JP2000243795A - バーンインテスタにおける電源電流測定回路 - Google Patents

バーンインテスタにおける電源電流測定回路

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JP2000243795A
JP2000243795A JP11043794A JP4379499A JP2000243795A JP 2000243795 A JP2000243795 A JP 2000243795A JP 11043794 A JP11043794 A JP 11043794A JP 4379499 A JP4379499 A JP 4379499A JP 2000243795 A JP2000243795 A JP 2000243795A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、ウェハレベルバーンインテス
タにおける電源電流測定回路について、電源回路として
大電流測定用電源回路と微少電流測定用電源回路とを有
し、測定するチップ数に応じて各電源回路を適宜切り替
えて使用することにより、微少電流の測定と大電流の測
定の双方を高精度で実行可能とする電源電流測定回路を
小規模の回路構成で実現する。 【解決手段】電源電流測定回路200において、ウェハ
60上の測定するチップ数に応じて、2種類の電源回路
を選択起動し、その出力に応じた電源電流測定回路及び
電源電流検出素子を設けることにより、電源電流測定に
おいて測定分解能を確保できる。測定出力選択回路56
により、2種類の電流測定回路からの出力を1つの変換
回路に選択入力可能であるため、電流測定回路各々に変
換回路及びその周辺回路を接続する必要が無く回路規模
の縮小が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バーンインテスタ
に利用する電源電流測定回路に係り、詳細には、半導体
集積回路が形成されたウェハのバーンインテストを行う
バーンインテスタにおいて、そのウェハ上の各半導体集
積回路に流れる電源電流を測定する際に好適な電源電流
測定回路、及びその電源電流測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造工程におい
ては、その製品の信頼性を確保するために、恒温槽の炉
の中に入れられたウェハ上に複数形成された半導体集積
回路チップに対して、そのウェハレベルで各チップに電
源電圧を印加し、さらに半導体集積回路チップの種類に
応じた試験用パターン信号を印加して所定の温度環境下
での動作(パス/フェイル)を検証するバーンインテス
トが実施されており、ウェハレベルでパス/フェイルの
判定機能を有する装置はウェハレベルバーンインテスタ
とよばれている。
【0003】このウェハレベルバーンインテスタは、温
度及び電気信号がプログラム可能な恒温槽を備え、恒温
槽内にはウェハを実装する多数のテストバーンインボー
ド(以下、TBIBという)が実装され、恒温槽内のT
BIBと外部のテスタとは、恒温槽に設けられたコネク
タを介して接続され、このコネクタを介して各種試験信
号の送受信を行って、各TBIBに実装されたチップの
種類に応じたバーンインテストを行っている。
【0004】このウェハレベルのバーンインテストにお
いて、ウェハ上に形成された半導体集積回路に流れる電
源電流の測定は、1チップ毎の電源電流測定と、全チッ
プあるいは複数のチップをまとめての電源電流測定が必
要とされている。
【0005】図2に従来のウェハレベルバーンインテス
トにおいて利用される電源電流測定回路100の回路構
成例を示す。この図2の電源電流測定回路100は、T
BIB19に実装されたウェハ20上の各チップの電源
電流を測定する場合、電源回路10(この場合、電源回
路10は、ウェハ20上の全チップを駆動可能な大容量
の大電流測定用電源回路10aのみを備える)の出力
は、電流検出抵抗11とウェハチップ選択回路15を介
してウェハ20上の各チップに接続されている。ウェハ
チップ選択回路15は、コントロール装置22とバス
(BUS)を介して接続されており、コントロール装置
22から入力されるウェハチップ選択信号により指定さ
れたウェハ20上のチップを、ウェハチップ選択回路1
5が内蔵するウェハチップ選択スイッチ15a〜15n
により選択して、電源回路10から出力される電源電流
を選択したチップに供給している。
【0006】また、電源回路10の出力は、電流検出抵
抗11の両端部と入力段が接続された電流測定回路13
にも入力される。この電流測定回路13は、電源回路1
0から出力される電源電流値に応じて電流検出抵抗11
の両端部に発生する差電圧を検出し、その差電圧に応じ
た電流測定信号をAMP17を介してA/Dコンバータ
18に出力する。A/Dコンバータ18は、電流測定回
路13から入力される電流測定信号をA/D変換し、電
流測定値を示す所定のデジタル信号をバスを介してコン
トロール装置22に出力することにより、電源電流値を
測定可能としている。
【0007】このウェハレベルの電源電流測定において
は、ウェハ20上の全チップの電源電流測定試験と、1
チップのみの電源電流測定試験との双方が試験できるこ
とが要求されている。ウェハ20上の1チップに流れる
電源電流容量と、全チップに流れる電源電流容量には、
数百倍以上の差がある。このため、電源回路10として
は、広いレンジで高精度に電源電流容量を設定可能なも
のが望ましい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
2に示した従来の電源電流測定回路100にあっては、
電源回路10としてウェハ20上の全チップを駆動可能
な大容量の大電流測定用電源回路10aのみしか備えて
いなかったため、上記ウェハ20上の全チップの電源電
流測定試験と、1チップのみの電源電流測定試験との双
方において要求される数百倍以上の差がある電源電流の
設定を高精度で行うことは不可能であり、電源電流測定
の測定分解能の精度が確保できないという問題があっ
た。
【0009】また、ウェハ20上の1チップの微少電源
電流測定用に電源電流測定回路100の測定分解能を合
わせてしまうと、膨大なビット数のA/Dコンバータと
大電力に対応した電流検出抵抗とが必要となり、これら
の仕様を実現することはコスト的にも不可能であった。
【0010】したがって、従来のウェハレベルバーンイ
ンテスタに利用される電源電流測定回路100の回路構
成では、ウェハ上の全チップの大電流測定と、1チップ
の微少電流測定の双方を高精度に行うことは不可能であ
るという問題があった。
【0011】本発明の課題は、上記従来の電源電流測定
回路における問題を解決するため、電源回路として大電
流測定用電源回路と微少電流測定用電源回路とを有し、
測定するチップ数に応じて適用する各電源回路を適宜切
り替えて使用することにより、大電流の測定と微少電流
の測定の双方を高精度で実行可能とする電源電流測定回
路を小規模の回路構成で実現することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
恒温槽内にセットされたウェハ上に形成された複数の半
導体集積回路に対して外部から所定の電源電流を印加し
てバーンイン試験を行う際に利用されるバーンインテス
タにおける電源電流測定回路において、前記ウェハ上の
全半導体集積回路あるいは複数の半導体集積回路に対し
て印加する電源電流を供給する大電流測定用電源回路
と、前記ウェハ上の少なくとも1つの半導体集積回路に
対して印加する電源電流を供給する微少電流測定用電源
回路と、前記ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路
数に応じて前記大電流測定用電源回路の出力、及び前記
微少電流測定用電源回路の出力を選択的に切り替えて当
該試験対象の半導体集積回路に電源電流を供給する電源
出力選択回路と、を備えることを特徴としている。
【0013】この請求項1記載の発明によれば、恒温槽
内にセットされたウェハ上に形成された複数の半導体集
積回路に対して外部から所定の電源電流を印加してバー
ンイン試験を行う際に利用されるバーンインテスタにお
ける電源電流測定回路において、前記ウェハ上の全半導
体集積回路あるいは複数の半導体集積回路に対して印加
する電源電流を供給する大電流測定用電源回路と、前記
ウェハ上の少なくとも1つの半導体集積回路に対して印
加する電源電流を供給する微少電流測定用電源回路と、
前記ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路数に応じ
て前記大電流測定用電源回路の出力、及び前記微少電流
測定用電源回路の出力を選択的に切り替えて当該試験対
象の半導体集積回路に電源電流を供給する電源出力選択
回路と、を備えている。
【0014】したがって、ウェハ上の試験対象となる半
導体集積回路数に応じた大電流測定試験もしくは微少電
流測定試験において要求される、広範囲な電源電流の設
定が、電源出力選択回路を用いた電源回路の出力選択に
より高精度で実行可能となる。
【0015】請求項2記載の発明は、請求項1記載の電
源電流測定回路であって、前記大電流測定用電源回路か
ら出力される電源電流を測定する大電流測定回路と、前
記微少電流測定用電源回路から出力される電源電流を測
定する微少電流測定回路と、を更に備えたことを特徴と
している。
【0016】この請求項2記載の発明によれば、請求項
1記載の電源電流測定回路であって、前記大電流測定用
電源回路から出力される電源電流を測定する大電流測定
回路と、前記微少電流測定用電源回路から出力される電
源電流を測定する微少電流測定回路と、を更に備えてい
る。
【0017】したがって、請求項1記載の電源電流測定
回路に、電源出力選択回路によって選択された電源回路
の出力に応じた電源電流測定回路を設けることにより、
電源回路から出力される電源電流の測定において、測定
分解能の精度を確保できる。
【0018】請求項3の発明は、請求項2記載の電源電
流測定回路であって、前記大電流測定用電源回路の出力
段と、前記微少電流測定用電源回路の出力段とのそれぞ
れに電源電流検出素子を設け、前記大電流測定回路は、
この大電流測定用電源回路の出力段に設けられた電源電
流検出素子により検出される電源電流を測定し、前記微
少電流測定回路は、この微少電流測定用電源回路の出力
段に設けられた電源電流検出素子により検出される電源
電流を測定することを特徴としている。
【0019】この請求項3記載の発明によれば、請求項
2記載の電源電流測定回路であって、前記大電流測定用
電源回路の出力段と、前記微少電流測定用電源回路の出
力段とのそれぞれに電源電流検出素子を設け、前記大電
流測定回路は、この大電流測定用電源回路の出力段に設
けられた電源電流検出素子により検出される電源電流を
測定し、前記微少電流測定回路は、この微少電流測定用
電源回路の出力段に設けられた電源電流検出素子により
検出される電源電流を測定する。
【0020】したがって、請求項2記載の電源電流測定
回路において、電源回路各々の出力段に電源電流検出素
子を設けることにより、電源電流測定の測定分解能の精
度を上げることができる。
【0021】請求項4の発明は、請求項1から3の何れ
かに記載の電源電流測定回路であって、前記電源出力選
択回路による前記各電源回路の選択状態に応じて、前記
大電流測定回路と前記微少電流測定回路とを選択的に切
り替えて、各測定回路の電源電流測定信号を選択出力す
る測定出力選択回路と、この測定出力選択回路から選択
出力される各電源電流測定信号を所定の電源電流測定値
に変換して出力する変換回路と、を更に備えたことを特
徴としている。
【0022】この請求項4記載の発明によれば、前記電
源出力選択回路による前記各電源回路の選択状態に応じ
て、前記大電流測定回路と前記微少電流測定回路とを選
択的に切り替えて、各測定回路の電源電流測定信号を選
択出力する測定出力選択回路と、この測定出力選択回路
から選択出力される各電源電流測定信号を所定の電源電
流測定値に変換して出力する変換回路と、を更に備えて
いる。
【0023】したがって、電流測定回路からの出力であ
る大電流信号または微少電流信号を測定出力選択回路に
より選択し、1つの変換回路に入力可能であるため、電
流測定回路各々に変換回路及びその周辺回路を接続する
必要が無く、回路規模の縮小が可能となる。これによ
り、装置の製造コスト削減や省スペース化が実現でき、
装置の信頼性向上をもたらすことができる。
【0024】請求項5記載の発明は、請求項1から4の
何れかに記載の電源電流測定回路であって、前記ウェハ
上の試験対象となる半導体集積回路数に応じて、前記電
源出力選択回路における選択状態と、前記測定出力選択
回路における選択状態とを制御する制御手段を更に備え
たことを特徴としている。
【0025】この請求項5記載の発明によれば、請求項
1から4の何れかに記載の電源電流測定回路であって、
前記ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路数に応じ
て、前記電源出力選択回路における選択状態と、前記測
定出力選択回路における選択状態とを制御する制御手段
を更に備えている。
【0026】したがって、制御装置に内蔵する制御プロ
グラムにより、ウェハ上の試験対象となる半導体集積回
路の多様な試験パターンに応じて、電源回路出力の選択
と電流測定回路の選択の制御を、容易に実現することが
できる。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図1は、本発明を適用したウ
ェハレベルバーンインテスタにおいて利用される電源電
流測定回路200の一実施の形態を示す図である。
【0028】まず、構成を説明する。図1は、本実施の
形態における電源電流測定回路200の回路構成を示す
図である。この図1において、電源電流測定回路200
は、電源回路50と、大電流検出抵抗51と、微少電流
検出抵抗52と、大電流測定回路53と、微少電流測定
回路54と、ウェハチップ選択回路55と、電流測定回
路選択回路56と、AMP57と、A/Dコンバータ5
8と、逆電流防止回路61と、コントロール装置62
と、から構成されている。
【0029】電源回路50は、大電流測定用電源回路5
0aと微少電流測定用電源回路50bとを備えている。
大電流測定用電源回路50aから出力される大電流信号
は、大電流検出抵抗51及び逆電流防止回路61を介し
て、ウェハチップ選択回路55によりウェハ60上の選
択されたチップに対して供給され、微少電流測定用電源
回路50bから出力される微少電流信号は、微少電流検
出抵抗52及び逆電流防止回路61を介して、ウェハチ
ップ選択回路55によりウェハ60上の選択されたチッ
プに対して供給される。
【0030】大電流測定回路(AMP)53は、その入
力段が大電流検出抵抗51の両端部に接続されており、
大電流測定用電源回路50aから出力される大電流信号
に応じて大電流検出抵抗51の両端部に発生する差電圧
を検出し、その検出した差電圧に応じた大電流測定信号
を電流測定回路選択回路56を介してAMP57に出力
する。
【0031】微少電流測定回路(AMP)54は、その
入力段が微少電流検出抵抗52の両端部に接続されてお
り、微少電流測定用電源回路50bから出力される微少
電流信号に応じて微少電流検出抵抗52の両端部に発生
する差電圧を検出し、その検出した差電圧に応じた微少
電流測定信号を電流測定回路選択回路56を介してAM
P57に出力する。
【0032】ウェハチップ選択回路55は、バスを介し
て接続されているコントロール装置62から入力される
ウェハチップ選択信号により指定されたウェハ60上の
チップを、その内蔵するウェハチップ選択スイッチ55
a〜55nにより選択して、電源回路50からの出力を
選択したチップに供給する。
【0033】電流測定回路選択回路56は、バスを介し
て接続されているコントロール装置62から入力される
電流測定回路選択信号により指示された電流測定回路
を、その内蔵する電流測定回路選択スイッチ56aまた
は56bにより選択して、大電流測定回路(AMP)5
3または微少電流測定回路(AMP)54からの電流測
定信号をAMP57を介してA/Dコンバータ58に出
力する。
【0034】A/Dコンバータ58は、AMP57によ
り増幅された大電流測定信号あるいは微少電流測定信号
を、その各電流測定値を示すデジタル信号にA/D変換
し、バスを介して接続されているコントロール装置62
に送信する。
【0035】逆電流防止回路61は、PN接合ダイオー
ドを電源回路50に対して順方向でかつウェハ60上の
チップに対して逆方向に接続し、チップからの逆電流を
防止することにより、大電流測定用電源回路50a、微
少電流測定用電源回路50b、大電流測定回路53そし
て微少電流測定回路54の破損を防止する保護回路であ
る。
【0036】コントロール装置62は、バスを介して接
続されているウェハチップ選択回路55に対してウェハ
チップ選択信号を出力し、電源回路50からの出力を供
給するチップを選択する。同様に、バスを介して接続さ
れている電流測定回路選択回路56に対して電流測定回
路選択信号を出力し、電流測定回路を選択する。また、
A/Dコンバータ58からバスを介して送信されたデジ
タル信号を解析し、電流測定値を算出する。
【0037】次に、本実施の形態の動作を説明する。上
記電源電流測定回路200は、電源回路50内に、大電
流測定用電源回路50aと微少電流測定用電源回路50
bの容量の異なる2つの電源回路を備えており、ウェハ
60上の測定を実施するチップ数に応じて、電源回路の
選択が可能である。
【0038】ウェハ60上の全チップあるいは複数チッ
プの電源電流測定を実施する場合、大容量の大電流測定
用電源回路50aが選択起動され、大電流測定用電源回
路50aからの出力は、大電流検出抵抗51及び逆電流
防止回路61を介して、ウェハチップ選択回路55によ
り選択された全チップあるいは複数チップに対して供給
される。また、大電流測定用電源回路50aからの出力
は、入力段が大電流検出抵抗51の両端部に接続された
大電流測定回路(AMP)53にも入力される。大電流
測定回路(AMP)53は、大電流検出抵抗51の両端
部に発生する差電圧を検出し、その検出した差電圧に応
じた大電流測定信号を、電流測定回路選択回路56及び
AMP57を介しA/Dコンバータ58に出力する。A
/Dコンバータ58にて変換された電流測定値を示すデ
ジタル信号は、バスを介してコントロール装置62に送
信され、大電流値の測定が可能となる。
【0039】また、同様にして、ウェハ60上の1チッ
プの電源電流測定を実施する場合、微少電流測定用電源
回路50bが選択起動され、微少電流測定用電源回路5
0bからの出力は、微少電流検出抵抗52及び逆電流防
止回路61を介して、ウェハチップ選択回路55により
選択されたチップに対して供給される。また、微少電流
測定用電源回路50bからの出力は、入力段が微少電流
検出抵抗52の両端部に接続された微少電流測定回路
(AMP)54にも入力される。微少電流測定回路(A
MP)54は、微少電流検出抵抗52の両端部に発生す
る差電圧を検出し、その検出した差電圧に応じた微少電
流測定信号を電流測定回路選択回路56及びAMP57
を介しA/Dコンバータ58に出力する。A/Dコンバ
ータ58にて変換された電流測定値を示すデジタル信号
は、バスを介してコントロール装置62に送信され、微
少電流値の測定が可能となる。
【0040】本実施の形態の電源電流測定回路200に
おいて、大電流測定用電源回路50aまたは微少電流測
定用電源回路50bを、測定を実施するチップ数に応じ
て選択することにより、大電流値及び微少電流値の測定
試験の双方において要求される広範囲な電源電流の設定
が、高精度で実行可能となる。
【0041】さらに、前記電源回路に対応した大電流測
定回路53あるいは微少電流測定回路54を有すること
により、前記選択された電源回路の電源電流測定におい
て、測定分解能の精度を確保できる。
【0042】また、電源測定回路選択回路56を用いる
ことにより、大電流信号もしくは微少電流信号を選択
し、1つのA/Dコンバータ58に入力可能となるた
め、電流測定回路各々にA/Dコンバータ及びその周辺
回路を接続する必要が無く、回路規模の縮小による装置
の製造コスト削減や省スペース化が実現でき、装置の信
頼性向上をもたらすことができる。
【0043】
【発明の効果】請求項1記載の発明の電源電流測定回路
によれば、ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路数
に応じた大電流測定試験もしくは微少電流測定試験にお
いて要求される、広範囲な電源電流の設定が、電源出力
選択回路を用いた電源回路の出力選択により高精度で実
行可能となる。
【0044】請求項2記載の発明の電源電流測定回路に
よれば、請求項1記載の電源電流測定回路に、電源出力
選択回路によって選択された電源回路の出力に応じた電
源電流測定回路を設けることにより、電源回路から出力
される電源電流測定において、測定分解能の精度を確保
できる。
【0045】請求項3記載の発明の電源電流測定回路に
よれば、請求項2記載の電源電流測定回路において、電
源回路各々の出力段に電源電流検出素子を設けることに
より、電源電流測定の測定分解能の精度を上げることが
できる。
【0046】請求項4記載の発明の電源電流測定回路に
よれば、請求項1から3記載の何れかの電源電流測定回
路において、電流測定回路からの出力である大電流信号
または微少電流信号を測定出力選択回路により選択し、
1つの変換回路に入力可能であるため、電流測定回路各
々に変換回路及びその周辺回路を接続する必要が無く、
回路規模の縮小が可能となる。これにより、装置の製造
コスト削減や省スペース化が実現でき、装置の信頼性向
上をもたらすことができる。
【0047】請求項5記載の発明の電源電流測定回路に
よれば、請求項1から4記載の何れかの電源電流測定回
路において、制御装置に内蔵する制御プログラムによ
り、ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路の多様な
試験パターンに応じて、電源回路出力の選択と電流測定
回路の選択の制御を、容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態のウェハレベルバーンインテスト
において用いられる電源電流測定回路200の回路構成
を示す図。
【図2】従来のウェハレベルバーンインテストにおいて
利用される電源電流測定回路100の回路構成を示す
図。
【符号の説明】
50 電源回路 50a 大電流測定用電源回路 50b 微少電流測定用電源回路 51 大電流検出抵抗 52 微少電流検出抵抗 53 大電流測定回路 54 微少電流測定回路 55 ウェハチップ選択回路 55a〜55n ウェハチップ選択スイッチ 56 電流測定回路選択回路 56a、56b 電流測定回路選択スイッチ 57 AMP 58 アナログ/デジタル変換回路(A/D
コンバータ) 59 テストバーンインボード(TBIB) 60 ウェハ 61 逆電流防止回路 62 コントロール装置

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】恒温槽内にセットされたウェハ上に形成さ
    れた複数の半導体集積回路に対して外部から所定の電源
    電流を印加してバーンイン試験を行う際に利用されるバ
    ーンインテスタにおける電源電流測定回路において、 前記ウェハ上の全半導体集積回路あるいは複数の半導体
    集積回路に対して印加する電源電流を供給する大電流測
    定用電源回路と、 前記ウェハ上の少なくとも1つの半導体集積回路に対し
    て印加する電源電流を供給する微少電流測定用電源回路
    と、 前記ウェハ上の試験対象となる半導体集積回路数に応じ
    て前記大電流測定用電源回路の出力、及び前記微少電流
    測定用電源回路の出力を選択的に切り替えて当該試験対
    象の半導体集積回路に電源電流を供給する電源出力選択
    回路と、 を備えたことを特徴とする電源電流測定回路。
  2. 【請求項2】前記大電流測定用電源回路から出力される
    電源電流を測定する大電流測定回路と、 前記微少電流測定用電源回路から出力される電源電流を
    測定する微少電流測定回路と、を更に備えたことを特徴
    とする請求項1記載の電源電流測定回路。
  3. 【請求項3】前記大電流測定用電源回路の出力段と、前
    記微少電流測定用電源回路の出力段とのそれぞれに電源
    電流検出素子を設け、 前記大電流測定回路は、この大電流測定用電源回路の出
    力段に設けられた電源電流検出素子により検出される電
    源電流を測定し、 前記微少電流測定回路は、この微少電流測定用電源回路
    の出力段に設けられた電源電流検出素子により検出され
    る電源電流を測定することを特徴とする請求項2記載の
    電源電流測定回路。
  4. 【請求項4】前記電源出力選択回路による前記各電源回
    路の選択状態に応じて、前記大電流測定回路と前記微少
    電流測定回路とを選択的に切り替えて、各測定回路の電
    源電流測定信号を選択出力する測定出力選択回路と、 この測定出力選択回路から選択出力される各電源電流測
    定信号を所定の電源電流測定値に変換して出力する変換
    回路と、を更に備えたことを特徴とする請求項1から3
    の何れかに記載の電源電流測定回路。
  5. 【請求項5】前記ウェハ上の試験対象となる半導体集積
    回路数に応じて、前記電源出力選択回路における選択状
    態と、前記測定出力選択回路における選択状態とを制御
    する制御手段を更に備えたことを特徴とする請求項1か
    ら4の何れかに記載の電源電流測定回路。
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