JP2000277699A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2000277699A
JP2000277699A JP11084892A JP8489299A JP2000277699A JP 2000277699 A JP2000277699 A JP 2000277699A JP 11084892 A JP11084892 A JP 11084892A JP 8489299 A JP8489299 A JP 8489299A JP 2000277699 A JP2000277699 A JP 2000277699A
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JP
Japan
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channel transistor
power supply
supply interface
transistor drive
integrated circuit
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Pending
Application number
JP11084892A
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English (en)
Inventor
Yuichi Sato
裕一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑な作成工程を経ることなく、動作速度の
速い半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 機能構成部11(21)と、Pチャンネ
ルトランジスタ駆動能力切り替え部12(22)と、P
チャンネルトランジスタ駆動部13(23)と、Nチャ
ンネルトランジスタ駆動能力切り替え部14(24)
と、Nチャンネルトランジスタ駆動部15(25)とか
らなる電源インターフェイス部A(B)が複数組搭載さ
れ、前記電源インターフェイス部A、B同士は双方向バ
ッファが可能なように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
関し、特に多電源のインターフェイスを有する半導体集
積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路チップ内部のロジックが
FPGA(Field Programmable G
ate Array)あるいは1マスクゲートアレイで
ある場合において、端子配置に制約を設けずに多電源の
インターフェイスを有する半導体集積回路を作成する際
には、最大電圧に耐圧があるようにバッファを作成し、
インターフェイスの電源に合わせて電源電圧を変えて使
用していた。
【0003】図3に、従来のインターフェイスバッファ
を構成する単一電源インターフェイス部Cを示す。この
単一電源インターフェイス部は、機能構成部41と、P
チャンネルトランジスタ駆動能力切り替え部42と、P
チャンネルトランジスタ駆動部43と、Nチャンネルト
ランジスタ駆動能力切り替え部44と、Nチャンネルト
ランジスタ駆動部45とからなるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように単
一電源インターフェイス部を用いて多電源用のインター
フェイスバッファを作成すると、前述のとおり多電源の
うち最大電圧の電源に耐圧を合わせなければならない。
このインターフェイスバッファにおいては、その他の電
源で駆動した場合は最大電圧より低い電圧で使用される
こととなるが、そうした場合に電圧波形の立ち上がりや
立ち下がりが非常に遅くなり、動作速度を遅くするとい
う問題があった。
【0005】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、複雑な作成工程を経ることなく、動作速度の速い
半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路は、機能構成部と、Pチャンネルトランジスタ駆動
能力切り替え部と、Pチャンネルトランジスタ駆動部
と、Nチャンネルトランジスタ駆動能力切り替え部と、
Nチャンネルトランジスタ駆動部とからなる電源インタ
ーフェイス部が複数個搭載されることにより1つの多電
源インターフェイス部が構成されており、前記複数の電
源インターフェイス部同士は双方向バッファが可能とさ
れていることを特徴とする。
【0007】これにより、電源電圧の異なるPチャンネ
ルトランジスタ駆動部、Nチャンネルトランジスタ駆動
部を有していても、自由に多電源のインターフェイスバ
ッファを構成し配置することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体集積回
路の実施形態を、図1及び図2を用いて説明する。
【0009】図1は、本発明の実施の形態である2電源
インターフェイスバッファの構成を示した図である。本
実施形態に係る2電源インターフェイスバッファは、第
1電源インターフェイス部Aと第2電源インターフェイ
ス部Bからなり、これら各々の電源インターフェイス部
は、機能構成部11、21と、Pチャンネルトランジス
タ駆動能力切り替え部12、22と、Pチャンネルトラ
ンジスタ駆動部13、23と、Nチャンネルトランジス
タ駆動能力切り替え部14、24と、Nチャンネルトラ
ンジスタ駆動部15、25とから構成されている。
【0010】機能構成部11、21は、FPGAまたは
1マスクゲートアレイから構成されている。また、機能
構成部11と機能構成部21とは、双方向バッファが可
能なように構成されている。
【0011】Pチャンネルトランジスタ駆動能力切り替
え部12、22は、目的の駆動能力に合わせ、使用する
トランジスタの入力信号をディスエーブルまたはイネー
ブルになるように最終メタル配線で結線する。
【0012】Pチャンネルトランジスタ駆動部13、2
3は、図示しないPADからこれら駆動部をスルーで通
過する配線とドレイン配線とを持つ。P型トランジスタ
として使用する場合は、ドレイン配線をPADと最終メ
タルで結線する。P型トランジスタとして使用しない場
合は、ドレイン部のスルーホールを最終メタル配線で覆
うようにし、配線を施さないようにする。
【0013】Nチャンネルトランジスタ駆動能力切り替
え部14、24は、目的の駆動能力に合わせ、使用する
トランジスタの入力信号をディスエーブルまたはイネー
ブルになるように最終メタル配線で結線する。
【0014】Nチャンネルトランジスタ駆動部15、2
5は、PADから駆動部をスルーで通過する配線とドレ
イン配線とを持つ。N型トランジスタとして使用する場
合は、ドレイン配線をPADと最終メタルで結線する。
N型トランジスタとして使用しない場合は、ドレイン部
のスルーホールを最終メタル配線で覆うようにし、配線
を施さないようにする。
【0015】次に、上記実施の形態である2電源インタ
ーフェイスバッファの回路パターンについて、図2を用
いて説明する。
【0016】図2は、2層(第1メタル配線及び第2メ
タル配線)でインターフェイスバッファを構成した場合
で、Pチャンネルトランジスタとして使用する場合の駆
動能力切り替え部12及び駆動部13を示す平面図であ
る。なお、Nチャンネルトランジスタとして使用する場
合も同様の構成である。この図において、31は第1メ
タル配線と第2メタル配線とがスルーホールにより接続
している部分を、32は各トランジスタのゲート又はド
レインの何れかと第1メタル配線と第2メタル配線とが
コンタクト及びスルーホールにより接続している部分
を、33は各トランジスタのソースと第1メタル配線と
がコンタクトにより接続している部分を各々示してい
る。また、斜線部は本実施形態においての最終メタル配
線である第2メタル配線を示すものである。
【0017】駆動部のトランジスタのゲート34は、こ
の図においては図示しない機能構成部によって制御され
るディスエーブル信号35又はイネーブル信号36によ
り制御される。駆動部のトランジスタのソースは、コン
タクトにより第1メタル配線の電源37に接続される。
駆動部のトランジスタのドレインは、コンタクト及びス
ルーホールにより第2メタル配線の図示しないPADと
接続される。
【0018】このように、半導体集積回路を仕上げる段
階において第2メタル配線を適宜接続することにより、
機能構成部と、Pチャンネルトランジスタ駆動能力切り
替え部と、Pチャンネルトランジスタ駆動部と、Nチャ
ンネルトランジスタ駆動能力切り替え部と、Nチャンネ
ルトランジスタ駆動部とは接続され、目的の電源電圧イ
ンターフェイスが実現できる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体集積回路によれば、機能構成部と、Pチャンネルトラ
ンジスタ駆動能力切り替え部と、Pチャンネルトランジ
スタ駆動部と、Nチャンネルトランジスタ駆動能力切り
替え部と、Nチャンネルトランジスタ駆動部とからなる
電源インターフェイス部が複数個搭載されることにより
1つの多電源インターフェイス部が構成されており、前
記複数の電源インターフェイス部同士は双方向バッファ
が可能とされている構成としている。
【0020】これにより、異なる電源電圧により駆動さ
せた場合でも、電圧波形の立ち上がりや立ち下がりの遅
延を抑制することなく、自由に多電源インターフェイス
バッファを構成し配置できる。そのため、多電源インタ
ーフェイスをもつFPGAや1マスクゲートアレイを容
易に作成できるので、製品完成までに要する時間を短縮
でき、またロジック変更も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態である2電源インターフ
ェイスの構成を示す図である。
【図2】 本発明の一実施形態である2電源インターフ
ェイスの回路パターンを示す図である。
【図3】 従来の単一電源インターフェイスの構成を示
す図である。
【符号の説明】
A 第1電源インターフェイス部 B 第2電源インターフェイス部 11,21 機能構成部 12,22 Pチャンネルトランジスタ駆動能力切り替
え部 13,23 Pチャンネルトランジスタ駆動部 14,24 Nチャンネルトランジスタ駆動能力切り替
え部 15,25 Nチャンネルトランジスタ駆動部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 機能構成部と、P又はNチャンネルトラ
    ンジスタ駆動能力切り替え部と、P又はNチャンネルト
    ランジスタ駆動部とからなる電源インターフェイス部が
    複数組搭載されることにより1つの多電源インターフェ
    イス部が構成されており、前記複数の電源インターフェ
    イス部同士は双方向バッファが可能とされていることを
    特徴とする半導体集積回路。
JP11084892A 1999-03-26 1999-03-26 半導体集積回路 Pending JP2000277699A (ja)

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020604