JP2010103465A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010103465A
JP2010103465A JP2009075135A JP2009075135A JP2010103465A JP 2010103465 A JP2010103465 A JP 2010103465A JP 2009075135 A JP2009075135 A JP 2009075135A JP 2009075135 A JP2009075135 A JP 2009075135A JP 2010103465 A JP2010103465 A JP 2010103465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
electrode
pulse
substrate processing
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009075135A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5295833B2 (ja
Inventor
Akio Ui
明生 宇井
Hisataka Hayashi
久貴 林
Ken Kaminatsui
健 上夏井
Shinji Himori
慎司 檜森
Norikazu Yamada
紀和 山田
Takeshi Ose
剛 大瀬
Atsushi Abe
淳 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Electron Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2009075135A priority Critical patent/JP5295833B2/ja
Priority to US12/562,137 priority patent/US20100072172A1/en
Priority to KR1020090089427A priority patent/KR20100034703A/ko
Priority to TW098132074A priority patent/TWI505752B/zh
Priority to CN201310162785.8A priority patent/CN103258707B/zh
Priority to CN2009101756265A priority patent/CN101685772B/zh
Publication of JP2010103465A publication Critical patent/JP2010103465A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5295833B2 publication Critical patent/JP5295833B2/ja
Priority to US14/626,277 priority patent/US10388544B2/en
Priority to KR1020150144283A priority patent/KR101638746B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32027—DC powered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32045—Circuits specially adapted for controlling the glow discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
    • H10P74/207—Electrical properties, e.g. testing or measuring of resistance, deep levels or capacitance-voltage characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H10P74/238—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection or in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/071—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof
    • H10W20/093—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by modifying materials of the dielectric parts
    • H10W20/095—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by modifying materials of the dielectric parts by irradiating with electromagnetic or particle radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

【課題】電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得る。
【解決手段】基板処理装置は，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，第１の電極に対向する第２の電極と，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，を具備する。
【選択図】図７

Description

本発明は，プラズマを用いた平行平板型の基板処理装置および基板処理方法に関する。
平行平板型の基板処理装置では，互いに平行に配置された上部電極と下部電極を具備し，この上部電極または下部電極にＲＦ（高周波）を印加してプラズマを発生させ，このプラズマにより，下部電極上に置かれた基板（Wafer）を処理している。
そして，プラズマ密度およびプラズマから基板への入射するイオンの平均エネルギＶｄｃを制御するため，下部電極にＲＦ（高周波）およびパルス負電圧を重畳して印加する方法が提案されている。この方法では，ＲＦによりプラズマ密度を制御し，負電圧パルスによりイオンの平均エネルギＶｄｃを制御している（特許文献１参照）。
特開２００８−８５２８８号公報
しかし，近年の基板の大口径化およびプラズマの高密度化により，単位時間当たりに基板へ入射するイオン数が増えている。このイオンは正に帯電しているため，下部電極へ印加された負電圧が打ち消される。このため，下部電極上に保持された基板の電圧が変化し，この基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動が大きくなる。
上記に鑑み，本発明は，電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得ることを目的とする。
本発明の一態様に係る基板処理装置は，チャンバと，チャンバ内に配置され，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，第１の電極に対向してチャンバ内に配置された第２の電極と，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，を具備する。
本発明の一態様に係る基板処理方法は，チャンバ内に配置された電極上に処理対象である基板を保持するステップと，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するステップと，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するステップと，を具備する。
本発明によれば，電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得ることができる。
従来の基板処理装置の概略構成図である。 下部電極に重畳される電圧の概略波形図である。 ウェハの電圧上昇を説明するための図である。 ウェハの電圧と時間との概略関係を表した図である。 シミュレーション結果の一例を示した図である。 窒化シリコン膜とＳｉＯＣ膜の選択比および窒化シリコン膜のエロージョンの関係を示した図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 第１の実施形態に係るパルス印加部の詳細構成図である。 下部電極に重畳される電圧の概略波形図である。 シミュレーション結果の一例を示した図である。 第１の実施形態の変形例で下部電極へ印加される電圧の波形図である。 第１の実施形態の変形例で下部電極へ印加される電圧の波形図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 パルス印加部の詳細構成図である。 下部電極に重畳される電圧の概略波形図である。 シミュレーション結果の一例を示した図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 第３の実施形態の変形例に係る基板処理装置の概略構成図である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 第４の実施形態の変形例に係る基板処理装置の概略構成図である。 第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 下部電極に重畳される電圧の概略波形図である。 シミュレーション結果の一例を示した図である。 第６の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 可変抵抗部の詳細構成図である。
（基板処理装置の構成）
図１は，従来の基板処理装置１の概略構成図である。図２は，下部電極１６に重畳される電圧の概略波形図である。図２では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。ここでは，従来の基板処理装置として平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置について述べる。
ウェハ（Wafer）１５は，この実施形態に係る基板処理装置１の処理対象である。エッチングチャンバ１１は，ウェハ１５の処理に必要な環境を保持する。プロセスガス導入管１２は，ウェハ１５の処理に必要なプロセスガスを導入する。
下部電極１６は，ウェハ１５を保持するための静電チャックを具備する。上部電極１３は，下部電極１６の上部に対向して設けられ，その一端が接地されている。この上部電極１３と下部電極１６は，平行平板電極を形成する。
プラズマ１４は，下部電極１６に印加されたＲＦにより発生する。このプラズマ１４を形成するイオンは，図１中の矢印の向き，すなわちウェハ１５に入射する。この基板処理装置１では，プラズマ１４を利用して，ウェハ１５をエッチング処理する。
排気口１７は，図示しない圧力調整バルブ，排気ポンプに接続されている。エッチングチャンバ１１内の気体は，排気口１７から排気され，エッチングチャンバ１１内の圧力が一定に保たれる。ＲＦ電源１９は，下部電極１６へ印加するＲＦを発生する。整合器１８は，ＲＦ電源１９とプラズマ１４とのインピーダンスを整合する。
ＤＣパルス電源２１は，図２に示す波形の電圧（ＤＣパルス（Pulse））をＬＰＦ（Low Pass Filter）２０へ入力する。図２に示すように，従来の基板処理装置１では，１パルス内において電圧が変化しない矩形波状の電圧を下部電極１６へ印加している。ＬＰＦ２０は，ＤＣパルス電源２１から入力される電圧波形から低周波成分のみを下部電極１６へ入力する。
（基板処理装置の動作）
初めに，真空引きされ所定の圧力に達したエッチングチャンバ１１内に，図示しない搬送機構によりウェハ１５が搬送される。次に，下部電極１６が具備する静電チャックにより，下部電極１６上にウェハ１５が保持される。
次に，プロセスガス導入管１２からウェハ１５の処理に必要なプロセスガスが導入される。このとき，エッチングチャンバ１１内に導入されたプロセスガスは，図示しない圧力調整バルブと排気ポンプにより排気口１７から所定の速度で排気される。この結果，エッチングチャンバ１１内の圧力は一定に保たれる。
次に，ＲＦ電源１９からＲＦが整合器１８を介して下部電極１６へ印加される。また，ＤＣパルス電源２１から図２に示すパルス電圧がＲＦに重畳して下部電極１６へ印加される。
そして，ＲＦ電源１９からのＲＦ電力によりプラズマ密度を制御し，ＤＣパルス電源２１からの負電圧により，ウェハ１５へ入射するイオンの平均エネルギＶｄｃを制御して下部電極１６上に保持されたウェハ１５をエッチング処理する。
（処理中におけるウェハの電圧変化）
図３は，ウェハ１５の電圧変化を説明するための図である。なお，図１で説明したものと同一の構成に同一の符号を付して重複した説明を省略する。図４は，ウェハ１５の電圧変化と時間との概略関係を表した図である。図４では，縦軸に電圧（Voltage）を表わしている。また，横軸に時間（μｓ）を表わしている。なお図４では，縦軸方向上側に向かって電圧が低下する（負電圧が増加する）。
図３に示すように，プラズマ１４を形成するイオンは正に帯電している。このイオンは負電圧を印加された下部電極１６上のウェハ１５へ入射する。
先に述べたように，近年，ウェハ１５が大口径化しており，また，プラズマ１４が高密度化されていることから，単位時間当たりにウェハ１５へ入射するイオン数が増えている。このイオンにより下部電極１６を介してウェハ１５へ印加された負電圧が打ち消され，図４に示すように時間と共にウェハ１５の電圧が上昇する。
図５は，図２に示した波形の電圧を印加した場合におけるウェハ１５および下部電極１６の電圧の変化をシミュレーションした図である。図５では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。
シミュレーションは，プラズマ１４をコンデンサ，電流源，ダイオードから構成される２つのシースと抵抗でモデル化し，プラズマシミュレータ（G.Chen,L.L.Raja,J.Appl.Phys.96,6073(2004)）を用いてプラズマ密度，電子温度，カソードシース静電容量，アノード静電容量を算出した。
以下に算出条件を示す。
Ｗａｆｅｒ径：３００ｍｍ
上部電極１３と下部電極１６との距離：５０ｍｍ
下部電極１６の静電チャック容量：１０ｎＦ
負電圧パルスの周波数：２００ｋＨｚ
エッチングチャンバ１１内圧力：４０ｍＴｏｒｒ（約５．３Ｐａ）
ＲＦ周波数／電力：１００ＭＨｚ／１０００Ｗ
以下に算出結果を示す。
プラズマ密度：１×１０１７個／ｍ３
電子温度：３．０ｅＶ
カソードシース静電容量：２８０ｐＦ
アノード静電容量：１４ｎＦ
次に，回路シミュレータ（PSpice）を用いて，印加した負電圧のウェハ１５の電圧変化を解析した。
実線１０１は，下部電極１６での電圧である。破線１０２は，ＬＰＦ２０を介して下部電極１６へ印加される電圧である。図３，４で説明したように，プラズマ１４から正に帯電したイオンがウェハ１５へ入射する。このため，破線１０２に示すような１パルス内における電圧が一定の電圧を下部電極１６へ印加した場合，実線１０１に示すように時間と共にウェハ１５の電圧が上昇し，最終的には，１パルス内で約２５０ボルト（Voltage）電圧が上昇する。
このように，下部電極１６にＲＦおよびパルス負電圧を重畳して印加する従来の基板処理装置１では，ウェハ１５の電圧が変化するため，ウェハ１５の処理中に入射するイオンの入射エネルギの変動が大きくなっていた。また，イオンの入射エネルギの変動が大きいためにウェハ１５の加工精度が悪化していた。
ここで，１パルス内におけるウェハ１５の電圧変化は，以下の式（１），（２）で示される。
Ｖ（ｔ）＝Ｖｐｕｌｓｅ（ｔ）
＋｛Ｚ・ｅ・Ｓ・Ｂ・Ｎｏ・（ｋ・Ｔｅ／ｍｉ）１／２／Ｃ｝・ｔｐｕｌｓｅ … 式（１）
ｔｐｕｌｓｅ＝Ｄｕｔｙ／ωｐｕｌｓｅ … 式（２）
Ｖ(t)はウェハ１５の電圧の時間変化である。Ｖpulseはパルス電源２１から印加される電圧の時間変化である。Ｓは下部電極１６の面積である。ＢはBohm定数である。Ｎ０はプラズマ１４の密度(電子密度)である。ｋはボルツマン定数である。Ｔｅは電子温度である。ｍｉはプラズマ１４を形成するイオンの質量である。ｅは電子素量である。Ｚはイオン価数である。Ｃは下部電極１６が具備する静電チャック及び静電チャックを含む電気回路の合成静電容量である。ｔpulseはＤＣパルスの印加時間である。Dutyはパルスの印加デューティー比である。ωpulseはパルス周波数である。
式（１）からウェハ１５における電圧上昇を抑制するには以下の対策（１）〜（３）が有効であることがわかる。
（１）Ｖpulseの値を時間経過に伴い降下させる。
（２）静電チャック及び静電チャックを含む電気回路の合成静電容量Ｃを大きくする。
（３）パルスの周波数を上げる，もしくはDuty比を下げる（１パルスの時間を短くする）。
ここで，高周波のパルス電源を作成することは技術的に難しく，またプロセス特性が変化することが考えられる。このため対策（３）をとる場合，Duty比を下げることが現実的である。
また，一般にＬｏｗ−Ｋ材を微細加工する場合のプロセスウィンド（Process Window）の幅は非常に狭いことから，ウェハ１５の電圧変化は５０Ｖ以下に抑制することが好ましい。以下，その理由を説明する。
図６は，マスクとしてのＳｉ３Ｎ４膜（以下，窒化シリコン膜と称す）およびＳｉＯＣ膜（以下，Ｌｏｗ−Ｋ（低誘電性）膜と称す）をエッチング処理時した場合の窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比および窒化シリコン膜のエロージョン（Erosion）とをウェハ１５のバイアス電圧との関係で示した図である。
なお，エロージョンとは，パターンの肩削れのことであり，エッチング後のマスク上面寸法／エッチング前のマスク上面寸法で表される。一般には，この値が０．７より小さくなると下地が露出する。このため，エロージョンを０．７以上にしてウェハ１５を処理する必要がある。
図６の実線１０３は，窒化シリコン膜のエロージョンを表わしている。破線１０４は，窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比を表わしている。また，左縦軸に窒化シリコン膜のエロージョンを，右縦軸に窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比を，横軸にバイアス電圧を示した。
実線１０３に示すように，窒化シリコン膜のエロージョンは，バイアス電圧が−２００Ｖまではほとんど発生しないが，−２００Ｖ以下になると急激にその値が減少する。そしてバイアス電圧が−３００Ｖになるとエロージョンの値が許容限界である０．７以下となる。
また，破線１０４に示すように，窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比は，バイアス電圧が−４００Ｖから−２５０Ｖの間では略一定値をとるが，−２５０Ｖより高いか−４００Ｖより低いバイアス電圧では，窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比が小さくなる。
以上のように，Ｌｏｗ−Ｋ膜をエッチング処理する場合，バイアス電圧が−２５０Ｖ以下であれば窒化シリコン膜とＬｏｗ−Ｋ膜との選択比は十分に大きくなるが，バイアス電圧が−３００Ｖ以下ではエロージョンが許容限界である０．７以下となる。このため，上述したようにバイアス電圧の変化を５０Ｖ程度以下に制御することが好ましい。
以下，ウェハ１５の電圧変化を効果的に抑制するための実施形態について説明する。
（第１の実施形態）
図７は，本発明の一つの実施形態に係る基板処理装置２の概略構成図である。図８は，パルス印加部の詳細構成図である。図９は，下部電極１６に重畳される電圧の概略波形図である。図９では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。
鋸波電源３２は，図９の波線１０６で示される鋸歯波形の電圧をスイッチング回路（第１の切替部）３１へ出力する。また，鋸波電源３２は，同期信号をゲートトリガ３３へ入力する。同期信号は，図９の波線１０６で示される鋸歯波形の任意のポイント，例えば鋸歯波形の最も電圧の低いポイントまたは最も電圧の高いポイント毎にゲートトリガ３３へ入力される。
ゲートトリガ３３は，鋸波電源３２から入力される同期信号に従い，スイッチング回路３１へＯＮ／ＯＦＦのスイッチングを行うための信号を入力する。具体的には，鋸波電源３２から同期信号を受け取ると所定の間隔でＯＮ信号およびＯＦＦ信号を入力する。
スイッチング回路（第１の切替部）３１は，ゲートトリガ３３から入力される信号に従い，鋸波電源３２から入力される電圧のＬＰＦ２０への入力のＯＮ／ＯＦＦのスイッチングを行う。具体的には，ゲートトリガ３３からＯＮ信号を受け取ると鋸波電源３２とのスイッチを接続して，ＬＰＦ２０へ電圧を入力する。また，ゲートトリガ３３からＯＦＦ信号を受け取ると鋸波電源３２とのスイッチを切断して，ＬＰＦ２０への電圧の入力を遮断し，接地する。
この結果，図９の実線１０５で表される波形電圧がＬＰＦ２０へ入力される。
また，ＲＦ電源１９は，整合器１８を介して４０ＭＨｚ以上のＲＦを下部電極１６へ印加する。その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。なお，スイッチング回路３１，鋸波電源３２およびゲートトリガ３３からパルス電圧印加部が構成される。
図１０は，図９の実線１０５に示す波形の電圧を下部電極１６へ印加した場合のウェハ１５の電圧の変化をシミュレーションした図である。図１０では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。なお，シミュレーション条件，方法については，図５で説明した条件，方法と同様である。
実線１０７は，ウェハ１５での電圧である。破線１０８は，ＬＰＦ２０を介して下部電極１６へ印加される電圧である。破線１０８は，プラズマ１４からイオンが入射することによるウェハ１５の電圧上昇を打ち消すため，１パルス内において電圧が約２５０ボルト（Voltage）降下する波形電圧を下部電極１６へ入力する。
以上のように，この第１の実施形態に係る基板処理装置２では，鋸歯形状の波形電圧を出力する鋸波電源３２と，鋸波電源３２から入力される同期信号に従い，スイッチング回路３１へＯＮ／ＯＦＦのスイッチングを行うための信号を入力するゲートトリガ３３と，ゲートトリガ３３からの信号に従い鋸波電源３２から入力される電圧のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチング回路３１とを具備した。そして，図９の実線１０５に示すように１パルス内の電圧が時間に対応して低下（負電圧が増加）するパルス電圧を下部電極１６へ印加する。
このため，下部電極１６上に保持されたウェハ１５の電圧変化を効果的に抑制でき，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。また，ウェハ１５の処理中における下部電極１６の電圧変化を抑制できるので，ウェハ１５へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えることができる。また，ウェハ１５へ入射するイオンの入射エネルギの変動が抑えられるので，ウェハ１５の加工精度が良好となる。
（第１の実施形態の変形例）
図１１，１２は，この第１の実施形態の変形例で下部電極１６へ印加される電圧の波形図である。第１の実施形態では，図９で説明したように鋸波電源３２から出力された鋸歯形状の波形電圧を，スイッチング回路３１により切り出して１パルス内の電圧が時間に対応して低下するパルス電圧を下部電極１６へ印加した。
しかし，エッチング処理中のウェハ１５の電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができれば，必ずしも鋸歯形状の波形電圧を用いる必要はない。そこで，図１１の破線で示すような三角波または図１２の破線で示すような正弦波をスイッチング回路により切り出して，図１１または図１２の実線で示したように１パルス内の電圧が時間に対応して低下するパルス電圧を下部電極１６へ印加してもよい。また，図示していないが，式（１）で説明したように１パルスの時間を短くしても良い。この場合でも，第１の実施形態と同じ効果が得られる。
また，次のようにして，同期をとることもできる。即ち，鋸波電源３２及びスイッチング回路（第１の切替部）３１に，同期をとった所定のタイミングでゲートトリガ４３から信号を入力する。
（第２の実施形態）
図１３は，第２の実施形態に係る基板処理装置３の概略構成図である。図１４は，パルス印加部の詳細構成図である。図１５は，下部電極１６に重畳される電圧の概略波形図である。図１５では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。
ＤＣ電源４２ａから４２ｆは，互いに異なる負電圧をスイッチング回路４１へ入力する。ゲートトリガ４３は，スイッチング回路４１へＤＣ電源４２ａから４２ｆのスイッチングを行うための信号を入力する。スイッチング回路（第２の切替部）４１は，ＤＣ電源４２ａから４２ｆにそれぞれ対応するスイッチ４１ａから４１ｆを具備する。
スイッチ４１ａから４１ｆは，ゲートトリガ４３から入力される信号に従いＯＮ／ＯＦＦを切り替える。具体的には，ゲートトリガ４３からＯＮ信号を受け取るとスイッチ４１ａから４１ｆを接続してＬＰＦ２０へ電圧を入力する。また，ゲートトリガ４３からＯＦＦ信号を受け取るとスイッチ４１ａから４１ｆを切断してＬＰＦ２０への電圧の入力を遮断する。なお，スイッチ４１ａから４１ｆの制御は個別に行われる。
その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。なお，スイッチング回路４１，ＤＣ電源４２ａから４２ｆおよびゲートトリガ４３からパルス電圧印加部が構成される。
この第２の実施形態では，図１５の実線で表される電圧波形を得るため，以下に説明する制御を行う。なお，１パルス内における電圧上昇が２５０Ｖ，１パルスの時間が３６μｓであるとする。
ＤＣ電源４２ａは−５００Ｖを出力する。ＤＣ電源４２ｂは−５５０Ｖを出力する。ＤＣ電源４２ｃは，−６００Ｖを出力する。ＤＣ電源４２ｄは−６５０Ｖを出力する。ＤＣ電源４２ｅは−７００Ｖを出力する。ＤＣ電源４２ｆは，−７５０Ｖを出力する。
ゲートトリガ４３は，６μｓ毎に信号をスイッチング回路４１へ入力する。スイッチング回路４１は，ゲートトリガ４３からの信号に従い，ＤＣ電源４２ａ乃至４２ｆから入力される電圧を切り替えてＬＰＦ２０を介して下部電極１６へ印加する。
図１６は，図１５に示した波形の電圧を下部電極１６へ印加した場合におけるウェハ１５の電圧変化をシミュレーションした図である。図１６では，縦軸に電圧（Voltage）を表わしている。また，横軸に時間（μｓ）を表わしている。なお，シミュレーション条件，方法は，図５で説明した条件，方法と同様である。
実線１０９は，ウェハ１５での電圧の波形である。破線１１０は，下部電極１６へ印加される電圧の波形である。ゲートトリガ４３およびスイッチング回路４１により，ＤＣ電源４２ａから４２ｆから出力される負電圧を一定間隔で切り替えている。このため，破線１１０に示すように下部電極１６へ印加される電圧は，−５００Ｖ，−５５０Ｖ，−６００Ｖ，−６５０Ｖ，−７００Ｖ，−７５０Ｖと段階的に変化する。
その結果，１パルス内におけるウェハ１５の電圧の変化を，実線１０９に示すように約５０Ｖ程度に抑制できる。なお，ＤＣ電源の数は６個に限られず変更可能である。
以上のように，この第２の実施形態に係る基板処理装置３では，互いに異なる負電圧を出力する複数のＤＣ電源４２ａから４２ｆと，この複数のＤＣ電源から出力される電圧を選択して下部電極１６へ印加するスイッチング回路４１とを具備している。そして，１パルス内において段階的に電圧が低下する波形の電圧を下部電極１６へ印加している。
このため，下部電極１６上に保持されたウェハ１５の電圧変化を効果的に抑制でき，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。その他の効果は第１の実施形態と同じである。
なお，ユーザによる入力を受け付ける入力受付部をさらに具備し，例えばレシピ上において，ＤＣ電源４２ａ乃至４２ｆの出力電圧と，ゲートトリガ４３のＤＣ電源４２ａ乃至４２ｆの切り替えタイミングを設定できるように構成しても良い。
（第３の実施形態）
図１７は，第３の実施形態に係る基板処理装置４の概略構成図である。
電圧モニタ（電圧測定部）５１は，下部電極１６の電圧を測定し，測定した電圧を切替指示回路５２へ入力する。切替指示回路５２は，電圧モニタ５１から入力される下部電極１６の電圧に応じてスイッチング回路４１へＤＣ電源４２ａから４２ｆの切り替えを指示する。
具体的には，下部電極１６上のウェハ１５の電圧変化を５０Ｖ以下に抑制するため，切替指示回路５２は，電圧モニタ５１から入力される電圧が５０Ｖ上昇する毎に，スイッチング回路４１が具備するスイッチ回路４１ａから４１ｆに対してＯＮ／ＯＦＦを指示する信号をスイッチング回路４１へ入力する。
スイッチング回路４１は，切替指示回路５２からの指示に応じて，スイッチ回路４１ａから４１ｆのＯＮまたはＯＦＦを行う。このため，下部電極１６へ印加される電圧が，−５００Ｖ，−５５０Ｖ，−６００Ｖ，−６５０Ｖ，−７００Ｖ，−７５０Ｖと段階的に変化する。
その他の構成要素については，図１，図１３で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。
以上のように，この第３の実施形態に係る基板処理装置４では，下部電極１６の電圧を測定する電圧モニタ５１と，電圧モニタ５１で測定された下部電極１６の電圧に応じてスイッチング回路４１へＤＣ電源４２ａから４２ｆの切り替えを指示する切替指示回路５２とを具備した。
このため，下部電極１６上に保持されたウェハ１５の電圧変化を効果的に抑制でき，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。その他の効果は，第１の実施形態と同じである。
なお，電圧モニタ５１の代わりにプラズマ１４の電子密度を測定するプラズマモニタ（ラングミュアプローブ等のプラズマ測定部）を具備しても良い。このプラズマモニタによるプラズマ１４の電子密度または電子温度に応じてスイッチング回路４１へ切り替え指示をするようにしても，同じ効果を得ることができる。例えば，プラズマの電子密度が高いプラズマの場合には，スイッチング回路４１によるＤＣ電源切り替えタイミングを早くし，電圧上昇を早くすることにより，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。
また，第２の実施形態と同様に，ユーザによる入力を受け付ける入力受付部をさらに具備し，電圧モニタ５１による下部電極１６の電圧，またはプラズマモニタによる電子温度，電子密度に応じてＤＣ電源４２ａから４２ｆの出力電圧を設定できるように構成しても良い。また，ＤＣ電源の数は６個に限られず変更可能である。
（第３の実施形態の変形例）
図１８は，第３の実施形態の変形例に係る基板処理装置５の概略構成図である。この第３の実施形態の変形例では，電圧モニタ５１による下部電極１６の電圧，またはプラズマモニタによる電子温度，電子密度に応じて鋸波電源３２の電圧変動勾配を変えることにより，ウェハ１５での電圧変化を小さく押さえるように構成した。
例えば，下部電極１６の電圧上昇が大きい場合には，あるいはプラズマ１４の電子密度が大きい，または電子温度が高い場合には，鋸波電源３２の電圧変動勾配を急峻にすることにより，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。
（第４の実施形態）
図１９は，第４の実施形態に係る基板処理装置６の概略構成図である。
可変コンデンサ６１は，静電容量を可変できるコンデンサである。この可変コンデンサ６１は，静電チャックを具備する下部電極１６に直列に接続される。制御回路６２は，電圧モニタ５１から入力される下部電極１６の電圧に応じて可変コンデンサ６１の静電容量を変化させる。具体的には，始めの静電チャックの静電容量を大きくしておき，制御回路６２は，電圧モニタ５１から入力される電圧が上昇すると，該上昇に対応して可変コンデンサ６１の静電容量を増加させ，静電チャックとの合成静電容量Ｃを増加させる。
その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。
可変コンデンサ６１の位置は，下部電極１６に直列でも良いし，重畳するＲＦ回路内の直列位置でも良い。また，重畳するＤＣパルス回路内の直列位置，例えば図２０に示す基板処理装置７のとおり，ＬＰＦ２０の前後，またはＬＰＦ２０あるいはパルス電源２１の内部に直列に具備させても良い。可変コンデンサ６１の静電容量を増加させることで静電チャックとの合成静電容量Ｃは増加し，ウェハ１５での電圧変化を低く抑えることが可能となる。
以上のように，この第４の実施形態に係る基板処理装置６は，下部電極１６の電圧を測定する電圧モニタ５１と，電圧モニタ５１で測定された下部電極１６の電圧に応じて可変コンデンサ６１の静電容量，そして合成静電容量Ｃを増加させる制御回路６２とを具備した。
このため，下部電極１６上に保持されたウェハ１５の電圧変化を効果的に抑制でき，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることができる。
その他の効果は，第１の実施形態と同じである。
また，第１乃至第３の実施形態が具備する構成要素のみではウェハ１５での電圧変化が大きすぎる場合にも，合成コンデンサ容量Ｃを増加させることにより，ウェハ１５での電圧変化を５０Ｖ以下に抑えることが可能となる。
（第５の実施形態）
図２１は，第５の実施形態に係る基板処理装置６の概略構成図である。基板処理装置８は，パルス電圧発生部７１，制御部７２，プラズマモニタ７３を含む。
パルス電圧発生部７１は，パルス群電圧波形を生成する。
図２２は，下部電極１６に重畳されるパルス群電圧波形の一例を表す。図２０では，縦軸方向に電圧（Voltage）を，横軸方向に時間（ｓ）を表わしている。このパルス群電圧波形では，複数のパルス状波形（パルス群）を含む期間ｔｔ１と，パルス状波形を含まない期間（パルス群間の休止時間）ｔ２が繰り返される。期間ｔｔ１において，休止時間（パルス間の休止時間）ｔ１，周波数ω１（パルス間の時間間隔Δｔ（＝１／ω１））で，Ｎ１個のパルス状波形が繰り返される。
図２２に示すパルス状波形では，電圧Ｖ０（通常０Ｖ），ＶＴＯＰの一定電圧の期間が存在する。これに対して，この期間でのある程度の電圧の変動が許容される。即ち，パルス状波形として，純粋なパルス波形の他に，疑似パルス（例えば，ｓｉｎ波）を用いることも許容される。
制御部７２は，パルス群電圧波形を制御する。制御部７２は，パルスの個数Ｎ１，周波数ω１，休止時間ｔ１，ｔ２の少なくともいずれかを制御する。
図２３は，図２２に示すパルス群電圧波形を下部電極１６へ印加した場合のウェハ１５の電圧の変化をシミュレーションした図である。ここでは，図５でのウェハ１５および下部電極１６の電圧の変化（図２に示す単一パルス波形の場合）と比較して示している。図２３では，縦軸に電圧（Voltage）を，横軸に時間（μｓ）を表わしている。なお，シミュレーション条件，方法については，図５で説明した条件，方法と同様である。
グラフ７０１〜７０３は，パルス群電圧波形に対応する。グラフ７０１（破線）は，ＬＰＦ２０を介して下部電極１６へ印加される電圧であり，図２２に示すパルス群電圧波形に対応する。グラフ７０２（実線）は，このときのウェハ１５での電圧である。パルス電圧の印加に伴って，ウェハ１５での電圧が変動し，１つのパルスに対応して電圧がピークを有する。グラフ７０３は，このピーク電圧Ｖｐの時間的な変動（勾配）を表す。時間の変動に伴って，ピーク電圧Ｖｐの絶対値が減少し，１つのパルス群で電圧降下ΔＶｐが生じている。
一方，グラフ８０１〜８０３は，単一パルス電圧波形に対応する。グラフ８０１（破線）は，ＬＰＦ２０を介して下部電極１６へ印加される電圧であり，図２に示す単一パルス電圧波形に対応する。グラフ８０２（実線）は，このときのウェハ１５での電圧である。グラフ８０３は，この電圧の時間的な変動（勾配）を表す。時間の変動に伴って，電圧の絶対値が減少し，１つのパルスで電圧降下ΔＶが生じている。
図２３では，パルス群電圧波形での期間ｔｔ１と単一パルス電圧波形でのパルス幅ｔｗを同一としている。このとき，前者での電圧降下ΔＶｐは後者での電圧降下ΔＶより小さい（ΔＶｐ＜ΔＶ）。即ち，パルス群電圧波形の方が単一パルス電圧波形よりも電圧降下が生じにくいことが判る。
パルス群電圧波形を用いることで，次のような利点（１）〜（３）が生じる。
（１）パルスの個数Ｎ１を調節することで，ウェハ１５でのピーク電圧Ｖｐ（ｔ）の変化（電圧降下）ΔＶｐが５０Ｖ以下となるように制御できる。
パルス群電圧波形による電圧Ｖ（ｔ）の変化は，次の式（３）で表される。また，１つのパルス群でのピーク電圧Ｖｐの変化（電圧降下）ΔＶｐは，次の式（４）で表される。
Ｖ（ｔ）＝Ｖｐｕｌｓｅ（ｔ）
＋｛Ｚ・ｅ・Ｓ・Ｂ・Ｎｏ・（ｋ・Ｔｅ／ｍｉ）１／２／Ｃ｝・ｔｅｆｆ
… 式（３）
ΔＶｐ＝＋｛Ｚ・ｅ・Ｓ・Ｂ・Ｎｏ・（ｋ・Ｔｅ／ｍｉ）１／２／Ｃ｝・ｔｅｆｆ … 式（４）
ｔｅｆｆ＝（（１／ω１）−ｔ１）・Ｎ１ … 式（５）
Ｖ(t)はウェハ１５の電圧の時間変化である。Ｖpulseはパルス電圧発生部７１から印加される電圧の時間変化である。Ｓは下部電極１６の面積である。ＢはBohm定数である。Ｎｏはプラズマ１４の密度(電子密度)である。ｋはボルツマン定数である。Ｔｅは電子温度である。ｍｉはプラズマ１４を形成するイオンの質量である。ｅは電子素量である。Ｚはイオン価数である。Ｃは下部電極１６が具備する静電チャック及び静電チャックを含む電気回路の合成静電容量である。ｔｅｆｆは実効パルス印加時間（１つのパルス群において，パルス電圧が実効的に印加される時間）である。ω１はパルスの周波数である。
この式（５）からパルスの個数Ｎ１により，電圧降下ΔＶｐを制御できることが判る。なお，休止時間ｔ１，周波数ω１によっても電圧降下ΔＶを制御できる。電圧降下ΔＶｐはプラズマ密度Ｎｏ，電子温度Ｔｅ，容量Ｃ，抵抗Ｒ，イオン質量ｍｉ，実効パルス印加時間ｔｅｆｆで決定される。
（２）ＤＣパルス波形と比較して，パルス群電圧波形では，電圧降下の勾配が緩やかとなる。
既述のように，パルス群電圧波形の方が単一パルス電圧波形よりも電圧降下が生じにくい。これは，休止時間ｔ１における電子電流による電圧回復効果があるためである。即ち，休止時間ｔ１において，ウェハ１５上に蓄積された電荷が開放される。これは，実効パルス印加時間ｔｅｆｆが休止時間ｔ１に依存することにも示される。
（３）個々のパルスではなく，１つのパルス群で，イオンを制御することができる。
次の式（６）に示すように，休止時間ｔ１をプラズマイオンの時定数（１／ωｐ）より短くする。この結果，個々のパルス自体がイオンの動きに大きな影響を与えないようにすることができる。即ち，個々のパルスの電圧変化にイオンの動きが追随しないため，イオンからは１つのパルス群が１つのパルスであるかのように感じられる。
ｔ１＜ １／ωｐ［秒］ …… 式（６）
ωｐ（＝ｅ２Ｎ０／ε０ｍｉ）１／２：プラズマイオン周波数
ｅ：電子素量
ε０：真空の誘電率
ｍｉ：イオンの質量
Ｎ０：プラズマの密度
式（６）によれば，例えば，プラズマイオン周波数ωｐを５［ＭＨｚ］とすると，休止時間ｔ１は約０．２［μｓｅｃ］程度以下とすることになる。このようにすることで，個々のパルスではなく，１つのパルス群の全体で，イオンを制御することができる。この場合，１つのパルス群での電圧の平均値（平均印加電圧）により，イオンが実質的に移動し，ウェハ１５に入射する即ち，パルス群電圧波形を用いても，イオンの入射エネルギの均一性を確保することができる。
一方，イオンの入射エネルギが平均印加電圧に依存することは，イオンの入射エネルギを大きくするのに，より大きなパルス電圧が必要となることを意味する。しかしながら，パルス電圧が十分に大きければ，パルス電圧を一定としても，平均印加電圧（ひいてはイオンの入射エネルギ）を調整できる。即ち，パルスの個数Ｎ１，周波数ω１，休止時間ｔ１によって，イオンの入射エネルギを調整できる。
プラズマモニタ７３は，プラズマ１４の電子密度または電子温度を測定する，例えば，ラングミュアプローブである。
制御部７２は，この測定結果に応じて，パルス群電圧波形を制御することができる。例えば，電子密度が高いプラズマの場合には，実効パルス印加時間ｔｅｆｆが小さくなるように，パルス数Ｎ１，パルスの周波数ω１，休止時間ｔ１を制御することで，ウェハ１５での電圧変化を抑制できる。
また，プラズマモニタ７３に換えて，電圧モニタを用いて下部電極１６の電圧を測定しても良い。下部電極１６の電圧の変化が大きいときに，実効パルス印加時間ｔｅｆｆが小さくなるように，パルス数Ｎ１，パルスの周波数ω１，休止時間ｔ１を制御する。この結果，下部電極１６の電圧の変化を抑制できる。
その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。
（第６の実施形態）
図２４は，第６の実施形態に係る基板処理装置７の概略構成図である。基板処理装置７は，可変抵抗部８１，抵抗制御部８２，プラズマモニタ７３を含む。
図２５に示すように，可変抵抗部８１は，抵抗８１１，スイッチ８１２を有し，スイッチ８１２のＯＮ／ＯＦＦにより，抵抗値を可変できる。スイッチ８１２として，バイポーラトランジスタ，ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：ＭＯＳ電界効果トランジスタ），ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等を利用できる。スイッチ８１２の時定数は数１０ＭＨｚ程度で足りる。ここでは，３組の抵抗８１１，スイッチ８１２を表している。これに対して，より多数組（例えば，１０〜１００組）の抵抗８１１，スイッチ８１２を用いても良い。多数組の抵抗８１１，スイッチ８１２を用いると，可変抵抗部８１の抵抗をよりきめ細かく変化することができる。
抵抗制御部８２は，スイッチ８１２を操作し，可変抵抗部８１の抵抗値を制御する。
ここで，１パルス内におけるウェハ１５の電圧変化Ｖ（ｔ）は，以下の式（７）で示される。また，１つのパルスでの電圧の変化（電圧降下）ΔＶは，次の式（８）で表される。
Ｖ（ｔ）＝Ｖｃｏｎｓｔ
＋｛Ｓ・Ｂ・Ｎｏ・（ｋ・Ｔｅ／ｍｉ）１／２｝
・｛［Dｕｔｙ／（ωｐｕｌｓｅ・Ｃ）］２＋Ｒ２｝１／２… 式（７）
ΔＶ＝＋｛Ｓ・Ｂ・Ｎｏ・（ｋ・Ｔｅ／ｍｉ）１／２｝
・｛［Dｕｔｙ／（ωｐｕｌｓｅ・Ｃ）］２＋Ｒ２｝１／２… 式（８）
Ｖ(t)はウェハ１５の電圧の時間変化である。Ｖconstはパルス電源２１から印加されるパルスの電圧である。Ｓは下部電極１６の面積である。ＢはBohm定数である。Ｎ０はプラズマ１４の密度(電子密度)である。ｋはボルツマン定数である。Ｔｅは電子温度である。ｍｉはプラズマ１４を形成するイオンの質量である。Ｃは下部電極１６が具備する静電チャック及び静電チャックを含む電気回路の合成静電容量である。Dutyはパルスの印加デューティー比である。ωpulseはパルス周波数である。Ｒは，可変抵抗部８１での抵抗である。
式（８）に示されるように，抵抗Ｒを小さくすることで，電圧Ｖ（ｔ）の変動を抑制できる。
プラズマモニタ７３は，プラズマ１４の電子密度または電子温度を測定するもの，例えば，ラングミュアプローブである。
抵抗制御部８２は，プラズマモニタ７３での測定結果（電子密度または電子温度）に応じて，抵抗Ｒを制御することができる。例えば，プラズマの電子密度に応じて，抵抗Ｒを小さくなるように可変抵抗部８１を制御することで，ウェハ１５での電圧変化を抑制できる。
また，プラズマモニタ７３に換えて，電圧モニタを用いて下部電極１６の電圧を測定しても良い。下部電極１６の電圧の変化が大きいときに，可変抵抗部８１を制御し，抵抗Ｒを小さくする。この結果，下部電極１６の電圧の変化を抑制できる。
その他の構成要素については，図１で説明しているため，共通する構成要素については，同一の符号を付して重複説明を省略する。
（その他の実施形態）
なお，本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく，実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば，基板処理装置として，ＲＩＥの他，プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置などにも適用することができる。
１乃至７…基板処理装置，１１…エッチングチャンバ，１２…プロセスガス導入管，１３…上部電極，１４…プラズマ，１５…ウェハ，１６…下部電極，１７…排気口，１８…整合器，１９…ＲＦ（高周波）電源，２０…ＬＰＦ（Low Pass Filter），２１…ＤＣ電源，３１，４１…スイッチング回路（第１，２の切替部），３２…鋸波電源，３３，４３…ゲートトリガ，４２ａ乃至４２ｆ…ＤＣ電源，５１…電圧モニタ（電圧測定部），５２…制御回路，６１…可変コンデンサ，６２…制御回路。

Claims (13)

  1. チャンバと，
    前記チャンバ内に配置され，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，
    前記第１の電極に対向して前記チャンバ内に配置された第２の電極と，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，
    前記ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を前記第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記パルス電圧印加部は，
    周期的に変化する電圧を出力する電源と，
    前記電源から出力される電圧を所定の間隔で前記第１の電極へ印加する第１の切替部と，を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記パルス電圧印加部は，
    互いに異なる電圧を出力する複数の電源と，
    前記電源から出力される電圧を所定の間隔で切り替えて前記第１の電極へ印加する第２の切替部と，を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記パルス電圧印加部は，
    前記第１の電極の電圧を測定する電圧測定部またはプラズマ状態を測定するプラズマ測定部と，
    前記電圧測定部またはプラズマ測定部の測定結果に応じて，前記第２の切替部へ前記電源から出力される電圧の切り替えを指示する切替指示部と，を有する
    ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記プラズマ状態は，プラズマの電子密度または電子温度であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. チャンバと，
    前記チャンバ内に配置され，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，
    前記第１の電極に対向して前記チャンバ内に配置された第２の電極と，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，
    パルス電圧を前記ＲＦ電圧に重畳して前記第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，
    前記第１の電極と前記パルス電圧印加部との間に介在し，前記第１の電極に対して直列に接続された可変容量コンデンサと，
    前記第１の電極の電圧を測定する電圧測定部またはプラズマの電子密度を測定するプラズマ測定部と，
    前記電圧測定部またはプラズマ測定部の測定結果に応じて，前記可変容量コンデンサの電荷容量を変化させる制御部と，
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  7. チャンバと，
    前記チャンバ内に配置され，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，
    前記第１の電極に対向して前記チャンバ内に配置された第２の電極と，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，
    休止時間ｔ１，周波数ω１で繰り返される，Ｎ１個のパルス状波形を含むパルス群波形の第１の期間と，パルス状波形を含まず，かつこの休止時間ｔ１より長い休止時間ｔ２の第２の期間と，が繰り返される電圧波形を，前記ＲＦ電圧に重畳して前記第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  8. 前記第１の電極の電圧を測定する電圧測定部またはプラズマ電子密度を測定するプラズマ測定部と，
    前記電圧測定部またはプラズマ測定部の測定結果に応じて，前記個数Ｎ１，周波数ω１，休止時間ｔ１，ｔ２の少なくともいずれかを制御する制御部，
    をさらに具備することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記休止時間ｔ１は，次の式で表される
    ことを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
    ｔ１＜ １／ωｐ［秒］
    ωｐ（＝ｅ２Ｎ０／ε０ｍｉ）１／２：プラズマイオン周波数
    ｅ：電子素量
    ε０：真空の誘電率
    ｍｉ：イオンの質量
    Ｎ０：プラズマの密度
  10. チャンバと，
    前記チャンバ内に配置され，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，
    前記第１の電極に対向して前記チャンバ内に配置された第２の電極と，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，
    前記ＲＦ電圧に重畳して，前記第１の電極へパルス電圧を印加するパルス電圧印加部と，
    前記パルス電圧印加部内，あるいは前記パルス電圧印加部から前記第１の電極の間に設けられる可変抵抗と，
    前記可変抵抗の抵抗値Ｒを制御する制御部と，
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  11. １パルス内または１パルス群における前記第１の電極上に保持された基板の電圧変化が５０ボルト以下であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  12. チャンバ内に配置された電極上に処理対象である基板を保持するステップと，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するステップと，
    前記ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を前記第１の電極へ印加するステップと，
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
  13. チャンバ内に配置された電極上に処理対象である基板を保持するステップと，
    前記第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するステップと，
    休止時間ｔ１，周波数ω１で繰り返される，Ｎ１個のパルス状波形を含むパルス群波形の第１の期間と，パルス状波形を含まず，かつこの休止時間ｔ１より長い休止時間ｔ２の第２の期間と，が繰り返される電圧波形を，前記ＲＦ電圧に重畳して前記第１の電極へ印加するステップと，
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
JP2009075135A 2008-09-24 2009-03-25 基板処理装置および基板処理方法 Active JP5295833B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009075135A JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2009-03-25 基板処理装置および基板処理方法
US12/562,137 US20100072172A1 (en) 2008-09-24 2009-09-18 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR1020090089427A KR20100034703A (ko) 2008-09-24 2009-09-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW098132074A TWI505752B (zh) 2008-09-24 2009-09-23 A substrate processing apparatus and a substrate processing method
CN201310162785.8A CN103258707B (zh) 2008-09-24 2009-09-24 基板处理装置和基板处理方法
CN2009101756265A CN101685772B (zh) 2008-09-24 2009-09-24 基板处理装置和基板处理方法
US14/626,277 US10388544B2 (en) 2008-09-24 2015-02-19 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR1020150144283A KR101638746B1 (ko) 2008-09-24 2015-10-15 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008244260 2008-09-24
JP2008244260 2008-09-24
JP2009075135A JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2009-03-25 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010103465A true JP2010103465A (ja) 2010-05-06
JP5295833B2 JP5295833B2 (ja) 2013-09-18

Family

ID=42036564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009075135A Active JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2009-03-25 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20100072172A1 (ja)
JP (1) JP5295833B2 (ja)
KR (2) KR20100034703A (ja)
CN (2) CN103258707B (ja)
TW (1) TWI505752B (ja)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079886A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toshiba Corp 基板処理方法および基盤処理装置
JP2012104382A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法
JP2015534716A (ja) * 2012-08-28 2015-12-03 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． 切り替えモードイオン分布システムの故障、異常、および他の特性を監視するためのシステムおよび方法
JP2016149560A (ja) * 2010-08-29 2016-08-18 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． イオンエネルギー分布を制御するためのシステム、方法、および装置
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
KR20190019853A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2020077862A (ja) * 2018-11-05 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
US10707055B2 (en) 2017-11-17 2020-07-07 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing
JP2020526007A (ja) * 2017-05-25 2020-08-27 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド 加工チャンバの電極に予め歪ませたｒｆバイアス電圧信号を供給するための区分的ｒｆ電力システムおよび方法
US10811227B2 (en) 2017-11-17 2020-10-20 Advanced Energy Industries, Inc. Application of modulating supplies in a plasma processing system
US10896807B2 (en) 2017-11-17 2021-01-19 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization between an excitation source and a substrate bias supply
JP2021145152A (ja) * 2019-08-05 2021-09-24 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP2022545980A (ja) * 2019-10-02 2022-11-01 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー 誘電体基板のプラズマ処理に最適なイオンエネルギーの決定
WO2023026317A1 (ja) * 2021-08-23 2023-03-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
JP2023533840A (ja) * 2020-07-15 2023-08-04 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー プラズマ支援加工装置用の電圧波形発生器
US11887812B2 (en) 2019-07-12 2024-01-30 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with a single controlled switch
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply
WO2024129517A1 (en) * 2022-12-14 2024-06-20 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling an lf rf pulse generator to increase selectivity
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
JP2024534993A (ja) * 2021-09-09 2024-09-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ中のイオンエネルギー分布をデジタル制御するための方法及び装置
US12125674B2 (en) 2020-05-11 2024-10-22 Advanced Energy Industries, Inc. Surface charge and power feedback and control using a switch mode bias system
US12159767B2 (en) 2017-11-17 2024-12-03 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial control of plasma processing environments
US12230476B2 (en) 2017-11-17 2025-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Integrated control of a plasma processing system
WO2025197564A1 (ja) * 2024-03-22 2025-09-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、バイアス電源システム、及びプラズマ処理方法
US12505986B2 (en) 2017-11-17 2025-12-23 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization of plasma processing components
US12567572B2 (en) 2023-07-11 2026-03-03 Advanced Energy Industries, Inc. Plasma behaviors predicted by current measurements during asymmetric bias waveform application

Families Citing this family (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11978611B2 (en) * 2009-05-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus with switches to produce a waveform
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9435029B2 (en) * 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
JP5486383B2 (ja) * 2010-04-13 2014-05-07 富士フイルム株式会社 ドライエッチング方法及び装置
US9309594B2 (en) * 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
JP5718124B2 (ja) * 2011-03-30 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20130014302A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8872525B2 (en) 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US9083182B2 (en) * 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
US9263240B2 (en) 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
KR101971312B1 (ko) * 2011-11-23 2019-04-22 램 리써치 코포레이션 다중 존 가스 주입 상부 전극 시스템
KR102011535B1 (ko) 2011-11-24 2019-08-16 램 리써치 코포레이션 가요성 있는 대칭적 rf 복귀 스트랩을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
KR101909571B1 (ko) 2012-08-28 2018-10-19 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
KR102222902B1 (ko) * 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
KR20160028612A (ko) * 2014-09-03 2016-03-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10622217B2 (en) * 2016-02-04 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of plasma etching and method of fabricating semiconductor device using the same
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) * 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
JP6645921B2 (ja) * 2016-07-07 2020-02-14 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10312048B2 (en) 2016-12-12 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Creating ion energy distribution functions (IEDF)
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10242893B2 (en) * 2017-06-20 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for de-chucking a workpiece using a swing voltage sequence
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
JP2019036655A (ja) * 2017-08-18 2019-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 エッチング方法およびエッチング加工装置
US10763150B2 (en) 2017-09-20 2020-09-01 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage
US10714372B2 (en) 2017-09-20 2020-07-14 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to portions of a substrate
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10811296B2 (en) 2017-09-20 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with dual embedded electrodes
US10904996B2 (en) 2017-09-20 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrically floating power supply
US12288673B2 (en) 2017-11-29 2025-04-29 COMET Technologies USA, Inc. Retuning for impedance matching network control
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10991591B2 (en) * 2018-01-29 2021-04-27 Ulvac, Inc. Reactive ion etching apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
JP2019186098A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマを生成する方法
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
JP7061922B2 (ja) 2018-04-27 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6965205B2 (ja) * 2018-04-27 2021-11-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置、及びエッチング方法
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR102592922B1 (ko) 2018-06-21 2023-10-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 신호 소스 장치, 물질막의 처리 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
JP7068140B2 (ja) * 2018-11-05 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
KR102410815B1 (ko) * 2018-12-12 2022-06-21 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN118315254A (zh) 2019-01-22 2024-07-09 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
JP7234036B2 (ja) 2019-05-28 2023-03-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US11114279B2 (en) 2019-06-28 2021-09-07 COMET Technologies USA, Inc. Arc suppression device for plasma processing equipment
US11527385B2 (en) 2021-04-29 2022-12-13 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks
US11596309B2 (en) 2019-07-09 2023-03-07 COMET Technologies USA, Inc. Hybrid matching network topology
US11043387B2 (en) 2019-10-30 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
JP7262375B2 (ja) * 2019-11-26 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US11830708B2 (en) 2020-01-10 2023-11-28 COMET Technologies USA, Inc. Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves
US12027351B2 (en) 2020-01-10 2024-07-02 COMET Technologies USA, Inc. Plasma non-uniformity detection
US11521832B2 (en) 2020-01-10 2022-12-06 COMET Technologies USA, Inc. Uniformity control for radio frequency plasma processing systems
US11887820B2 (en) 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
US11670488B2 (en) 2020-01-10 2023-06-06 COMET Technologies USA, Inc. Fast arc detecting match network
US11961711B2 (en) 2020-01-20 2024-04-16 COMET Technologies USA, Inc. Radio frequency match network and generator
US11605527B2 (en) 2020-01-20 2023-03-14 COMET Technologies USA, Inc. Pulsing control match network
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
KR102723233B1 (ko) * 2021-02-04 2024-10-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US12057296B2 (en) 2021-02-22 2024-08-06 COMET Technologies USA, Inc. Electromagnetic field sensing device
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US12525441B2 (en) 2021-06-09 2026-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US20220399186A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11923175B2 (en) 2021-07-28 2024-03-05 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for variable gain tuning of matching networks
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US12243717B2 (en) 2022-04-04 2025-03-04 COMET Technologies USA, Inc. Variable reactance device having isolated gate drive power supplies
US11657980B1 (en) 2022-05-09 2023-05-23 COMET Technologies USA, Inc. Dielectric fluid variable capacitor
US12040139B2 (en) 2022-05-09 2024-07-16 COMET Technologies USA, Inc. Variable capacitor with linear impedance and high voltage breakdown
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US12051549B2 (en) 2022-08-02 2024-07-30 COMET Technologies USA, Inc. Coaxial variable capacitor
US12586768B2 (en) 2022-08-10 2026-03-24 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage compensation for plasma processing applications
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus
US12132435B2 (en) 2022-10-27 2024-10-29 COMET Technologies USA, Inc. Method for repeatable stepper motor homing
NL2033565B1 (en) * 2022-11-18 2024-05-30 Prodrive Tech Innovation Services B V Voltage waveform generator for ion energy control in plasma processing
KR102734150B1 (ko) * 2022-12-13 2024-11-26 주식회사 다원시스 플라즈마를 이용한 반도체 제조 설비에서 고전압 변조 비정현파 발생 장치 및 방법
KR102731510B1 (ko) * 2022-12-13 2024-11-18 주식회사 다원시스 플라즈마를 이용한 반도체 제조 설비에서 다중레벨 고전압 비정현파 신호 발생 장치 및 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129621A (ja) * 1995-09-28 1997-05-16 Applied Materials Inc パルス波形バイアス電力
JP2008085288A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Toshiba Corp 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4950376A (en) * 1988-06-21 1990-08-21 Agency Of Industrial Science & Technology Method of gas reaction process control
DE69408405T2 (de) * 1993-11-11 1998-08-20 Nissin Electric Co Ltd Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung
US5995449A (en) * 1995-10-20 1999-11-30 Baker Hughes Inc. Method and apparatus for improved communication in a wellbore utilizing acoustic signals
JPH1079372A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6098568A (en) * 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
DE69942034D1 (de) * 1998-11-04 2010-04-01 Surface Technology Systems Plc Verfahren zur ätzung eines substrats
US6255221B1 (en) * 1998-12-17 2001-07-03 Lam Research Corporation Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage
US7361287B2 (en) * 1999-04-30 2008-04-22 Robert Bosch Gmbh Method for etching structures in an etching body by means of a plasma
DE19933842A1 (de) * 1999-07-20 2001-02-01 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas
US6558564B1 (en) * 2000-04-05 2003-05-06 Applied Materials Inc. Plasma energy control by inducing plasma instability
DE10018879B4 (de) * 2000-04-17 2013-02-28 Melec Gmbh Stromversorgungsgerät zur bipolaren Stromversorgung
US6948515B2 (en) * 2000-07-07 2005-09-27 Zook Enterprises, Llc Carbon rupture disk assembly
JP2003234331A (ja) * 2001-12-05 2003-08-22 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
US20030153195A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing modulated bias power to a plasma etch reactor
US7169255B2 (en) * 2002-02-15 2007-01-30 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus
CN100418187C (zh) * 2003-02-07 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
US7008877B2 (en) * 2003-05-05 2006-03-07 Unaxis Usa Inc. Etching of chromium layers on photomasks utilizing high density plasma and low frequency RF bias
JP2006082725A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Denso Corp 空調装置
US7713430B2 (en) * 2006-02-23 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Using positive DC offset of bias RF to neutralize charge build-up of etch features
US20080005722A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Hidenori Matsuzaki Compiling device, compiling method and recording medium
US7851367B2 (en) * 2006-08-31 2010-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for plasma processing a substrate
JP2008060429A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8192576B2 (en) * 2006-09-20 2012-06-05 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for measuring and controlling wafer potential in pulsed RF bias processing
JP4660498B2 (ja) * 2007-03-27 2011-03-30 株式会社東芝 基板のプラズマ処理装置
JP4607930B2 (ja) * 2007-09-14 2011-01-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5224837B2 (ja) * 2008-02-01 2013-07-03 株式会社東芝 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE102008037085B3 (de) * 2008-08-08 2009-08-06 Alstom Technology Ltd. Verfahren zur Herstellung von Dampferzeuger-Rohrwänden bestehend aus überwiegend 9-12% chromhaltigen, martensitischen Stählen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129621A (ja) * 1995-09-28 1997-05-16 Applied Materials Inc パルス波形バイアス電力
JP2008085288A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Toshiba Corp 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US11011349B2 (en) 2009-05-01 2021-05-18 Aes Global Holdings, Pte. Ltd. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
JP2016149560A (ja) * 2010-08-29 2016-08-18 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． イオンエネルギー分布を制御するためのシステム、方法、および装置
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8821744B2 (en) 2010-09-30 2014-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2012079886A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toshiba Corp 基板処理方法および基盤処理装置
JP2012104382A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法
JP2015534716A (ja) * 2012-08-28 2015-12-03 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． 切り替えモードイオン分布システムの故障、異常、および他の特性を監視するためのシステムおよび方法
US12142452B2 (en) 2012-08-28 2024-11-12 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US11189454B2 (en) 2012-08-28 2021-11-30 Aes Global Holdings, Pte. Ltd. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
JP7216798B2 (ja) 2017-05-25 2023-02-01 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド 加工チャンバの電極に予め歪ませたｒｆバイアス電圧信号を供給するための区分的ｒｆ電力システムおよび方法
JP2020526007A (ja) * 2017-05-25 2020-08-27 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド 加工チャンバの電極に予め歪ませたｒｆバイアス電圧信号を供給するための区分的ｒｆ電力システムおよび方法
JP2022058382A (ja) * 2017-05-25 2022-04-12 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド 加工チャンバの電極に予め歪ませたｒｆバイアス電圧信号を供給するための区分的ｒｆ電力システムおよび方法
JP6999703B2 (ja) 2017-05-25 2022-02-04 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド 加工チャンバの電極に予め歪ませたｒｆバイアス電圧信号を供給するための区分的ｒｆ電力システムおよび方法
US12537172B2 (en) 2017-08-18 2026-01-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP7045152B2 (ja) 2017-08-18 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR102569962B1 (ko) 2017-08-18 2023-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US11170979B2 (en) 2017-08-18 2021-11-09 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and plasma etching apparatus
KR20190019853A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2019036658A (ja) * 2017-08-18 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10811229B2 (en) 2017-11-17 2020-10-20 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization with a bias supply in a plasma processing system
US10811227B2 (en) 2017-11-17 2020-10-20 Advanced Energy Industries, Inc. Application of modulating supplies in a plasma processing system
US12505986B2 (en) 2017-11-17 2025-12-23 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization of plasma processing components
US12230476B2 (en) 2017-11-17 2025-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Integrated control of a plasma processing system
US10707055B2 (en) 2017-11-17 2020-07-07 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing
US12159767B2 (en) 2017-11-17 2024-12-03 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial control of plasma processing environments
US10896807B2 (en) 2017-11-17 2021-01-19 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization between an excitation source and a substrate bias supply
US10811228B2 (en) 2017-11-17 2020-10-20 Advanced Energy Industries, Inc. Control of plasma processing systems that include plasma modulating supplies
US11842884B2 (en) 2017-11-17 2023-12-12 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial monitoring and control of plasma processing environments
JP2020077862A (ja) * 2018-11-05 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP7481823B2 (ja) 2018-11-05 2024-05-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
US11887812B2 (en) 2019-07-12 2024-01-30 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with a single controlled switch
JP2023057140A (ja) * 2019-08-05 2023-04-20 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP2021145152A (ja) * 2019-08-05 2021-09-24 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP7441347B2 (ja) 2019-08-05 2024-02-29 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US12444572B2 (en) 2019-08-05 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US11978612B2 (en) 2019-08-05 2024-05-07 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
JP2022545980A (ja) * 2019-10-02 2022-11-01 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー 誘電体基板のプラズマ処理に最適なイオンエネルギーの決定
US12347662B2 (en) 2019-10-02 2025-07-01 Prodrive Technologies Innovation Services B.V. Determining an optimal ion energy for plasma processing of a dielectric substrate
JP7214046B2 (ja) 2019-10-02 2023-01-27 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー 誘電体基板のプラズマ処理に最適なイオンエネルギーの決定
US12125674B2 (en) 2020-05-11 2024-10-22 Advanced Energy Industries, Inc. Surface charge and power feedback and control using a switch mode bias system
JP7665724B2 (ja) 2020-07-15 2025-04-21 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー プラズマ支援加工装置用の電圧波形発生器
JP2023533840A (ja) * 2020-07-15 2023-08-04 プロドライヴ・テクノロジーズ・イノヴェーション・サービシーズ・ベーフェー プラズマ支援加工装置用の電圧波形発生器
WO2023026317A1 (ja) * 2021-08-23 2023-03-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7439288B2 (ja) 2021-08-23 2024-02-27 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPWO2023026317A1 (ja) * 2021-08-23 2023-03-02
US12586760B2 (en) 2021-08-23 2026-03-24 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2024534993A (ja) * 2021-09-09 2024-09-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ中のイオンエネルギー分布をデジタル制御するための方法及び装置
JP7710606B2 (ja) 2021-09-09 2025-07-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ中のイオンエネルギー分布をデジタル制御するための方法及び装置
US12505982B2 (en) 2021-09-09 2025-12-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for digital control of ion energy distribution in a plasma
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply
WO2024129517A1 (en) * 2022-12-14 2024-06-20 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling an lf rf pulse generator to increase selectivity
US12567572B2 (en) 2023-07-11 2026-03-03 Advanced Energy Industries, Inc. Plasma behaviors predicted by current measurements during asymmetric bias waveform application
WO2025197564A1 (ja) * 2024-03-22 2025-09-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、バイアス電源システム、及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150162223A1 (en) 2015-06-11
CN103258707A (zh) 2013-08-21
TW201021631A (en) 2010-06-01
JP5295833B2 (ja) 2013-09-18
KR101638746B1 (ko) 2016-07-12
CN103258707B (zh) 2015-09-02
CN101685772A (zh) 2010-03-31
KR20150123209A (ko) 2015-11-03
US10388544B2 (en) 2019-08-20
US20100072172A1 (en) 2010-03-25
CN101685772B (zh) 2013-06-05
TWI505752B (zh) 2015-10-21
KR20100034703A (ko) 2010-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5295833B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN110473762B (zh) 通过控制离子能量分布来处理基板的方法和处理腔室
CN107978506B (zh) 控制开关模式离子能量分布系统的方法
KR101993880B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN105990088B (zh) 电源系统、等离子体处理装置和电源控制方法
KR102068735B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치
KR101761493B1 (ko) 스위칭 모드 이온 에너지 분포 시스템을 교정하기 위한 시스템 및 방법
JP5574962B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102532203B1 (ko) 전압 생성기, 전압 파형 생성기, 반도체 소자 제조 장치, 전압 파형 발생 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
TWI847069B (zh) 用於控制離子能量分佈的裝置及方法
KR20150051879A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4660498B2 (ja) 基板のプラズマ処理装置
JP4714166B2 (ja) 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011211168A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR20170044010A (ko) 임피던스 매칭 회로 내에서 사용되는 균일도 제어 회로
JP2010007161A (ja) 電源装置
KR102827782B1 (ko) 이온 에너지 분포를 제어하기 위한 장치 및 방법들
JPWO2002059954A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN109961998A (zh) 等离子体处理装置及基于聚焦环厚度监测的控制方法
JP2006100485A (ja) 高周波電力用分岐スイッチ及びエッチング装置
WO2022231806A1 (en) Tuning gas cluster ion beam systems
KR100874893B1 (ko) 기판 손상 검출 장치 및 방법
TWI920408B (zh) 用於波形產生之方法及波形產生器
JPH07201832A (ja) 半導体製造装置
WO2024019020A1 (ja) プラズマ処理装置及び終点検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120201

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130415

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130521

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5295833

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350