaに位置する検査領域Aにおいて重なった
状態となる(図21(a)中のクロスハッチング部分が照
射領域24Aと撮像領域41Aとの重なりを示す)。し
たがって、二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点
Xaに位置する検査領域Aの像が投影される。
【0105】そして、時刻t1〜時刻t3の期間TD
(図21(a)〜(c))、撮像領域41Aは、ステージ2
7の移動に同期しながら地点Xaから地点Xbに向けて
移動し、試料28の検査領域Aを追尾する。したがっ
て、二次元CCDセンサ41の撮像面には、検査領域A
の像が停止した状態で投影される。この検査領域Aの像
は、1/30秒おきに読み出される。CRT44には、
約1秒間(周期Tに相当する)、検査領域Aの静止画像
が表示される。
【0106】また、時刻t3〜時刻t4の期間TU(図
21(c)〜(d))、撮像領域41Aは、ステージ27の
移動方向とは逆方向に高速移動される。そして、時刻t
4において(図21(d))、ステージ27は、地点X0
から長さLxだけ離れた地点X1に位置し、撮像領域4
1Aは、再び地点Xaに戻っている。
【0107】このとき、照射領域24Aと撮像領域41
Aとは、地点Xaに位置する検査領域Bにおいて重なっ
た状態(図21(d)中のクロスハッチング部分)とな
る。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、地点Xaに位置する検査領域Bの像が投影される。
なお、この検査領域Bは、上記した検査領域Aに隣接し
ている。
【0108】また、時刻t4〜時刻t6の期間TD(図
21(d)〜(f))、撮像領域41Aは、再びステージ2
7の移動に同期しながら地点Xaから地点Xbに向けて
移動し、試料28の検査領域Bを追尾する。したがっ
て、二次元CCDセンサ41の撮像面には、検査領域B
の像が停止した状態で投影される。この検査領域Bの像
は上記と同様に読み出され、CRT44に検査領域Bの
静止画像が表示される。
【0109】また、時刻t6〜時刻t7の期間TD(図
21(f)〜(g))、撮像領域41Aは、ステージ27の
移動方向とは逆方向に高速移動される。そして、時刻t
7において(図21(g))、ステージ27は、地点X1
から長さLxだけ離れた地点X2に位置し、撮像領域4
1Aは、再び地点Xaに戻っている。
【0110】このとき、照射領域24Aと撮像領域41
Aとは、地点Xaに位置する検査領域Cにおいて重なっ
た状態(図21(g)中のクロスハッチング部分)とな
る。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、地点Xaに位置する検査領域Cの像が投影される。
なお、この検査領域Cは、上記した検査領域Bに隣接し
ている。
【0111】以降、上記した検査領域Aや検査領域Bの
ときと同様にして、検査領域Cの像が二次元CCDセン
サ41の撮像面に停止した状態で投影される。この検査
領域Cの像も上記と同様に読み出され、CRT44に検
査領域Cの静止画像が得られる。以上説明したように、
第3実施形態によれば、上述した第1実施形態における
効果に加えて、一次偏向器26と偏向器制御ユニット4
7とを省略した分だけ、検査装置10の構成が簡略化さ
れる。
【0112】なお、上記した第3実施形態では、一次ビ
ームの照射領域24AをX軸に沿って細長くした例を説
明したが、これはステージ27のX方向移動を想定した
ためであり、ステージ27のY方向移動や斜め方向移動
を想定する場合には、その移動方向にも照射領域24A
を広げておく必要がある。また、上記した第3実施形態
では、照射領域24Aの形状を2倍に細長くする例を説
明したが、例えば上記した第2実施形態のように、撮像
領域41Aの往復移動の範囲ΔX2をLx/2に等しく
する場合には、照射領域24Aの形状も、撮像領域41
AをX軸に沿って1.5倍にした形状に整形すればよ
い。
【0113】さらに、上記した第3実施形態では、照射
領域24Aの形状を、二次元CCDセンサ41の撮像面
の形状に応じて整形し、撮像領域41Aの移動範囲全体
に対応する領域としたので、画像取り込みに必要な試料
28の領域のみに一次ビームが照射されることになる。
したがって、一次ビームを効率よく照射することができ
る。また、試料28のチャージアップおよびコンタミネ
ーションの防止にも貢献できる。
【0114】(第4実施形態)次に、第4実施形態につ
いて説明する。第4実施形態は、請求項1,請求項2,
請求項4,請求項5に対応する。この第4実施形態は、
上記した第1実施形態の検査装置10(図1〜図6)か
ら二次偏向器36と偏向器制御ユニット48とを省略し
た構成の検査装置において、ステージ27を一定速度で
移動させながら試料28の画像情報を取り込む際の動作
を説明するものである。
【0115】ここでも説明を分かりやすくするため、ス
テージ27がX軸に沿って一定速度で移動する場合を例
に説明を行う。このように、第4実施形態の検査装置に
は二次偏向器36と偏向器制御ユニット48とが設けら
れていないため、撮像領域41Aは試料28面上に静止
する。なお、第4実施形態の検査装置には一次偏向器2
6と偏向器制御ユニット47とが設けられている。そし
て、一次偏向器26には、上記した第2実施形態と同様
の電圧V1が印加される(図15)。
【0116】さて、第4実施形態の画像取り込み動作
は、撮像領域41Aを静止させ、照射領域24Aを移動
範囲ΔX2(撮像領域41Aの長さLxの半分にほぼ等
しい)内で往復移動させながら行われる(周期K)。こ
こで、照射領域24Aの形状は撮像領域41Aの形状に
応じて整形され、第4実施形態では、図22に示される
ように、撮像領域41A(図23)をX軸に沿って1/
2倍にした形状に整形されている。
【0117】したがって、ステージ27上に載置される
試料28の画像情報は、次のようにして取り込まれてい
く。まず、時刻t1において(図24(a))、ステージ
27は地点X0に位置し、照射領域24Aは地点Xcに
位置する。このとき、照射領域24Aと撮像領域41A
とは、地点Xcに位置する検査領域Aにおいて重なった
状態となる(図24(a)中のクロスハッチング部分が照
射領域24Aと撮像領域41Aとの重なりを示す)。し
たがって、二次元CCDセンサ41の撮像面には、地点
Xcに位置する検査領域Aの像が投影される。
【0118】そして、時刻t1〜時刻t2の期間TD
(図24(a)〜(b))、照射領域24Aは、ステージ2
7の移動に同期しながら地点Xcから地点Xdに向けて
移動し、試料28の検査領域Aを追尾する。したがっ
て、二次元CCDセンサ41の撮像面には、検査領域A
の像が投影される。この検査領域Aの像は、ステージ2
7の移動に応じて撮像面上を移動する。また、検査領域
Aの像は1/30秒おきに読み出される。CRT44に
は、約0.5秒間(周期Kに相当する)、検査領域Aの
画像が表示される。
【0119】また、時刻t2〜時刻t3の期間TU(図
24(b)〜(c))、照射領域24Aは、ステージ27の
移動方向とは逆方向に高速移動される。そして、時刻t
3において(図24(c))、ステージ27は、地点X0
から長さLx/2だけ離れた地点X1に位置し、照射領
域24Aは再び地点Xcに戻っている。
【0120】このとき、照射領域24Aと撮像領域41
Aとは、地点Xcに位置する検査領域Bにおいて重なっ
た状態(図24(c)中のクロスハッチング部分)とな
る。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、地点Xcに位置する検査領域Bの像が投影される。
なお、この検査領域Bは、上記した検査領域Aに隣接し
ている。
【0121】また、時刻t3〜時刻t4の期間TD(図
24(c)〜(d))、照射領域24Aは、再びステージ2
7の移動に同期しながら地点Xcから地点Xdに向けて
移動し、試料28の検査領域Bを追尾する。したがっ
て、二次元CCDセンサ41の撮像面には、検査領域B
の像が投影される。この検査領域Bの像も、ステージ2
7の移動に応じて撮像面上を移動する。また、検査領域
Bの像も上記と同様にして読み出され、CRT44には
検査領域Bの画像が表示される。
【0122】また、時刻t4〜時刻t5の期間TU(図
24(d)〜(e))、照射領域24Aは、ステージ27の
移動方向とは逆方向に高速移動される。そして、時刻t
5において(図24(e))、ステージ27は、地点X1
から長さLx/2だけ離れた地点X2に位置し、照射領
域24Aは再び地点Xcに戻っている。
【0123】このとき、照射領域24Aと撮像領域41
Aとは、地点Xcに位置する検査領域Cにおいて重なっ
た状態(図24(e)中のクロスハッチング部分)とな
る。したがって、二次元CCDセンサ41の撮像面に
は、地点Xcに位置する検査領域Cが投影される。な
お、この検査領域Cは、上記した検査領域Bに隣接して
いる。以降、上記した検査領域Aや検査領域Bのときと
同様にして、検査領域Cの像が二次元CCDセンサ41
の撮像面に投影される。この検査領域Cの像も、ステー
ジ27の移動に応じて撮像面上を移動する。また、検査
領域Cの像も上記と同様にして読み出され、CRT44
に検査領域Cの画像が得られる。
【0124】なお、この第4実施形態では、上記したよ
うに、二次元CCDセンサ41の撮像面に投影される像
が、ステージ27の移動に応じて撮像面上を移動する。
このため、二次元CCDセンサ41の撮像面の必要なエ
リアのみから画像を取り込み、ステージ27の移動に同
期して画像取り込みエリアをずらしつつ、取り込んだ画
像の積算を行うことにより、SN比の高い画像が得られ
る。
【0125】以上説明したように、第4実施形態によれ
ば、二次偏向器36と偏向器制御ユニット47とを省略
した分だけ、検査装置10の構成が簡略化される。ま
た、上記した第4実施形態では、照射領域24Aの形状
を、二次元CCDセンサ41の撮像面の形状に応じて整
形し、撮像領域41Aの半分としたので、画像取り込み
に必要な試料28の領域のみに一次ビームが照射される
ことになる。したがって、一次ビームを効率よく照射す
ることができる。また、試料28のチャージアップおよ
びコンタミネーションの防止にも貢献できる。
【0126】なお、上記した第4実施形態によれば、一
次ビームの照射領域24AをX軸に沿って狭くした例を
説明したが、これはステージ27のX方向移動を想定し
たためであり、ステージ27のY方向移動や斜め方向移
動を想定する場合には、その移動方向に狭くすれば良
い。
【0127】なお、上記した第1実施形態〜第4実施形
態では、二次元CCDセンサ41に蓄積された信号電荷
を例えば1/30秒おきに次々と読み出す例を説明した
が、二次元CCDセンサ41から画像処理ユニット42
に信号電荷を出力するタイミング(シャッター時間)は
これに限らない。例えば、二次元CCDセンサ41の撮
像面での光量が不足するような場合には、シャッター時
間を長めに設定し、各受光画素にて信号電荷を積算した
のち読み出すことで、SN比を向上させることができ
る。なお、二次元CCDセンサ41のシャッター時間
は、上記した周期T(または周期K)に相当する時間ま
で長く設定できる。
【0128】さらに、上記した第1実施形態〜第4実施
形態では、周期Tが1秒(または周期Kが0.5秒)と
いったステージ27の低速スキャン時の例を説明した
が、この周期T(または周期K)は、ステージ27の速
さVxに応じて変えることができる。二次元CCDセン
サ41の撮像面での光量が充分ある場合には、周期T
(または周期K)が1/30秒の高速スキャンによる検
査も可能である。
【0129】また、上記した第1実施形態〜第4実施形
態では、複数の受光画素を二次元に配列した二次元CC
Dセンサ41で試料画像を撮像する例を説明したが、こ
のような二次元CCDセンサ41に代えて、複数のライ
ンCCDセンサを並列に配してなるイメージセンサで試
料画像を撮像してもよい。また、図1の検査装置10で
は、一次ビームが試料に照射されるまでと、試料からの
二次ビームが検出器37で検出されるまでとで、カソー
ドレンズ29,ウィーンフィルタ31などを共用した構
成で説明したが、一次ビームの経路である一次ビーム系
と二次ビームの経路である二次ビーム系とを各々独立さ
せて、各々にカソードレンズを備える構成であっても良
い。
【0130】さらに、上記した第1実施形態〜第4実施
形態では、電子ビームを用いた検査装置について説明し
たが、本発明は、EB露光装置の画像アライメントにも
適用することができる。また、本発明によれば、二次元
CCDセンサや、複数のラインCCDセンサを配してな
るイメージセンサを使用することにより、装置のコスト
ダウンにも寄与できる。
【0131】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜請求項
6に記載の発明によれば、ステージが如何なる方向に移
動している場合でも、その移動方向に沿って配列された
多数の検査領域から、連続的に効率よく試料画像を取り
込むことができるため、試料の検査方向に制限が無くな
り、検査の自由度が広がると共に、使い勝手の良い検査
装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の検査装置10の構成を示す図で
ある。
【図2】(a)は一次光学系の構成を示す図、(b)は一次
偏向器の構成を示す図である。
【図3】一次ビームの軌道を示す図である。
【図4】一次ビームの照射領域を説明する図である。
【図5】二次ビームの軌道を示す図である。
【図6】撮像領域を説明する図である。
【図7】第1実施形態における一次偏向器への印加電圧
を示す図である。
【図8】第1実施形態における二次偏向器への印加電圧
を示す図である。
【図9】第1実施形態におけるステージの移動を示す図
である。
【図10】第1実施形態の画像取り込み動作を説明する
図である。
【図11】ジグザグ状に配置された複数の検査領域A〜
Eを示す図である。
【図12】複数の検査領域A〜Eの別の配置を示す図で
ある。
【図13】斜め方向に沿って配置された複数の検査領域
A〜Gを示す図である。
【図14】まばらに配置された多数の検査領域A〜Tを
示す図である。
【図15】第2実施形態における一次偏向器への印加電
圧を示す図である。
【図16】第2実施形態における二次偏向器への印加電
圧を示す図である。
【図17】第2実施形態におけるステージの移動を示す
図である。
【図18】第2実施形態の画像取り込み動作を説明する
図である。
【図19】第3実施形態における一次ビームの照射領域
を説明する図である。
【図20】撮像領域を説明する図である。
【図21】第3実施形態の画像取り込み動作を説明する
図である。
【図22】第4実施形態における一次ビームの照射領域
を説明する図である。
【図23】撮像領域を説明する図である。
【図24】第4実施形態の画像取り込み動作を説明する
図である。
【図25】TDIアレイCCDセンサの概略構成を示す
図である。
【図26】従来の試料画像取り込み動作を説明する図で
ある。
【図27】従来の試料画像取り込み動作を説明する図で
ある。
【符号の説明】
10 検査装置 20 二次光学系 21 一次コラム 22 二次コラム 23 チャンバー 24 電子銃 25 一次光学系 26、36 偏向器 27 ステージ 28 試料 29 カソードレンズ 30 ニューメニカルアパーチャ 31 ウィーンフィルタ 32 第2レンズ 33 フィールドアパーチャ 34 第3レンズ 35 第4レンズ 37 検出器 38 MCP 39 蛍光面 40 FOP 41 二次元CCDセンサ 42 画像処理ユニット 43 CPU 44 CRT 45 一次コラム制御ユニット 46 二次コラム制御ユニット 47,48 偏向器制御ユニット 49 ステージ制御ユニット 50 レーザ干渉計ユニット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料が載置され、移動可能なステージ
    と、 前記試料に電子ビームを照射する照射手段と、 前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する二
    次ビームを、所定面に結像させる電子光学系を有し、該
    電子光学系の視野内に位置する試料からの前記二次ビー
    ムの像を前記所定面に投影する投影手段と、 前記電子ビームと前記二次ビームとの少なくとも一方の
    軌道を偏向する偏向手段と、 前記所定面に投影された前記像を撮像するイメージセン
    サを有し、該イメージセンサからの出力信号に基づいて
    対応する画像情報を取り込む画像取込手段と、 前記ステージの移動に伴う前記試料の移動と前記偏向手
    段による前記軌道の偏向とを同期させて制御する制御手
    段とを備えたことを特徴とする検査装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の検査装置において、 前記照射手段は、前記電子ビームの照射領域を前記イメ
    ージセンサの撮像面の形状に応じて整形するビーム整形
    手段を有することを特徴とする検査装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の検査装
    置において、 前記偏向手段は、前記電子ビームの軌道と前記二次ビー
    ムの軌道とを偏向するものであり、 前記制御手段は、前記偏向手段による前記電子ビームの
    軌道の偏向と前記二次ビームの軌道の偏向とを同期させ
    て制御することを特徴とする検査装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3の何れか1項に記
    載の検査装置において、 前記制御手段は、前記試料の移動に同期させた前記偏向
    手段の制御と、前記試料の移動に同期させない前記偏向
    手段の制御とを交互に行うことを特徴とする検査装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から請求項4の何れか1項に記
    載の検査装置において、 前記イメージセンサは、二次元に配列された複数の受光
    画素を有する二次元CCD撮像素子であることを特徴と
    する検査装置。
  6. 【請求項6】 試料を載置したステージを移動させる移
    動工程と、 前記試料に電子ビームを面状に照射する照射工程と、 前記移動工程における前記試料の移動に同期して、前記
    照射工程により照射された前記試料から発生する二次ビ
    ームを静止画像としてイメージセンサで検出する検出工
    程とを含むことを特徴とする検査方法。
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