JP2000230132A - ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物及びその合成中間体、並びにこれらの製造方法 - Google Patents

ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物及びその合成中間体、並びにこれらの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強い発光を呈し、黄色〜赤色の発光材料とな
りうるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物と、その
一般的かつ高効率な製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式〔Ｉ〕等で表されるビス（ア
ミノスチリル）ベンゼン化合物。例えば４−（Ｎ，Ｎ−
ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとジホスホン酸エ
ステル又はジホスホニウムとの縮合による製造方法。 【化２８５】 （但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 はエトキシ基な
どの特定の置換基を有するアリール基、Ｒ5 〜Ｒ8 はシ
アノ基などの基である。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の発光色を呈
する有機発光材料として好適なビス（アミノスチリル）
ベンゼン化合物及びその合成中間体、並びにこれらの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自発光であって、応答速度が高速であ
り、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの
１候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）等が近時
注目されており、その構成材料として、有機発光材料へ
の関心が高まっている。有機発光材料の第一の利点は、
分子設計によって材料の光学的な性質をある程度コント
ロールできるところにあり、これによって赤、青、緑色
の３原色発光をすべて各々の有機発光材料で作成したフ
ルカラー有機発光素子の実現が可能である。
【０００３】下記一般式〔Ａ〕で示されるビス（アミノ
スチリル）ベンゼン化合物は、導入される置換基に依存
して、可視部領域に青〜赤の強い発光を呈することか
ら、有機電界発光素子材料に限らず、さまざまな用途に
利用可能である。さらに、これら材料は昇華性であり、
真空蒸着等のプロセスによって、均一なアモルファス膜
を形成しうる利点がある。今日では、分子軌道計算等に
より、材料の光学的な性質がある程度までは予測可能で
あるが、実際には要求される材料を高効率に製造する技
術が産業上もっとも重要であることは、いうまでもな
い。
【０００４】
【化１６７】 （但し、前記一般式〔Ａ〕において、Ａｒは置換基を有
してもよいアリール基であり、Ｒa 及びＲb はそれぞ
れ、水素原子、飽和又は不飽和の炭化水素基、置換基を
有してもよいアリール基、シアノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、アルコキシル基を示し、これらは同一であって
も異なってもよい。）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これまで、有機発光材
料として前記一般式〔Ａ〕に属する多くの化合物が製造
されてきたが、これらの材料の蛍光（発光）は多くが青
〜緑色であり、黄色〜赤色の発光を呈するものはわずか
に報告されているのみであり〔電気情報通信学会、技術
研究報告、有機エレクトロニクス，17,7(1992)、Inorga
nic and OrganicElectroluminescence 96 Berlin, 101
(1996)等〕、またその高効率な製造法も確立されていな
かった。
【０００６】本発明の目的は、上記のような現状に鑑
み、強い発光を呈する特に黄色〜赤色の有機発光材料と
して好適な化合物及びその合成中間体と、これらを高効
率に製造する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討した結果、一般式〔Ｉ〕、〔I
I〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス( アミノスチ
リル）ベンゼン化合物が強い発光を呈し、黄色〜赤色の
発光材料となりうることを見い出し、かつその一般的か
つ高効率な製造方法を確立し、本発明に到達したもので
ある。
【０００８】即ち、本発明はまず、下記一般式〔Ｉ〕、
〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノス
チリル）ベンゼン化合物（以下、本発明の第１の化合物
と称する。）に係るものである。
【化１６８】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
（１）で表されるアリール基であり
【化１６９】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、
Ｂｒ、Ｉ等：以下、同様）である。〕
【化１７０】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
般式（２）で表されるアリール基であり
【化１７１】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
又はハロゲン原子である。〕
【化１７２】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
29及びＲ30は少なくとも１つが下記一般式（３）で表さ
れるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であ
り
【化１７３】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
である。〕
【化１７４】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
表されるアリール基であり
【化１７５】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化１７６】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
る。〕
【０００９】本発明の第１の化合物は、黄色〜赤色の発
光を示す有機発光材料として有効に利用することがで
き、また、高いガラス転移点及び融点を有する物質であ
り、電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れている
上、非晶質でガラス状態を容易に形成し得るので、蒸着
等を行うこともできる。
【００１０】本発明の第１の化合物は、下記一般式で表
されるものが好ましい。
【化１７７】 〔但し、前記一般式において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3
及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同
一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場
合には下記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）で
表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１７８】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
において、Ｒ60は炭素数２以上、特に２〜４の飽和又は
不飽和の炭化水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3
及びＡｒ4 のすべてが一般式（６）のアリール基である
場合には、Ｒ60は炭素数１以上、特に２以上、６以下
（以下、同様）の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上、特に１〜６（以下、
同様）の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ63及び
Ｒ64はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭素数１以
上、特に１〜６（以下、同様）の飽和又は不飽和の炭化
水素基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の
整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【００１１】本発明の第１の化合物は、より具体的に
は、下記一般式（９）、（１０）、（１１）、（１
２）、（１３）、（１４）、（１５）又は（１５’）で
表されるものがよい。
【化１７９】 （但し、前記一般式（１０）において、Ｒ65は炭素数２
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８０】 （但し、前記一般式（１１）において、Ｒ66は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８１】 （但し、前記一般式（１２）において、Ｒ67は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８２】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ68は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８３】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ69は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８４】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ70は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８５】 （但し、前記一般式（１５’）において、Ｒ70は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和炭化水素基である。）
【００１２】本発明の第１の化合物は、下記構造式（１
６）−１、（１６）−２、（１６）−３、（１６）−
４、（１６）−５、（１６）−６、（１６）−７、（１
６）−８、（１６）−９、（１６）−１０、（１６）−
１１、（１６）−１２又は（１６）−１３で表されるも
のが具体的に例示される。
【化１８６】
【００１３】これら以外にも、次の化合物も例示するこ
とができる。
【化１８７】
【００１４】
【化１８８】
【００１５】
【化１８９】
【００１６】
【化１９０】
【００１７】
【化１９１】
【００１８】
【化１９２】
【００１９】
【化１９３】
【００２０】
【化１９４】
【００２１】なお、上記した構造式（１６）−８や（１
６）−９などの如く、ｔ−ブチルなどといった嵩高い置
換基の導入によって、次のような特性改善が図れる可能
性がある。 強固な分子間相互作用を弱めることにより、安定なア
モルファス膜を実現する。 ホールのホッピングサイト距離を離し、ホール輸送性
をコントロールする。
【００２２】また、本発明は、下記一般式〔XIX 〕で示
されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（以下、
本発明の第２の化合物と称する。）も提供するものであ
る。
【化１９５】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
リール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化１９６】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
100 、Ｒ101 及びＲ１０２は互いに同一の又は異なる基
であって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数
１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化
水素基である。）、Ｒ９４、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互い
に同一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選
ばれた基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原
子である。〕
【００２３】本発明の第２の化合物は、緑色〜赤色の発
光を示す有機発光材料として有効に利用することがで
き、また、高いガラス転移点及び融点を有する物質であ
り、電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れている
上、非晶質でガラス状態を容易に形成し得るので、蒸着
等を行なうこともできる。
【００２４】本発明の第２の化合物は、下記一般式〔X
X〕で示されるものが好ましい。
【化１９７】 〔但し、前記一般式〔XX〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92
及びＲ93は前記したものと同じである。〕
【００２５】そして、前記Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92及びＲ93は
少なくとも一つが下記一般式（４１）で表されるアリー
ル基であり、残りが無置換のアリール基であるのがよ
い。
【化１９８】 （但し、前記一般式（４１）において、Ｒ103 は炭素数
が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０
〜５の整数である。）。〕
【００２６】特に、下記一般式（４２）で表されるもの
がよい。
【化１９９】 （但し、前記一般式（４２）において、Ｒ104 は炭素数
が１〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００２７】本発明の第２の化合物は、下記構造式（４
０）−１、（４０）−２、（４０）−３、（４０）−
４、（４０）−５、（４０）−６又は（４０）−７で示
されるものが具体的には例示される。
【化２００】
【００２８】本発明はまた、本発明の第１の化合物を高
効率に製造する方法として、下記一般式〔Ｖ〕又は〔V
I〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベン
ズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VII 〕
で表されるジホスホン酸エステルまたは下記一般式〔VI
II〕で表されるジホスホニウム塩と；を縮合させること
によって、前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は
〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物を得る、本発明の化合物の製造方法（以下、本発明の
第１の製造方法と称する。）も提供するものである。
【００２９】
【化２０１】 （但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ71及
びＲ72はそれぞれ、前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、
Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当するアリール基であ
り、Ｒ73及びＲ74はそれぞれ、前記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、
Ｒ17、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基
である。）
【化２０２】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
75及びＲ76はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
素基、特に炭素数１〜４の飽和炭化水素基（以下、同
様）であり、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、前
記Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7、Ｒ8 、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46又はＲ47に
相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【００３０】本発明の第１の製造方法は、具体的には、
前記縮合をウィッティヒ−ホーナー（Wittig-Horner)反
応又はウィッティヒ（Wittig) 反応によって行い、前記
ジホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウム塩
を溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオン
を生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ−
ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドと縮合させるもの
である。
【００３１】例えば下記一般式〔Ｉ’〕で表されるビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物を得るに際し
【化２０３】 〔但し、前記一般式〔Ｉ’〕において、Ａｒ1 、Ａ
ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ 、前記したものと
同じである。）、下記一般式（１７）又は（１８）で表
される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデ
ヒドの少なくとも１種と；下記一般式（１９）で表され
るジホスホン酸エステルまたは下記一般式（２０）で表
されるジホスホニウム塩と；を縮合させる。
【化２０４】 （但し、前記一般式（１７）、（１８）、（１９）及び
（２０）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
Ｒ75、Ｒ76及びＸは前記したものと同じである。）
【００３２】この縮合を反応スキームで示すと、例えば
次の反応スキーム１のようになる。
【化２０５】
【００３３】この反応はまず、一般式（１９）又は（２
０）の化合物を適当な溶媒中で塩基と処理することによ
り、カルボアニオンを発生させることから始まり、次に
このカルボアニオンが一般式（１７）のアルデヒドと縮
合することにより完結する。塩基と溶媒の組み合わせと
しては、以下のものが考えられる。
【００３４】水酸化ナトリウム／水、炭酸ナトリウム／
水、炭酸カリウム／水、ナトリウムエトキシド／エタノ
ールまたはジメチルホルムアミド、ナトリウムメトキシ
ド／メタノール−ジエチルエーテル混合溶媒またはジメ
チルホルムアミド、トリエチルアミン／エタノールまた
はジグライムまたはクロロホルムまたはニトロメタン、
ピリジン／塩化メチレンまたはニトロメタン、１，５−
ジアザビシクロ[4.3.0] ノン−５−エン／ジメチルスル
ホキシド、カリウムｔ−ブトキシド／ジメチルスルホキ
シドまたはテトラヒドロフラン、ブチルリチウム／ジエ
チルエーテルまたはテトラヒドロフランまたはベンゼン
またはジメチルホルムアミド、フェニルリチウム／ジエ
チルエーテルまたはテトラヒドロフラン、ナトリウムア
ミド／アンモニア、水素化ナトリウム／ジメチルホルム
アミドまたはテトラヒドロフラン、トリチルナトリウム
／ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等。
【００３５】この反応は比較的低温（−３０℃〜３０
℃）で進行し、選択的であるため、クロマトグラフィー
による目的物の精製が容易であることに加え、一般式
〔Ｉ’〕の本発明の第１の化合物は結晶性が高いため、
再結晶により純度を向上させることができる。再結晶の
方法については、特に問わないが、アセトンに溶解し、
ヘキサンを添加する方法が簡便であり、その後の溶媒留
去も容易である。この反応は常温〜３０℃、常圧で３〜
２４時間で行ってよい。
【００３６】本発明の第１の製造方法によって、前記一
般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１
４）又は（１５）で表されるビス（アミノスチリル）ベ
ンゼン化合物を得ることができ、具体的には、前記構造
式（１６）−１、（１６）−２、（１６）−３、（１
６）−４、（１６）−５、（１６）−６、（１６）−
７、（１６）−８又は（１６）−９で表されるビス（ア
ミノスチリル）ベンゼン化合物を得ることができる。
【００３７】本発明はまた、本発明の第２の化合物を高
効率に製造する方法として、下記一般式〔Ｖ’〕又は
〔VI' 〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）
ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VI
I'〕で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式
〔VIII' 〕で表されるジホスホニウム塩と；を縮合させ
る、ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法
（以下、本発明の第２の製造方法と称する。）も提供す
るものである。
【化２０６】 （但し、前記一般式〔Ｖ’〕及び〔VI’〕において
Ｒ71’及びＲ72’はそれぞれ、前記Ｒ90又はＲ91に相当
するアリール基であり、Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ前
記Ｒ92又はＲ93に相当するアリール基である。）
【化２０７】 （但し、前記一般式〔VII'〕及び〔VIII' 〕においてＲ
75’及びＲ76’はそれぞれ、同一の又は異なる炭化水素
基、特に炭素数１〜４の飽和炭化水素基（以下、同様）
であり、Ｒ77’、Ｒ78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞ
れ、前記Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96又はＲ97に相当する基であ
り、Ｘはハロゲン原子である。）
【００３８】本発明の第２の製造方法は、具体的には、
前記縮合をウィッティヒ−ホーナー（Wittig-Horner)反
応又はウィッティヒ(Wittig)反応によって行い、前記ジ
ホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウム塩を
溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオンを
生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ−ジ
アリールアミノ）ベンズアルデヒドと縮合させるもので
ある。
【００３９】この縮合を反応スキームで示すと、例えば
次の反応スキーム１’のようになる。
【００４０】
【化２０８】
【００４１】この反応はまず、一般式（１９’）又は
（２０’）の化合物を適当な溶媒中で塩基と処理するこ
とにより、カルボアニオンを発生させることから始ま
り、次にこのカルボアニオンが一般式〔Ｖ’〕のアルデ
ヒドと縮合することにより完結する。塩基と溶媒の組み
合わせとしては、上記と同様のものが考えられる。
【００４２】この反応は比較的低温（−３０℃〜３０
℃）で進行し、選択的であるため、クロマトグラフィー
による目的物の精製が容易であることに加え、本発明の
第２の化合物は結晶性が高いため、再結晶により純度を
向上させることができる。再結晶の方法については、特
に問わないが、アセトンに溶解し、ヘキサンを添加する
方法が簡便であり、その後の溶媒留去も容易である。こ
の反応は常温〜３０℃、常圧で３〜２４時間で行なって
よい。
【００４３】本発明の第２の製造方法によって、具体的
には、前記構造式（４０）−１、（４０）−２、（４
０）−３、（４０）−４、（４０）−５、（４０）−６
又は（４０）−７で表されるビス（アミノスチリル）ベ
ンゼン化合物を得ることができる。
【００４４】本発明はまた、本発明の第１の化合物の合
成中間体として好適な種々の化合物も提供するものであ
る。
【００４５】即ち、まず、前記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕
で表され、前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は
〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物の合成中間体として用いられる４−（Ｎ，Ｎ−ジアリ
ールアミノ）ベンズアルデヒドである。
【００４６】この合成中間体（以下、本発明の合成中間
体１と称する。）は、前記一般式（１７）又は（１８）
で表され、具体的には下記一般式（２１）、（２２）、
（２３）、（２４）、（２５）、（２６）又は（２
６’）で表され、下記構造式（２７）−１、（２７）−
２、（２７）−３、（２７）−４、（２７）−５、（２
７）−６、（２７）−７、（２７）−８、（２７）−
９、（２７）−１０、（２７）−１１、（２７）−１
２、（２７）−１３、（２７）−１４、（２７）−１５
として例示される。
【００４７】
【化２０９】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ65は炭素数２
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２１０】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ66は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２１１】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ67は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２１２】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ68は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００４８】
【化２１３】 （但し、前記一般式（２５）において、Ｒ69は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００４９】
【化２１４】 （但し、前記一般式（２６）において、Ｒ70は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２１５】 （但し、前記一般式（２６’）において、Ｒ70は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００５０】
【化２１６】
【００５１】本発明はまた、本発明の第２の化合物の合
成中間体として好適な種々の化合物も提供するものであ
る。
【００５２】即ち、前記一般式〔Ｖ’〕又は〔VI' 〕で
表され、前記一般式〔XIX 〕で表されるビス（アミノス
チリル）ベンゼン化合物の合成中間体として用いられる
４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドで
ある。
【００５３】この合成中間体（以下、本発明の合成中間
体１’と称する。）は、具体的には下記一般式（４３）
で表され、下記構造式（４１）−１、（４１）−２、
（４１）−３、（４１）−４、（４１）−５、（４１）
−６又は（４１）−７として例示される。
【００５４】
【化２１７】 （但し、前記一般式（４３）において、Ｒ104 は炭素数
が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００５５】
【化２１８】
【００５６】本発明の合成中間体１又は１’は、その前
駆体としての合成中間体から次のようにして導くことが
できる。
【００５７】下記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、或いは下記
一般式〔IX’〕又は〔Ｘ’〕で表され、前記一般式
〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物の合成中間体として
用いられるトリアリールアミン（以下、本発明の合成中
間体２と称する。）、或いは前記一般式〔XIX 〕で表さ
れるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の合成中間
体として用いられるトリアリールアミン（以下、本発明
の合成中間体２’と称する。）をジメチルホルムアミド
とオキシ塩化リンとの付加体によってホルミル化し、前
記ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の合成中間体
１又は１’としての前記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕、或い
は〔Ｖ’〕又は〔VI’〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジア
リールアミノ）ベンズアルデヒドを得る。このホルミル
化反応は、ジメチルホルムアミド中で室温（２０℃）〜
８０℃の温度、常圧で３〜２４時間で行うことができ
る。
【００５８】
【化２１９】 （但し、前記一般式〔IX〕及び〔Ｘ〕、〔IX’〕及び
〔Ｘ’〕において、Ｒ71及びＲ72はそれぞれ、前記
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に
相当するアリール基であり、Ｒ71’及びＲ72’はそれぞ
れ、前記Ｒ90又はＲ91に相当するアリール基であり、Ｒ
73及びＲ74はそれぞれ、前記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、Ｒ17、
Ｒ29、Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基であ
り、Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、前記Ｒ92又はＲ93に
相当するアリール基である。）
【００５９】そして、上記の本発明の合成中間体２又は
２’は、前記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、或いは〔IX’〕
又は〔Ｘ’〕で表され、具体的には、下記一般式（２
８）又は（２９）で表され、更に具体的には下記一般式
（３０）、（３１）、（３２）、（３３）、（３４）又
は（３５）で表され、下記構造式（３６）−１、（３
６）−２、（３６）−３、（３６）−４、（３６）−
５、（３６）−６、（３６）−７、（３６）−８、（３
６）−９、（３６）−１０又は（３６）−１１として例
示される。
【化２２０】 〔但し、前記一般式（２８）及び（２９）において、Ａ
ｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、前記した
ものと同じである。）
【００６０】
【化２２１】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ65は炭素数２
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２２２】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ66は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２２３】 （但し、前記一般式（３２）において、Ｒ67は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００６１】
【化２２４】 （但し、前記一般式（３３）において、Ｒ68は炭素数１
〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００６２】
【化２２５】 （但し、前記一般式（３４）において、Ｒ69は炭素数１
〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００６３】
【化２２６】 （但し、前記一般式（３５）において、Ｒ70は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００６４】
【化２２７】
【００６５】下記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、〔IX’〕又
は〔Ｘ’〕で表される本発明の合成中間体２又は２’
は、次のようにして合成することができる。
【００６６】下記一般式〔XI〕又は〔XI’〕で表される
ジアリールアミンと下記一般式〔XII 〕又は〔XII'〕で
表されるハロゲン化ベンゼンとを触媒及び塩基の存在下
でカップリングさせるか、或いは、下記一般式〔XIII〕
又は〔XIII' 〕で表されるジアリールアミンと下記一般
式〔XIV 〕又は〔XIV'〕で表されるハロゲン化アリール
化合物とを触媒及び塩基の存在下でカップリングさせ、
合成中間体２又は２’としてのトリアリールアミンを得
る。
【００６７】
【化２２８】 （但し、前記一般式〔IX〕及び〔Ｘ〕、〔IX’〕及び
〔Ｘ’〕、〔XI〕及び〔XII 〕、〔XI’〕及び〔XI
I'〕、〔XIII〕及び〔XIV 〕、〔XIII’〕及び〔XIV
’〕において、Ｒ71及びＲ72はそれぞれ、前記Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当す
るアリール基であり、Ｒ71’及びＲ72’はそれぞれ、前
記Ｒ90又はＲ91に相当するアリール基であり、Ｒ73及び
Ｒ74はそれぞれ、前記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ29、
Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基であり、
Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、前記Ｒ92又はＲ93に相当
するアリール基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【００６８】本発明の合成中間体２又は２’を合成する
反応で用いられる前記触媒とは、Ｃｕ、ＣｕＸ、ＣｕＸ
2 、ＣｕＯ、Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 、Ｐｄ（ＰＲ3 ）
4 （Ｒはフェニル基またはアルキル基）等であり、また
前記塩基とは、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｃａ2 ＣＯ3 、ＮａＯＨ、
ＢｕＯＮａ、ＰｒＯＮａ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＮａ、ＣＨ3 ＯＮ
ａ等である。また、この反応は、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、キシレン等の溶媒中で、反応温度は１００〜
２００℃、常圧で反応時間は２〜４８時間としてよい。
【００６９】本発明はまた、本発明の第１及び第２の化
合物の合成中間体として、前記一般式〔VII 〕又は〔VI
I'〕で表されるジホスホン酸エステルまたは前記一般式
〔VIII〕又は〔VIII’〕で表されるジホスホニウム塩
（以下、本発明の合成中間体３と称する。）も提供する
ものである。
【００７０】この合成中間体３は、具体的には下記一般
式（１９）又は（２０）、或いは下記一般式（１９’）
又は（２０’）で表される。
【００７１】
【化２２９】 （但し、前記一般式（１９）、（２０）、（１９’）、
（２０’）において、Ｒ75、Ｒ76、Ｒ75’、Ｒ76’は前
記したものと同じである。）
【００７２】本発明の合成中間体３は、その前駆体とし
ての合成中間体から次のようにして導くことができる。
【００７３】下記一般式〔XV〕又は〔XV’〕で表される
ハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔XVI 〕で表
される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィ
ン（ＰＰｈ3 ）とを反応させることによって、前記一般
式〔VII 〕又は〔VIII〕、〔VII'〕又は〔VIII’〕で表
されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウム塩を合
成中間体３として得る。この反応は、無溶媒または過剰
の亜リン酸トリアルキルまたはキシレン等の溶媒中で反
応温度１２０〜１６０℃、常圧で反応時間３０分〜１２
時間としてよい。
【００７４】
【化２３０】 （但し、前記一般式〔XV〕及び〔XV’〕において、
Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、同一の又は異な
る基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シ
アノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ77’、Ｒ
78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞれ、互いに同一の又は
異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれた基であ
って、それらの少なくとも１つがフッ素原子であり、Ｘ
はハロゲン原子である。）
【００７５】一般式〔XVI 〕： P（OR81）3 又は P（OR82）3 （但し、前記一般式〔XVI 〕において、Ｒ81及びＲ82は
それぞれ、同一の又は異なる炭化水素基、特に炭素数１
〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基であって、前記Ｒ75
又はＲ76、Ｒ75’又はＲ76’に相当する基である。）
【００７６】本発明はまた、合成中間体３を得るための
合成中間体として、前記一般式〔XV〕又は〔XV’〕で表
されるハロゲン化アリール化合物（以下、本発明の合成
中間体４と称する。）も提供するものである。
【００７７】本発明の合成中間体４は、下記一般式〔XV
II〕又は〔XVII’〕で表されるキシレン化合物と、下記
一般式〔XVIII 〕で表されるＮ−ハロゲン化スクシンイ
ミドとを光照射下に反応させることによって得ることが
できる。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ベンゼン
等の溶媒中、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノン灯、ハ
ロゲン灯等の光源を用いて１００〜５００Ｗの光の照射
下に、２０〜６０℃の温度、常圧で３０分〜４８時間の
反応時間で反応させる。
【００７８】
【化２３１】 （但し、前記一般式〔XVII〕及び〔XVII’〕において、
Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、同一の又は異な
る基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シ
アノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ77’、Ｒ
78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞれ、互いに同一の又は
異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれた基であ
って、それらの少なくとも１つがフッ素原子である。）
【００７９】
【化２３２】 （但し、前記一般式〔XVIII 〕において、Ｘはハロゲン
原子である。）
【００８０】以上に述べた各合成中間体１〜４をそれぞ
れ得る反応は、次の反応スキーム２及び反応スキーム３
又は３’で示すことができる。
【００８１】
【化２３３】
【００８２】本発明はまた、本発明の第１及び第２の化
合物の合成中間体として更に好適な化合物を提供するも
のである。
【００８３】即ち、この合成中間体は、下記一般式（４
４）、（４５）又は（４６）で表されるアセタール化合
物（以下、本発明の合成中間体５と称する。）である。
【化２３４】 〔但し、前記一般式（４４）、（４５）及び（４６）に
おいて、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、互いに
同一の又は異なる基であって、下記一般式（４７）で表
されるアリール基であり
【化２３５】 （但し、前記一般式（４７）において、Ｒ105 、
Ｒ106 、Ｒ107 、Ｒ108 及びＲ109 は、互いに同一の又
は異なる基であって、水素原子、炭化水素基、炭化水素
オキシ基又は炭化水素アミノ基から選ばれた基であ
る。）、Ｒ103 及びＲ104 は飽和又は不飽和の炭化水素
基であり、Ｒ103 とＲ104 が炭素鎖によってつながれた
構造をとってもよい。〕
【００８４】本発明の合成中間体５を得るに際し、前記
一般式（４４）で表されるアセタール化合物を得る場合
には、触媒及び塩基の存在下で、下記一般式（４８）で
表されるアミン化合物と下記一般式（４９）で表される
アセタール化合物とをカップリングさせ
【化２３６】 （但し、前記一般式（４８）及び（４９）において、Ａ
ｒ11、Ａｒ12、Ｒ103 及びＲ104 は前記したものと同じ
であり、Ｘはハロゲン原子である。）、前記一般式（４
５）で表されるアセタール化合物を得る場合には、触媒
及び塩基の存在下で、下記一般式（４９’）で表される
アセタール化合物と下記一般式（５０）で表されるアリ
ール化合物とをカップリングさせ
【化２３７】 （但し、前記一般式（４９’）及び（５０）において、
Ａｒ13、Ａｒ14、Ｒ103及びＲ104 は前記したものと同
じであり、Ｘはハロゲン原子である。）、前記一般式
（４６）で表されるアセタール化合物を得る場合には、
触媒及び塩基の存在下で、下記一般式（５１）で表され
るアミン化合物と下記一般式（５２）で表されるアセタ
ール化合物とをカップリングさせのがよい。
【化２３８】 （但し、前記一般式（５１）及び（５２）において、Ａ
ｒ13、Ｒ103 及びＲ104は前記したものと同じであり、
Ｘはハロゲン原子である。）
【００８５】前記カップリング時に用いる前記触媒とし
て、下記のＰｄ（Ｏ）−ホスフィン錯体が活性種として
働くのがよい。 Ｐｄ（Ｏ）−ホスフィン錯体 ｛但し、Ｐｄ（Ｏ）はＰｄ（Ｏ）、Ｐｄ（Ｉ）、Ｐｄ
（II) の試薬として添加されてもよく、ホスフィンは下
記一般式（５３）又は（５４）で表される３級ホスフィ
ンである。
【化２３９】 〔但し、前記一般式（５３）及び（５４）において、Ｒ
105 及びＲ106 は飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
Ｑは炭化水素基、又は下記一般式（５５）又は（５６）
で表されるような橋かけ構造をとってもよい。 一般式（５５）： −（CH2)n −G −（CH2)n − 一般式（５６）： −Ar15−G −Ar16− （但し、前記一般式（５５）及び（５６）において、Ｇ
は酸素原子、硫黄原子、アミノ基、炭化水素基又は金属
原子であり、Ａｒ15及びＡｒ16は置換基を有してもよい
アリール基である。）〕｝
【００８６】そして、本発明の合成中間体５、即ち、下
記一般式（４４）、（４５）又は（４６）で表されるア
セタール化合物を、ケトン溶媒中、酸触媒又は塩基触媒
の存在下でアセタール交換させることにより、下記一般
式（５７）、（５８）又は（５９）で表される４−
（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒド化合物
を得ることが有利である。
【化２４０】 〔但し、前記一般式（４４）、（４５）及び（４６）に
おいて、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、互いに
同一の又は異なる基であって、下記一般式（４７）で表
されるアリール基であり、
【化２４１】 （但し、前記一般式（４７）において、Ｒ105 、
Ｒ106 、Ｒ107 、Ｒ108 及びＲ109 は、互いに同一の又
は異なる基であって、水素原子、炭化水素基、炭化水素
オキシ基又は炭化水素アミノ基から選ばれた基であ
る。）、Ｒ103 及びＲ104 は飽和又は不飽和の炭化水素
基であり、Ｒ103 とＲ104 とが炭素鎖によってつながれ
た構造をとってもよい。〕
【化２４２】 （但し、前記一般式（５７）、（５８）及び（５９）に
おいて、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は前記した
ものと同じである。）
【００８７】ここで、例えば上記の一般式（４４）の化
合物としては、具体的には以下のものが挙げられる。
【化２４３】
【００８８】また、上記の酸触媒と溶媒の組み合わせと
して、硫酸／メタノール、塩酸／メタノール、ＤＣＣ−
ＳｎＣ１4 ／しゅう酸／アルコール、トリフルオロ酢酸
／ジメトキシメタン／ニトロメタン、ｐ−トルエンスル
ホン酸／ジメトキシメタン／メタノール、塩酸／テトラ
メトキシシラン／メタノール、ｐ−トルエンスルホン酸
／アセトン、トリフルオロ酢酸／クロロフォルム／水、
テトラクロロチタン／沃化リチウム／ジエチルエーテ
ル、酢酸／水、蟻酸／ペンタン、酢酸／亜鉛−銀／テト
ラヒドロフラン、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム
／アセトン−水、シリカゲル／水−塩化メチレン等が挙
げられる。
【００８９】また、上記のカップリング用の触媒につい
ては、パラジウム触媒〔Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ)2〕を使用
することにより、カップリングの収率を向上させること
ができるが、更に反応性の低い系について下記の触媒系
を適用したところ、収率が改善された（但し、下記の触
媒系は、後述の実施例では用いていない）。
【化２４４】
【００９０】パラジウムは反応系中でＰｄ（Ｏ）になっ
ていればよく、Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 −ＰＰｈ4 の系
では、ＰＰｈ4 によりＰｄ（II）が還元されて、Ｐｄ
（Ｏ）が発生していると思われる（但し、ホスフィン
は、リンの周りが嵩高く、Ｃ−Ｐ−Ｃの２面角が、大き
いほうが良いとされている。上記のようなＰｄ（Ｏ）−
ホスフィンの反応系中の活性種の具体的な構造について
は良く分かっていない）。
【００９１】パラジウム触媒系の典型的な組み合わせ
は、Ｐｄ錯体、３級ホスフィン、塩基、キシレン溶媒、
還流２〜１０時間である。
【００９２】前記一般式（５７）又は（５８）のベンズ
アルデヒドは、上述した合成中間体１又は１’と同様、
具体的には、前記した構造式（２７）−１、（２７）−
２、（２７）−３、（２７）−４、（２７）−５、（２
７）−６、（２７）−７、（２７）−８、（２７）−
９、（２７）−１０又は（２７）−１１で表されるもの
であってよい。
【００９３】上述した一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕、或いは
〔Ｖ’〕又は〔VI’〕で表される本発明の合成中間体１
又は１’を得るには、合成中間体２又は２’である３級
アミンをアルデヒドに変換するために、オキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ3 ）−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）付加
体を用いたが、この方法では例えば下記の如き問題点が
生じる場合がある。
【００９４】３級アミンがシアノ基などの置換基を有し
ていて電子吸引性を帯びているとき、オキシ塩化リン−
ジメチルホルムアミド付加体が反応しにくい。
【化２４５】
【００９５】オキシ塩化リン−ジメチルホルムアミド付
加体による方法では、活性部位が２点以上あるとき、反
応の位置選択性が低い。
【化２４６】
【００９６】そこで、前記一般式（４９）、（４９’）
又は（５２）のアセタール化合物を用い、これを一般式
（４８）、（５０）又は（５１）の化合物と反応させる
ことによって、位置選択性良く容易に目的とするアルデ
ヒドを合成することができる。この反応を含む本発明の
化合物の合成方法を反応スキームで示すと、例えば次の
反応スキーム４、５、６の如くとなる。
【００９７】（１）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−９）の合成
【化２４７】
【００９８】（２）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−８）の合成
【化２４８】
【００９９】（３）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−３）の合成
【化２４９】
【０１００】図４５〜図４８は、本発明の化合物を有機
発光材料として用いる有機電界発光素子（ＥＬ素子）の
例をそれぞれ示すものである。
【０１０１】図４５は陰極３を発光光２０が透過する透
過型有機電界発光素子Ａであって、発光２０は保護層４
の側からも観測できる。図４６は陰極３での反射光も発
光光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
【０１０２】図中、１は有機電界発光素子を形成するた
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。２は透明電極（陽極）であり、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2
等を使用できる。
【０１０３】また、５は有機発光層であり、本発明の化
合物を発光材料として含有している。この発光層につい
て、有機電界発光２０を得る層構成としては、従来公知
の種々の構成を用いることができる。後述するように、
例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを構成する
材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積層した構
造を使用できる。更に本発明の目的を満たす範囲で電荷
輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸送層のい
ずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を積層した
構造、または、複数種の材料を混合した組成からなる薄
膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を上げるた
めに、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用いて、こ
の薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持した構造、
更に少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔輸送層若
しくは電子輸送層、またはこれらの両方に含ませた構造
を使用しても良い。これらの場合には、発光効率を改善
するために、正孔または電子の輸送を制御するための薄
膜をその層構成に含ませることも可能である。
【０１０４】本発明の化合物が、電子輸送性能と正孔輸
送性能の両方を持つ場合、素子構成中、電子輸送層を兼
ねた発光層としても、或いは正孔輸送層を兼ねた発光層
としても用いることが可能である。また、本発明の化合
物を発光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込
んだ構成とすることも可能である。
【０１０５】なお、図４５及び図４６中、３は陰極であ
り、電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金
属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれら
を積層した構造を使用できる。透過型の有機電界発光素
子においては、陰極の厚さを調節することにより、用途
に合った光透過率を得ることができる。また、図中、４
は封止・保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構
造とすることにより、その効果が上がる。気密性が保た
れれば、適宜の材料を使用することができる。また、８
は電流注入用の駆動電源である。
【０１０６】この有機電界発光素子において、有機層
が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構
造（シングルヘテロ構造）を有しており、正孔輸送層又
は電子輸送層の形成材料として本発明の化合物が用いら
れてよい。或いは、有機層が、正孔輸送層と発光層と電
子輸送層とが順次積層された有機積層構造（ダブルヘテ
ロ構造）を有しており、発光層の形成材料として本発明
の化合物が用いられてよい。
【０１０７】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図４７は、透光性の基板１上
に、透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７と
からなる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層
構造を有し、この積層構造が保護膜４によって封止され
てなる、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Ｃであ
る。
【０１０８】図４７に示すように発光層を省略した層構
成の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から
所定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基板１
側から観測される。
【０１０９】また、図４８は、透光性の基板１上に、透
光性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸
送層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層
された積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によっ
て封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素
子Ｄである。
【０１１０】図４８に示した有機電界発光素子において
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を
発生する。
【０１１１】上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおい
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図４７及び図４８に
示した積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、
この基板を共用としてよい。、また、素子Ｃ、Ｄはいず
れも、透過型、反射型のいずれの構造も採りうる。
【０１１２】また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ
（indium tin oxide）やＳｎＯ2 等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極２の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【０１１３】また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に上記した本発
明の化合物が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子
輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄにおける有機
層５ｂは、正孔輸送層１０と上記した本発明の化合物を
含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
【０１１４】また、特に、正孔輸送層６又は電子輸送層
７や発光層１１が本発明の化合物からなる層であること
が望ましいが、これらの層を本発明の化合物のみで形成
してもよく、或いは、本発明の化合物と他の正孔又は電
子輸送材料（例えば、芳香族アミン類やピラゾリン類
等）との共蒸着によって形成してもよい。さらに、正孔
輸送層において、正孔輸送性能を向上させるために、複
数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成しても
よい。
【０１１５】また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造であるのがよい。または、この蛍光性材料を正孔
輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた
構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
（ホールブロッキング層やエキシトン生成層など）をそ
の層構成に含ませることも可能である。
【０１１６】また、陰極３に用いる材料としては、Ｌ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
【０１１７】また、保護膜４は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
【０１１８】上記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【０１１９】次に、図４９は、有機電界発光素子を用い
た平面ディスプレイの構成例である。図示の如く、例え
ばフルカラーディスプレイの場合は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有機層５（５
ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配されている。
陰極３及び陽極２は、互いに交差するストライプ状に設
けることができ、輝度信号回路１４及びシフトレジスタ
内蔵の制御回路１５により選択されて、それぞれに信号
電圧が印加され、これによって、選択された陰極３及び
陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発光するよう
に構成される。
【０１２０】即ち、図４９は例えば８×３ＲＧＢ単純マ
トリックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子
輸送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を
陰極３と陽極２の間に配置したものである（図４７又は
図４８参照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパ
ターニングするとともに、互いにマトリクス状に直交さ
せ、シフトレジスタ内蔵の制御回路１５および１４によ
り時系列的に信号電圧を印加し、その交叉位置で発光す
るように構成されたものである。かかる構成のＥＬ素子
は、文字・記号等のディスプレイとしては勿論、画像再
生装置としても使用できる。また陰極３と陽極２のスト
ライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各
色毎に配し、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体
型フラットパネルディスプレイを構成することが可能と
なる。
【０１２１】
【実施例】以下、本発明を実施例について具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【０１２２】実施例１ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−１）の合成例＞
【０１２３】
【化２５０】
【０１２４】２，５−ジ（ブロモメチル）−テレフタロ
ニトリル７５０ｍｇ（２．３９ｍｍｏｌ）に亜リン酸ト
リエチル７９４ｍｇ（４．７８ｍｍｏｌ）を滴下後、１
２５℃で３０分攪拌し、ジホスホン酸エステル（１９
ａ）を得た。反応によって生じた臭化エチルを留去し、
無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５ｍｌに溶解して
保存した。
【０１２５】水素化ナトリウム１８．５ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン７０ｍｌに懸濁させ、窒素雰囲気下
で上記で得られたジホスホン酸エステル（１９ａ）の無
水テトラヒドロフラン溶液（２．３９ｍｍｏｌ相当）を
１５分かけて滴下し、その後に室温で２０分攪拌した。
【０１２６】次に、４−[ Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−エ
トキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド（（２７）
−１）１．７８ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）の無水テトラヒ
ドロフラン溶液（４０ｍｌ）を１５分かけて滴下した
後、室温で２時間３０分攪拌した。反応混合液を少量の
氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
【０１２７】この反応混合物から目的物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：８）により精製し、
アセトン−ヘキサンから再結晶することにより、ビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物（（１６）−１）９
００ｍｇを得た。この収率は５１％、ガラス転移点は１
４０℃、融点は１８０℃であった。テトラヒドロフラン
溶液の可視吸収極大は４７５ｎｍ、蛍光極大波長は５９
０ｎｍであった。また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図
１と下記に示す通りであった（なお、図中のＴＭＳは1
ＨＮＭＲスペクトル測定時に添加する基準物質であるト
リメチルシランのピーク；以下、同様）。 ＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):1.32(6H,t),4.03(4H,q),6.
83(4H,d),6.98〜7.22(22H,m),7.40(4H,d),7.98(2H,s)
【０１２８】実施例２ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−１）の合成例＞
【化２５１】
【０１２９】２，５−ジ（ブロモメチル）−テレフタロ
ニトリル７５０ｍｇ（２．３９ｍｍｏｌ）とトリフェニ
ルホスフィン１．３８ｇ（５．２６ｍｍｏｌ）をキシレ
ンに溶解し、２０時間還流した。反応溶液を室温まで冷
却し、生じた沈澱物をろ別し、キシレン５ｍｌで洗った
後、減圧乾燥し、無水テトラヒドロフラン２５ｍｌに溶
解して保存した。
【０１３０】水素化ナトリウム１８．５ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン７０ｍｌに懸濁させ、窒素雰囲気下
で上記で得られたジホスホニウム（２０ａ）の無水テト
ラヒドロフラン溶液（２．３９ｍｍｏｌ相当）を１５分
かけて滴下し、その後室温で４８時間攪拌した。
【０１３１】次に、４−[ Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−エ
トキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド（（２７）
−１）１．７８ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）の無水テトラヒ
ドロフラン溶液（４０ｍｌ）を１５分かけて滴下した
後、室温で２時間３０分攪拌した。反応混合液を少量の
氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
【０１３２】シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝１：８）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結
晶することにより、ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（（１６）−１）５５８ｍｇを得た。この収率は３
１％であり、諸物性値は、実施例１で得られたビス（ア
ミノスチリル）ベンゼン化合物（（１６）−１）と一致
した。
【０１３３】実施例３ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−２）の合成例＞
【０１３４】
【化２５２】
【０１３５】水素化ナトリウム１１．３ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン２０ｍｌに懸濁させ、窒素雰囲気下
で実施例１で得られたジホスホン酸エステル（１９ａ）
の無水テトラヒドロフラン溶液（１．１３ｍｍｏｌ相
当）を１５分かけて滴下し、その後に室温で２０分攪拌
した。
【０１３６】次に、４−[ Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフ
ェニル）アミノ] ベンズアルデヒド（（２７）−２）７
５０ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラ
ン溶液（４０ｍｌ）を１５分かけて滴下した後、室温で
１時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチし、
飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
【０１３７】この反応混合物から目的物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：８）により精製し、
アセトン−ヘキサンから再結晶することにより、ビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物（（１６）−２）４
８８ｍｇを得た。この収率は３１％、ガラス転移点は１
３０℃、融点は１７０℃であった。テトラヒドロフラン
溶液の可視吸収極大は４８６ｎｍ、蛍光極大波長は６２
０ｎｍであった。また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図
２及び下記に示す通りであった。 ＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):3.81(12H,s),6.84(12H,m),
7.05(8H,d),7.19(2H,d),7.39(4H,d),7.98(2H,s)
【０１３８】実施例４ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−４）の合成例＞
【０１３９】
【化２５３】
【０１４０】水素化ナトリウム１１．３ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン２０ｍｌに懸濁させ、窒素雰囲気下
で実施例１で得られたジホスホン酸エステル（１９ａ）
の無水テトラヒドロフラン溶液（１．１３ｍｍｏｌ相
当）を１５分かけて滴下し、その後に室温で２０分攪拌
した。
【０１４１】次に、４−[ Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノ] ベンズアルデヒド（（２７）−４）７
２８ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラ
ン溶液（１２ｍｌ）を１５分かけて滴下した後、室温で
２時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチし、
飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
【０１４２】この反応混合物から目的物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：８）により精製し、
アセトン−ヘキサンから再結晶することにより、ビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物（（１６）−４）５
４６ｍｇを得た。この収率は６３％、ガラス転移点は１
５０℃、融点は２１０℃であった。テトラヒドロフラン
溶液の可視吸収極大は４６１ｎｍ、蛍光極大波長は５５
０ｎｍであった。また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図
３及び下記に示す通りであった。 ＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):6.97(4H,d),7.02(2H,s),7.
25〜7.49(26H,m),7.81(2H,d),7.92(4H,d),7.97(2H,s)
【０１４３】実施例５ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−５）の合成例＞
【０１４４】
【化２５４】
【０１４５】水素化ナトリウム１１．３ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン２０ｍｌに懸濁させ、窒素雰囲気下
で実施例１で得られたジホスホン酸エステル（１９ａ）
の無水テトラヒドロフラン溶液（１．１３ｍｍｏｌ相
当）を１５分かけて滴下し、その後に室温で２０分攪拌
した。
【０１４６】次に、４−[ Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
（４−メトキシフェニル）アミノ]ベンズアルデヒド
（（２７）−５）７６１ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）の無
水テトラヒドロフラン溶液（１２ｍｌ）を１５分かけて
滴下した後、室温で２時間攪拌した。反応混合液を少量
の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。
【０１４７】この反応混合物から目的物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：８）により精製し、
アセトン−ヘキサンから再結晶することにより、ビス
（アミノスチリル）ベンゼン化合物（（１６）−５）３
８６ｍｇを得た。この収率は４３％、ガラス転移点は１
３０℃、融点は１９０℃であった。テトラヒドロフラン
溶液の可視吸収極大は４６５ｎｍ、蛍光極大波長は５５
５ｎｍであった。
【０１４８】実施例６ ＜４−[ Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アミノ]
ベンズアルデヒド（構造式（２７）−２）の合成例＞
【０１４９】
【化２５５】
【０１５０】室温にて無水ジメチルホルムアミド中での
攪拌下、オキシ塩化リン１．７６ｇ（１１．５ｍｍｏ
ｌ）を滴下し、続いてＮ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニ
ル）アニリン（（３６）−２）１．７５ｇの無水ジメチ
ルホルムアミド溶液２５ｍｌを滴下した後、反応温度を
上げ、７０℃で９０分攪拌した。
【０１５１】室温まで冷却し、氷でクエンチした後、反
応溶液をトルエンにて抽出し、飽和食塩水で洗い、無水
硫酸ナトリウム上で乾燥した。
【０１５２】この反応生成物から目的物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：４）により精製し、
化合物（（２７）−２）０．７５０ｇを得た。この収率
は３９％であり、また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図
４及び下記に示す通りであった。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3) δ(ppm):3.81(6H,s),6.82(2H,d),6.
90(4H,d),7.13(4H,d),7.62(2H,d),9.78(1H,s)
【０１５３】実施例７ ＜Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アニリン（構造
式（３６）−２）の合成例＞
【０１５４】
【化２５６】
【０１５５】Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アミ
ン（３１ａ）１．００ｇ（４．４６ｍｍｏｌ）、ヨード
ベンゼン（３２ａ）１．００ｇ（４．９０ｍｍｏｌ）、
ｔ−ＢｕＯＮａ０．５０２ｇ（５．２３ｍｍｏｌ）およ
びＰｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ０．０１０ｇ（０．０４４ｍ
ｍｏｌ）を無水キシレンに溶解し、窒素雰囲気下で還流
しながら、さらに０．２３７ＭのＰ（Ｂｕt ）3 １．０
ｍｌを滴下した後、４時間還流した。
【０１５６】この反応生成物をシリカゲルクロマトグラ
フィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロ
フラン：ヘキサン＝１：４）により精製し、溶出液をア
セトン−ヘキサンから再結晶して化合物（（３６）−
２）を得た。この収量は１．１７ｇ（収率８８％）であ
った。また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図５及び下記
に示す通りであった。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3) δ(ppm):3.80(6H,s),6.80(4H,d),6.
82(1H,t),6.92(2H,d),7.02(4H,d),7.17(2H,t)
【０１５７】実施例８ ＜Ｎ−（１−フェニル）−Ｎ−（４−エトキシフェニ
ル）アニリン（構造式（３６）−１）の合成例＞
【化２５７】
【０１５８】Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（３１ａ）８．
２０ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ヨードアニソール（３２ａ）
１２．４０ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ５．７
６ｇ（６０ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）
2 ０．２２４ｇ（１．００ｍｍｏｌ）をジクロロベンゼ
ンに溶解し、窒素雰囲気下で還流しながら、さらに０．
２３７ＭのＰ（Ｂｕt ）3 １７ｍｌを滴下した後、４時
間還流した。
【０１５９】カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ヘ
キサン：トルエン＝４：１）により精製し、溶出液をア
セトン−ヘキサンから再結晶して目的物を得た。この収
量は１０．９ｇ（収率７９％）であり、1 ＨＮＭＲスペ
クトルを図６と下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3) δ(ppm):2.28(3H,t),4.02(2H,q),6.
84(2H,d),6.94(2H,t),7.03(4H,d),7.06(2H,d),7.20(4H,
t)
【０１６０】実施例９ ＜２，５−ジ（ブロモトリフェニルホスホメチル）テレ
フタロニトリル（構造式（２０ａ））の合成例＞
【化２５８】
【０１６１】２，５−ジ（ブロモメチル）テレフタロニ
トリル（３５ａ）７５０ｍｇ（２．３９ｍｍｏｌ）とト
リフェニルホスフィン１．３８ｇ（５．２６ｍｍｏｌ）
をキシレンに溶解し、２０時間還流した。反応溶液を室
温まで冷却し、生じた沈澱物をろ別し、キシレン５ｍｌ
で洗った後、減圧乾燥し、無水テトラヒドロフラン２５
ｍｌに溶解して保存した。これによって、実施例２で述
べたジホスホニウム（２０ａ）が得られた。
【０１６２】実施例１０ ＜２，５−ジ（ブロモメチル）テレフタロニトリル（構
造式（３５ａ））の合成例＞
【０１６３】
【化２５９】
【０１６４】２，５−ジメチルテレフタロニトリル（３
６ａ）１．００ｇ（６．４ｍｍｏｌ）とＮ−ブロモスク
シンイミド（ＮＢＳ）（３７ａ）８．１０ｇ（９０ｍｍ
ｏｌ）を５００ｍｌのクロロホルムに溶かし、高圧水銀
灯（４００Ｗ）を照射しながら４８時間還流した。
【０１６５】溶媒を留去し、反応生成物をシリカゲルク
ロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テ
トラヒドロフラン：ヘキサン＝１：４）により精製し、
得られた溶出液をアセトン−ヘキサンから２度再結晶す
ることにより、化合物（３５ａ）が白色結晶として選択
的に得られた。この収量は６９８ｍｇ（収率３４％）で
あり、また、その1 ＨＮＭＲスペクトルは図７及び下記
に示す通りであった。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):4.60(4H,s),7.83(2H,s)
【０１６６】実施例１１ ＜Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン
（構造式（３６）−６）の合成例＞
【０１６７】
【化２６０】
【０１６８】Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（３１ａ）９．
７０ｇ（５７．３ｍｍｏｌ）、４−ヨードトルエン（３
２ｂ）１２．５ｇ（５７．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮ
ａ６．６１ｇ（６８．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯ
Ｏ）2 ２６０ｍｇ（１．１５ｍｍｏｌ）、およびトリフ
ェニルホスフィン１．２０ｇ（４．５８ｍｍｏｌ）をキ
シレンに溶解し、窒素雰囲気下で４時間還流した。
【０１６９】不溶物をろ別し、アルミナクロマトグラフ
ィー（中性アルミナ３００メッシュ、テトラヒドロフラ
ン：ヘキサン＝１：４）により精製し、溶出液をアセト
ン−ヘキサンから再結晶して目的物（（３６）−６）を
定量的に得た。この生成物（（３６）−６）の1 ＨＮＭ
Ｒスペクトルを図８及び下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.31(3H,s),6.94〜7.27(1
4H,m)
【０１７０】実施例１２ ＜４−[ Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ]
ベンズアルデヒド（構造式（２７）−６）の合成例＞
【０１７１】
【化２６１】
【０１７２】室温にて攪拌下、無水ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）５０ｍｌ中にオキシ塩化リン５．９６ｇ
（３８．９ｍｍｏｌ）を滴下し、続いてＮ−（ｐ−トル
イル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（（３６）−６）
５．０４ｇ（１９．４ｍｍｏｌ）の無水ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）溶液５０ｍｌを滴下した後、反応温度
を上げ、７０℃で９０分攪拌した。
【０１７３】室温まで冷却し、反応混合液を少量の氷で
クエンチし、シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝１：４）により精製し、オイル状物質（（２７）−
６）をほぼ定量的に得た。この生成物の1 ＨＮＭＲスペ
クトルを図９と下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.35(3H,s),6.96〜7.64(1
1H,m),7.66(2H,d),9.80(1H,s)
【０１７４】実施例１３ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−６）の合成例＞
【０１７５】
【化２６２】
【０１７６】水素化ナトリウム１４．５ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍｌに懸濁させ、窒
素雰囲気下でジホスホン酸エステル（１９ａ）の無水テ
トラヒドロフラン溶液（２．３３ｍｍｏｌ相当）を滴下
し、６０分攪拌した。次に、４−[ Ｎ−（ｐ−トルイ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ] ベンズアルデヒド（（２
７）−６））１．３４ｇ（４．６６ｍｍｏｌ）の無水テ
トラヒドロフラン溶液（４０ｍｌ）を滴下した後、室温
で１２時間攪拌した。
【０１７７】反応混合液を少量の氷でクエンチし、飽和
食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。シリ
カゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３
００，テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：４→１：
１）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結晶する
ことにより、ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物
（（１６）−６）０．７８７ｇを得た。この収率は４９
％であり、1 ＨＮＭＲスペクトルを図１０と下記に示
す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.34(6H,s),7.01〜７．３
０（２６Ｈ，ｍ），７．４２（４Ｈ，ｄ），７．９９
（２Ｈ，ｓ）
【０１７８】この物質（（１６）−６）のテトラヒドロ
フラン溶液の可視吸収極大は４６９ｎｍ、蛍光極大波長
は５６８ｎｍであった。
【０１７９】実施例１４ ＜Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トルイル−Ｎ−フェニルアミン（構
造式（３６）−７）の合成例＞
【０１８０】
【化２６３】
【０１８１】Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トルイル）アミン（３１
ｂ）１０．０ｇ（５０．７ｍｍｏｌ）、４−ヨードベン
ゼン１０．３ｇ（５０．７ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ
５．８５ｇ（６０．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＣＨ３ ＣＯ
Ｏ）2 ３００ｍｇ（１．３４ｍｍｏｌ）およびトリフェ
ニルホスフィン１．５０ｇ（５．７１ｍｍｏｌ）をキシ
レン５００ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下で４時間還流し
た。
【０１８２】不溶物をろ別し、アルミナクロマトグラフ
ィー（中性アルミナ３００メッシュ、テトラヒドロフラ
ン：ヘキサン＝１：４）により精製し、溶出液をアセト
ン−ヘキサンから再結晶して目的物（（３６）−７）を
定量的に得た。この生成物の1 ＨＮＭＲスペクトルを図
１１と下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.30(6H,s),6.90〜7.07(1
1H,m),7.16〜7.22(2H,m)
【０１８３】実施例１５ ＜４−[ Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トルイル）アミノ] ベンズア
ルデヒド（構造式（２７）−７）の合成例＞
【０１８４】
【化２６４】
【０１８５】室温にて攪拌下、無水ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）２０ｍｌ中にオキシ塩化リン５．９０ｇ
（３８．４ｍｍｏｌ）を滴下し、続いてＮ，Ｎ−ジ（ｐ
−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン（（３６）−７）
７．００ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）の無水ジメチルホルム
アミド溶液５０ｍｌを滴下した後、室温で２４時間攪拌
した。
【０１８６】反応混合液を少量の氷でクエンチした後、
トルエンで抽出し、飽和食塩水で洗い、Ｎａ2 ＳＯ4 上
で乾燥した。シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝１：４）により精製し、オイル状物質（（２７）−
７）をほぼ定量的に得た。この生成物の1 ＨＮＭＲスペ
クトルを図１２と下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.35(6H,s),6.93(2H,d),
7.06(4H,d),7.15(4H,d),7.64(4H,d),9.78(1H,s)
【０１８７】実施例１６ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−７）の合成例＞
【０１８８】
【化２６５】
【０１８９】水素化ナトリウム１４．３ｍｍｏｌを無水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍｌに懸濁させ、窒
素雰囲気下でジホスホン酸エステル（１９ａ）７５０ｍ
ｇ（２．３９ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液
２０ｍｌを滴下し、次に４−[ Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トルイ
ル）アミノ] ベンズアルデヒド（（２７）−７）（２．
３９ｍｍｏｌ相当）２５ｍｌの無水テトラヒドロフラン
溶液を滴下した後、室温で４８時間攪拌した。
【０１９０】反応混合液を少量の氷でクエンチし、飽和
食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。シリ
カゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３
００，テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：４→１：
１）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結晶する
ことにより、ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物
（（１６）−７）４３１ｍｇを得た。この収率は２５％
であり、1 ＨＮＭＲスペクトルを図１３と下記に示す。 ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.33(6H,s),6.97〜７．２
１（２４Ｈ，ｍ），７．３９（４Ｈ，ｄ），７．９７
（２Ｈ，ｓ）
【０１９１】この物質のテトラヒドロフラン溶液の可視
吸収極大は４７６ｎｍ、蛍光極大波長は５９０ｎｍであ
った。
【０１９２】実施例１７ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−９）の合成例＞
【化２６６】
【０１９３】（１）中間体（５３）の合成 アセタール化合物（５１）２．７５ｇ（１０．２ｍｍｏ
ｌ）、アニリン（５２）２０ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）、
ｔ−ＢｕＯＮａ１．００ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）及びＰ
ｄ（ＯＡｃ）２ ０．０２２ｇ（０．０４７ｍｍｏｌ）
をキシレン１５０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下で還流し
ながら、さらに０．１ＭのＰ（ｔ−Ｂｕ）3 ２．０ｍｌ
（０．２０ｍｍｏｌ）を滴下した後、６時間還流した。
アルミナカラムクロマトグラフィー（２００メッシュ、
トルエン：ＴＨＦ＝１：１）により原料物質を除き、減
圧蒸留にて過剰のアニリンを留去して、中間体（５３）
を定量的に得た。
【０１９４】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（５３）と同定した。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):0.80(3H,s),1.30(3H,
s),3.63(2H,d),3.76(2H,d),5.34(1H,s),5.74(1H,brs),
6.92(1H,t),7.06(4H,d),7.26(2H,t),7.39(2H,d) 中間体（５３）の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１４に示
す。
【０１９５】（２）中間体（５５）の合成 化合物（５４）５．００ｇ（２８．９ｍｍｏｌ）を５０
ｍｌのＣＨＣｌ3 に溶解し、０℃に冷却して窒素雰囲気
下で攪拌しつつ０．２ｍｌのＣＦ3 ＳＯ3 Ｈを添加した
後、イソブチレンガスを３時間かけてゆっくりとバブリ
ングさせた。６ｍｌのＮＥｔ3 を添加して反応溶液を中
和し、ドライアルミナ（３００メッシュ、トルエン）を
通して原料物質を除き、溶媒を留去して化合物（５５）
を定量的に得た。
【０１９６】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により、目的物（５５）と同定した。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.33(9H,s),6.86(2H,
d),7.37(2H,d) 中間体（５５）の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１５に示
す。
【０１９７】（３）中間体（５６）の合成 化合物（５５）０．８０９ｇ（３．５３ｍｍｏｌ）、化
合物（５３）１．００ｇ（３．５３ｍｍｏｌ）、ｔ−Ｂ
ｕＯＮａ０．４０７ｇ（４．２４ｍｍｏｌ）、及びＰｄ
（ＯＡｃ）2 ７．９ｍｇ（０．０３５ｍｍｏｌ）を１０
０ｍｌのキシレンに懸濁させ、窒素雰囲気下、１２０℃
で還流攪拌しつつ、０．１ＭのＰ（ｔ−Ｂｕ）3 １．４
ｍｌを添加してさらに４時間還流した。反応溶液を放冷
し、不溶物を除いてろ液を濃縮し、シリカゲルクロマト
グラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌＣ−３００、ヘキサン：
ＴＨＦ＝２０：１）により精製し、アセトン−ヘキサン
から再結晶して白色結晶１．４４ｇを得た。
【０１９８】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（５６）と同定した（収率９５
％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):0.79(3H,s),1.30(3H,
s),1.34(9H,s),3.64(2H,d),3.76(2H,d),5.34(1H,s),6.8
6(2H,d),6.96-7.06(7H,m),7.22(2H,d),7.36(2H,d) 化合物（５６）の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１６に示
す。
【０１９９】（４）中間体（５７）の合成 化合物（５６）１．４４ｇ（３．３４ｍｍｏｌ）とＴＰ
ＰＳ（ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム）０．０８
４ｇ（０．３３４ｍｍｏｌ）をアセトン６０ｍｌ−水１
０ｍｌの混合溶媒の溶解し、３時間還流した。溶媒を留
去し、トルエンで抽出して飽和食塩水で洗った後、Ｎａ
2 ＳＯ4 上で乾燥した。シリカゲルクロマトグラフィー
（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００、ヘキサン→ヘキサ
ン：ＴＨＦ＝８：１）により精製し、生成物（５７）
０．９４０ｇを得た。
【０２００】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（５６）と同定した（収率８１
％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.37(9H,s),6.96(4H,
d),7.07 (2H,d),7.16(2H,m),7.33(2H,m),7.66(2H,d),9.
79(1H,s), 化合物（５７）の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１７に示
す。
【０２０１】（５）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（（１６）−９）の合成 ＮａＨ（６０％鉱油分散）９．５４ｍｍｏｌをヘキサン
で２度洗い、無水ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）１０ｍ
ｌに懸濁させ、氷浴上、窒素雰囲気下でホスホン酸エス
テル（５８）（１．５９ｍｍｏｌ）と化合物（５７）
０．９４０ｇ（２．７２ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液５
０ｍｌを１時間かけて滴下し、その後、氷浴上で３時間
攪拌し、室温にて更に１２時間攪拌した。反応混合液を
少量の氷でクエンチし、トルエンで抽出して飽和食塩水
で洗った後、Ｎａ2 ＳＯ4 上で乾燥した。得られた固体
をシリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ
Ｃ−３００、トルエン）により精製し、トルエンから再
結晶して生成物（（１６）−９）０．８５６ｇを得た。
【０２０２】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（（１６）−９）と同定した（収率
６６％）。この生成物の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１８
と下記に示す。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.37(18H,s),6.92(4H,
d),7.00-7.32(22H,m),7.42(4H,d),7.98(2H,s)
【０２０３】この生成物のトルエン溶液の可視吸収極大
波長は４８１ｎｍ、蛍光極大波長は５４０ｎｍであっ
た。
【０２０４】実施例１８ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−８）の合成例＞
【化２６７】
【０２０５】（１）中間体（６１）の合成 １−ブロモ−４−ｔ−ブチルベンゼン（６０）１２．５
ｇ（５８．７ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン（５９）
９．９３ｇ（５８．７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）2 ２
６３ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、トリス（２−メチルフ
ェニル）ホスフィン１．４３ｇ（４．６９ｍｍｏｌ）及
びｔ−ＢｕＯＮａ８．４５ｇ（８８．０ｍｍｏｌ）のキ
シレン懸濁液２００ｍｌを３時間、１２０℃で還流し
た。反応混合液を冷却した後、これに水を加え、トルエ
ンで抽出（３回）し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾
燥、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィ
ーで精製して、トリアリールアミン（６１）１８．４ｇ
を無色結晶として定量的に得た。
【０２０６】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（６１）と同定した。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.32(9H,s),6.98-7.09
(8H,m),7.19-7.27(6H,m) この生成物の 1ＨＮＭＲスペクトルを図１９に示す。
【０２０７】（２）中間体（６２）の合成 オキシ塩化リン２７．５ｇ（１７９ｍｍｏｌ）をＤＭＦ
１００ｍｌに滴下し、１２０℃で５分間攪拌した。得ら
れた赤色溶液を室温まで冷却し、トリアリールアミン
（６１）１８．０ｇ（５９．７ｍｍｏｌ）を加えた。得
られた混合物を８０℃で攪拌した。この反応混合物を減
圧下で濃縮したのち、ＮａＨＣＯ3 ／氷に注意深く注い
だ。得られた混合物を酢酸エチルで抽出（３回）し、有
機層をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥、濃縮した。そして、残渣を
カラムクロマトグラフィーで精製し、ジアリールアミノ
ベンズアルデヒド（６２）６．６９ｇを淡黄色結晶とし
て得た。
【０２０８】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により、目的物（６２）と同定した（収率３４
％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.33(9H,s),6.99(2H,
d),7.08(2H,d),7.17(3H,m),7.33(4H,m),7.66(2H,d) この生成物の 1ＨＮＭＲスペクトルを図２０に示す。
【０２０９】（３）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−８）の合成 ＮａＨ（６０％鉱油分散）９．５４ｍｍｏｌをヘキサン
で２度洗い、無水ＴＨＦ１０ｍｌに懸濁させ、氷浴上、
窒素雰囲気下で攪拌した。化合物（５８）１．５９ｍｍ
ｏｌと（６２）１．２６ｇ（３．８２ｍｍｏｌ）の無水
ＴＨＦ溶液４０ｍｌを１５分かけて滴下し、その後氷浴
上で６時間攪拌し、室温にて更に６時間攪拌した。反応
混合液を少量の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗った
後、Ｎａ2ＳＯ4 上で乾燥した。シリカゲルクロマトグ
ラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００、トルエン）
により精製し、トルエンから再結晶して生成物（（１
６）−８）１．１１ｇを得た。
【０２１０】この生成物は、 1ＨＮＭＲおよびＦＡＢ−
ＭＳ測定により、目的物（（１６）−８）と同定した
（収率９０％）。また、この 1ＨＮＭＲスペクトルを図
２１と下記に示す。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):1.33(18H,s),7.02-7.0
7(10H,m),7.14(4H,d),7.22-7.32(6H,m),7.33(4H,d),7.9
9(2H,s)
【０２１１】この生成物のトルエン溶液の可視吸収極大
波長は４７９ｎｍ、蛍光極大波長は５３５ｎｍであっ
た。
【０２１２】実施例１９ ＜ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物（構造式（１
６）−３）の合成例＞
【化２６８】
【０２１３】（１）中間体（６４）の合成 目的物（（１６）−３）を合成したが、まず、実施例１
７と同様に合成した化合物（５３）２．８５ｇ（１０．
１ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
（６３）２．００ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯ
Ｎａ１．２０ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）及びＰｄ（ＯＡ
ｃ）2 ０．０６６ｇ（０．２９ｍｍｏｌ）をキシレン１
５０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下で還流しながら、更に
０．１ＭのＰ（ｔ−Ｂｕ）3 １２．０ｍｌ（０．４０ｍ
ｍｏｌ）を滴下した後、９時間還流した。シリカゲルク
ロマトグラフィー（Ｗａｋｏｇｅｌ Ｃ−３００、ＴＨ
Ｆ：ヘキサン＝１：１０）により精製し、目的物（６
４）の黄色結晶２．２８ｇを得た。
【０２１４】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により、目的物（６４）と同定した（収率５７
％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):0.74(3H,s),1.17(3H,
s),2.89(6H,s),3.62(4H,q),5.32(1H,s),6.72(2H,d),6.8
6(7H,m),7.20-7.27(4H,m) この生成物の 1ＨＮＭＲスペクトルを図２２に示す。
【０２１５】（２）中間体（６５）の合成 化合物（６４）２．２８ｇ（５．７１ｍｍｏｌ）、ｐ−
トルエンスルホン酸一水和物０．１３３ｇ（０．７００
ｍｍｏｌ）をアセトン３００ｍｌ、水２５ｍｌに溶解
し、２時間還流した。アセトンを留去し、Ｎａ2 ＳＯ4
上で乾燥した後、シリカゲルクロマトグラフィー（Ｗａ
ｋｏｇｅｌ Ｃ−３００、トルエン）により精製し、目
的物（６５）の黄色結晶１．６７ｇを得た。
【０２１６】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（６５）と同定した（収率９２
％）。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ（ppm):2.97(6H,s),6.71(2H,
d),6.93(2H,s),7.07-7.34(7H,m),7.63(2H,d),9.76(1H,
s) この生成物の 1ＨＮＭＲスペクトルを図２３に示す。
【０２１７】（３）ビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−３）の合成 ＮａＨ（６０％鉱油分散）９．５４ｍｍｏｌをヘキサン
で２度洗い、無水ＴＨＦ１０ｍｌに懸濁させ、氷浴上、
窒素雰囲気下で攪拌した。化合物（５８）１．５９ｍｍ
ｏｌと化合物（６５）１．１４ｇ（３．６０ｍｍｏｌ）
の無水ＴＨＦ溶液７０ｍｌを１５分かけて滴下し、その
後室温にて１２時間攪拌した。反応混合液を少量の氷で
クエンチし、飽和食塩水で洗った後、Ｎａ2 ＳＯ4 上で
乾燥した。アルミナカラムクロマトグラフィー（３００
ｍｅｓｈ，トルエン：ＴＨＦ＝５：１）により原料物質
を除き、トルエン−ヘキサンから再結晶して目的物
（（１６）−３）１．０２ｇを得た。
【０２１８】この生成物は、 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−Ｍ
Ｓ測定により目的物（（１６）−３）と同定した（収率
８８％）。また、その 1ＨＮＭＲスペクトルを図２４と
下記に示す。1 ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ−d6）δ（ppm):2.91(12H,s),6.75
(4H,d),6.88(4H,s),6.98-7.13(7H,m),7.30(4H,d),7.47
(4H,d),7.59(2H,d),8.42(2H,s)
【０２１９】この生成物のトルエン溶液の可視吸収極大
波長は４９９ｎｍ、蛍光極大波長は６２０ｎｍであっ
た。
【０２２０】実施例２０ ＜１，４−ビス〔２−〔４−（Ｎ−４−メトキシフェニ
ル−Ｎ−フェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−２，
３，５，６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４０）
−１）の合成例＞
【０２２１】
【化２６９】
【０２２２】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１０４ｍｇ、２．５９ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）懸濁液（３ｍｌ）に（２，３，５，
６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−ビス
（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（４７．６ｍ
ｇ、０．１０５ｍｍｏｌ）を加え、室温下、１０分攪拌
した。この混合物に、（４−Ｎ−メトキシフェニル−Ｎ
−フェニルアミノ）ベンズアルデヒド（１０８ｍｇ、
０．３５６ｍｍｏｌ）を加えて室温下、５時間攪拌し
た。得られた混合物に、メタノール（０．５ｍｌ）を加
えた後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチ
ルで３回抽出した。
【０２２３】生じた有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無
水硫酸ナトリウムで乾燥、ろ過した。ろ液を減圧下、濃
縮し、得られた残渣をカラムクロマトグラフィー（シリ
カゲル、展開溶液：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で
精製し、生成物（（４０）−１）（６６．９ｍｇ、収率
８５％）を黄橙色結晶として得た。なお、この生成物の
同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により行った。
【０２２４】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４３８ｎｍ、蛍光発光波長は５４２ｎｍであった。
【０２２５】実施例２１ ＜１，４−ビス〔２−〔４−（Ｎ−ジフェニル）アミノ
フェニル〕エテニル〕−２，３，５，６−テトラフルオ
ロベンゼン（構造式（４０）−２）の合成例＞
【０２２６】
【化２７０】
【０２２７】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１５３ｍｇ、３．８４ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（１１５ｍ
ｇ、０．２５６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド（２４５ｍｇ、０．８９７ｍｍｏｌ）
を用い、実施例２0 と同様の方法で合成した。
【０２２８】その結果、生成物（構造式（４０）−２）
（１５０ｍｇ、収率８５％）を黄橙色結晶として得た。
なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ
測定により行った。
【０２２９】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４２８ｎｍ、蛍光発光波長は５２２ｎｍであった。
【０２３０】実施例２２ ＜１，４−ビス〔２−〔４−（Ｎ−４−メチルフェニル
−Ｎ−フェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−２，
３，５，６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４０）
−３）の合成例＞
【０２３１】
【化２７１】
【０２３２】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１６０ｍｇ、４．０１ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（９０．３
ｍｇ、０．２０１ｍｍｏｌ）、〔４−（Ｎ−４−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニル〕アミノベンズアルデヒド
（２０２ｍｇ、０．７０２ｍｍｏｌ）を用い、実施例２
０と同様の方法で合成した。
【０２３３】その結果、生成物（構造式（４０）−３）
（１１５ｍｇ、収率８０％）を黄橙色結晶として得た。
なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ
測定により行った。
【０２３４】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４３３ｎｍ、蛍光発光波長は５３２ｎｍであった。
【０２３５】実施例２３ ＜１，４−ビス〔２−〔４−（Ｎ−４−ｔ−ブチルフェ
ニル−Ｎ−フェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−
２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４
０）−４）の合成例＞
【０２３６】
【化２７２】
【０２３７】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１８５ｍｇ、４．６３ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（６９．７
ｍｇ、０．１５５ｍｍｏｌ）、〔４−（Ｎ−ｔ−ブチル
フェニル）−Ｎ−フェニル〕アミノベンズアルデヒド
（２０３ｍｇ、０．６１９ｍｍｏｌ）を用い、実施例２
０と同様の方法で合成した。
【０２３８】その結果、生成物（構造式（４０）−４）
（７４．３ｍｇ、収率６０％）を黄橙色結晶として得
た。なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−
ＭＳ測定により行った。
【０２３９】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４３３ｎｍ、蛍光発光波長は５３２ｎｍであった。
【０２４０】実施例２４ ＜１，４−ビス〔２−〔４−（Ｎ−４−ｔ−ブトキシフ
ェニル−Ｎ−フェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−
２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４
０）−５）の合成例＞
【０２４１】
【化２７３】
【０２４２】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１１３ｍｇ、２．８３ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（４５．５
ｍｇ、０．１０１ｍｍｏｌ）、〔Ｎ−４−ｔ−ブトキシ
フェニル〕−Ｎ−フェニル〕アミノベンズアルデヒド
（１３２ｍｇ、０．３８５ｍｍｏｌ）を用い、実施例２
０と同様の方法で合成した。
【０２４３】その結果、生成物（構造式（４０）−５）
（５４．８ｍｇ、収率６５％）を黄橙色結晶として得
た。なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−
ＭＳ測定により行った。
【０２４４】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４３５ｎｍ、蛍光発光波長は５３７ｎｍであった。
【０２４５】実施例２５ ＜１，４−ビス〔２−〔４−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチル
フェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−２，３，５，
６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４０）−６）の
合成例＞
【０２４６】
【化２７４】
【０２４７】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、２３７ｍｇ、５．７８ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（２６０ｍ
ｇ、０．５７８ｍｍｏｌ）、〔ビス−Ｎ−（４−メチル
フェニル）〕アミノベンズアルデヒド（５２２ｍｇ、
１．７３ｍｍｏｌ）を用い、実施例２０と同様の方法で
合成した。
【０２４８】その結果、生成物（構造式（４０）−６）
（２４１ｍｇ、収率５６％）を黄橙色結晶として得た。
なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ
測定により行った。
【０２４９】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４４０ｎｍ、蛍光発光波長は５３７ｎｍであった。
【０２５０】実施例２６ ＜１，４−ビス〔２−〔４−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキ
シフェニル）アミノフェニル〕エテニル〕−２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン（構造式（４０）−
７）の合成例＞
【０２５１】
【化２７５】
【０２５２】水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル
懸濁状、１８６ｍｇ、４．６５ｍｍｏｌ）、（２，３，
５，６−テトラフルオロベンゼン）−１，４−ジイル−
ビス（メタンホスホン酸ジエチルエステル）（１１０ｍ
ｇ、０．２４５ｍｍｏｌ）、〔ビス−Ｎ−（４−メトキ
シフェニル）〕アミノベンズアルデヒド（２５３ｍｇ、
０．７５９ｍｍｏｌ）を用い、実施例２０と同様の方法
で合成した。
【０２５３】その結果、生成物（構造式（４０）−７）
（１１８ｍｇ、収率６２％）を黄橙色結晶として得た。
なお、この生成物の同定は 1ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ
測定により行った。
【０２５４】この生成物のＴＨＦ溶液の可視吸収極大波
長は４４６ｎｍ、蛍光発光波長は５６０ｎｍであった。
【０２５５】実施例２７ 本実施例は、一般式〔Ｉ〕の上記化合物のうち、Ｒ1 、
Ｒ4 に３−エトキシフェニル基を、Ｒ6 、Ｒ8 にシアノ
基を持った下記構造式（１６）−１の化合物を正孔輸送
性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の有機電界
発光素子を作製した例である。
【０２５６】
【化２７６】
【０２５７】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１６）−
１の化合物を例えば５０ｎｍの厚さに正孔輸送層（兼発
光層）として成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
【０２５８】さらに、電子輸送材料として下記構造式の
Ａｌｑ3 （トリス（８−キノリノール）アルミニウム）
を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａｌｑ3 からなるこの
電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍとし、蒸着レートは
０．２ｎｍ／秒とした。
【０２５９】
【化２７７】
【０２６０】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例２７による図４７に示した如き
有機電界発光素子を作製した。
【０２６１】このように作製した実施例２７の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、図２５に示すように、６２０ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電
子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器
を用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図２
７に示すように、８Ｖで１００００ｃｄ／ｍ2 の輝度が
得られた。
【０２６２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４０００時間であった。
【０２６３】実施例２８ 本実施例は、一般式〔Ｉ〕の上記化合物のうち、Ｒ1 、
Ｒ4 に３−エトキシフェニル基を、Ｒ6 、Ｒ8 にシアノ
基を持った上記構造式（１６）−１の化合物を電子輸送
性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の有機電界
発光素子を作製した例である。
【０２６４】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により１０-4Ｐａ以下の真空下で、下記構造式のα−Ｎ
ＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）を例えば５０ｎ
ｍの厚さに正孔輸送層として成膜した。蒸着レートは
０．１ｎｍ／秒とした。
【０２６５】
【化２７８】
【０２６６】さらに、電子輸送材料として上記構造式
（１６）−１の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。
上記構造式（１６）−１の化合物からなる電子輸送層
（兼発光層）の膜厚も例えば５０ｎｍとし、蒸着レート
は０．２ｎｍ／秒とした。
【０２６７】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例２８による図４７に示した如き
有機電界発光素子を作製した。
【０２６８】このように作製した実施例２８の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
８と同様に分光測定を行った結果、図２６に示すよう
に、６２０ｎｍに発光ピークを有するスペクトルを得
た。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図２８に示
すように、８Ｖで８０００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られ
た。
【０２６９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３５００時間であった。
【０２７０】実施例２９ 本実施例は、一般式〔Ｉ〕の上記化合物のうち、Ｒ1 、
Ｒ4 に３−エトキシフェニル基を、Ｒ6 、Ｒ8 にシアノ
基を持った上記構造式（１６）−１の化合物を発光材料
として用い、ダブルヘテロ層構造の有機電界発光素子を
作製した例である。
【０２７１】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により１０-4Ｐａ以下の真空下で、上記構造式のα−Ｎ
ＰＤを例えば３０ｎｍの厚さに正孔輸送層として成膜し
た。蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【０２７２】さらに、発光材料として上記構造式（１
６）−１の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。上記
構造式（１６）−１の化合物からなる発光層の膜厚も例
えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【０２７３】さらに、電子輸送材料として上記構造式の
Ａｌｑ3 を発光層に接して蒸着した。Ａｌｑ3 の膜厚を
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは、０．２ｎｍ／秒と
した。
【０２７４】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例３０による図４８に示した如き
有機電界発光素子を作製した。
【０２７５】このように作製した実施例２９の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、６２０ｎｍに発光ピークを有するスペク
トルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１
１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られた。
【０２７６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５０００時間であった。
【０２７７】実施例３０ 正孔輸送性材料としてα−ＮＰＤに替えて下記構造式の
ＴＰＤ（トリフェニルジアミン誘導体）を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例２８に準拠して、有機電界発光
素子を作製した。
【０２７８】
【化２７９】
【０２７９】本実施例の有機電界発光素子も実施例２９
と同様の赤色の発光を呈した。分光測定の結果、スペク
トルは実施例２９の有機電界発光素子のスペクトルと一
致した。
【０２８０】実施例３１ 本実施例は、一般式〔II〕の上記化合物のうち、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17に３−メトキシフェニル基を、Ｒ19、
Ｒ21にシアノ基を持った下記構造式（１６）−２の化合
物を正孔輸送性発光材料として用い、これ以外は実施例
２７と同様にして、シングルヘテロ構造の有機電界発光
素子を作製した例である。
【０２８１】
【化２８０】
【０２８２】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図２
９に示すように、６５０ｎｍに発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、図３１に示すように、
９．５Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られた。
【０２８３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１０００時間であった。
【０２８４】実施例３２ 本実施例は、一般式〔II〕の上記化合物のうち、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17に３−メトキシフェニル基を、Ｒ19、
Ｒ21にシアノ基を持った上記構造式（１６）−２の化合
物を電子輸送性発光材料として用い、これ以外は実施例
２８と同様にして、シングルヘテロ構造の有機電界発光
素子を作製した例である。
【０２８５】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、実施例２８と同様に分光測定
を行った結果、図３０に示すように、６５０ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、図３２に示すように、１０．５Ｖで
６００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られた。
【０２８６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０２８７】実施例３３ 本実施例は、一般式〔II〕の上記化合物のうち、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17に３−メトキシフェニル基を、Ｒ19、
Ｒ21にシアノ基を持った上記構造式（１６）−２の化合
物を発光材料として用い、これ以外は実施例２９と同様
にして、ダブルヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製
した例である。
【０２８８】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、６５
０ｎｍに発光ピークを有するスペクトルを得た。電圧−
輝度測定を行ったところ、８．５Ｖで１８００ｃｄ／ｍ
2 の輝度が得られた。
【０２８９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５００時間であった。
【０２９０】実施例３４ 正孔輸送性材料としてα−ＮＰＤに替えて上記構造式の
ＴＰＤ（トリフェニルジアミン誘導体）を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例３２に準拠して、有機電界発光
素子を作製した。
【０２９１】本実施例の有機電界発光素子も実施例３２
と同様の赤色の発光を呈した。分光測定の結果、スペク
トルは実施例３３の有機電界発光素子のスペクトルと一
致した。
【０２９２】実施例３５ 本実施例は、一般式〔III 〕の上記化合物のうち、
Ｒ27、Ｒ30に３−ジメチルアミノフェニル基を、Ｒ32、
Ｒ34にシアノ基を持った下記構造式（１６）−３の化合
物を正孔輸送性発光材料として用い、これ以外は実施例
２７と同様にして、シングルヘテロ構造の有機電界発光
素子を作製した例である。
【０２９３】
【化２８１】
【０２９４】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図３
３に示すように、６４０ｎｍに発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、図３５に示すように、８
Ｖで６０００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。
【０２９５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３８００時間であった。
【０２９６】実施例３６ 本実施例は、一般式〔III 〕の上記化合物のうち、
Ｒ27、Ｒ30に３−ジメチルアミノフェニル基を、Ｒ32、
Ｒ34にシアノ基を持った上記構造式（１６）−３の化合
物を電子輸送性発光材料として用い、これ以外は実施例
２８と同様にして、シングルヘテロ構造の有機電界発光
素子を作製した例である。
【０２９７】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、実施例２８と同様に分光測定
を行った結果、図３４に示すように、６４０ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、図３６に示すように、８Ｖで５３０
０ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られた。
【０２９８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３２００時間であった。
【０２９９】実施例３７ 本実施例は、一般式〔III 〕の上記化合物のうち、
Ｒ27、Ｒ30に３−ジメチルアミノフェニル基を、Ｒ32、
Ｒ34にシアノ基を持った上記構造式（１６）−３の化合
物を発光材料として用い、これ以外は実施例２９と同様
にして、ダブルヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製
した例である。
【０３００】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、６４
０ｎｍに発光ピークを有するスペクトルを得た。電圧−
輝度測定を行ったところ、８Ｖで６８００ｃｄ／ｍ2 の
輝度が得られた。
【０３０１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４５００時間であった。
【０３０２】実施例３８ 正孔輸送性材料としてα−ＮＰＤに替えて上記構造式の
ＴＰＤ（トリフェニルジアミン誘導体）を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例３６に準拠して、有機電界発光
素子を作製した。
【０３０３】本実施例の有機電界発光素子も実施例３６
と同様の赤色の発光を呈した。分光測定の結果、スペク
トルは実施例３６の有機電界発光素子のスペクトルと一
致した。
【０３０４】実施例３９ 本実施例は、一般式〔IV〕の上記化合物のうち、Ｒ41、
Ｒ42に無置換フェニル基を、Ｒ40、Ｒ43に無置換ナフチ
ル基を、Ｒ45、Ｒ47にシアノ基を持った下記構造式（１
６）−４の化合物を正孔輸送性発光材料として用い、こ
れ以外は実施例２７と同様にして、シングルヘテロ構造
の有機電界発光素子を作製した例である。
【０３０５】
【化２８２】
【０３０６】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は黄色であり、分光測定を行った結果、図３
７に示すように、５７８ｎｍに発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、図４０に示すように、８
Ｖで６５００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。
【０３０７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４０００時間であった。
【０３０８】実施例４０ 本実施例は、一般式〔IV〕の上記化合物のうち、Ｒ41、
Ｒ42に無置換フェニル基を、Ｒ40、Ｒ43に無置換ナフチ
ル基を、Ｒ45、Ｒ47にシアノ基を持った上記構造式（１
６）−４の化合物を電子輸送性発光材料として用い、こ
れ以外は実施例２８と同様にして、シングルヘテロ構造
の有機電界発光素子を作製した例である。
【０３０９】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は黄色であり、実施例３９と同様に分光測定
を行った結果、図３８に示すように、５７８ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、図４１に示すように、８Ｖで５９０
０ｃｄ／ｍ2 の輝度が得られた。
【０３１０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３５００時間であった。
【０３１１】実施例４１ 本実施例は、一般式〔IV〕の上記化合物のうち、Ｒ41、
Ｒ42に無置換フェニル基を、Ｒ40、Ｒ43に無置換ナフチ
ル基を、Ｒ45、Ｒ47にシアノ基を持った上記構造式（１
６）−４の化合物を発光材料として用い、これ以外は実
施例２９と同様にして、ダブルヘテロ層構造の有機電界
発光素子を作製した例である。
【０３１２】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は黄色であり、分光測定を行った結果、図３
９に示すように、５７８ｎｍに発光ピークを有するスペ
クトルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、図４２
に示すように、８Ｖで７５００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得ら
れた。
【０３１３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５０００時間であった。
【０３１４】実施例４２ 正孔輸送性材料としてα−ＮＰＤに替えて上記構造式の
ＴＰＤ（トリフェニルジアミン誘導体）を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例４０に準拠して、有機電界発光
素子を作製した。
【０３１５】本実施例の有機電界発光素子も実施例４０
と同様の黄色の発光を呈した。分光測定の結果、スペク
トルは実施例４０の有機電界発光素子のスペクトルと一
致した。
【０３１６】実施例４３ 本実施例は、一般式〔Ｉ〕の上記化合物のうち、Ｒ1 、
Ｒ4 に無置換フェニル基を、 Ｒ2 、Ｒ3 にｔ−ブチル
基を持った下記構造式（１６）−８の化合物を電子輸送
性発光材料として用い、これ以外は実施例２８と同様に
して、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製し
た例である。
【０３１７】
【化２８３】
【０３１８】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は橙色であり、実施例３９と同様に分光測定
を行った結果、図４３に示すように、５８０ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで３００ｃｄ／ｍ2 の輝度が得
られた。
【０３１９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【０３２０】実施例４４ 本実施例は、前記一般式〔Ｉ〕の上記化合物のうち、Ｒ
1 、Ｒ4 に無置換フェニル基を、Ｒ2 、Ｒ3 にターシャ
リブトキシ基を持った下記構造式（１６）−９の化合物
を電子輸送性発光材料として用い、これ以外は実施例４
３と同様にして、シングルヘテロ構造の有機電界発光素
子を作製した例である。
【０３２１】
【化２８４】
【０３２２】本実施例の有機電界発光素子に、窒素雰囲
気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価し
た。発光色は赤色であり、実施例３９と同様に分光測定
を行った結果、図４４に示すように、６２８ｎｍに発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、７．５Ｖで１５ｃｄ／ｍ2 の輝度が
得られた。
【０３２３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【０３２４】
【発明の作用効果】本発明の第１及び第２の化合物は、
導入される置換基に依存して、黄色〜赤色又は緑色〜赤
色の強い発光を示す有機発光材料として有効に利用する
ことができ、高いガラス転移点及び融点を有する物質で
あり、耐熱性に優れると共に、電気的、熱的或いは化学
的な安定性に優れ、また非晶質でガラス状態を容易に形
成し得、昇華性もあって真空蒸着等によって均一なアモ
ルファス膜を形成することもできる。また、本発明の化
合物は、本発明の合成中間体を経て一般的かつ高効率な
方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−１）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図２】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−２）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図３】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−４）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図４】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ，Ｎ−ジ
（４−メトキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド
（構造式（２７）−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図５】本発明の合成中間体としてのＮ，Ｎ−ジ（４−
メトキシフェニル）アニリン（構造式（３６）−２）の
1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図６】本発明の合成中間体としてのＮ−（１−フェニ
ル）−Ｎ−（４−エトキシフェニル）アニリン（（構造
式（３６）−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図７】本発明の合成中間体としての２，５−ジ（ブロ
モメチル）テレフタロニトリル（構造式（３５ａ））の
1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図８】本発明の合成中間体としてのＮ−（ｐ−トルイ
ル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（構造式（３６）−
６）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図９】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ−（ｐ−
トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ] ベンズアルデヒド
（構造式（２７）−６）の1 ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１０】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−６）の1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１１】本発明の合成中間体としてのＮ，Ｎ−（ｐ−
トルイル−Ｎ−フェニルアミン（構造式（３６）−７）
の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１２】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ，Ｎ−
ジ（ｐ−トルイル）アミノ] ベンズアルデヒド（構造式
（２７）−７）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１３】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−７）の1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１４】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（５３））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１５】本発明の合成中間体としての化合物（構造式
（５５））の 1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１６】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（５６））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１７】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（５７））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１８】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−９）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１９】本発明の合成中間体としてのアミン化合物
（構造式（６１））の 1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図２０】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（６２））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２１】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−８）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図２２】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（６４））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２３】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（６５））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２４】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−３）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図２５】本発明の実施例２７による有機電界発光素子
の発光スペクトル図である。
【図２６】同、実施例２８による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図２７】同、実施例２７による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図２８】同、実施例２８による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図２９】同、実施例３１による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３０】同、実施例３２による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３１】同、実施例３１による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３１】同、実施例３２による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３２】同、実施例３２による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３３】同、実施例３５による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３４】同、実施例３６による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３５】同、実施例３５による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３６】同、実施例３６による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３７】同、実施例３９による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３８】同、実施例４０による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３９】同、実施例４１による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４０】同、実施例３９による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４１】同、実施例４０による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４２】同、実施例４１による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４３】同、実施例４３による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４４】同、実施例４４による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４５】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略
断面図である。
【図４６】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図４７】同、他の電界発光素子の要部概略断面図であ
る。
【図４８】同、他の電界発光素子の要部概略断面図であ
る。
【図４９】同、有機電界発光素子を用いたマルチ又はフ
ルカラーの平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光
素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月３０日（１９９９．１１．
３０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−１）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図２】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−２）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図３】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
物（構造式（１６）−４）の1ＨＮＭＲスペクトル図で
ある。
【図４】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ，Ｎ−ジ
（４−メトキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド
（構造式（２７）−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図５】本発明の合成中間体としてのＮ，Ｎ−ジ（４−
メトキシフェニル）アニリン（構造式（３６）−２）の
1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図６】本発明の合成中間体としてのＮ−（１−フェニ
ル）−Ｎ−（４−エトキシフェニル）アニリン（（構造
式（３６）−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図７】本発明の合成中間体としての２，５−ジ（ブロ
モメチル）テレフタロニトリル（構造式（３５ａ））の
1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図８】本発明の合成中間体としてのＮ−（ｐ−トルイ
ル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（構造式（３６）−
６）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図９】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ−（ｐ−
トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ] ベンズアルデヒド
（構造式（２７）−６）の1 ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１０】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−６）の1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１１】本発明の合成中間体としてのＮ，Ｎ−（ｐ−
トルイル−Ｎ−フェニルアミン（構造式（３６）−７）
の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１２】本発明の合成中間体としての４−[ Ｎ，Ｎ−
ジ（ｐ−トルイル）アミノ] ベンズアルデヒド（構造式
（２７）−７）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１３】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−７）の1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１４】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（５３））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１５】本発明の合成中間体としての化合物（構造式
（５５））の 1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１６】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（５６））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１７】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（５７））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１８】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−９）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図１９】本発明の合成中間体としてのアミン化合物
（構造式（６１））の 1ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図２０】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（６２））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２１】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−８）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図２２】本発明の合成中間体としてのアセタール化合
物（構造式（６４））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２３】本発明の合成中間体としてのアルデヒド化合
物（構造式（６５））の 1ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図２４】本発明のビス（アミノスチリル）ベンゼン化
合物（構造式（１６）−３）の 1ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図２５】本発明の実施例２７による有機電界発光素子
の発光スペクトル図である。
【図２６】同、実施例２８による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図２７】同、実施例２７による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図２８】同、実施例２８による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図２９】同、実施例３１による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３０】同、実施例３２による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３１】同、実施例３１による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３２】同、実施例３２による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３３】同、実施例３５による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３４】同、実施例３６による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３５】同、実施例３５による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３６】同、実施例３６による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図３７】同、実施例３９による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３８】同、実施例４０による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図３９】同、実施例４１による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４０】同、実施例３９による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４１】同、実施例４０による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４２】同、実施例４１による有機電界発光素子の電
圧−輝度特性図である。
【図４３】同、実施例４３による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４４】同、実施例４４による有機電界発光素子の発
光スペクトル図である。
【図４５】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略
断面図である。
【図４６】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図４７】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図４８】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図４９】同、有機電界発光素子を用いたマルチ又はフ
ルカラーの平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】 １…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光
素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 253/30 Ｃ０７Ｃ 253/30 255/51 255/51 Ｃ０７Ｆ 9/40 Ｃ０７Ｆ 9/40 Ｅ 9/54 9/54 Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２５ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２５ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ (72)発明者 石橋 義 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 高田 一範 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (60)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又
    は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化
    合物。 【化１】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表わされるアリール基であり 【化２】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化３】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化４】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化５】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基で
    あり 【化６】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化７】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化８】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり 【化９】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
    の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
    素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
    る。〕
  2. 【請求項２】 下記一般式で表される、請求項１に記載
    したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化１０】 〔但し、前記一般式において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3
    及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同
    一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場
    合には下記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）で
    表されるアリール基から選ばれた基である。 【化１１】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが一般式（６）のアリール基である場合には、Ｒ
    60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
    り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭
    化水素基であり、Ｒ63及びＲ64はそれぞれ、互いに同一
    の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素
    基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数
    であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
  3. 【請求項３】 前記Ｒ60の炭素数が２〜６であり、前記
    Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数が１〜６である、請
    求項２に記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合
    物。
  4. 【請求項４】 下記一般式（１０）、（１１）、（１
    ２）、（１３）、（１４）、（１５）又は（１５’）で
    表される、請求項２に記載したビス（アミノスチリル）
    ベンゼン化合物。 【化１２】 （但し、前記一般式（１０）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３】 （但し、前記一般式（１１）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１４】 （但し、前記一般式（１２）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１６】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１７】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１８】 （但し、前記一般式（１５’）において、Ｒ70は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  5. 【請求項５】 下記構造式（１６）−１、（１６）−
    ２、（１６）−３、（１６）−４、（１６）−５、（１
    ６）−６、（１６）−７、（１６）−８、（１６）−
    ９、（１６）−１０、（１６）−１１、（１６）−１２
    又は（１６）−１３で表される、請求項２に記載したビ
    ス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化１９】
  6. 【請求項６】 下記一般式〔XIX 〕で表されるビス（ア
    ミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化２０】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化２１】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ１０２は互いに同一の又は異なる基
    であって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数
    １以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化
    水素基である。）、Ｒ９４、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互い
    に同一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選
    ばれた基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原
    子である。〕
  7. 【請求項７】 下記一般式〔XX〕で表される、請求項６
    に記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化２２】 〔但し、前記一般式〔XX〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92
    及びＲ93は前記したものと同じである。〕
  8. 【請求項８】 前記Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92及びＲ93は少なく
    とも一つが下記一般式（４１）で表されるアリール基で
    あり、残りが無置換のアリール基である、請求項７に記
    載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化２３】 （但し、前記一般式（４１）において、Ｒ103 は炭素数
    が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０
    〜５の整数である。）。〕
  9. 【請求項９】 下記一般式（４２）で表される、請求項
    ８に記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化２４】 （但し、前記一般式（４２）において、Ｒ104 は炭素数
    が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  10. 【請求項１０】 下記構造式（４０）−１、（４０）−
    ２、（４０）−３、（４０）−４、（４０）−５、（４
    ０）−６又は（４０）−７で示される、請求項７に記載
    したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物。 【化２５】
  11. 【請求項１１】 下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表され
    る４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒド
    の少なくとも１種と；下記一般式〔VII 〕で表されるジ
    ホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表される
    ジホスホニウム塩と；を縮合させることによって、下記
    一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表される
    ビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物を得る、ビス
    （アミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法。 【化２６】 （但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ71及
    びＲ72はそれぞれ、下記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、
    Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当するアリール基であ
    り、Ｒ73及びＲ74はそれぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、
    Ｒ17、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基
    である。） 【化２７】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
    75及びＲ76はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
    素基であり、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、下
    記Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、
    Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46又はＲ47に
    相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。） 【化２８】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化２９】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化３０】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化３１】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化３２】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基で
    あり 【化３３】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化３４】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化３５】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり 【化３６】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
    の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
    素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
    る。〕
  12. 【請求項１２】 前記縮合をウィッティヒ−ホーナー
    （Wittig-Horner)反応又はウィッティヒ（Wittig) 反応
    によって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前
    記ジホスホニウム塩を溶媒中で塩基で処理することによ
    ってカルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと
    前記４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒ
    ドと縮合させる、請求項１１に記載したビス（アミノス
    チリル）ベンゼン化合物の製造方法。
  13. 【請求項１３】 下記一般式で表されるビス（アミノス
    チリル）ベンゼン化合物を得るに際し 【化３７】 〔但し、前記一般式において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3
    及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同
    一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場
    合には下記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）で
    表されるアリール基 から選ばれた基である。 【化３８】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが、一般式（６）のアリール基である場合には、
    Ｒ60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）で
    あり、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の
    炭化水素基であり、Ｒ63及びＲ64は互いに同一の又は異
    なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であ
    り、ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数であ
    り、ｌは０〜４の整数である。）〕、 下記一般式（１７）又は（１８）で表される４−（Ｎ，
    Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも
    １種と；下記一般式（１９）で表されるジホスホン酸エ
    ステル又は下記一般式（２０）で表されるジホスホニウ
    ム塩と；を縮合させる、請求項１１に記載したビス（ア
    ミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法。 【化３９】 （但し、前記一般式（１７）、（１８）、（１９）及び
    （２０）において、Ａｒ 1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
    Ｒ75、Ｒ76及びＸは前記したものと同じである。）
  14. 【請求項１４】 前記Ｒ75及びＲ76を炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基とする、請求項１１に記載したビス（アミ
    ノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記Ｒ60の炭素数を２〜６とし、前記
    Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数を１〜６とする、請
    求項１３に記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化
    合物の製造方法。
  16. 【請求項１６】 下記一般式（１０）、（１１）、（１
    ２）、（１３）、（１４）、（１５）又は（１５’）で
    表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物を得
    る、請求項１１に記載したビス（アミノスチリル）ベン
    ゼン化合物の製造方法。 【化４０】 （但し、前記一般式（１０）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４１】 （但し、前記一般式（１１）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４２】 （但し、前記一般式（１２）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４３】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４４】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４５】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化４６】 （但し、前記一般式（１５’）において、Ｒ70は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  17. 【請求項１７】 下記構造式（１６）−１、（１６）−
    ２、（１６）−３、（１６）−４、（１６）−５、（１
    ６）−６、（１６）−７、（１６）−８、（１６）−
    ９、（１６）−１０、（１６）−１１、（１６）−１２
    又は（１６）−１３で表されるビス（アミノスチリル）
    ベンゼン化合物を得る、請求項１１に記載したビス（ア
    ミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法。 【化４７】
  18. 【請求項１８】 下記一般式〔XIX 〕で表されるビス
    （アミノスチリル）ベンゼン化合物を得るに際し 【化４８】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化４９】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ１０２は互いに同一の又は異なる基
    であって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数
    １以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化
    水素基である。）、Ｒ９４、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互い
    に同一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選
    ばれた基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原
    子である。〕、 下記一般式〔Ｖ’〕又は〔VI' 〕で表される４−（Ｎ，
    Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも
    一種と；下記一般式〔VII'〕で表されるジホスホン酸エ
    ステル）又は下記一般式〔VIII' 〕で表されるジホスホ
    ニウム塩と；を縮合させる、ビス（アミノスチリル）ベ
    ンゼン化合物の製造方法。 【化５０】 （但し、前記一般式〔Ｖ’〕及び〔VI’〕において、Ｒ
    71’及びＲ72’はそれぞれ、前記Ｒ90又はＲ91に相当す
    るアリール基であり、Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、前
    記Ｒ92又はＲ93に相当するアリール基である。） 【化５１】 （但し、前記一般式〔VII ’〕及び〔VIII’〕におい
    て、Ｒ75’及びＲ76’はそれぞれ、互いに同一の又は異
    なる炭化水素基であり、Ｒ77’、Ｒ78’、Ｒ79’及びＲ
    80’はそれぞれ前記Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96又はＲ97に相当す
    る基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
  19. 【請求項１９】 下記一般式〔XX〕で表されるビス（ア
    ミノスチリル）ベンゼン化合物を得る、請求項１８に記
    載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方
    法。 【化５２】 〔但し、前記一般式〔XX〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92
    及びＲ93は前記したものと同じである。〕
  20. 【請求項２０】 前記Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92及びＲ93を少な
    くとも一つが下記一般式（４１）で表されるアリール基
    とし、残りを無置換のアリール基とする、請求項１９に
    記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の製造
    方法。 【化５３】 （但し、前記一般式（４１）において、Ｒ103 は炭素数
    が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０
    〜５の整数である。）。〕
  21. 【請求項２１】 下記一般式（４２）で表されるビス
    （アミノスチリル）ベンゼン化合物を得る、請求項２１
    に記載したビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の製
    造方法。 【化５４】 （但し、前記一般式（４２）において、Ｒ104 は炭素数
    が１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  22. 【請求項２２】 前記縮合をウィッティヒ−ホーナー
    （Wittig-Horner)反応又はウィッティヒ(Wittig)反応に
    よって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記
    ジホスホニウム塩を溶媒中で塩基で処理することによっ
    てカルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと前
    記４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒド
    と縮合させる、請求項１８に記載したビス（アミノスチ
    リル）ベンゼン化合物の製造方法。
  23. 【請求項２３】 下記構造式（４０）−１、（４０）−
    ２、（４０）−３、（４０）−４、（４０）−５、（４
    ０）−６又は（４０）−７で示されるビス（アミノスチ
    リル）ベンゼン化合物を得る、請求項１９に記載したビ
    ス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の製造方法。 【化５５】
  24. 【請求項２４】 下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表さ
    れ、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で
    表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン化合物の合成
    中間体として用いられる４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミ
    ノ）ベンズアルデヒド。 【化５６】 （但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ71及
    びＲ72はそれぞれ、下記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、
    Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当するアリール基であ
    り、Ｒ73及びＲ74はそれぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、
    Ｒ17、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基
    である。） 【化５７】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化５８】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化５９】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化６０】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化６１】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    わされるアリール基であり、残りが無置換のアリール基
    であり 【化６２】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化６３】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表わされるアリール基であり 【化６４】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表わされるアリール基であり 【化６５】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
    の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
    素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
    る。〕
  25. 【請求項２５】 下記一般式（１７）又は（１８）で表
    される、請求項２４に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリー
    ルアミノ）ベンズアルデヒド。 【化６６】 〔但し、前記一般式（１７）及び（１８）において、Ａ
    ｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を
    有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であっ
    て、置換基を有する場合には下記一般式（６）、
    （７）、（８）及び（９）で表されるアリール基から選
    ばれた基である。 【化６７】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが一般式（６）のアリール基である場合には、Ｒ
    60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
    り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭
    化水素基であり、Ｒ63及びＲ64は互いに同一の又は異な
    る炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌ
    は０〜４の整数である。）〕
  26. 【請求項２６】 前記Ｒ60の炭素数が２〜６であり、前
    記Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数が１〜６である、
    請求項２５に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミ
    ノ）ベンズアルデヒド。
  27. 【請求項２７】 下記一般式（２１）、（２２）、（２
    ３）、（２４）、（２５）、（２６）又は（２６’）で
    表される、請求項２５に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリ
    ールアミノ）ベンズアルデヒド。 【化６８】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化６９】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７０】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７１】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７２】 （但し、前記一般式（２５）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７３】 （但し、前記一般式（２６）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７４】 （但し、前記一般式（２６’）において、Ｒ70は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  28. 【請求項２８】 下記構造式（２７）−１、（２７）−
    ２、（２７）−３、（２７）−４、（２７）−５、（２
    ７）−６、（２７）−７、（２７）−８、（２７）−
    ９、（２７）−１０、（２７）−１１、（２７）−１
    ２、（２７）−１３、（２７）−１４又は（２７）−１
    ５で表される、請求項２５に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジ
    アリールアミノ）ベンズアルデヒド。 【化７５】
  29. 【請求項２９】 下記一般式〔Ｖ’〕又は〔VI’〕で表
    され、下記一般式〔XIX 〕で示されるビス（アミノスチ
    リル）ベンゼン化合物の合成中間体として用いられる４
    −（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒド。 【化７６】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化７７】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ102は互いに同一の又は異なる基で
    あって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互いに同
    一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれ
    た基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原子で
    ある。〕、 【化７８】 （但し、前記一般式〔Ｖ’〕及び〔VI' 〕において、Ｒ
    71’及びＲ72’はそれぞれ、前記Ｒ90、又はＲ91に相当
    するアリール基であり、Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、
    前記Ｒ92又はＲ93に相当するアリール基である。）
  30. 【請求項３０】 前記Ｒ90、Ｒ91、Ｒ92及びＲ93は少な
    くとも一つが下記一般式（４１）で表されるアリール基
    であり、残りが無置換のアリール基である、請求項２９
    に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズア
    ルデヒド。 【化７９】 （但し、前記一般式（４１）において、Ｒ103 は炭素数
    が１〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０
    〜５の整数である。）。〕
  31. 【請求項３１】 下記一般式（４３）で表される、請求
    項２９に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベ
    ンズアルデヒド。 【化８０】 （但し、前記一般式（４３）において、Ｒ104 は炭素数
    が１〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  32. 【請求項３２】 下記構造式（４１）−１、（４１）−
    ２、（４１）−３、（４１）−４、（４１）−５、（４
    １）−６又は（４１）−７で表される、請求項２９に記
    載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデ
    ヒド。 【化８１】
  33. 【請求項３３】 下記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、或いは
    下記一般式〔IX' 〕又は〔Ｘ’〕で表されるトリアリー
    ルアミンをジメチルホルムアミドとオキシ塩化リンとの
    付加体によってホルミル化し、これによって、下記一般
    式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕、或いは下記一
    般式〔XIX 〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼ
    ン化合物の合成中間体として用いられかつ下記一般式
    〔Ｖ〕又は〔VI〕、或いは下記一般式〔Ｖ’〕又は〔V
    I’〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベ
    ンズアルデヒドを得る、４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミ
    ノ）ベンズアルデヒドの製造方法。 【化８２】 （但し、前記一般式〔IX〕及び〔Ｘ〕、〔IX’〕及び
    〔Ｘ’〕、〔Ｖ〕及び〔VI〕、〔Ｖ’〕及び〔VI’〕に
    おいて、Ｒ71及びＲ72はそれぞれ、下記Ｒ1 、Ｒ2、Ｒ
    14、Ｒ15、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当するアリー
    ル基であり、Ｒ71’及びＲ72’はそれぞれ、下記Ｒ90又
    はＲ91に相当するアリール基であり、Ｒ73及びＲ74はそ
    れぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ
    42又はＲ43に相当するアリール基であり、Ｒ73’及びＲ
    74’はそれぞれ、下記Ｒ92又はＲ93に相当するアリール
    基である。） 【化８３】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化８４】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化８５】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化８６】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化８７】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基で
    あり 【化８８】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化８９】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化９０】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり 【化９１】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、 Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一の又は異なる基
    であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ
    基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化９２】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化９３】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ102は互いに同一の又は異なる基で
    あって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互いに同
    一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれ
    た基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原子で
    ある。〕
  34. 【請求項３４】 下記一般式（１７）又は（１８）で表
    される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデ
    ヒドを得る、請求項３３に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジア
    リールアミノ）ベンズアルデヒドの製造方法。 【化９４】 〔但し、前記一般式（１７）及び（１８）において、Ａ
    ｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を
    有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であっ
    て、置換基を有する場合には下記一般式（６）、
    （７）、（８）及び（９）で表されるアリール基から選
    ばれた基である。 【化９５】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが一般式（６）のアリール基である場合には、Ｒ
    60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
    り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭
    化水素基であり、Ｒ63及びＲ64は互いに同一の又は異な
    る炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌ
    は０〜４の整数である。）〕
  35. 【請求項３５】 前記Ｒ60の炭素数を２〜６とし、前記
    Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数を１〜６とする、請
    求項３４に記載した４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）
    ベンズアルデヒドの製造方法。
  36. 【請求項３６】 下記一般式（２１）、（２２）、（２
    ３）、（２４）、（２５）、（２６）、又は（２６’）
    で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズア
    ルデヒドを得る、請求項３４に記載した４−（Ｎ，Ｎ−
    ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの製造方法。 【化９６】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化９７】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化９８】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化９９】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１００】 （但し、前記一般式（２５）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１０１】 （但し、前記一般式（２６）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１０２】 （但し、前記一般式（２６’）において、Ｒ70は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和炭化水素基である。）
  37. 【請求項３７】 下記構造式（２７）−１、（２７）−
    ２、（２７）−３、（２７）−４、（２７）−５、（２
    ７）−６、（２７）−７、（２７）−８、（２７）−
    ９、（２７）−１０、（２７）−１１、（２７）−１
    ２、（２７）−１３、（２７）−１４又は（２７）−１
    ５で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズ
    アルデヒドを得る、請求項３４に記載した４−（Ｎ，Ｎ
    −ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの製造方法。 【化１０３】
  38. 【請求項３８】 下記一般式（４４）、（４５）又は
    （４６）で表されるアセタール化合物。 【化１０４】 〔但し、前記一般式（４４）、（４５）及び（４６）に
    おいて、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、互いに
    同一の又は異なる基であって、下記一般式（４７）で表
    されるアリール基であり、 【化１０５】 （但し、前記一般式（４７）において、Ｒ105 、
    Ｒ106 、Ｒ107 、Ｒ108 及びＲ109 は、互いに同一の又
    は異なる基であって、水素原子、炭化水素基、炭化水素
    オキシ基又は炭化水素アミノ基から選ばれた基であ
    る。）、Ｒ103 及びＲ104 は飽和又は不飽和の炭化水素
    基であり、Ｒ103 とＲ104 が炭素鎖によってつながれた
    構造をとってもよい。〕
  39. 【請求項３９】 下記一般式（４４）、（４５）又は
    （４６）で表されるアセタール化合物を得るに際し 【化１０６】 〔但し、前記一般式（４４）及び（４５）において、Ａ
    ｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、互いに同一の又は
    異なる基であって、下記一般式（４７）で表されるアリ
    ール基であり 【化１０７】 （但し、前記一般式（４７）において、Ｒ105 、
    Ｒ106 、Ｒ107 、Ｒ108 及びＲ109 は、互いに同一の又
    は異なる基であって、水素原子、炭化水素基、炭化水素
    オキシ基又は炭化水素アミノ基から選ばれた基であ
    る。）、Ｒ103 及びＲ104 は飽和又は不飽和の炭化水素
    基であり、Ｒ103 とＲ104 が炭素鎖によってつながれた
    構造をとってもよい。〕、 前記一般式（４４）で表されるアセタール化合物を得る
    場合には、触媒及び塩基の存在下で、下記一般式（４
    ８）で表されるアミン化合物と下記一般式（４９）で表
    されるアセタール化合物とをカップリングさせ 【化１０８】 （但し、前記一般式（４８）及び（４９）において、Ａ
    ｒ11、Ａｒ12、Ｒ103 及びＲ104 は前記したものと同じ
    であり、Ｘはハロゲン原子である。）、 前記一般式（４５）で表されるアセタール化合物を得る
    場合には、触媒及び塩基の存在下で、下記一般式（４
    ９’）で表されるアセタール化合物と下記一般式（５
    ０）で表されるアリール化合物とをカップリングさせ 【化１０９】 （但し、前記一般式（４９’）及び（５０）において、
    Ａｒ13、Ａｒ14、Ｒ103及びＲ104 は前記したものと同
    じであり、Ｘはハロゲン原子である。）、 前記一般式（４６）で表されるアセタール化合物を得る
    場合には、触媒及び塩基の存在下で、下記一般式（５
    １）で表されるアミン化合物と下記一般式（５２）で表
    されるアセタール化合物とをカップリングさせる、アセ
    タール化合物の製造方法。 【化１１０】 （但し、前記一般式（５１）及び（５２）において、Ａ
    ｒ13、Ｒ103 及びＲ104は前記したものと同じであり、
    Ｘはハロゲン原子である。）
  40. 【請求項４０】 前記カップリング時に用いる前記触媒
    として、下記のＰｄ（Ｏ）−ホスフィン錯体が活性種と
    して働く、請求項３９に記載したアセタール化合物の製
    造方法。 Ｐｄ（Ｏ）−ホスフィン錯体 ｛但し、Ｐｄ（Ｏ）はＰｄ（Ｏ）、Ｐｄ（Ｉ）、Ｐｄ
    （II) の試薬として添加されてもよく、ホスフィンは下
    記一般式（５３）又は（５４）で表される３級ホスフィ
    ンである。 【化１１１】 〔但し、前記一般式（５３）及び（５４）において、Ｒ
    105 及びＲ106 は飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    Ｑは炭化水素基、又は下記一般式（５５）又は（５６）
    で表されるような橋かけ構造をとってもよい。 一般式（５５）： −（CH2)n −G −（CH2)n − 一般式（５６）： −Ar15−G −Ar16− （但し、前記一般式（５５）及び（５６）において、Ｇ
    は酸素原子、硫黄原子、アミノ基、炭化水素基又は金属
    原子であり、Ａｒ15及びＡｒ16は置換基を有してもよい
    アリール基である。）〕｝
  41. 【請求項４１】 下記一般式（４４）、（４５）又は
    （４６）で表されるアセタール化合物を、ケトン溶媒
    中、酸触媒又は塩基触媒の存在下でアセタール交換させ
    ることにより、下記一般式（５７）、（５８）又は（５
    ９）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベン
    ズアルデヒド化合物を得る、４−（Ｎ，Ｎ−ジアリール
    アミノ）ベンズアルデヒド化合物の製造方法。 【化１１２】 〔但し、前記一般式（４４）及び（４５）において、Ａ
    ｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、互いに同一の又は
    異なる基であって、下記一般式（４７）で表されるアリ
    ール基であり、 【化１１３】 （但し、前記一般式（４７）において、Ｒ105 、
    Ｒ106 、Ｒ107 、Ｒ108 及びＲ109 は、互いに同一の又
    は異なる基であって、水素原子、炭化水素基、炭化水素
    オキシ基又は炭化水素アミノ基から選ばれた基であ
    る。）、Ｒ103 及びＲ104 は飽和又は不飽和の炭化水素
    基であり、Ｒ103 とＲ104 とが炭素鎖によってつながれ
    た構造をとってもよい。〕 【化１１４】 （但し、前記一般式（５７）、（５８）及び（５９）に
    おいて、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は前記した
    ものと同じである。）
  42. 【請求項４２】 下記構造式（２７）−１、（２７）−
    ２、（２７）−３、（２７）−４、（２７）−５、（２
    ７）−６、（２７）−７、（２７）−８、（２７）−
    ９、（２７）−１０、（２７）−１１、（２７）−１
    ２、（２７）−１３、（２７）−１４又は（２７）−１
    ５で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズ
    アルデヒドを得る、請求項４１に記載した４−（Ｎ，Ｎ
    −ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの製造方法。 【化１１５】
  43. 【請求項４３】 下記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、或いは
    下記一般式〔IX’〕又は〔Ｘ’〕で表され、下記一般式
    〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕、或いは下記一般
    式〔XIX 〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン
    化合物の合成中間体として用いられるトリアリールアミ
    ン。 【化１１６】 （但し、前記一般式〔IX〕及び〔Ｘ〕、〔IX’〕及び
    〔Ｘ’〕において、Ｒ71及びＲ72はそれぞれ、下記
    Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に
    相当するアリール基であり、Ｒ71’及びＲ72’はそれぞ
    れ、下記Ｒ90又はＲ91に相当するアリール基であり、Ｒ
    73及びＲ74はそれぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、Ｒ17、
    Ｒ29、Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基であ
    り、Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、下記Ｒ92又はＲ93に
    相当するアリール基である。） 【化１１７】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化１１８】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化１１９】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化１２０】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化１２１】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基で
    あり 【化１２２】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化１２３】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化１２４】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり 【化１２５】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
    の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
    素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化１２６】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化１２７】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ102は互いに同一の又は異なる基で
    あって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互いに同
    一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれ
    た基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原子で
    ある。〕
  44. 【請求項４４】 下記一般式（２８）又は（２９）で表
    される、請求項４３に記載したトリアリールアミン。 【化１２８】 〔但し、前記一般式（２８）及び（２９）において、Ａ
    ｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を
    有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であっ
    て、置換基を有する場合には下記一般式（６）、
    （７）、（８）及び（９）で表されるアリール基から選
    ばれた基である。 【化１２９】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが一般式（６）のアリール基である場合には、Ｒ
    60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
    り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭
    化水素基であり、Ｒ63及びＲ64は互いに同一の又は異な
    る炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌ
    は０〜４の整数である。）〕
  45. 【請求項４５】 前記Ｒ60の炭素数が２〜４であり、前
    記Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数が１〜４である、
    請求項４４に記載したトリアリールアミン。
  46. 【請求項４６】 下記一般式（３０）、（３１）、（３
    ２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表される、請
    求項４４に記載したトリアリールアミン。 【化１３０】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３１】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３２】 （但し、前記一般式（３２）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３３】 （但し、前記一般式（３３）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３４】 （但し、前記一般式（３４）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３５】 （但し、前記一般式（３５）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  47. 【請求項４７】 下記構造式（３６）−１、（３６）−
    ２、（３６）−３、（３６）−４、（３６）−５、（３
    ６）−６、（３６）−７、（３６）−８、（３６）−
    ９、（３６）−１０又は（３６）−１１で表される、請
    求項４４に記載したトリアリールアミン。 【化１３６】
  48. 【請求項４８】 下記一般式〔IX〕又は〔Ｘ〕、或いは
    下記一般式〔IX’〕又は〔Ｘ’〕で表され、下記一般式
    〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕、或いは下記一般
    式〔XIX 〕で表されるビス（アミノスチリル）ベンゼン
    化合物の合成中間体として用いられるトリアリールアミ
    ンを製造するに際し、下記一般式〔XI〕又は〔XI’〕で
    表されるジアリールアミンと下記一般式〔XII 〕又は
    〔XII ’〕で表されるハロゲン化ベンゼンとを触媒及び
    塩基の存在下でカップリングさせるか、或いは、下記一
    般式〔XIII〕又は〔XIII’〕で表されるジアリールアミ
    ンと下記一般式〔XIV 〕又は〔XIV'〕で表されるハロゲ
    ン化アリール化合物とを触媒及び塩基の存在下でカップ
    リングさせる、トリアリールアミンの製造方法。 【化１３７】 （但し、前記一般式〔IX〕及び〔Ｘ〕、〔IX’〕及び
    〔Ｘ’〕、〔XI〕及び〔XII 〕、〔XI’〕及び〔XI
    I'〕、〔XIII〕及び〔XIV 〕、〔XIII’〕及び〔XIV
    ’〕において、Ｒ71及びＲ72はそれぞれ、下記Ｒ1 、
    Ｒ2 、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ40又はＲ41に相当す
    るアリール基であり、Ｒ71’及びＲ72’はそれぞれ、下
    記Ｒ90又はＲ91に相当するアリール基であり、Ｒ73及び
    Ｒ74はそれぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ29、
    Ｒ30、Ｒ42又はＲ43に相当するアリール基であり、
    Ｒ73’及びＲ74’はそれぞれ、下記Ｒ92又はＲ93に相当
    するアリール基であり、Ｘはハロゲン原子である。） 【化１３８】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化１３９】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ9 、Ｒ10、
    Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数２以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は互いに同一の又は
    異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。〕 【化１４０】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16
    及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化１４１】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ22、Ｒ23、
    Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素オキシ基、又は炭化水素基である。）、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20及びＲ21は互いに同一の又は異なる基であって、そ
    れらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基
    又はハロゲン原子である。〕 【化１４２】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ
    29及びＲ30は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基で
    あり 【化１４３】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ35、Ｒ36、
    Ｒ37、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが飽和又は不飽和の炭化水
    素アミノ基である。）、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33及びＲ34は互
    いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    である。〕 【化１４４】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ41及びＲ42は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化１４５】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ48、Ｒ49、
    Ｒ50、Ｒ51及びＲ52は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも１つが飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ40及びＲ43は互いに同一の又は異なる基であ
    って、下記一般式（５）で表されるアリール基であり 【化１４６】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ53、Ｒ54、
    Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58及びＲ59は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも１
    つが飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素
    基である。）、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46及びＲ47は互いに同一
    の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水
    素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化１４７】 〔但し、前記一般式〔XIX 〕において、Ｒ90、Ｒ91、Ｒ
    92及びＲ93は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが下記一般式（４０）で表されるア
    リール基であり、残りが無置換のアリール基であり 【化１４８】 （但し、前記一般式（４０）において、Ｒ98、Ｒ99、Ｒ
    100 、Ｒ101 及びＲ102は互いに同一の又は異なる基で
    あって、それらの少なくとも一つが水素原子、炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ94、Ｒ95、Ｒ96及びＲ97は互いに同
    一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれ
    た基であって、それらの少なくとも１つがフッ素原子で
    ある。〕
  49. 【請求項４９】 下記一般式（２８）又は（２９）で表
    されるトリアリールアミンを得る、請求項４８に記載し
    たトリアリールアミンの製造方法。 【化１４９】 〔但し、前記一般式（２８）及び（２９）において、Ａ
    ｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を
    有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であっ
    て、置換基を有する場合には下記一般式（６）、
    （７）、（８）及び（９）で表されるアリール基から選
    ばれた基である。 【化１５０】 （但し、前記一般式（６）、（７）、（８）及び（９）
    において、Ｒ60は炭素数２以上の飽和又は不飽和の炭化
    水素基（或いは、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 の
    すべてが一般式（６）のアリール基である場合には、Ｒ
    60は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基）であ
    り、Ｒ61及びＲ62は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭
    化水素基であり、Ｒ63及びＲ64は互いに同一の又は異な
    る炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    ｎは０〜５の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌ
    は０〜４の整数である。）〕
  50. 【請求項５０】 前記Ｒ60の炭素数を２〜６とし、前記
    Ｒ61、Ｒ62、Ｒ63及びＲ64の炭素数を１〜６とする、請
    求項４９に記載したトリアリールアミンの製造方法。
  51. 【請求項５１】 下記一般式（３０）、（３１）、（３
    ２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表されるトリ
    アリールアミンを得る、請求項４９に記載したトリアリ
    ールアミンの製造方法。 【化１５１】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ65は炭素数２
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５２】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ66は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５３】 （但し、前記一般式（３２）において、Ｒ67は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５４】 （但し、前記一般式（３３）において、Ｒ68は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５５】 （但し、前記一般式（３４）において、Ｒ69は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５６】 （但し、前記一般式（３５）において、Ｒ70は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  52. 【請求項５２】 下記構造式（３６）−１、（３６）−
    ２、（３６）−３、（３６）−４、（３６）−５、（３
    ６）−６、（３６）−７、（３６）−８、（３６）−
    ９、（３６）−１０又は（３６）−１１で表されるトリ
    アリールアミンを得る、請求項４９に記載したトリアリ
    ールアミンの製造方法。 【化１５７】
  53. 【請求項５３】 下記一般式〔VII 〕又は〔VIII〕、或
    いは〔VII'〕又は〔VIII’〕で表されるジホスホン酸エ
    ステル又はジホスホニウム塩。 【化１５８】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕、或いは〔VI
    I'〕及び〔VIII’〕において、Ｒ75及びＲ76、或いはＲ
    75’及びＲ76’はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭
    化水素基であり、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞ
    れ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    １つが水素原子、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子
    であり、Ｒ77’、Ｒ78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞ
    れ、互いに同一の又は異なる、水素原子又はハロゲン原
    子から選ばれた基であって、それらの少なくとも１つが
    フッ素原子であり、Ｘはハロゲン原子である。）
  54. 【請求項５４】 前記Ｒ75及びＲ76、Ｒ75’及びＲ76’
    が炭素数１〜４の飽和炭化水素基である、請求項５３に
    記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム塩。
  55. 【請求項５５】 下記一般式（１９）又は（２０）、或
    いは（１９’）又は（２０’）で表される、請求項５３
    に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム
    塩。 【化１５９】 （但し、前記一般式（１９）、（２０）、（１９’）及
    び（２０’）において、Ｒ75、Ｒ76、Ｒ75’、Ｒ76’及
    びＸは前記したものと同じである。）
  56. 【請求項５６】 下記一般式〔XV〕又は〔XV’〕で表さ
    れるハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔XVI 〕
    で表される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホス
    フィン（ＰＰｈ3 ）とを反応させることによって、下記
    一般式〔VII〕又は〔VIII〕、或いは〔VII'〕又は〔VII
    I’〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニ
    ウム塩を得る、ジホスホン酸エステル又はジホスホニウ
    ム塩の製造方法。 【化１６０】 （但し、前記一般式〔XV〕及び〔XV’〕において、
    Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、同一の又は異な
    る基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シ
    アノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ77’、Ｒ
    78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞれ、互いに同一の又は
    異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれた基であ
    って、それらの少なくとも１つがフッ素原子であり、Ｘ
    はハロゲン原子である。） 一般式 〔XVI 〕 : P ( OR81)3 又は P ( OR82)3 （但し、前記一般式〔XVI 〕において、Ｒ81及びＲ82は
    それぞれ、同一の又は異なる炭化水素基である。） 【化１６１】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕、〔VII'〕及
    び〔VIII' 〕において、Ｒ75及びＲ76、或いはＲ75’及
    びＲ76’はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素
    基であり、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79、Ｒ80、Ｒ77’、Ｒ78’、
    Ｒ79’、Ｒ80’及びＸは前記したものと同じである。）
  57. 【請求項５７】 前記Ｒ75及びＲ76、Ｒ75’及びＲ76’
    は炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項５６に
    記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム塩の
    製造方法。
  58. 【請求項５８】 下記一般式（１９）又は（２０）、或
    いは（１９’）又は（２０’）で表されるジホスホン酸
    エステル又はジホスホニウム塩を得る、請求項５６に記
    載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム塩の製
    造方法。 【化１６２】
  59. 【請求項５９】 下記一般式〔XV〕又は〔XV' 〕で表さ
    れるハロゲン化アリール化合物。 【化１６３】 （但し、前記一般式〔XV〕及び〔XV’〕において、
    Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、同一の又は異な
    る基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シ
    アノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ77’、Ｒ
    78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞれ、互いに同一の又は
    異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれた基であ
    って、それらの少なくとも１つがフッ素原子であり、Ｘ
    はハロゲン原子である。）
  60. 【請求項６０】 下記一般式〔XVII〕又は〔XVII’〕で
    表されるキシレン化合物と、下記一般式〔XVIII 〕で表
    されるＮ−ハロゲン化スクシンイミドとを光照射下に反
    応させることによって、下記一般式〔XV〕又は〔XV’〕
    で表されるハロゲン化アリール化合物を得る、ハロゲン
    化アリール化合物の製造方法。 【化１６４】 （但し、前記一般式〔XVII〕及び〔XVII’〕において、
    Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ80はそれぞれ、同一の又は異な
    る基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シ
    アノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ77’、Ｒ
    78’、Ｒ79’及びＲ80’はそれぞれ、互いに同一の又は
    異なる、水素原子又はハロゲン原子から選ばれた基であ
    って、それらの少なくとも１つがフッ素原子である。） 【化１６５】 （但し、前記一般式〔XVIII 〕において、Ｘはハロゲン
    原子である。） 【化１６６】 （但し、前記一般式〔XV〕及び〔XV’〕において、
    Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79及びＲ77’、Ｒ78’、Ｒ79’及び
    Ｒ80’はそれぞれ、前記したものと同じであり、Ｘはハ
    ロゲン原子である。）
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