JPH09162008A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09162008A JPH09162008A JP7321406A JP32140695A JPH09162008A JP H09162008 A JPH09162008 A JP H09162008A JP 7321406 A JP7321406 A JP 7321406A JP 32140695 A JP32140695 A JP 32140695A JP H09162008 A JPH09162008 A JP H09162008A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- manufacturing
- yttrium
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温風ヒータやテレビ受像機の消磁回路のスイ
ッチング素子などに使用される正特性サーミスタの製造
方法において、抵抗値のばらつきが小さく、昇圧耐圧特
性に優れたものが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するイットリウ
ムの原材料にＢａ2Ｙ2Ｏ5を用いることにより、焼結時
の粒成長が均一に進行され、且つイットリウム原子の分
布が均一になる正特性サーミスタが得られる。
ッチング素子などに使用される正特性サーミスタの製造
方法において、抵抗値のばらつきが小さく、昇圧耐圧特
性に優れたものが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するイットリウ
ムの原材料にＢａ2Ｙ2Ｏ5を用いることにより、焼結時
の粒成長が均一に進行され、且つイットリウム原子の分
布が均一になる正特性サーミスタが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温風ヒータなどの
自己温度制御発熱体やテレビ受像機の消磁回路のスイッ
チング素子などに用いられる、特定の温度で抵抗値が急
激に増加する正特性サーミスタの製造方法に関する。
自己温度制御発熱体やテレビ受像機の消磁回路のスイッ
チング素子などに用いられる、特定の温度で抵抗値が急
激に増加する正特性サーミスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の正特性サーミスタの製造方
法について説明する。従来の正特性サーミスタ磁器は、
主原材料である炭酸バリウム及び酸化チタンと、添加物
である酸化鉛、酸化イットリウム、酸化アルミニウム及
び酸化硅素などとを秤量・混合し、仮焼、粉砕、造粒、
成形の後、大気中で焼成する方法により製造されてい
た。
法について説明する。従来の正特性サーミスタ磁器は、
主原材料である炭酸バリウム及び酸化チタンと、添加物
である酸化鉛、酸化イットリウム、酸化アルミニウム及
び酸化硅素などとを秤量・混合し、仮焼、粉砕、造粒、
成形の後、大気中で焼成する方法により製造されてい
た。
【０００３】この製造方法についてさらに詳しく説明す
ると、まず原材料の混合、仮焼により炭酸バリウム及び
酸化チタンから固相反応により主成分のチタン酸バリウ
ムが形成される。このとき酸化鉛は、抵抗値が急激に増
す温度を１２０℃より高温側へ移動させるためのシフト
剤として添加している。酸化アルミニウム及び酸化硅素
は焼結性を向上させる鉱化剤の役目として、また粒成長
を抑制する効果をもつ原材料として微量添加している。
さらに酸化イットリウムは半導体化元素として微量添加
している。混合はこれらを均一に分散させるため、湿式
により行う。仮焼でチタン酸バリウムを得た後、以後一
般的な磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、
大気中で焼成して目的の正特性サーミスタ磁器を得てい
る。
ると、まず原材料の混合、仮焼により炭酸バリウム及び
酸化チタンから固相反応により主成分のチタン酸バリウ
ムが形成される。このとき酸化鉛は、抵抗値が急激に増
す温度を１２０℃より高温側へ移動させるためのシフト
剤として添加している。酸化アルミニウム及び酸化硅素
は焼結性を向上させる鉱化剤の役目として、また粒成長
を抑制する効果をもつ原材料として微量添加している。
さらに酸化イットリウムは半導体化元素として微量添加
している。混合はこれらを均一に分散させるため、湿式
により行う。仮焼でチタン酸バリウムを得た後、以後一
般的な磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、
大気中で焼成して目的の正特性サーミスタ磁器を得てい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の製造方法では、半導体化元素である酸化イットリウ
ムの添加量は極く微量であるため、混合時における酸化
イットリウムの均一分散が難しく、成形時においてもイ
ットリウム原子の不均一分布が生じて焼結進行時に均一
粒成長を妨げる原因となる。一般に半導体化の進行は粒
成長と同時に進行するとされており、イットリウム原子
が不均一分布で均一粒成長を妨げられることによって、
粒子径にばらつきが生じ、室温抵抗値のばらつきが非常
に大きくなってしまうという問題点を有していた。
来の製造方法では、半導体化元素である酸化イットリウ
ムの添加量は極く微量であるため、混合時における酸化
イットリウムの均一分散が難しく、成形時においてもイ
ットリウム原子の不均一分布が生じて焼結進行時に均一
粒成長を妨げる原因となる。一般に半導体化の進行は粒
成長と同時に進行するとされており、イットリウム原子
が不均一分布で均一粒成長を妨げられることによって、
粒子径にばらつきが生じ、室温抵抗値のばらつきが非常
に大きくなってしまうという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、正特性サーミスタの粒成長を均一に進行させること
が可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さくし、且つ
昇圧耐圧特性も向上する優れた正特性サーミスタが得ら
れる製造方法を提供することを目的とするものである。
で、正特性サーミスタの粒成長を均一に進行させること
が可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さくし、且つ
昇圧耐圧特性も向上する優れた正特性サーミスタが得ら
れる製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるイットリウムの原材料に、Ｂａ2Ｙ2Ｏ5
を用いるものである。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるイットリウムの原材料に、Ｂａ2Ｙ2Ｏ5
を用いるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１のごとく半導体
化元素として用いるイットリウム原材料に、Ｂａ2Ｙ2Ｏ
5を用いることにより、成形体内部のイットリウム原子
の分布が不均一となっても焼結時の粒成長を均一に進行
させることが可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さ
くし、且つ昇圧耐圧特性を向上させることが出来る。
化元素として用いるイットリウム原材料に、Ｂａ2Ｙ2Ｏ
5を用いることにより、成形体内部のイットリウム原子
の分布が不均一となっても焼結時の粒成長を均一に進行
させることが可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さ
くし、且つ昇圧耐圧特性を向上させることが出来る。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【０００９】正特性サーミスタの組成式 Ｂａ0.8Ｐｂ
0.2ＴｉＯ3−ｘＢａ2Ｙ2Ｏ5−０．０２ＳｉＯ2−０．０
０１Ａｌ2Ｏ3−０．００３ＭｎＯ2（ただしｘはモル数
で０＜ｘ≦０．００２である）において、ｘを種々変え
た正特性サーミスタを次のようにして作製した。先ず所
定の組成となるように、炭酸バリウム、酸化鉛、酸化チ
タン、イットリウム酸バリウム、酸化硅素、酸化アルミ
ニウム及び二酸化マンガンを秤量し、これらを混合した
後、仮焼、粉砕を行った。さらに所望の形状に成形し、
最大１４００℃の大気中で焼成し、直径１３mm、厚さ
２．５mmの円板状の正特性サーミスタを得た。これに金
属アルミニウムを融着させることにより電極を形成して
測定用の試料とし、室温抵抗値のばらつき及び昇圧耐圧
を測定した。
0.2ＴｉＯ3−ｘＢａ2Ｙ2Ｏ5−０．０２ＳｉＯ2−０．０
０１Ａｌ2Ｏ3−０．００３ＭｎＯ2（ただしｘはモル数
で０＜ｘ≦０．００２である）において、ｘを種々変え
た正特性サーミスタを次のようにして作製した。先ず所
定の組成となるように、炭酸バリウム、酸化鉛、酸化チ
タン、イットリウム酸バリウム、酸化硅素、酸化アルミ
ニウム及び二酸化マンガンを秤量し、これらを混合した
後、仮焼、粉砕を行った。さらに所望の形状に成形し、
最大１４００℃の大気中で焼成し、直径１３mm、厚さ
２．５mmの円板状の正特性サーミスタを得た。これに金
属アルミニウムを融着させることにより電極を形成して
測定用の試料とし、室温抵抗値のばらつき及び昇圧耐圧
を測定した。
【００１０】また従来例として、上記組成式におけるＢ
ａ2Ｙ2Ｏ5を用いない場合（Ｙ2Ｏ3を用いた場合）の試
料も作製し、本実施例と同様の測定を行った。尚、ｘが
０．００２を超える場合は室温抵抗値が非常に大きくな
り、正特性サーミスタとして適さなくなるために除外し
た。これらの本実施例及び従来例の試料の室温抵抗値の
ばらつき及び昇圧耐圧の測定結果を（表１）に示す。
ａ2Ｙ2Ｏ5を用いない場合（Ｙ2Ｏ3を用いた場合）の試
料も作製し、本実施例と同様の測定を行った。尚、ｘが
０．００２を超える場合は室温抵抗値が非常に大きくな
り、正特性サーミスタとして適さなくなるために除外し
た。これらの本実施例及び従来例の試料の室温抵抗値の
ばらつき及び昇圧耐圧の測定結果を（表１）に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】尚、（表１）においてNo.は試料番号、ｘ
は上記組成式におけるｘ値、Ｒ25は各試料について５０
個の室温抵抗値の平均値、ばらつきはその室温抵抗値の
標準偏差σn-1とＲ25との比、σn-1／Ｒ25をパーセント
で示したもの、昇圧耐圧は２０Ｖステップで各試料に３
０秒間印加しながら徐々に電圧を上げていき試料が破壊
した電圧値を示している。なお試料番号（１）〜（８）
は本発明によるもの、（９）〜（１６）は従来例であ
る。
は上記組成式におけるｘ値、Ｒ25は各試料について５０
個の室温抵抗値の平均値、ばらつきはその室温抵抗値の
標準偏差σn-1とＲ25との比、σn-1／Ｒ25をパーセント
で示したもの、昇圧耐圧は２０Ｖステップで各試料に３
０秒間印加しながら徐々に電圧を上げていき試料が破壊
した電圧値を示している。なお試料番号（１）〜（８）
は本発明によるもの、（９）〜（１６）は従来例であ
る。
【００１３】この（表１）から明らかなように、本実施
例による正特性サーミスタは、室温抵抗値のばらつきが
小さく、且つ昇圧耐圧特性が優れているという、優れた
効果が得られる。
例による正特性サーミスタは、室温抵抗値のばらつきが
小さく、且つ昇圧耐圧特性が優れているという、優れた
効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分としイットリウムを半導体化元素に用いる正
特性サーミスタの製造方法において、イットリウムの原
材料にＢａ2Ｙ2Ｏ5を用いることにより、室温抵抗値の
ばらつきが小さく、且つ昇圧耐圧特性に優れた正特性サ
ーミスタ磁器が得られるものである。
ムを主成分としイットリウムを半導体化元素に用いる正
特性サーミスタの製造方法において、イットリウムの原
材料にＢａ2Ｙ2Ｏ5を用いることにより、室温抵抗値の
ばらつきが小さく、且つ昇圧耐圧特性に優れた正特性サ
ーミスタ磁器が得られるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とし、半導体
化元素としてイットリウムを添加する正特性サーミスタ
の製造方法において、前記イットリウムの原材料とし
て、Ｂａ2Ｙ2Ｏ5を用いることを特徴とする正特性サー
ミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321406A JPH09162008A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321406A JPH09162008A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162008A true JPH09162008A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18132201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321406A Pending JPH09162008A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162008A (ja) |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP7321406A patent/JPH09162008A/ja active Pending
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