JP2000339676A

JP2000339676A - 磁気記録媒体の製造方法および製造装置

Info

Publication number: JP2000339676A
Application number: JP11150532A
Authority: JP
Inventors: Yoshikatsu Kato; 吉克加藤; Iwao Ito; 岩生伊藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-05-28
Filing date: 1999-05-28
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】クーリングキャンにおける絶縁性の保持を必
要とせずに、ボンバード処理による帯電によって磁気記
録媒体を構成するベースフィルムのクーリングキャンに
対する良好な密着性を保持しつつ、ベースフィルムに対
する強磁性金属の蒸着が良好い行われるようにする。【解決手段】磁気記録媒体を構成するベースフィルム
３を、クーリングキャン２の周面に沿わせて走行させな
がらボンバード処理した後に、ベースフィルム３上に真
空蒸着法により金属磁性膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法であって、そのボンバード処理を、クーリングキ
ャン２の周面と、この周面に対向配置されるボンバード
電極１１との間に、０．８ｋＶ〜１．２ｋＶのボンバー
ド電圧を印加し、０．５Ａ〜１．０Ａのボンバード電流
によって行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、磁気記録媒体の製造方法および
製造装置、特に磁性層が金属磁性薄膜より成る磁気記録
媒体の製造方法および製造装置に関わる。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂等の有機バインダー中に
分散させた磁性塗料を塗布、乾燥することにより磁性層
を形成する、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が実用化さ
れている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段、
例えば真空蒸着法やイオンプレーティング法等によっ
て、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム等の非磁性のベースフィルム上に被着し
て磁性層を形成した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記
録媒体が実用化されている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比にすぐれ、短波長での電磁変換特性にすぐ
れているばかりでなく、磁性層の厚さを極めて薄くする
ことができるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著し
く小さいこと、磁性層中に非磁性材料のバインダー等が
混入されないことから、磁性材料の充填密度を高めるこ
とができるなど、数々の利点を有する。

【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよう
にするために、この磁気記録媒体の磁性層を形成する際
に、磁性材料を斜めに蒸着して形成する、いわゆる斜方
蒸着法によって行うことが主流になっている。

【０００６】この斜方蒸着法を行うに際しては、所定の
温度まで冷却されたクーリングキャンの周面に磁気記録
媒体を構成するベースフィルムを巻回させ、このベース
フィルムをクーリングキャンの回転に応じて所定の速度
で走行させながら、ルツボより蒸発させた強磁性金属材
料を、クーリングキャンの周面に巻回させたベースフィ
ルム上に蒸着させることによって金属磁性薄膜の形成を
行っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この斜方蒸着法におい
て、その蒸着材の強磁性金属材料がルツボ内に収容さ
れ、この強磁性金属材料を、電子ビームを照射する方法
などによって溶解、蒸発させることによってその蒸着を
行うが、近年、この電子ビームを放出する電子銃の出力
を大きくすることによって蒸着レートを高くする傾向に
ある。このような高速蒸着化に伴い、蒸着時にベースフ
ィルムが受ける熱負荷は大きくなる。そこで、この場
合、ベースフィルムとクーリングキャンとは完全に密着
させることによって所要の冷却が確実になされるように
することが必要になる。

【０００８】ところで、クーリングキャンとベースフィ
ルムの密着性は、電子銃から発せられた電子ビームの一
部が、ルツボ内の溶融強磁性金属の表面で反射され、ベ
ースフィルム表面に照射されることによって、ベースフ
ィルムを帯電させることで得られている。したがって、
電子銃において異常放電が発生するなどによって電子の
供給が停止した場合には、クーリングキャンとベースフ
ィルムの密着性が低下し、ベースフィルムが、溶融強磁
性金属の輻射熱によって溶解、切断するという事故が発
生することから、この場合、蒸着工程を停止せざるを得
ない。

【０００９】したがって、高速蒸着を行う際には、電子
銃に異常放電が発生した場合でも、クーリングキャンと
ベースフィルムの密着性を損なわずに、上述した熱負荷
による事故を防止することが必要である。このような事
故を防止する方法として、ベースフィルムに対する金属
磁性薄膜の密着性を上げるための、いわば前処理として
用いられるボンバード処理装置を用いて、ベースフィル
ムを帯電させることによって、このベースフィルムを、
クーリングキャンと静電的に密着させるようにした方法
が提案された（特開平６−１４５９５４号公報参照）。
しかしながら、この場合、導電性を有するクーリングキ
ャンは、これが接地されることがないように、接地電位
が与えられる蒸着装置と電気的に絶縁させている。した
がって、このようにクーリングキャンの絶縁性を保持す
るためには、このクーリングキャンを冷却する冷媒とし
て、絶縁性を有する高価な代替のフロン系冷媒が用いら
れるが、地球環境への配慮およびコストの面で、このよ
うにクーリングキャンに絶縁性を保持させることには問
題がある。

【００１０】本発明は、上述したベースフィルムに対し
て、磁性層を形成する強磁性金属の蒸着を、クーリング
キャンにおける絶縁性の必要性を回避することができる
ようにして、しかも上述した熱負荷によるベースフィル
ムの、溶解、切断との事故の発生を回避することができ
るようにした磁気記録媒体の製造方法および製造装置を
提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明者ら
は、鋭意、研究考察を行った結果、強磁性金属磁性材の
蒸着に当たって、クーリングキャンに巻回されて移行す
る、磁気記録媒体を構成するベースフィルムに対してボ
ンバード処理を行い、その後に目的とする蒸着を行うに
当たり、そのボンバード電圧、電流、およびガス導入量
の特定によって、クーリングキャンにおいて絶縁性の保
持を行うことなく、ベースフィルムのクーリングキャン
への密着性を保持できることを究明し、これに基いた磁
気記録媒体の製造方法と製造装置を提供するものであ
る。

【００１２】すなわち、本発明による磁気記録媒体の製
造方法は、磁気記録媒体を構成するベースフィルムを、
クーリングキャンの周面に沿わせて支持走行させながら
ボンバード処理した後に、ベースフィルム上に真空蒸着
法により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方
法であって、そのボンバード処理を、クーリングキャン
の周面と、この周面に対向配置されるボンバード電極と
の間に、０．８ｋＶ〜１．２ｋＶのボンバード電圧を印
加し、０．５Ａ〜１．０Ａのボンバード電流によって行
う。

【００１３】また、本発明による磁気記録媒体の製造装
置は、真空室と、この真空室内に配置されたクーリング
キャンと、クーリングキャンの周面に対向配置されるボ
ンバード電極を有するボンバード処理装置と、蒸着処理
装置とを有し、磁気記録媒体を構成するベースフィルム
を、クーリングキャンの周面に沿わせて走行させながら
ボンバード処理した後に、ベースフィルム上に真空蒸着
法により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造装
置であって、ボンバード処理装置によるボンバード処理
を、ボンバード電圧が０．８ｋＶ〜１．２ｋＶ、ボンバ
ード電流が０．５Ａ〜１．０Ａで行う構成とする。

【００１４】上述したように、本発明においては、金属
磁性薄膜を形成する蒸着工程において、ベースフィルム
を支持走行させるクーリングキャンと、このクーリング
キャンの周面に対向配置されるボンバード電極との間
で、ボンバード処理を行って、帯電、すなわち静電的に
クーリングキャンに対してベースフィルムが密着するよ
うにするものであるが、特に本発明においては、上述し
たボンバード電圧および電流を特定することによって、
クーリングキャンを絶縁保持することなく、ベースフィ
ルムをクーリングキャンに良好に密着させることができ
た。

【００１５】

【発明の実施の形態】前述したように、本発明による磁
気記録媒体の製造方法は、磁気記録媒体を構成するベー
スフィルムを、クーリングキャンの周面に沿わせて支持
走行させながらボンバード処理した後に、ベースフィル
ム上に真空蒸着法により金属磁性薄膜を形成する磁気記
録媒体の製造方法であって、そのボンバード処理を、ク
ーリングキャンの周面と、この周面に対向配置されるボ
ンバード電極との間に、０．８ｋＶ〜１．２ｋＶのボン
バード電圧を印加し、０．５Ａ〜１．０Ａのボンバード
電流によって行う。

【００１６】また、このボンバード処理は、酸素雰囲気
中、またはアルゴンガス雰囲気中で、酸素もしくはアル
ゴンガス流量をベースフィルム幅１０ｃｍ当たり５０ｓ
ｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍで供給することによって行うこ
とが好ましい。

【００１７】また、本発明による磁気記録媒体の製造装
置は、真空室と、この真空室内に配置されたクーリング
キャンと、このクーリングキャンの周面に対向配置され
るボンバード電極を有するボンバード処理装置と、蒸着
処理装置とを有し、磁気記録媒体を構成するベースフィ
ルムを、クーリングキャンの周面に沿わせて走行させな
がらボンバード処理した後に、ベースフィルム上に真空
蒸着法により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造装置であって、ボンバード処理装置によるボンバード
処理を、ボンバード電圧が０．８ｋＶ〜１．２ｋＶ、ボ
ンバード電流が０．５Ａ〜１．０Ａで行う構成とする。

【００１８】本発明装置の一実施形態の一例を、図１の
概略断面図を参照して説明するが、本発明はこの例に限
られるものではない。この磁気記録媒体の製造装置は、
蒸着装置本体としての、内部を高真空度に保持できる真
空室１を有して成る。

【００１９】この真空装置１内には、真円筒状のクーリ
ングキャン２が、その中心軸を中心に回転自在に軸支さ
れて配置される。そして、このクーリングキャン２の周
面に接して、この周面を巡って、このクーリングキャン
２によって支持案内されるように、磁気記録媒体を構成
するベースフィルム３が、その供給ロール４から巻き取
りロール５に、定速移行するようになされる。クーリン
グキャン２の内部には、このクーリングキャン２を所定
の低温に保持するための冷媒を循環させる冷却装置（図
示せず）が設けられる。また、このクーリングキャン２
の幅（軸方向の長さ）は、ベースフィルム３が、このベ
ースフィルム３の全幅に渡ってクーリングキャン２と接
触することができるように、ベースフィルムの幅より充
分大に選定される。

【００２０】また、真空室１内には、蒸着装置が設けら
れる。この蒸着装置は、例えばクーリングキャン２の例
えば下方に、ベースフィルム３に対して磁性金属薄膜を
形成する蒸着材６、すなわち強磁性金属が収容されるル
ツボ７が配置され、一方、このルツボ７内の蒸着材６に
対して電子ビーム８を衝撃させて、蒸着材６を溶融蒸発
させる電子銃９が設けられて成る。ルツボ７と、クーリ
ングキャン２との間の所定部に、シャッター１０が配置
される。

【００２１】真空室１内の、ベースフィルム３を支持案
内する部分におけるクーリングキャン２の周面に対向し
て、ボンバード処理装置のボンバード電極１１が配置さ
れ、このボンバード電極１１とクーリングキャン２との
間に、ボンバード電源１２が接続される。この場合、ボ
ンバード電源１２が、直流電源である場合は、その負側
に接続される。

【００２２】このボンバード電極１１は、クーリングキ
ャン２の、ベースフィルム３の移行方向に関して、シャ
ッター１０で制御される蒸着領域より手前に位置して、
クーリングキャン２の一部の周面に沿う円筒面状をな
し、かつクーリングキャン２の全幅（軸方向の全長）に
渡って対向するように形成配置される。

【００２３】また、真空室１に、ガス導入管１３設けら
れ、真空室１外からボンバード電極１１とこれに対向す
るクーリングキャン２との間の空間にガス、例えば酸素
ガスアルゴンガスを所要の流量をもって導入する。

【００２４】この本発明装置によって、本発明製造方法
を実施して、目的とする金属磁性浜型の磁気記録媒体を
製造することができる。すなわち、この装置において、
ベースフィルム３を巻き取りロール５に巻き取ることに
よって、供給ロール４から、ベースフィルム３を繰り出
し、このベースフィルム３を、クーリングキャン２の周
面で支持案内させて所定の速度をもって移行させる。

【００２５】一方、電子銃９からの電子ビームを、ルツ
ボ７内の強磁性蒸着材６に、衝撃させて、蒸着材６を溶
融蒸発させる。このとき、シャッター１０によって蒸発
された蒸着材が、クーリングキャン２を巡って回転移行
するベースフィルム３の面に対し所要の入射角をもって
入射する斜方蒸着がなされるようにして、この蒸着によ
ってベースフィルム３上に、金属磁性薄膜を被着形成す
る。

【００２６】そして、この金属磁性薄膜の蒸着工程の寸
前において、ベースフィルム３に対し、ボンバード処理
装置によるボンバード処理がなされる。このボンバード
処理は、ボンバード電極１１とクーリングキャン２との
間にボンバード電源１２によって、０．８ｋＶ〜１．２
ｋＶのボンバード電圧を印加し、０．５Ａ〜１．０Ａの
ボンバード電流によって行う。また、このとき、このボ
ンバード処理部において、ガス導入管１３から、酸素あ
るいはアルゴンガスを、ベースフィルム３の幅１０ｃｍ
当たり５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの流量で供給する
ことによって行う。

【００２７】このようなボンバード条件によって、クー
リングキャン２が、絶縁状態に保持されない状態で、ボ
ンバード処理がなされたベースフィルム３とクーリング
キャン２とは、所要の帯電がなされ、両者が良好に密着
される。すなわち、ベースフィルム３の各部は、このボ
ンバードがなされる以前の状態では、不安定な帯電状態
となっているが、このボンバードによって、安定して所
定の帯電状態が生じる。したがって、ベースフィルム３
は、常時所要の温度に冷却保持され、この状態で金属磁
性薄膜の形成、すなわち目的とする磁気記録媒体の製造
がなされる。

【００２８】このときのボンバード条件は、上述したよ
うに、そのボンバード電圧を０．８ｋＶ〜１．２ｋＶと
するものであるが、これは、ボンバード電圧が０．８ｋ
Ｖ未満であると、ベースフィルムの帯電量が弱く、クー
リングキャン２との密着性が充分得られず、また、ボン
バード電極が１．２ｋＶを越えると、帯電量が大きくな
り過ぎてクーリングキャン２からのベースフィルム３の
取出し口で、しわが発生して不良品の発生を生じ、歩留
りの低下を来すことに因る。

【００２９】また、そのボンバード電流は、０．５Ａ〜
１．０Ａとするものであるが、これは、ボンバード電流
が０．５Ａ未満のときは、ベースフィルムの帯電量が弱
く、クーリングキャン２との密着性が充分得られず、ま
た、ボンバード電流が１．０Ａを越えると、帯電量が大
きくなり過ぎてクーリングキャン２からのベースフィル
ム３の取出し口で、しわが発生して不良品の発生を生
じ、歩留りの低下を来すことに因る。

【００３０】更に、安定したボンバード放電を持続させ
るためには、このボンバード処理は、上述したように、
酸素あるいはアルゴンガスを、ベースフィルム３の幅１
０ｃｍ当たり５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの流量で供
給することによって行う。これは、ガス流量が、５０ｓ
ｃｃｍ未満では、所定の電流値が安定して得られにくい
こと、また、１００ｓｃｃｍを越えると、逆に、異常放
電が生じ易く、ベースフィルムに放電跡が残りドロップ
アウト等の欠陥を発生させるおそれが生じて来ることに
因る。

【００３１】尚、ボンバード電源１２としては、直流電
源、交流電源および高周波電源等を問わないものであ
る。

【００３２】次に、本発明製造方法の実施例を挙げる。
しかしながら、本発明は、この実施例に限定されるもの
ではないことは言うまでもない。

【００３３】〔実施例１〜３〕この実施例１〜３におい
ては、図１で説明した本発明装置を用いて、ポリエエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる幅６２ｃｍのベ
ースフィルムガラス（転位温度Ｔｇが７０℃）に、表１
で示したボンバード処理条件を施した後に、コバルト
（Ｃｏ）１００％の強磁性材料を入射角６０°をもって
蒸着して金属磁性薄膜を形成した。この場合、キャリア
ガスとして、酸素ガスを用い、その流量を４２０流量
（７０ｓｃｃｍ／１０ｃｍ幅）をもって供給してボンバ
ード処理を行った。この金属磁性薄膜の蒸着形成中にお
いて、電子銃９の動作を停止させベースフィルムの熱負
け、切断状況を目視により観察した結果を、表１に示
す。

【００３４】〔比較例１〜３〕この比較例１〜３におい
ては、実施例１〜３と同様のベースフィルムに、金属磁
性薄膜の蒸着を行い、この金属磁性薄膜の蒸着前にボン
バード処理を行ったものの、そのボンバード処理条件
を、上述した本発明におけるボンバード条件の特定外の
ボンバード条件とした。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１から明らかなように、本発明によって
得た磁気記録媒体は、電子ビームの供給が停止された状
態とされたにもかかわらず、熱負け発生を回避できるこ
とが分かる。

【００３７】尚、上述した例では、ベースフィルムとし
てＰＥＴフィルムを用いた場合であるが、このベースフ
ィルム３は、通常の磁気記録媒体を構成するベースフィ
ルム例えばポリエステルフィルム、ポリイミドフィル
ム、ポリアミドフィルム等を用いることができる。

【００３８】また、このベースフィルムに被着する金属
磁性薄膜を構成する強磁性金属の蒸着材６としては、通
常のいわゆる金属蒸着磁気記録媒体で用いられる強磁性
金属、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の単体金属、あるいは
Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃ
ｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂ
ｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ等を用いることができる。また、金属磁性
薄膜は、これら磁性金属の単層膜であっても良いし、こ
れらの組合わせによる多層膜構造とすることもできる。

【００３９】更に、ベースフィルム３と、金属磁性薄膜
との間、あるいは多層膜構造においては、その膜間に、
付着力の向上、抗磁力の制御等の目的をもって下地層あ
るいは中間層を設ける構造とすることもできる。また、
例えば磁性層表面近傍に、耐蝕性改善のために酸化膜を
形成することもできる。

【００４０】また、金属磁性薄膜上に、保護膜を形成す
る構成とすることもでき、この保護膜の構成材料として
は、通常の金属磁性薄膜の保護膜として用いられる例え
ばカーボン，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｓｉ
Ｃ，ＴｉＣ，ＴｉＮ等を挙げることができ、これらは、
単層もしくは多層膜構造とすることができる。

【００４１】本発明によって得る金属磁性薄膜型磁気記
録媒体は、上述した構成に限られるものではなく、必要
に応じてバックコート層を形成したり、ベースフィルム
表面に下塗り層を形成するとか、潤滑剤層、防錆剤層等
の各種機能の層を形成することもできる。

【００４２】上述した本発明製造方法および本発明装置
によれば、電子銃において何らかの不都合が生じて電子
ビーム８のルツボ７に対する衝撃が、停止ないしは中断
しても、ボンバード処理装置によるボンバード処理によ
って、ベースフィルムには、常時安定した帯電がなされ
ていて、クーリングキャン２に対して良好な密着状態を
維持することができることから、ルツボ７内の溶融状態
すなわち高温状態にある蒸着材６からの輻射熱によっ
て、ベースフィルム３が、溶融したり、破損したりする
事故を回避できる。したがって、本発明製造方法によれ
ば、信頼性の高い磁気記録媒体を歩留り良く製造するこ
とができる。

【００４３】そして、特に本発明装置においては、クー
リングキャンを電気的に絶縁する必要がないことから、
その冷却手段、冷媒の選定の自由度が高く、構成の簡略
化、コストの低減化を図ることができる。

【００４４】

【発明の効果】上述したように、本発明による磁気記録
媒体の製造方法においては、金属磁性薄膜を形成する蒸
着工程において、ベースフィルムを支持走行させるクー
リングキャンと、このクーリングキャンの周面に対向配
置されるボンバード電極との間で、ボンバード処理を行
って、帯電、すなわち静電的にクーリングキャンに対し
てベースフィルムが密着させるものであるが、特に本発
明においては、上述したボンバード電圧および電流を特
定することによって、クーリングキャンを絶縁保持する
ことなく、ベースフィルムをクーリングキャンに良好に
密着させることができた。したがって、このクーリング
キャンに絶縁性を保持させるために、このクーリングキ
ャンを冷却するために循環させる冷媒として、絶縁性を
有する冷媒を用いるという制限が排除されることによっ
て、地球環境を阻害するような冷媒の使用を回避でき、
廉価な、塩化カルシウム、エチレングリコール等任意の
冷媒を用いることができることから、ひいては、製造コ
ストの低廉化を図ることができる。

【００４５】また、本発明装置は、上述した磁気記録媒
体の製造過程における金属磁性薄膜の成膜工程に用いら
れる製造装置において、クーリングキャンに、磁気記録
媒体を構成するベースフィルムを、密着させる手段を、
ボンバード処理装置によって構成するものの、そのボン
バード処理の電圧、電流が特定されることによって、ク
ーリングキャンの絶縁性を保持することを回避したの
で、装置の簡易化が図れ、廉価な装置を構成できるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の製造装置の一例の
概略断面図である。

【符号の説明】

１・・・真空室、２・・・クーリングキャン、３・・・
ベースフィルム、４・・・供給ロール、５・・・巻き取
りロール、６・・・蒸着材、７・・・ルツボ、８・・・
電子ビーム、９・・・電子銃、１０・・・シャッター、
１１・・・ボンバード電極、１２・・・ボンバード電
源、１３・・・ガス導入管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体を構成するベースフィルム
を、クーリングキャンの周面に沿わせて走行させながら
ボンバード処理した後に、上記ベースフィルム上に真空
蒸着法により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法であって、上記ボンバード処理を、上記クーリングキャンの周面
と、該周面に対向配置されるボンバード電極との間に、
０．８ｋＶ〜１．２ｋＶのボンバード電圧を印加し、
０．５Ａ〜１．０Ａのボンバード電流によって行うこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】上記ボンバード処理を、酸素雰囲気中、
またはアルゴンガス雰囲気中で、該酸素もしくはアルゴ
ンガス流量をベースフィルム幅１０ｃｍ当たり５０ｓｃ
ｃｍ〜１００ｓｃｃｍで供給することによって行うこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項３】真空室と、該真空室内に配置されたクー
リングキャンと、該クーリングキャンの周面に対向配置
されるボンバード電極を有するボンバード処理装置と、
蒸着処理装置とを有し、磁気記録媒体を構成するベース
フィルムを、クーリングキャンの周面に沿わせて走行さ
せながらボンバード処理した後に、上記ベースフィルム
上に真空蒸着法により金属磁性薄膜を形成する磁気記録
媒体の製造装置であって、上記ボンバード処理装置によるボンバード処理を、ボン
バード電圧が０．８ｋＶ〜１．２ｋＶ、ボンバード電流
が０．５Ａ〜１．０Ａでなされることを特徴とする磁気
記録媒体の製造装置。
【請求項４】上記ボンバード処理を、酸素雰囲気中、
またはアルゴンガス雰囲気中で、該酸素もしくはアルゴ
ンガス流量をベースフィルム幅１０ｃｍ当たり５０ｓｃ
ｃｍ〜１００ｓｃｃｍで供給することによって行うこと
を特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造装
置。