JP2000286104A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 正特性サーミスタのＲ−Ｔ特性や耐電圧を損
することなく焼成条件または容易に低い比抵抗を得る。 【解決手段】 正特性サーミスタの原材料の配合・混合
において、まず半導体化元素を純水混合してスラリーと
し、次にその他の原材料と共に混合し、仮焼したものを
粉砕し造粒後成形し、その後成形体を焼成した焼結体に
電極を形成する製造方法としたものであり、これによ
り、Ｒ−Ｔ特性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の
正特性サーミスタを得ることができる。
することなく焼成条件または容易に低い比抵抗を得る。 【解決手段】 正特性サーミスタの原材料の配合・混合
において、まず半導体化元素を純水混合してスラリーと
し、次にその他の原材料と共に混合し、仮焼したものを
粉砕し造粒後成形し、その後成形体を焼成した焼結体に
電極を形成する製造方法としたものであり、これによ
り、Ｒ−Ｔ特性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の
正特性サーミスタを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電流制御用スイッチ
ング素子や温風ヒータ等の定温発熱体として利用される
正特性サーミスタの製造方法に関するものである。
ング素子や温風ヒータ等の定温発熱体として利用される
正特性サーミスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の正特性サーミスタの製造方法は、
ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2などを所定の組成と
なるように配合し、全ての原材料を同時に混合し、仮焼
したものを粉砕し造粒後成形し、その成形体を焼成した
焼結体に電極を形成していた。従って、同一材料で素子
の比抵抗を下げる場合、焼成条件を変えたり又は素子の
厚みを薄くするなどの方法により目的の比抵抗を得てい
た。
ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2などを所定の組成と
なるように配合し、全ての原材料を同時に混合し、仮焼
したものを粉砕し造粒後成形し、その成形体を焼成した
焼結体に電極を形成していた。従って、同一材料で素子
の比抵抗を下げる場合、焼成条件を変えたり又は素子の
厚みを薄くするなどの方法により目的の比抵抗を得てい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の方法によ
り、焼成温度、焼成時間および冷却速度など焼成条件を
変えて低い比抵抗を得た場合、素子のＲ−Ｔ特性（抵抗
値の温度特性）が変化してしまい所定のＲ−Ｔ特性を得
ることが困難であった。また、素子厚みを薄くし低い比
抵抗を得た場合は素子の耐電圧が低くなるという問題点
があった。
り、焼成温度、焼成時間および冷却速度など焼成条件を
変えて低い比抵抗を得た場合、素子のＲ−Ｔ特性（抵抗
値の温度特性）が変化してしまい所定のＲ−Ｔ特性を得
ることが困難であった。また、素子厚みを薄くし低い比
抵抗を得た場合は素子の耐電圧が低くなるという問題点
があった。
【０００４】本発明は前記問題点を解決するもので、Ｒ
−Ｔ特性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性
サーミスタを得ることを目的とする。
−Ｔ特性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性
サーミスタを得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、正特性サーミスタの原材料の配合・混合に
おいて、まず半導体化元素を純水に混合してスラリーと
し、次にその他の原材料と共に混合し、仮焼したものを
粉砕し造粒後成形し、その後成形体を焼成した焼結体に
電極を形成する方法であり、これにより、Ｒ−Ｔ特性や
耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性サーミスタ
を得ることができる。これは半導体化元素の分散性が向
上し半導体化元素イオンの微視的な不均一分布が平均化
され、その結果粒子のバルク内に均一に固溶しやすくな
り比抵抗を低くできるものと考えられる。
に本発明は、正特性サーミスタの原材料の配合・混合に
おいて、まず半導体化元素を純水に混合してスラリーと
し、次にその他の原材料と共に混合し、仮焼したものを
粉砕し造粒後成形し、その後成形体を焼成した焼結体に
電極を形成する方法であり、これにより、Ｒ−Ｔ特性や
耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性サーミスタ
を得ることができる。これは半導体化元素の分散性が向
上し半導体化元素イオンの微視的な不均一分布が平均化
され、その結果粒子のバルク内に均一に固溶しやすくな
り比抵抗を低くできるものと考えられる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の正特性
サーミスタの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イ
ットリウム等の半導体化元素などからなる正特性サーミ
スタの配合・混合工程にて、まず半導体化元素を純水に
混合してスラリーとし、次にその他の原材料と共に混合
し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、その成形体を
焼成した焼結体に電極を形成するものである。これによ
り、半導体化元素の分散性が向上し比抵抗を容易に下げ
ることができ、焼成条件や素子の厚み等を変えることな
く所期の目的を達成することができる。
サーミスタの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イ
ットリウム等の半導体化元素などからなる正特性サーミ
スタの配合・混合工程にて、まず半導体化元素を純水に
混合してスラリーとし、次にその他の原材料と共に混合
し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、その成形体を
焼成した焼結体に電極を形成するものである。これによ
り、半導体化元素の分散性が向上し比抵抗を容易に下げ
ることができ、焼成条件や素子の厚み等を変えることな
く所期の目的を達成することができる。
【０００７】本発明の請求項２に記載の正特性サーミス
タの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イットリウ
ム等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配
合・混合工程にて、まず半導体化元素と共にその他の原
材料の一部を混合してスラリーとし、次にその他の原材
料と共に混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、
その成形体を焼成した焼結体に電極を形成するものであ
る。これにより、同一材料で正特性サーミスタの焼成条
件または形状を変えることなく比抵抗を容易に下げるこ
とができる。
タの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イットリウ
ム等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配
合・混合工程にて、まず半導体化元素と共にその他の原
材料の一部を混合してスラリーとし、次にその他の原材
料と共に混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、
その成形体を焼成した焼結体に電極を形成するものであ
る。これにより、同一材料で正特性サーミスタの焼成条
件または形状を変えることなく比抵抗を容易に下げるこ
とができる。
【０００８】本発明の請求項３に記載の正特性サーミス
タの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イットリウ
ム等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配
合・混合工程にて、まず半導体化元素を混合した後乾燥
させて粉末の状態にし、次にその他の原材料と共に配合
・混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、その成
形体を焼成した焼結体に電極を形成するものである。こ
れにより、同一材料で正特性サーミスタの焼成条件また
は形状を変えることなく比抵抗を容易に下げることがで
きる。
タの製造方法は、チタン酸バリウム及び酸化イットリウ
ム等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配
合・混合工程にて、まず半導体化元素を混合した後乾燥
させて粉末の状態にし、次にその他の原材料と共に配合
・混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、その成
形体を焼成した焼結体に電極を形成するものである。こ
れにより、同一材料で正特性サーミスタの焼成条件また
は形状を変えることなく比抵抗を容易に下げることがで
きる。
【０００９】（実施の形態１）以下、本発明の一実施の
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１０】市販のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、Ｃａ
ＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を
（化１）の組成となるように秤量する。次に、秤量した
Ｙ2Ｏ3をポリポットに入れ純水２００ｃｃと直径５ｍｍ
のジルコニアボール２００ｇとを加え、３時間湿式混合
を行った。
ＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を
（化１）の組成となるように秤量する。次に、秤量した
Ｙ2Ｏ3をポリポットに入れ純水２００ｃｃと直径５ｍｍ
のジルコニアボール２００ｇとを加え、３時間湿式混合
を行った。
【００１１】
【化１】
【００１２】次に、Ｙ2Ｏ3以外の原材料を１リットルの
ポットに入れ純水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニア
ボール６００ｇとを加え、更にポリポットで混合したＹ
2Ｏ3スラリーを入れて３時間湿式混合を行った。その
後、前記混合材料を１１００℃の温度で２時間仮焼後、
仮焼粉を１リットルのポットに入れ純水５００ｃｃと直
径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加え３時間湿
式粉砕し、乾燥を行った。
ポットに入れ純水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニア
ボール６００ｇとを加え、更にポリポットで混合したＹ
2Ｏ3スラリーを入れて３時間湿式混合を行った。その
後、前記混合材料を１１００℃の温度で２時間仮焼後、
仮焼粉を１リットルのポットに入れ純水５００ｃｃと直
径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加え３時間湿
式粉砕し、乾燥を行った。
【００１３】次に、得られた粉砕粉に５％ポリビニルア
ルコール水溶液を１０ｗｔ％加え、ライカイ機で５分間
造粒した後、２０メッシュのフルイを通過させ造粒粉を
作製した。その後、造粒粉を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で成形し、その成形体を焼成炉中で昇温速度２５０
℃／ｈｒ、最高温度１２５０℃で２時間焼成した後、冷
却速度２００℃／ｈｒで室温まで徐冷した。得られた焼
結体の両面にアルミニウム電極を溶射し正特性サーミス
タを作製した後、室温での比抵抗値及びＲ−Ｔ特性を測
定し、その結果と従来工法による正特性サーミスタと比
較し（表１）に示した。
ルコール水溶液を１０ｗｔ％加え、ライカイ機で５分間
造粒した後、２０メッシュのフルイを通過させ造粒粉を
作製した。その後、造粒粉を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で成形し、その成形体を焼成炉中で昇温速度２５０
℃／ｈｒ、最高温度１２５０℃で２時間焼成した後、冷
却速度２００℃／ｈｒで室温まで徐冷した。得られた焼
結体の両面にアルミニウム電極を溶射し正特性サーミス
タを作製した後、室温での比抵抗値及びＲ−Ｔ特性を測
定し、その結果と従来工法による正特性サーミスタと比
較し（表１）に示した。
【００１４】尚、従来の正特性サーミスタの製造は、市
販のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ
2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を本発明と
同じ（化１）の組成となるように秤量し、全ての原材料
を同時に１リットルのポットに入れ純水５００ｃｃと直
径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加え、３時間
湿式混合を行った。
販のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ
2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を本発明と
同じ（化１）の組成となるように秤量し、全ての原材料
を同時に１リットルのポットに入れ純水５００ｃｃと直
径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加え、３時間
湿式混合を行った。
【００１５】その後、混合材料を１１００℃の温度で２
時間仮焼後、この仮焼粉を１リットルのポットに入れ純
水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇ
とを加え３時間湿式粉砕し、乾燥を行った。
時間仮焼後、この仮焼粉を１リットルのポットに入れ純
水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇ
とを加え３時間湿式粉砕し、乾燥を行った。
【００１６】次に、得られた粉砕粉に５％ポリビニルア
ルコール水溶液を１０ｗｔ％加え、ライカイ機で５分間
造粒した後、２０メッシュのフルイを通過させ造粒粉を
作製した。その後、造粒粉を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で成形し、その後この成形体を焼成条件を変えずに
焼成炉中で昇温速度２５０℃／ｈｒ、最高温度１２５０
℃で２時間焼成した後、冷却速度２００℃／ｈｒで室温
まで徐冷したものを従来例に示した。また従来例にお
いて比抵抗を下げるために焼成条件を変え焼成炉中で昇
温速度２５０℃／ｈｒ、最高温度１２５０℃で１時間焼
成した後、冷却速度２５０℃／ｈｒで室温まで徐冷した
ものを従来例に示した。
ルコール水溶液を１０ｗｔ％加え、ライカイ機で５分間
造粒した後、２０メッシュのフルイを通過させ造粒粉を
作製した。その後、造粒粉を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で成形し、その後この成形体を焼成条件を変えずに
焼成炉中で昇温速度２５０℃／ｈｒ、最高温度１２５０
℃で２時間焼成した後、冷却速度２００℃／ｈｒで室温
まで徐冷したものを従来例に示した。また従来例にお
いて比抵抗を下げるために焼成条件を変え焼成炉中で昇
温速度２５０℃／ｈｒ、最高温度１２５０℃で１時間焼
成した後、冷却速度２５０℃／ｈｒで室温まで徐冷した
ものを従来例に示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】（表１）に示すように、従来例において
は所定のＲ−Ｔ特性を得ることができるが比抵抗値が高
く、従来例においては低い比抵抗値を得ることができ
たがＲ−Ｔ特性においてスイッチング温度（２５℃で測
定された抵抗値の２倍の抵抗値が得られる温度）が変化
し、また抵抗温度係数（温度変化に対する抵抗値の変化
量）等が変化し所定の特性を得ることが困難であった。
一方、本発明の実施の形態１によると比抵抗が低くスイ
ッチング温度、抵抗温度係数も従来例から顕著な変化
がみられず所定の値を得ることができた。
は所定のＲ−Ｔ特性を得ることができるが比抵抗値が高
く、従来例においては低い比抵抗値を得ることができ
たがＲ−Ｔ特性においてスイッチング温度（２５℃で測
定された抵抗値の２倍の抵抗値が得られる温度）が変化
し、また抵抗温度係数（温度変化に対する抵抗値の変化
量）等が変化し所定の特性を得ることが困難であった。
一方、本発明の実施の形態１によると比抵抗が低くスイ
ッチング温度、抵抗温度係数も従来例から顕著な変化
がみられず所定の値を得ることができた。
【００１９】（実施の形態２）以下、本発明の他の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００２０】実施の形態１と同様に市販のＢａＣＯ3、
ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ2Ｏ 3、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を（化１）の組成となるように秤
量する。次に、秤量したＹ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及
びＢａＣＯ3の一部をポリポットに入れ純水２００ｃｃ
と直径５ｍｍのジルコニアボール２００ｇとを加え３時
間湿式混合を行った。
ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣＯ3、Ｙ2Ｏ 3、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2を（化１）の組成となるように秤
量する。次に、秤量したＹ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及
びＢａＣＯ3の一部をポリポットに入れ純水２００ｃｃ
と直径５ｍｍのジルコニアボール２００ｇとを加え３時
間湿式混合を行った。
【００２１】次に、残りの原材料を１リットルポットに
入れ純水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６
００ｇとを加え、更にポリポットで混合したＹ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ 2、Ａｌ2Ｏ3及びＢａＣＯ3のスラリーを入れて３時
間湿式混合を行った。以下本発明の実施の形態１と同様
の方法で作製した。得られた焼結体の両面にアルミニウ
ム電極を溶射し正特性サーミスタを作製した後、室温抵
抗値及びＲ−Ｔ特性を測定し、その結果を（表１）の実
施の形態２に示した。
入れ純水５００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６
００ｇとを加え、更にポリポットで混合したＹ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ 2、Ａｌ2Ｏ3及びＢａＣＯ3のスラリーを入れて３時
間湿式混合を行った。以下本発明の実施の形態１と同様
の方法で作製した。得られた焼結体の両面にアルミニウ
ム電極を溶射し正特性サーミスタを作製した後、室温抵
抗値及びＲ−Ｔ特性を測定し、その結果を（表１）の実
施の形態２に示した。
【００２２】（表１）に示すように、本発明の実施の形
態２の正特性サーミスタは、Ｒ−Ｔ特性を変えることな
く比抵抗が従来例の正特性サーミスタに比べて低くで
きることがわかる。
態２の正特性サーミスタは、Ｒ−Ｔ特性を変えることな
く比抵抗が従来例の正特性サーミスタに比べて低くで
きることがわかる。
【００２３】（実施の形態３）以下、本発明のさらに他
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００２４】Ｙ2Ｏ3１００ｇをポリポットに入れ純水２
００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール２００ｇとを
加え３時間湿式混合した後乾燥し、Ｙ2Ｏ3の混合粉末と
した。次に市販のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣ
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2及びＹ2Ｏ3の
混合粉末を（化１）の組成となるように秤量する。そし
て、これらの原材料を１リットルポットに入れ純水５０
０ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加
え３時間湿式混合を行った。以下本発明の実施の形態１
と同様の方法で作製した。
００ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール２００ｇとを
加え３時間湿式混合した後乾燥し、Ｙ2Ｏ3の混合粉末と
した。次に市販のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＣａＣ
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｎ（ＮＯ3）2及びＹ2Ｏ3の
混合粉末を（化１）の組成となるように秤量する。そし
て、これらの原材料を１リットルポットに入れ純水５０
０ｃｃと直径５ｍｍのジルコニアボール６００ｇとを加
え３時間湿式混合を行った。以下本発明の実施の形態１
と同様の方法で作製した。
【００２５】得られた焼結体の両面にアルミニウム電極
を溶射し正特性サーミスタを作製した後、室温抵抗値及
びＲ−Ｔ特性を測定し、その結果を（表１）に示した。
を溶射し正特性サーミスタを作製した後、室温抵抗値及
びＲ−Ｔ特性を測定し、その結果を（表１）に示した。
【００２６】（表１）に示すように、本発明の実施の形
態３の正特性サーミスタは、Ｒ−Ｔ特性を顕著に変化さ
せることなく比抵抗が従来例の正特性サーミスタに比
べて低くできることがわかる。
態３の正特性サーミスタは、Ｒ−Ｔ特性を顕著に変化さ
せることなく比抵抗が従来例の正特性サーミスタに比
べて低くできることがわかる。
【００２７】前記に記載した通り本発明の実施の形態１
〜３によると、素子の厚みを薄くすることが無いため耐
電圧を劣化させること無く、また、Ｒ−Ｔ特性の顕著な
変化がなく比抵抗を低くすることができる。
〜３によると、素子の厚みを薄くすることが無いため耐
電圧を劣化させること無く、また、Ｒ−Ｔ特性の顕著な
変化がなく比抵抗を低くすることができる。
【００２８】（表２）には本発明の実施の形態１〜３の
模擬サンプル及び従来例のＹ2Ｏ3の沈降試験を行い分散
性を評価した結果を示す。まず本発明の実施の形態の試
料として、あらかじめ純水と混合攪拌しその後乾燥させ
る前処理を行ったＹ2Ｏ3の粉末を準備し、また、従来例
の試料として前記前処理を行わないものを準備した。次
に前記の試料を水の入った試験管の中に一定量を入れ攪
拌を行い、所定の時間放置した後に試験管の底に沈殿し
たＹ2Ｏ3の高さを測定し沈降高さとして記録した。この
時の沈降高さが低いものあるいは沈殿する時間が遅いも
のが分散性がすぐれている。したがって、本発明の実施
の形態の模擬試料と比較すると従来例はＹ2Ｏ3の平均粒
径がほぼ同径であるが、沈降高さは本発明の実施の形態
の模擬試料の方が低くＹ2Ｏ3の粒径を変えずに分散性が
向上しており、分散性を向上することでＲ−Ｔ特性を損
することなく低い比抵抗を得ることができたものと考え
られる。
模擬サンプル及び従来例のＹ2Ｏ3の沈降試験を行い分散
性を評価した結果を示す。まず本発明の実施の形態の試
料として、あらかじめ純水と混合攪拌しその後乾燥させ
る前処理を行ったＹ2Ｏ3の粉末を準備し、また、従来例
の試料として前記前処理を行わないものを準備した。次
に前記の試料を水の入った試験管の中に一定量を入れ攪
拌を行い、所定の時間放置した後に試験管の底に沈殿し
たＹ2Ｏ3の高さを測定し沈降高さとして記録した。この
時の沈降高さが低いものあるいは沈殿する時間が遅いも
のが分散性がすぐれている。したがって、本発明の実施
の形態の模擬試料と比較すると従来例はＹ2Ｏ3の平均粒
径がほぼ同径であるが、沈降高さは本発明の実施の形態
の模擬試料の方が低くＹ2Ｏ3の粒径を変えずに分散性が
向上しており、分散性を向上することでＲ−Ｔ特性を損
することなく低い比抵抗を得ることができたものと考え
られる。
【００２９】
【表２】
【００３０】尚、本発明の実施の形態では半導体化元素
をＹ2Ｏ3としているが、Ｎｂ、Ｌａなどその他の半導体
化元素でも同様の効果が得られる。
をＹ2Ｏ3としているが、Ｎｂ、Ｌａなどその他の半導体
化元素でも同様の効果が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、正特性サ
ーミスタの配合・混合において、まず半導体化元素を混
合してスラリーあるいは粉末状にし、次にその他の原材
料を配合・混合する際に添加することにより、Ｒ−Ｔ特
性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性サーミ
スタを得ることができ、また、焼成条件や素子の厚みな
どの形状を変えることなく比抵抗を容易に下げることが
可能となる。
ーミスタの配合・混合において、まず半導体化元素を混
合してスラリーあるいは粉末状にし、次にその他の原材
料を配合・混合する際に添加することにより、Ｒ−Ｔ特
性や耐電圧を損することなく低い比抵抗の正特性サーミ
スタを得ることができ、また、焼成条件や素子の厚みな
どの形状を変えることなく比抵抗を容易に下げることが
可能となる。
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム及び酸化イットリウム
等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配合
・混合工程にて、まず半導体化元素を純水に混合してス
ラリーとし、次にその他の原材料と共に混合し、仮焼し
たものを粉砕し造粒後成形し、その成形体を焼成した焼
結体に電極を形成する正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項２】 チタン酸バリウム及び酸化イットリウム
等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配合
・混合工程にて、まず半導体化元素と共にその他の原材
料の一部を混合してスラリーとし、次にその他の原材料
と共に混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、そ
の成形体を焼成した焼結体に電極を形成する正特性サー
ミスタの製造方法。 - 【請求項３】 チタン酸バリウム及び酸化イットリウム
等の半導体化元素などからなる正特性サーミスタの配合
・混合工程にて、まず半導体化元素を混合した後乾燥さ
せて粉末の状態にし、次にその他の原材料と共に配合・
混合し、仮焼したものを粉砕し造粒後成形し、その成形
体を焼成した焼結体に電極を形成する正特性サーミスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088747A JP2000286104A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088747A JP2000286104A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286104A true JP2000286104A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13951512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11088747A Pending JP2000286104A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011506127A (ja) * | 2007-12-05 | 2011-03-03 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 射出成形されたｐｔｃセラミック |
| US9034210B2 (en) | 2007-12-05 | 2015-05-19 | Epcos Ag | Feedstock and method for preparing the feedstock |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11088747A patent/JP2000286104A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011506127A (ja) * | 2007-12-05 | 2011-03-03 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 射出成形されたｐｔｃセラミック |
| US9034210B2 (en) | 2007-12-05 | 2015-05-19 | Epcos Ag | Feedstock and method for preparing the feedstock |
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