JP2000344735A - 4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの製造方法 - Google Patents
4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの製造方法Info
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Abstract
ルアミノベンゼンスルホニルアジドを製造する方法を提
供する。 【解決手段】 4−アセチルアミノベンゼンスルホニ
ルクロリドと無機アジ化塩とを、アミン塩触媒の存在下
で、非水系の有機溶媒中で反応させる。
Description
ノベンゼンスルホニルクロライドを原料とする、4−ア
セチルアミノベンゼンスルホニルアジドの新規な製造方
法に関する。4−アセチルアミノベンゼンスルホニルア
ジドは、医薬品、光磁気記憶材料等の原料として有用な
ジアゾ化剤である。
ホニルアジドを製造する方法としては、4−アセチルア
ミノベンゼンスルホニルクロライドに無機アジ化塩を反
応させる方法が一般的であり、数多くの文献に記載され
ている。
2540−2541(1996年)においては、アセト
ンを反応溶媒に用い、4−アセチルアミノベンゼンスル
ホニルクロライドに固形のアジ化ナトリウムを反応させ
て、収率94%を得ている。
がある。 (1)同一条件で反応を行っても、反応が速やかに完結
する場合と、途中で全く転換反応が進まなくなる場合が
あり、反応の定量的安定性が得られていない。 (2)反応を完結させるためには、反応溶媒のアセトン
に不溶なアジ化ナトリウムを過剰に使用することから、
その過剰分のアジ化ナトリウムに汚染された反応副生物
の塩化ナトリウムが発生し、その無害化処理を行うため
に多くの時間と費用が必要となる。
いては、4−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロラ
イドをアセトンに溶解し、アジ化ナトリウム水溶液を滴
下して転換反応を行っている。この場合、 4−アセチ
ルアミノベンゼンスルホニルクロライドが水に不安定で
加水分解を受けることから、収率は79%と工業的には
高い収率とは言い難い。
点を解決して高収率で高品質の4−アセチルアミノベン
ゼンスルホニルアジドを、容易かつ安全に製造すること
のできる方法を提供することにある。
を解決するために工業的に有利な方法を鋭意研究したと
ころ、出発原料の4−アセチルアミノベンゼンスルホニ
ルクロライドが加水分解を受けないように非水反応系と
し、出発原料をアセトニトリル、アセトン、塩化メチレ
ン等の有機溶媒に溶解させ、固形の無機アジ化塩との反
応において、転換反応が定量的安定に進行し、且つ、反
応完結に必要な無機アジ化塩の過剰分をできるだけ少な
くするために、上記転換反応をアミン塩触媒の存在下で
行うことで、上記課題を解決し、本発明を完成するに至
った。
アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドと一般式
(2)で表される無機アジ化塩とを、触媒にアミン塩を
用い、4−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライ
ドを溶解する溶媒中に於いて反応させることを特徴とす
る下記式(3)で表される4−アセチルアミノベンゼン
スルホニルアジドの製造方法である。
り、nは1または2である。)
定量的に安定して4−アセチルアミノベンゼンスルホニ
ルアジドを製造することができ、更に、大過剰量の無機
アジ化塩は不必要となったため、副生塩中に存在する無
機アジ化塩の公害処理が容易となった。また、非水反応
系であるため、4−アセチルアミノベンゼンスルホニル
クロライドの加水分解反応が起こらないことから、高収
率に4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを得
ることができる。
4−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドは、
どのような方法で製造されたものであってもよく、ま
た、市販品を使用してもよい。
しては、具体的にはナトリウム、カリウム、リチウム、
カルシウム、マグネシウム等のアルカリ金属またはアル
カリ土類金属のアジ化物が挙げられるが、アジ化ナトリ
ウムが工業的に好適である。
ミノベンゼンスルホニルクロライド1モルに対し、アジ
化水素換算で通常1.0〜1.1モルの範囲、好ましく
は1.01〜1.05モルである。
から形成される。アミンとしては、第1級、第2級、第
3級アミンのいずれでもよいが、特に脂肪族第3級アミ
ンが好ましい。アミン塩としては、例えば、トリメチル
アミン塩、トリエチルアミン塩、トリプロピルアミン
塩、トリブチルアミン塩、トリアミルアミン塩、トリヘ
キシルアミン塩、トリアリルアミン塩、ヒリジン塩、ト
リエタノールアミン塩、N−メチルモルホリン塩、N,
N−ジメチルシクロヘキシルアミン塩、N,N−ジメチ
ルアニリン塩、N,N,N’,N’−テトラメチルエチ
レンジアミン塩、4−ジメチルアミノピリジン塩などの
第3級アミン等が挙げられるが、これらに限定されるわ
けではない。また、これらのアミン塩の2種以上を併用
してもよい。
ンと塩を形成する酸であればよい。酸としては、例え
ば、塩酸、臭化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸、ア
ジ化水素、塩素酸、炭酸、硫化水素等の無機酸等が挙げ
られるが、これらに限定されるわけではない。好ましい
酸は、塩酸、臭化水素、硫酸等である。
酸塩である。
し、または反応系内でアミンと酸を反応させて塩を合成
して作用させてもよい。
必要な最低限度量でよいが、4−アセチルアミノベンゼ
ンスルホニルクロライド1モルに対し、通常0.002
〜0.02モルの範囲、好ましくは0.002〜0.0
04モルの範囲である。アミン塩のモル比は、反応速
度、反応生成率に影響する。
ンゼンスルホニルクロライドに対する溶解性の良いこと
から、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、アセトン、エチルメチルケトン、塩化メチレン、ク
ロロホルム等が挙げられるが、これらに限定されるわけ
ではない。好ましくは、アミン塩触媒の効果が最も高い
非プロトン極性溶媒類であり、更に好ましくはアセトニ
トリルである。反応溶媒の使用量は、4−アセチルアミ
ノベンゼンスルホニルクロライド1gに対し、通常1〜
10mlの範囲、好ましくは3〜5mlの範囲である。
ンゼンスルホニルクロライドが完全溶解し、生成した4
−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドが熱分解し
ない程度の温度であればよく、特に限定されるものでは
ない。通常20〜60℃の範囲、好ましくは35〜50
℃の範囲である。
〜120時間であり、好ましくは3〜5時間の範囲であ
る。
た無機アジ化塩が混ざる固相を濾別した後、濾液を減圧
下、溶媒と生成された4−アセチルアミノベンゼンスル
ホニルアジドが容積比で1対1になる程度まで濃縮す
る。留出溶媒はそのまま反応に再使用することも可能で
ある。
媒として水を加えて行う。その水量は生成した4−アセ
チルアミノベンゼンスルホニルアジド1容量に対し容積
比が3〜5になる範囲で添加する。但し、塩化メチレン
溶媒使用時のみ晶析溶媒としてトルエンを使用する。結
晶を濾取し、温風乾燥後、4−アセチルアミノベンゼン
スルホニルアジドを得ることができる。
明するが、本発明はこれらの実施例に何等限定されるも
のではない。
イニング製のオートクレーブにアセトニトリル219k
g、4−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド
80kg、アジ化ナトリウム23.5kg、トリエチル
アミン塩酸塩0.16kgを仕込み、強攪拌を開始し
た。缶内温度は反応熱の発生により20℃から徐々に上
昇し42℃まで達した。反応物を攪拌している間、反応
を高速液体クロマトグラフィーでモニターした。反応は
強攪拌開始後約5時間で完結した。反応混合物をガラス
ライニング製の濾過器に通し、固相を濾別し、この固相
をアセトニトリル30kgで洗浄した。反応溶液326
kgを得た。この反応溶液を別の500Lガラスライニ
ング製のオートクレーブに仕込み、内温30〜45℃で
減圧濃縮を行いアセトニトリル約180kgを系内から
留去した。濃縮後、系内を10℃まで冷却した後、水2
80kgを滴下し晶析を行った。晶析スラリーを遠心分
離し、湿結晶82kgを得た。この湿結晶を40℃で温
風乾燥し、4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジ
ド79kgを得た。得られた4−アセチルアミノベンゼ
ンスルホニルアジドの収率は96.%(4−アセチルア
ミノベンゼンスルホニルクロライド)で、純度は99.
8%であった。
l四つ口フラスコにアセトン219g、4−アセチルア
ミノベンゼンスルホニルクロライド80g、アジ化ナト
リウム23.5g、トリエチルアミン塩酸塩0.20g
を仕込み、強攪拌を開始した。缶内温度は反応熱の発生
により20℃から徐々に上昇し43℃まで達した。反応
物を攪拌している間、反応を高速液体クロマトグラフィ
ーでモニターした。反応は強攪拌開始後約5時間で完結
した。ヌッチェを用い反応混合物中から固相を濾別し、
この固相をアセトン30gで洗浄した。反応溶液320
gを得た。この反応溶液を別のメカニカルオーバーヘッ
ド攪拌機を備え付けた500ml四つ口フラスコに仕込
み、内温30〜45℃で減圧濃縮を行いアセトン約18
0gを系内から留去した。濃縮後、系内を10℃まで冷
却した後、水280gを滴下し晶析を行った。晶析スラ
リーを濾取し、湿結晶82gを得た。この湿結晶を40
℃で温風乾燥し、4−アセチルアミノベンゼンスルホニ
ルアジド76gを得た。得られた4−アセチルアミノベ
ンゼンスルホニルアジドの収率は92.4%(4−アセ
チルアミノベンゼンスルホニルクロライド)で、純度は
99.8%であった。
l四つ口フラスコに塩化メチレン370g、4−アセチ
ルアミノベンゼンスルホニルクロライド80g、アジ化
ナトリウム23.5g、トリエチルアミン塩酸塩0.2
0gを仕込み、強攪拌を開始した。缶内温度は反応熱の
発生により20℃から徐々に上昇し、冷却を行い45℃
を超えない範囲で攪拌を続けた。反応物を攪拌している
間、反応を高速液体クロマトグラフィーでモニターし
た。反応は強攪拌開始後約5時間で完結した。ヌッチェ
を用い反応混合物中から固相を濾別し、この固相を塩化
メチレン50gで洗浄した。反応溶液490gを得た。
この反応溶液を別のメカニカルオーバーヘッド攪拌機を
備え付けた500ml四つ口フラスコに仕込み、内温3
0〜45℃で減圧濃縮を行い塩化メチレン約305gを
系内から留去した。濃縮後、系内を10℃まで冷却した
後、トルエン400gを滴下し晶析を行った。晶析スラ
リーを濾取し、湿結晶82gを得た。この湿結晶を40
℃で温風乾燥し、4−アセチルアミノベンゼンスルホニ
ルアジド75gを得た。得られた4−アセチルアミノベ
ンゼンスルホニルアジドの収率は91.2%(4−アセ
チルアミノベンゼンスルホニルクロライド)で、純度は
99.7%であった。
を必要とせず、安全、安価に、安定して高品質の4−ア
セチルアミノベンゼンスルホニルアジドを製造すること
ができる。従って、経済的、工業的価値が極めて大き
い。
Claims (5)
- 【請求項1】 下記式(1)の4−アセチルアミノベン
ゼンスルホニルクロライドと一般式(2)で表される無
機アジ化塩とを、触媒にアミン塩を用い、4−アセチル
アミノベンゼンスルホニルクロライドを溶解する溶媒中
に於いて反応させることを特徴とする下記式(3)で表
される4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの
製造方法。 【化1】 (1) M(N3)n (2) (式中、Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であ
り、nは1または2である。) 【化2】 (3) - 【請求項2】 無機アジ化塩がアジ化ナトリウムである
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 アミン塩がトリエチルアミン塩酸塩であ
ることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。 - 【請求項4】 4−アセチルアミノベンゼンスルホニル
クロライドを溶解する溶媒が、非プロトン極性溶媒、ケ
トン類溶媒、クロル化合物類溶媒であることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 - 【請求項5】非プロトン極性溶媒がアセトニトリル、ケ
トン類溶媒がアセトン、クロル化合物溶媒が塩化メチレ
ンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記
載の方法。
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|---|---|---|---|
| JP19221899A JP3680203B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 4−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-06-01 JP JP19221899A patent/JP3680203B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2010104106A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 第一三共株式会社 | 光学活性なジアミン誘導体の製造方法 |
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