JPH06338052A

JPH06338052A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH06338052A
Application number: JP1355794A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤; Takao Mori; 敬郎森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-03-31
Filing date: 1994-02-07
Publication date: 1994-12-06

Abstract

(57)【要約】【構成】スパッタ法によって保護膜を成膜するに際
し、可撓性支持体３５の保護膜形成面を鉛直方向とし、
これに対して平行にカソード３８を配置する。さらに、
ガス導入口（図示せず。）は上記カソード３８の下方に
設ける。これに伴い、ガス導入口にガスを供給するため
のガス供給管も上記カソード３８の下方に位置させる。【効果】可撓性支持体に被着しなかった保護膜材料が
カソード３８よりも上方に付着しないため、長時間連続
して保護膜を成膜しても、異常放電が発生しにくくな
る。このため、保護膜の膜厚，膜質が均一なものとな
り、磁気記録媒体の耐久性，防錆性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属磁性薄膜型の磁気
記録媒体を製造するに際し、保護膜をスパッタ法又はＣ
ＶＤ法により形成する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くできる
為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波長
での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に非
磁性材であるそのバインダーを混入する必要が無いため
磁性材料の充填密度を高めることが出来ることなど、数
々の利点を有している。

【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよ
うにするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。したがって、前記金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さ故に今後の高密
度磁気記録媒体の主流になると考えられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記金属磁性薄膜型の
磁気記録媒体は、耐久性や防錆性に問題があると言われ
ており、これを解決するために、潤滑剤，防錆剤等の有
機材料を磁性層表面にコーティングしたり、微粒子を磁
性層形成前に下塗りしたりといった手段がとられてい
る。しかし、これらの技術では、特殊な環境下における
使用や業務用の仕様に十分に満足できる特性を実現でき
ないため、磁性層表面に保護膜層を形成する技術の検討
がなされ始めている。

【０００７】上記表面保護膜の形成には、一般的にスパ
ッタやＣＶＤ等を用いていわゆる薄膜成膜法によるもの
と、有機樹脂を表面に薄く塗布した後、電子線等により
硬化する方法によるものが挙げられる。本発明者等の研
究によれば、特願平３−３００６２１号明細書、特願平
３−３０２００９号明細書、特願平４−１８６１４８号
明細書に記載されるように、上記薄膜成膜法によって形
成された保護膜の方が総合的特性に優れていることが確
認されている。

【０００８】上記薄膜成膜法を行うスパッタ装置におい
ては、図５に示されるように、排気口２１から排気され
て内部が真空状態となされた真空室２２内において、送
りロール２３から送り出された可撓性支持体２５が円筒
キャン２６の周面を通過して巻取りロール２４に巻取ら
れるようになっており、ガイドロール２７、２８が配設
されることにより上記円筒キャン２６に沿って走行する
可撓性支持体２５に所定のテンションをかけつつ円滑に
走行するようになされている。

【０００９】また、上記真空室２２内には上記円筒キャ
ン２６の下方にカソード２８が設けられ、このカソード
２８表面に配置されたターゲット材をスパッタすること
により、可撓性支持体２５表面に保護膜材料を被着させ
て薄膜形成を行うものである。

【００１０】上記スパッタ装置においては、保護膜材料
の被着する範囲を規制するために防着板３０が設けられ
ているが、この防着板３０表面や真空室２２の内壁等に
被着した保護膜材料がカソード２８上に落下すると異常
放電を引き起こしてしまう。また、ＣＶＤ装置において
も、対向電極に保護膜材料が落下して同様な現象が起こ
る。

【００１１】そしてこの異常放電は、可撓性支持体２５
に形成される薄膜の膜厚を不均一にしたり、膜質に異常
を発生させたりといった問題を引き起こしている。

【００１２】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、異常放電を抑制することにより、保
護膜を均一な膜厚，膜質で成膜し、これにより、耐久
性，防錆性を向上させることができる磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、可撓性支持体上
に磁性薄膜を成膜した後、スパッタ法又はＣＶＤ法によ
って保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、可撓性支持体の保護膜形成面を鉛直方向とし、これ
と対向させたカソード又は対向電極を用いて保護膜を形
成するものである。

【００１４】すなわち、本発明のようにして保護膜形成
を行うと、保護膜材料が上記ターゲット又は対向電極上
に落下することによる異常放電を防止することができ
る。

【００１５】さらに、前記カソード又は対向電極の下方
に設けられたガス導入口よりガスを導入するようにし、
このガス導入口にガスを供給するガス供給管もカソード
又は対向電極の下方に位置させれば、これらに付着した
保護膜材料が脱落することによる異常放電も防止するこ
とができる。

【００１６】本発明の製造方法が適用される磁気記録媒
体の磁性薄膜としては、通常の蒸着テ−プに使用される
ものであれば如何なるものであってもよい。例示すれ
ば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属材料、Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ
−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−
Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
等の強磁性合金材料等が挙げられる。

【００１７】上記磁性薄膜は、これらの単層膜であって
もよいし多層膜であってもよい。さらには、可撓性支持
体と磁性薄膜間、あるいは多層膜の場合には、各層間の
付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下地層また
は、中間層を設けてもよい。また、例えば磁性層表面近
傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。
磁性薄膜形成の手段としては、真空下で強磁性材料を加
熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、
強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティ
ング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を越こし生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子
をたたき出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によれ
ばよい。

【００１８】また、上記非磁性支持体上に形成された磁
性薄膜上には保護膜が形成されるが、この材料として
は、通常の金属磁性薄膜用保護膜として一般に使用され
るものであればいかなるものであっても良い。例示する
ならば、カーボン、ＣｒＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ
酸化物、ＭｇＯ，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｏ₄，ＳｉＮ_x，Ｓ
ｉＣ，ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｔｉ
Ｃ等が挙げられる。また、かかる保護膜はこれらの単層
膜であってもよいし多層膜や金属との複合膜であっても
よい。

【００１９】上記保護膜を形成するための方法としてス
パッタ法又はＣＶＤ法を用いるが、上記スパッタ法とし
ては、マグネトロンスパッタ法や対向ターゲット法等が
適用可能であり、ＣＶＤ法としては、キャン対向プラズ
マＣＶＤ，プラズマ照射ＣＶＤ，ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ，トーチ型プラズマＣＶＤ等が適用可能である。

【００２０】もちろん、本発明の装置によって作製され
る磁気テープの構成はこれに限定されるものではなく、
例えば必要に応じてバックコート層を形成したり、可撓
性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤、防錆剤など
の層を形成することは何等差し支えない。この場合、バ
ックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤あるい
は潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては従来公知の
ものがいずれも使用できる。

【００２１】

【作用】可撓性支持体上に磁性薄膜を成膜した後、スパ
ッタ法又はＣＶＤ法によって保護膜を形成するに際し、
可撓性基板の保護膜形成面を鉛直方向とし、これと対向
させたカソード又は対向電極を用いて保護膜を形成する
と、保護膜材料の粒子が飛行する方向は水平方向とな
る。

【００２２】したがって、可撓性支持体に被着しなかっ
た保護膜材料は、カソードや対向電極の上方に付着する
のではなく、カソードや対向電極の側方或いは下方に付
着することになり、この付着した保護膜材料がカソード
や対向電極上に落下することがなくなる。さらに、ガス
導入口がカソードや対向電極より下方に設けられ、これ
に伴い、このガス導入口にガスを供給するガス供給管
（図示せず）もカソード又は対向電極の下方に位置させ
れば、このガス導入口に付着した保護膜材料がカソード
や対向電極上に落下することもない。

【００２３】このため、異常放電の発生を抑制でき、形
成される保護膜の膜厚，膜質を均一なものとすることが
できるようになる。そして、保護膜の膜厚，膜質が均一
化することにより、磁気記録媒体の耐久性，防錆性を向
上させることが可能となる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法
について、具体的な実施例を挙げて説明する。

【００２５】実施例１，２本実施例においては、保護膜形成面を鉛直方向とし、こ
れと対向させたカソードを用いてスパッタ法によって保
護膜を形成して磁気記録媒体を製造した例である。

【００２６】まず、磁気記録媒体を製造するに際し、磁
性薄膜の形成に使用した蒸着製造装置の構成について説
明する。図１に示す様に、この製造装置においては、頭
部と低部にそれぞれ設けられた排気口１ａ，１ｂから排
気されて内部が真空状態となされた真空室２内に、図中
の時計回り方向に定速回転する送りロール３と、同様に
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール４とが
設けられ、これら送りロール３から巻取りロール４にテ
ープ状の非磁性支持体５が順次走行するようになされて
いる。

【００２７】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記非磁性支持体５が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた冷却キャン６が設
けられている。この冷却キャン６は、上記非磁性支持体
５を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の時計回り
方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール
３、巻取りロール４、及び冷却キャン６は、それぞれ非
磁性支持体５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記冷却キャン６には、内部に図示しな
い冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体５の温度上昇
による変形等を抑制し得るようになされている。

【００２８】従って、上記非磁性支持体５は、送りロー
ル３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン６の周
面を通過し、巻取りロール４に巻取られていくようにな
されている。尚、上記送りロール３と上記冷却キャン６
との間及び該冷却キャン６と上記巻取りロール４との間
にはそれぞれガイドロール７、８が配設され、上記送り
ロール３から冷却キャン５及び該冷却キャン６から巻取
りロール４にわたって走行する非磁性支持体５に所定の
テンションをかけ、該非磁性支持体５が円滑に走行する
ようになされている。

【００２９】また、上記真空室内には、上記冷却キャン
６の下方にルツボ９が設けられ、このルツボ９内に金属
磁性材料１０が充填されている。このルツボ９は、上記
冷却キャン６の長さと略同一の幅を有してなる。

【００３０】一方、上記真空室２の側壁部には、上記ル
ツボ９内に充填された金属磁性材料１０を加熱蒸発させ
るための電子銃１１が取り付けられる。この電子銃１１
は、当該電子銃１１より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ９内の金属磁性材料１０に照射されるような位置に配
設される。そして、この電子銃１１によって蒸発した金
属磁性材料１０が上記冷却キャン６の周面を定速走行す
る非磁性支持体５上に磁性層として被着形成されるよう
になっている。

【００３１】また、上記冷却キャン６と上記ルツボ９と
の間であって該冷却キャン６の近傍には、シャッタ１２
が配設されている。このシャッタ１２は、上記冷却キャ
ン６の周面を定速走行する非磁性支持体５の所定領域を
覆う形で形成され、このシャッタ１２により上記蒸発せ
しめられた金属磁性材料１０が上記非磁性支持体５に対
して所定の角度範囲（θ₁〜θ₂）で斜めに蒸着される
ようになっている。さらに、このような蒸着に際し、上
記真空室２の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入
口１４を介して非磁性支持体５の表面に酸素ガスが供給
され、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られてい
る。

【００３２】以下に、保護膜形成のために使用した装置
（マグネトロンスパッタ法による磁気記録媒体製造装
置）の構成について説明する。

【００３３】図２に示す様に、この製造装置において
は、排気口３１から排気されて内部が真空状態となされ
た真空室３２内に、同図中の矢印方向に定速回転する送
りロール３３と、同方向に定速回転する巻取りロール３
４とが設けられ、これら送りロール３３から巻取りロー
ル３４にテープ状の可撓性支持体３５が順次走行するよ
うになされている。

【００３４】これら送りロール３３から巻取りロール３
４側に上記可撓性支持体５が走行する中途部には、上記
各ロール３３、３４の径よりも大径となされた円筒キャ
ン３６が設けられている。この円筒キャン３６は、上記
可撓性支持体３５を図中側方に引き出す様に設けられ、
同図中の矢印で示す方向に定速回転する構成とされる。

【００３５】尚、上記送りロール３３、巻取りロール３
４、及び円筒キャン３６は、それぞれ可撓性支持体３５
の幅に比較して略１．５倍の長さを有する円筒体であ
り、可撓性支持体３５の保護膜形成面が鉛直方向となる
ように設置されている。すなわち、送りロール３３、巻
取りロール３４、及び円筒キャン３６の長軸方向が鉛直
方向と一致するようになされる。また上記円筒キャン３
６には、内部に図示しない冷却装置が設けられ、上記可
撓性支持体３５の温度上昇による変形等を抑制し得るよ
うになされている。

【００３６】従って、上記可撓性支持体３５は、送りロ
ール３３から順次送り出され、さらに上記円筒キャン３
６の周面に沿って走行し、巻取りロール３４に巻取られ
ていくようになされている。

【００３７】なお、本実施例では、円筒キャン３６は冷
却されているが、可撓性支持体３５と金属薄膜との接着
強度を上げるため、適宜加熱した状態でもよい。また、
同様の目的で成膜前に予めボンバード処理を施してもよ
い。

【００３８】また、上記真空室３２内には上記円筒キャ
ン３６の側方にカソード３８があり、この表面に保護膜
材料であるターゲット材が接着されている。上記カソー
ド３８は、この円筒キャン３６の長さの略１．５倍の幅
を有しており、上記円筒キャン３６の周面に平行となる
ように対向して設置されている。

【００３９】このカソード３８には冷却水の供給及び排
出を行う冷却パイプ（図示せず。）が接続され、冷却水
を循環させることにより、これに接着されたターゲット
材が加熱されるのを防止するようにしてもよい。

【００４０】さらに、上記カソード３８の近傍にはキャ
リアガスを導入するためのガス導入口（図示せず）が設
けられる。ここでは、このガス導入口は上記カソード３
８に対して均一にガスを導入できるように、このカソー
ド３８の長手方向と平行にこのカソード３８と略同程度
の長さを有して設けられた。

【００４１】そして、上述のスパッタ装置において保護
膜膜形成を行うには、真空室３２を一定の真空度に保
ち、ガス導入口からキャリアガスを導入しながら、カソ
ード３８上のターゲット材をスパッタリングし、走行す
る可撓性支持体３５表面に被着させる。

【００４２】このとき、カソード３８表面のターゲット
材から可撓性支持体３５へと保護膜材料の粒子が飛行す
る方向は水平方向であるので、可撓性支持体に被着しな
かった保護膜材料は、カソード３８より上方に付着する
ことはなく、カソード３８の側方或いは下方に付着す
る。したがって、保護膜材料がカソード３８上に落下す
ることがない。

【００４３】上述のような装置を用いて磁気記録媒体を
製造するには、先ず、下塗が施された非磁性支持体上
に、上述した図１の連続巻取り式の斜方蒸着装置を用い
て、Ｃｏ−Ｎｉ系の金属磁性薄膜を被着させた。使用し
たベース、下塗、蒸着条件は下記の通りである。

【００４４】非磁性支持体条件ベース：ポリエチレンテレフタレート１０μｍ厚１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布突起密度約１０００万個／ｍｍ²

【００４５】蒸着条件インゴット：Ｃｏ80−Ｎｉ20（数字は各金属の
重量比）入射角：４５〜９０° テープ速度：０．１７ｍ/sec 磁性層厚：０．２μｍ真空度：７×１０^-2Ｐａ

【００４６】次に、先に説明した図２に示されるマグネ
トロンスパッタ法を適用したスパッタ装置によって保護
膜を形成した。スパッタ条件を下記に示す。

【００４７】スパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ法ターゲット材：カーボン，サイズ１５０ｍｍ×１
５０ｍｍキャリアガス：アルゴン装置内真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：０．６Ｐａテープ速度：０．１ｍ/sec 保護膜膜厚（目標）：１５ｎｍ投入電力：７ｗ／cm²

【００４８】さらに、下記の条件に従ってバックコート
層、トップコート層を形成し、所定のテープ幅に裁断し
て磁気テープを作製した。バックコート層：カーボン、及びウレタンバインダ
ーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート層：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００４９】なお、ここでは、成膜開始から３時間以内
に成膜された保護膜が形成された部分の磁気テープを実
施例１のサンプルテープとし、成膜開始から１１〜１２
時間の間に成膜された保護膜が形成された部分の磁気テ
ープを実施例２のサンプルテープとする。

【００５０】実施例３本実施例においては、ＣＶＤ法を適用した装置によって
保護膜を形成した。

【００５１】ここで用いられたキャン対向電極型プラズ
マＣＶＤ製造装置は、図３に示すように、排気口３１か
ら排気されて内部が真空状態となされた真空室３２内
に、図中の矢印方向に定速回転する送りロール３３と、
同方向に定速回転する巻取りロール３４とが設けられ、
これら送りロール３３から巻取りロール３４にテープ状
の可撓性支持体３５が順次走行するようになされてい
る。

【００５２】これら送りロール３３から巻取りロール３
４側に上記可撓性支持体５が走行する中途部には、上記
各ロール３３、３４の径よりも大径となされた円筒キャ
ン３６が設けられている。この円筒キャン３６は、上記
可撓性支持体３５を図中側方に引き出す様に設けられ、
同図中の矢印方向に定速回転する構成とされる。

【００５３】なお、上記送りロール３３、巻取りロール
３４、及び円筒キャン３６は、それぞれ可撓性支持体３
５の幅と比較して略１．５倍の長さを有する円筒体であ
り、可撓性支持体３５の保護膜形成面が鉛直方向となる
ように設置されている。すなわち、送りロール３３、巻
取りロール３４、及び円筒キャン３６の長軸方向が鉛直
方向と一致するようになされる。また上記円筒キャン３
６には、内部に図示しない冷却装置が設けられ、上記可
撓性支持体３５の温度上昇による変形等を抑制し得るよ
うになされている。

【００５４】従って、上記可撓性支持体３５は、送りロ
ール３３から順次送り出され、さらに上記円筒キャン３
６の周面に沿って走行し、巻取りロール３４に巻取られ
ていくようになされている。

【００５５】なお、本実施例では、円筒キャン３６は冷
却されているが、可撓性支持体３５と金属薄膜との接着
強度を上げるため、適宜加熱した状態でもよい。また、
同様の目的で成膜前に予めボンバード処理を施してもよ
い。

【００５６】上記真空室３２内には、上記円筒キャン３
６の側方に円筒キャン３６と略平行となるように曲面化
された対向電極３９が設けられ、この対向電極３９には
高周波電源が接続されている。上記対向電極３９は上記
円筒キャン３６の長手方向の幅の略１．５倍の幅を有し
てなる。

【００５７】さらに、この対向電極３９の側近部には保
護膜の原料ガスおよびキャリアガスを導入するガス導入
口（図示せず。）が設けられている。ここでは、このガ
ス導入口は上記対向電極３９と円筒キャン３６との間の
空間に対して均一にガスを導入できるように、上記対向
電極３９の長手方向と平行にこの対向電極３９と略同程
度の長さを有して設けられた。

【００５８】そして、上述のＣＶＤ装置により保護膜膜
形成を行うには、真空室３２を一定の真空度に保ち、ガ
ス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入しなが
ら、対向電極３９に高周波電力を供給して、走行する可
撓性支持体３５表面に保護膜を被着させる。

【００５９】このとき、対向電極３９から可撓性支持体
３５へと保護膜材料の粒子が飛行する方向は水平方向で
あるので、可撓性支持体に被着しなかった保護膜材料
は、上記対向電極３９より上方に付着することはなく、
対向電極３９の側方或いは下方に付着する。したがっ
て、保護膜材料が上記対向電極３９上に落下することが
ない。

【００６０】本実施例においては、上述のような構成を
有する装置を以下のようなＣＶＤ条件において使用し、
磁気記録媒体の保護膜を形成した。

【００６１】ＣＶＤ条件方式：キャン対向型プラズマＣＶＤ法ガス：アルゴン＋エチレン成膜時真空度：７〜９Ｐａテープ速度：０．１５ｍ/sec 保護膜膜厚（目標）：１５ｎｍ

【００６２】保護膜形成の工程において図３に示される
ＣＶＤ装置を用いた以外は、実施例１と同様にして磁気
テープを作製し、実施例３のサンプルテープを得た。

【００６３】実施例４本実施例は、ガス導入口がカソードの下方に設けられた
スパッタ装置によって保護膜を形成した例である。

【００６４】ここでは、図２に示されるスパッタ装置に
おいて、キャリアガスを導入するガス導入口（図示せ
ず。）を、カソード３８の下方に、このカソード３８の
短軸方向に平行に且つ幅と略同程度の長さを有して設け
られた。これにより、キャリアガスはカソード３８の下
方から吹き出されて導入されることになる。なお、この
ガス導入口にガスを供給するガス供給管（図示せず）も
カソード又は対向電極の下方に位置させる。

【００６５】上述のようにガス導入口が設けられる位置
が異なる以外は実施例１，２にて説明されたのと同様の
構成を有するスパッタ装置を用い、実施例２と同様の条
件にて磁気テープを作製した。これを実施例４のサンプ
ルテープとする。

【００６６】比較例１保護膜を形成しなかった以外は実施例１と同様にして磁
気テープを作製し、これを比較例１のサンプルテープと
した。

【００６７】比較例２ここでは、保護膜を形成する工程を図５に示す従来型の
スパッタ装置を用いて行った。図５に示すスパッタ装置
の構成については先に説明したとおりであり、ここでは
実施例１で行ったと同様のスパッタ条件にてスパッタを
行った。そして、スパッタ装置が異なる以外は実施例１
と同様にして磁気テープを作製し、比較例２のサンプル
テープを得た。

【００６８】特性の評価上述のようにして作製された各サンプルテープについ
て、スチル耐久性，耐錆性の測定を行った。スチル耐久
性の測定はソニー社製８ｍｍＶＴＲＥＶ−Ｓ９００改
造機を用いて、再生出力レベルから３ｄＢ以上の出力落
ちした時間をもとにしてスチル耐久性を評価した。

【００６９】一方、耐錆性は、腐食試験前の測定値をφ
s 、腐食試験後の測定値をφs ’として磁気特性の劣化
率Δφs を式（１）によって求めることによって評価し
た。 Δφs ＝（φs − φs ’）／φs ×１００（％）・・・（１）

【００７０】なお、腐食試験はガス腐食試験機を用い、
ＳＯ₂ガス０．３ｐｐｍを含む雰囲気（温度３０℃，相
対湿度９０％）中で２４時間保存することによって行っ
た。表１にこれらの測定結果を示す。

【００７１】

【表１】

【００７２】表１より、比較例１とその他のサンプルテ
ープを比較すると、保護膜を形成することによってスチ
ル耐久性が著しく向上し、防錆性も向上することがわか
る。また、比較例２と実施例１〜４を比較すると、可撓
性支持体の保護膜形成面を鉛直方向として保護膜を作製
することにより防錆性が向上したことがわかる。

【００７３】また、各サンプルテープを作製するに際し
て、保護膜形成工程で異常放電が発生する頻度を調べ、
表１に併せて示した。ここで、異常放電回数とは、１時
間あたりの電圧又は電流が２０％以上変動した回数とし
た。実施例１，３、比較例１，２のサンプルテープは、
成膜開始から３時間以内に成膜された保護膜が形成され
た磁気テープであるため、表中には、成膜開始から３時
間における異常放電回数を示した。同様に、実施例２，
４のサンプルテープは、成膜開始から１１〜１２時間の
間に成膜された保護膜が形成された磁気テープであるた
め、成膜開始から１１〜１２時間の１時間における異常
放電回数を示した。

【００７４】表１より、比較例２のサンプルテープにお
ける保護膜形成時に比して、実施例１，３のサンプルテ
ープにおける保護膜形成時は、異常放電回数が少ないこ
とがわかる。これより、成膜開始から３時間以内に保護
膜を成膜する場合、保護膜形成面を鉛直方向とすること
により異常放電が抑制できることがわかる。

【００７５】一方、実施例１のサンプルテープにおける
保護膜形成時と実施例２のサンプルテープにおける保護
膜形成時とを比較すると、同一のスパッタ装置によって
保護膜を成膜したにもかかわらず、異常放電回数が大き
く異なっている。これは、保護膜を成膜し始めて長時間
経過すると、異常放電が起こる頻度が著しく増加するこ
とを示している。

【００７６】ところが、実施例２と同様、成膜開始から
１１〜１２時間の間の測定がなされた実施例４では、異
常放電回数が増加していない。そこで、実施例２のサン
プルテープの保護膜を成膜するにあたって用いたスパッ
タ装置と、実施例４のサンプルテープの保護膜を成膜す
るにあたって用いたスパッタ装置とにおいて、連続成膜
時間と異常放電回数との関係を調べた。この結果を図２
に、実施例２におけるデータを●なるプロットにて、実
施例４におけるデータを×なるプロットにて示す。実施
例４のサンプルテープの保護膜を成膜するにあたって用
いたスパッタ装置においては、長時間連続して成膜を行
っても異常放電回数は増加しないことがわかる。

【００７７】これは、長時間連続して成膜を行った場
合、ガス導入口がカソードの側方に設けられていると、
このガス導入口やガス供給管に付着した保護膜材料が脱
落することにより放電状態に影響を与えてしまうが、ガ
ス導入口がカソードの下方に設けられていると、これら
に付着した保護膜材料が落下しても放電状態に影響を与
えないためである。

【００７８】これより、保護膜を成膜するための装置
は、保護膜形成面を鉛直方向とし、さらにガス導入口を
カソードの下方に設けることにより、長時間連続して成
膜を行っても、異常放電が抑制されることがわかる。

【００７９】そして、異常放電を防止することによっ
て、形成された保護膜の膜厚，膜質を均一なものとする
ことができるので、本発明を適用することによって磁気
記録媒体の耐久性，防錆性を向上させることができる。

【００８０】本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変形変
更が可能である。例えば、実施例３のサンプルテープの
作製に際して用いられたＣＶＤ装置において、対向電極
３９の下方にガス導入口を設けて、保護膜を成膜して磁
気テープを作製してもよい。また、保護膜の材料や成膜
条件は適宜変更可能であり、その他、磁性薄膜，バック
コート層，トップコート層等の形成条件等も従来公知の
方法がいずれも適用できる。

【００８１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、スパ
ッタ法又はＣＶＤ法によって保護膜を形成するに際し、
可撓性基板の保護膜形成面を鉛直方向とし、これと対向
させたカソード又は対向電極を用いて保護膜を形成する
と、異常放電が発生する頻度が少なくなる。さらに、ガ
ス導入口をカソード又は対向電極の下方に設けることに
よって、長時間連続して成膜を行っても異常放電が発生
する頻度を抑えられる。

【００８２】そして、異常放電が発生する頻度を抑制す
ることにより、成膜される保護膜の膜厚，膜質を均一な
ものとすることができるため、本発明を適用することに
よって、耐久性，防錆性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】真空蒸着装置の一構成例を示す模式図である。

【図２】本発明を適用したスパッタ装置の一構成例を示
す模式図である。

【図３】本発明を適用したＣＶＤ装置の一構成例を示す
模式図である。

【図４】連続成膜時間と異常放電回数との関係を示す特
性図である。

【図５】従来のスパッタ装置の一構成例を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

３１排気口３２真空室３３送りロール３４巻取りロール３５可撓性支持体３６円筒キャン３８カソード３９対向電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性支持体上に磁性薄膜を成膜した
後、スパッタ法又はＣＶＤ法によって保護膜を形成する
磁気記録媒体の製造方法において、可撓性支持体の保護膜形成面を鉛直方向とし、これと対
向させたカソード又は対向電極を用いて保護膜を形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】前記カソード又は対向電極の下方に設け
られたガス導入口よりガスを導入することを特徴とする
請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。