JP2531002B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2531002B2 JP2531002B2 JP62222370A JP22237087A JP2531002B2 JP 2531002 B2 JP2531002 B2 JP 2531002B2 JP 62222370 A JP62222370 A JP 62222370A JP 22237087 A JP22237087 A JP 22237087A JP 2531002 B2 JP2531002 B2 JP 2531002B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plating
- electronic component
- silane coupling
- coupling agent
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、チップボリューム，チップインダクタ，チ
ップコイル，筒形コンデンサ等の電子部品の製造方法に
関する。
ップコイル，筒形コンデンサ等の電子部品の製造方法に
関する。
従来の技術とその問題点 従来、チップボリューム等の電子部品では、ターミナ
ル電極の半田付け耐熱特性を向上させるため、あるいは
半田による銀くわれを防止するため、銀等からなる下地
電極にニッケル，錫又はこれらを含む合金をメッキして
いた。このメッキ処理は、抵抗体等の回路機能部分を含
めて基板表面にメッキレジストを塗布した状態でバレル
メッキにて行ない、メッキ処理後にはメッキレジストを
除去していた。
ル電極の半田付け耐熱特性を向上させるため、あるいは
半田による銀くわれを防止するため、銀等からなる下地
電極にニッケル，錫又はこれらを含む合金をメッキして
いた。このメッキ処理は、抵抗体等の回路機能部分を含
めて基板表面にメッキレジストを塗布した状態でバレル
メッキにて行ない、メッキ処理後にはメッキレジストを
除去していた。
しかしながら、従来の製造方法では、メッキレジスト
と基板表面とは単に物理的な作用で密着しているため、
密着性が悪く、バレルの衝突によってレジストの欠損，
剥離が生じ、この不良部分よりメッキ析出が発生し、特
性を損なうという問題点を有している。
と基板表面とは単に物理的な作用で密着しているため、
密着性が悪く、バレルの衝突によってレジストの欠損，
剥離が生じ、この不良部分よりメッキ析出が発生し、特
性を損なうという問題点を有している。
発明の構成 そこで、本発明に係る電子部品の製造方法は、バレル
メッキ処理の前工程として、回路機能部分を含めて基板
表面を、シランカップリング剤又はシリコンプライマで
処理し、その上にメッキレジストを塗布することを特徴
とする。
メッキ処理の前工程として、回路機能部分を含めて基板
表面を、シランカップリング剤又はシリコンプライマで
処理し、その上にメッキレジストを塗布することを特徴
とする。
シランカップリング剤はその分子中に２個以上の異な
った反応基を有する有機けい素単量体であり、一つの反
応基はガラス，金属，けい砂等の無機質と化学結合する
反応基、例えば、メトキシ基、エトキシ基，シラノール
基等である。いま一つの反応基は種々の有機質材料と化
学結合する反応基、例えば、ビニール基，エポキシ基，
アミノ基等である。この様なシランカップリング剤は、
メタノール，エタノール，トルエン，アセント等の溶液
に希釈された状態で用いられる。
った反応基を有する有機けい素単量体であり、一つの反
応基はガラス，金属，けい砂等の無機質と化学結合する
反応基、例えば、メトキシ基、エトキシ基，シラノール
基等である。いま一つの反応基は種々の有機質材料と化
学結合する反応基、例えば、ビニール基，エポキシ基，
アミノ基等である。この様なシランカップリング剤は、
メタノール，エタノール，トルエン，アセント等の溶液
に希釈された状態で用いられる。
また、シリコンプライマはその成分がシランカップリ
ング剤，塗膜形成剤，溶剤，触媒等が含まれている化合
物で、被着体表面に付与することにより、空気中の湿気
と反応して被着体表面と結合し、水素結合による結合と
脱水縮合による結合との効果が存するとされており、レ
ジスト膜の硬化機構に適した官能基を持つプライマーを
選択することで効果的な接着が得られる。
ング剤，塗膜形成剤，溶剤，触媒等が含まれている化合
物で、被着体表面に付与することにより、空気中の湿気
と反応して被着体表面と結合し、水素結合による結合と
脱水縮合による結合との効果が存するとされており、レ
ジスト膜の硬化機構に適した官能基を持つプライマーを
選択することで効果的な接着が得られる。
被処理材としての基板は、無機質絶縁性のもの、例え
ば、アルミナ，ガラス，ジルコニア，フォルステライト
等が用いられる。
ば、アルミナ，ガラス，ジルコニア，フォルステライト
等が用いられる。
作 用 以上の如き、シランカップリング剤又はシリコンプラ
イマにて回路機能部分を含む基板表面を処理することに
より、基板表面とメッキレジストとが強固に結合され、
メッキレジストの基板に対する密着性が向上する。
イマにて回路機能部分を含む基板表面を処理することに
より、基板表面とメッキレジストとが強固に結合され、
メッキレジストの基板に対する密着性が向上する。
特に、シランカップリング剤にあっては、基板や回路
機能部分の無機質と、メッキレジストの有機質とが反応
基と化学結合され、物理的な結合と相俟って強固に結合
されることとなる。
機能部分の無機質と、メッキレジストの有機質とが反応
基と化学結合され、物理的な結合と相俟って強固に結合
されることとなる。
実施例 第１図はチップボリュームの抵抗体基板を示し、基板
１はアルミナを焼成したものである。基板１の表面には
抵抗体2,コレクタ電極３がスクリーン印刷等の方法で設
けられ、基板１上に焼付けられる。
１はアルミナを焼成したものである。基板１の表面には
抵抗体2,コレクタ電極３がスクリーン印刷等の方法で設
けられ、基板１上に焼付けられる。
また、基板１の端部には、ターミナル電極を構成する
ための下地電極5,5,6が銀ペーストを印刷，焼付けるこ
とにより形成されている。
ための下地電極5,5,6が銀ペーストを印刷，焼付けるこ
とにより形成されている。
下地電極5,5,6に対するバレルメッキ処理の前工程と
して、基板１を0.01〜２％に希釈したシランカップリン
グ剤（例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、希釈液はエタノール）に浸漬し、乾燥させた。
その後、基板１の表面に、下地電極5,5,6を残して、第
２図に斜線を付した部分にメッキレジストを塗布し、抵
抗体2,コレクタ電極３をマスキングした。
して、基板１を0.01〜２％に希釈したシランカップリン
グ剤（例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、希釈液はエタノール）に浸漬し、乾燥させた。
その後、基板１の表面に、下地電極5,5,6を残して、第
２図に斜線を付した部分にメッキレジストを塗布し、抵
抗体2,コレクタ電極３をマスキングした。
この様にメッキレジストでマスキングした基板１をバ
レルメッキ容器内に入れ、ニッケルを２μｍの厚さに、
次いで錫を３〜４μｍの厚さに、合わせて90分間バレル
メッキを行ない、下地電極5,5,6上に２層のメッキ層を
設けてターミナル電極とした。
レルメッキ容器内に入れ、ニッケルを２μｍの厚さに、
次いで錫を３〜４μｍの厚さに、合わせて90分間バレル
メッキを行ない、下地電極5,5,6上に２層のメッキ層を
設けてターミナル電極とした。
一方、他の実施例として、第１図に示した基板１を0.
01〜２％に希釈したシリコンプライマに浸漬し、乾燥さ
せた。その後、同様にメッキレジストで回路機能部分を
マスキングし、前記同様のバレルメッキを行なった。
01〜２％に希釈したシリコンプライマに浸漬し、乾燥さ
せた。その後、同様にメッキレジストで回路機能部分を
マスキングし、前記同様のバレルメッキを行なった。
以上の工程を経て製造されたチップボリュームの抵抗
体基板１について、メッキ析出等の不良品発生率を調べ
た結果、不良品発生率はシランカップリング剤による前
処理を行なった場合は0.2％、シリコンプライマによる
前処理を行なった場合は0.4％であった。なお、これら
の処理を行なわない場合、100％の製品に不良が発生し
た。
体基板１について、メッキ析出等の不良品発生率を調べ
た結果、不良品発生率はシランカップリング剤による前
処理を行なった場合は0.2％、シリコンプライマによる
前処理を行なった場合は0.4％であった。なお、これら
の処理を行なわない場合、100％の製品に不良が発生し
た。
これは、シランカップリング剤，シリコンプライマに
よるメッキレジストの基板表面に対する密着性が向上
し、バレルメッキ処理中におけるレジストの欠損，剥離
が皆無であることによる。
よるメッキレジストの基板表面に対する密着性が向上
し、バレルメッキ処理中におけるレジストの欠損，剥離
が皆無であることによる。
また、前記前処理によって抵抗体2,コレクタ電極３の
機能障害，特性劣化、さらには下地電極5,5,6の機能劣
化は全く見られなかった。
機能障害，特性劣化、さらには下地電極5,5,6の機能劣
化は全く見られなかった。
発明の効果 本発明によれば、バレルメッキ処理の前工程として基
板表面にシランカップリング剤又はシリコンプライマで
処理する様にしたため、基板表面あるいは抵抗体等の回
路機能部分に対するメッキレジストの密着性が格段に向
上し、バレルメッキ時におけるレジストの欠損，剥離の
発生が防止され、電子部品としての特性の劣化が解消さ
れる。
板表面にシランカップリング剤又はシリコンプライマで
処理する様にしたため、基板表面あるいは抵抗体等の回
路機能部分に対するメッキレジストの密着性が格段に向
上し、バレルメッキ時におけるレジストの欠損，剥離の
発生が防止され、電子部品としての特性の劣化が解消さ
れる。
第１図は本発明に係る製造方法においてシランカップリ
ング処理又はシリコンプライマ処理を行なう前の基板の
平面図、第２図は前記処理後バレルメッキ処理を行なう
ときの基板の平面図である。 １……基板、２……抵抗体、３……コレクタ電極、5,5,
6……下地電極。
ング処理又はシリコンプライマ処理を行なう前の基板の
平面図、第２図は前記処理後バレルメッキ処理を行なう
ときの基板の平面図である。 １……基板、２……抵抗体、３……コレクタ電極、5,5,
6……下地電極。
Claims (1)
- 【請求項１】抵抗体，電極等の回路機能部分を有する基
板の一部にバレルメッキを施してなる電子部品の製造方
法において、 バレルメッキ処理の前工程として、前記回路機能部分を
含めて基板表面を、シランカップリング剤又はシリコン
プライマで処理し、その上にメッキレジストを塗布する
こと、 を特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62222370A JP2531002B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62222370A JP2531002B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6464302A JPS6464302A (en) | 1989-03-10 |
| JP2531002B2 true JP2531002B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16781287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62222370A Expired - Lifetime JP2531002B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531002B2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-04 JP JP62222370A patent/JP2531002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6464302A (en) | 1989-03-10 |
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