JPH0691060B2 - 基板の処理方法 - Google Patents
基板の処理方法Info
- Publication number
- JPH0691060B2 JPH0691060B2 JP61298402A JP29840286A JPH0691060B2 JP H0691060 B2 JPH0691060 B2 JP H0691060B2 JP 61298402 A JP61298402 A JP 61298402A JP 29840286 A JP29840286 A JP 29840286A JP H0691060 B2 JPH0691060 B2 JP H0691060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rinse
- present
- resist pattern
- naphthalene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 28
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- -1 alkylbenzene compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C)C(C)=CC=C21 QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims description 4
- ZMXIYERNXPIYFR-UHFFFAOYSA-N 1-ethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CC)=CC=CC2=C1 ZMXIYERNXPIYFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RJTJVVYSTUQWNI-UHFFFAOYSA-N beta-ethyl naphthalene Natural products C1=CC=CC2=CC(CC)=CC=C21 RJTJVVYSTUQWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 4
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XBEADGFTLHRJRB-UHFFFAOYSA-N undecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 XBEADGFTLHRJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 3
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N Hexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1 LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZILCZKGXMQEQR-UHFFFAOYSA-N decyl-Benzene Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 UZILCZKGXMQEQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- JIRNEODMTPGRGV-UHFFFAOYSA-N pentadecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 JIRNEODMTPGRGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- MCVUKOYZUCWLQQ-UHFFFAOYSA-N tridecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 MCVUKOYZUCWLQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWRCMNKATXZARA-UHFFFAOYSA-N 1-Isopropyl-2-methylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C WWRCMNKATXZARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBNXAWYDQUGHGX-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylheptane Chemical compound CCCCCCCC1=CC=CC=C1 LBNXAWYDQUGHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGSMJLDEFDWNX-UHFFFAOYSA-N 1-butylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCC)=CC=CC2=C1 URGSMJLDEFDWNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMAMGXMFMCAOPV-UHFFFAOYSA-N 1-propylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCC)=CC=CC2=C1 HMAMGXMFMCAOPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- ZMPPFNHWXMJARX-UHFFFAOYSA-N heptadecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 ZMPPFNHWXMJARX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEQLTFPCJRGSHW-UHFFFAOYSA-N hexadecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 DEQLTFPCJRGSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- LIXVMPBOGDCSRM-UHFFFAOYSA-N nonylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 LIXVMPBOGDCSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNSQGRKHCZUSU-UHFFFAOYSA-N octylbenzene Chemical compound [CH2]CCCCCCCC1=CC=CC=C1 VXNSQGRKHCZUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N tetradecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基板の処理方法に関するものである。さらに詳
しくいえば、本発明は、半導体素子の製造工程におい
て、エツチング処理後のレジストパターンを剥離液によ
り除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ人体に
対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて少
ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤で基板
をリンス処理する方法に関するものである。
しくいえば、本発明は、半導体素子の製造工程におい
て、エツチング処理後のレジストパターンを剥離液によ
り除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ人体に
対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極めて少
ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤で基板
をリンス処理する方法に関するものである。
従来の技術 ICやLSIなどの半導体素子の製造においては、通常まず
シリコンウエハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜を形
成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布して
感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレジス
トパターンを形成し、続いてこのレジストパターンをマ
スクとして、下層部の酸化膜を選択的にエツチングした
のち、基板上のレジストパターンを完全に除去するとい
う工程がとられている。
シリコンウエハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜を形
成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布して
感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレジス
トパターンを形成し、続いてこのレジストパターンをマ
スクとして、下層部の酸化膜を選択的にエツチングした
のち、基板上のレジストパターンを完全に除去するとい
う工程がとられている。
従来、ホトレジストパターンの除去には、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられてい
る。
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられてい
る。
しかしながら、この方法においては、有機溶剤によりホ
トレジストパターンを溶解剥離するために、剥離除去後
すぐに基板を水洗すると、基板上に残存している剥離液
中に溶解しているホトレジストが析出して、基板上に再
付着する。したがつて、ホトレジストパターンを剥離除
去後、基板をすぐに水洗することができず、基板のリン
ス処理が不可欠である。
トレジストパターンを溶解剥離するために、剥離除去後
すぐに基板を水洗すると、基板上に残存している剥離液
中に溶解しているホトレジストが析出して、基板上に再
付着する。したがつて、ホトレジストパターンを剥離除
去後、基板をすぐに水洗することができず、基板のリン
ス処理が不可欠である。
このリンス処理は、基板上に残存している剥離液を完全
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。
このようなリンス処理に用いられるリンス液としては、
従来トリクロロエチレン、メタノール、アセトンなどが
知られている。しかしながら、これらのリンス液は、基
板上の剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエ
チレンの場合、近年人体に対する有害性や廃液による環
境問題が大きくクローズアツプされ、またメタノールや
アセトンなどの低引火点溶剤の場合、防災上及び貯蔵上
の問題があり、さらに揮散速度が速く、作業環境に悪影
響を及ぼすなど、種々の問題を有している。
従来トリクロロエチレン、メタノール、アセトンなどが
知られている。しかしながら、これらのリンス液は、基
板上の剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエ
チレンの場合、近年人体に対する有害性や廃液による環
境問題が大きくクローズアツプされ、またメタノールや
アセトンなどの低引火点溶剤の場合、防災上及び貯蔵上
の問題があり、さらに揮散速度が速く、作業環境に悪影
響を及ぼすなど、種々の問題を有している。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、半導体素子の製造工程におけるこのよ
うなリンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジスト
パターン除去後の基板のリンス処理において、リンス効
果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境
面での問題が極めて少ない上に、火災上の安全性にも優
れたリンス液を用いる基板の処理法を提供することにあ
る。
うなリンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジスト
パターン除去後の基板のリンス処理において、リンス効
果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境
面での問題が極めて少ない上に、火災上の安全性にも優
れたリンス液を用いる基板の処理法を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段 本発明者らは前記目的を達成すべく鉛意研究を重ねた結
果、リンス液として、芳香族炭化水素化合物から成る溶
剤を用いることにより、その目的を達成しうることを見
出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至つた。
果、リンス液として、芳香族炭化水素化合物から成る溶
剤を用いることにより、その目的を達成しうることを見
出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至つた。
すなわち、本発明は、基板上に所望のホトレジストパタ
ーンを設けてエツチング処理を行い、次いで該レジスト
パターンを剥離液により除去したのち、該基板を芳香族
炭化水素から成る溶剤を用いてリンス処理することを特
徴とする基板の処理方法を提供するものである。
ーンを設けてエツチング処理を行い、次いで該レジスト
パターンを剥離液により除去したのち、該基板を芳香族
炭化水素から成る溶剤を用いてリンス処理することを特
徴とする基板の処理方法を提供するものである。
本発明方法において、リンス液として用いられる芳香族
炭化水素については、芳香環を有する化合物であれば特
に制限はないが、ナフタレン系化合物及びアルキルベン
ゼン系化合物が好適である。該芳香族炭化水素化合物の
具体例としては、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメ
チルナフタレン、エチルナフタレン、ブチルナフタレ
ン、プロピルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、デ
カヒドロナフタレンなどのナフタレン系化合物、トルエ
ン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベン
ゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチルエチ
ルベンゼン、ジメチルエチルベンゼン、トリエチルベン
ゼン、ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベ
ンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニル
ベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデ
シルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベン
ゼン、ペンタデシルベンゼン、ヘキサデシルベンゼン、
ヘプタデシルベンゼン、イソプロピルメチルベンゼン、
ブチルトルエンなどのアルキルベンゼン系化合物を挙げ
ることができる。アルキルベンゼン系化合物におけるア
ルキル基は直鎖状であつても分枝鎖状であつてもよい。
また、前記芳香族炭化水素化合物はそれぞれ単独で用い
てもよいし、２種以上混合して用いてもよいが、液状で
あることが必要である。
炭化水素については、芳香環を有する化合物であれば特
に制限はないが、ナフタレン系化合物及びアルキルベン
ゼン系化合物が好適である。該芳香族炭化水素化合物の
具体例としては、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメ
チルナフタレン、エチルナフタレン、ブチルナフタレ
ン、プロピルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、デ
カヒドロナフタレンなどのナフタレン系化合物、トルエ
ン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベン
ゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチルエチ
ルベンゼン、ジメチルエチルベンゼン、トリエチルベン
ゼン、ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベ
ンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニル
ベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデ
シルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベン
ゼン、ペンタデシルベンゼン、ヘキサデシルベンゼン、
ヘプタデシルベンゼン、イソプロピルメチルベンゼン、
ブチルトルエンなどのアルキルベンゼン系化合物を挙げ
ることができる。アルキルベンゼン系化合物におけるア
ルキル基は直鎖状であつても分枝鎖状であつてもよい。
また、前記芳香族炭化水素化合物はそれぞれ単独で用い
てもよいし、２種以上混合して用いてもよいが、液状で
あることが必要である。
本発明で用いられるリンス液としては、火災安全性及び
貯蔵性を考慮すると、前記ナフタレン系化合物及びアル
キル基の炭素原子数が４以上のアルキルベンゼン系化合
物の中から選ばれた少なくとも１種を主成分とするもの
が好ましい。また、リンス効果の点から、前記のナフタ
レン系化合物とアルキルベンゼン系化合物との混合物が
好適であり、その混合割合については、アルキルベンゼ
ン系化合物の含有量が10〜70重量％、特に40〜60重量％
の範囲にあるものが優れたリンス効果を有し、好まし
い。
貯蔵性を考慮すると、前記ナフタレン系化合物及びアル
キル基の炭素原子数が４以上のアルキルベンゼン系化合
物の中から選ばれた少なくとも１種を主成分とするもの
が好ましい。また、リンス効果の点から、前記のナフタ
レン系化合物とアルキルベンゼン系化合物との混合物が
好適であり、その混合割合については、アルキルベンゼ
ン系化合物の含有量が10〜70重量％、特に40〜60重量％
の範囲にあるものが優れたリンス効果を有し、好まし
い。
本発明におけるリンス液は液状であつて、芳香族炭化水
素から成るものであれば、どのように調製しても使用し
うるが、実用上芳香族炭化水素の混合溶剤として市販さ
れているものが好ましく使用される。このような混合溶
剤としては、例えばナフタレン、メチルナフタレン、エ
チルナフタレン及びジメチルナフタレンの混合物60重量
％以上と、テトラメチルベンゼン、ウンデシルベンゼン
及びドデシルベンゼンの混合物約10重量％とを含有する
芳香族炭化水素の混合溶剤であるソルベツソ200（エク
ソン化学社製）、トリメチルベンゼンとメチルエチルベ
ンゼンを主成分とする芳香族炭化水素の混合溶剤である
ソルベツソ100（エクソン化学社製）及びペガソールＲ
−100（モービル石油社製）、ウンデシルベンゼン及び
ドデシルベンゼン75モル％以上を含有したアルキル基の
炭素原子数９〜16のアルキルベンゼン系化合物から成る
混合溶剤のアルケン56N（日本石油化学社製）、アルキ
ルベンゼン系化合物の混合溶剤であるアルキルベンゼン
DAD A−40（住友化学工業社製）などを挙げることがで
きる。
素から成るものであれば、どのように調製しても使用し
うるが、実用上芳香族炭化水素の混合溶剤として市販さ
れているものが好ましく使用される。このような混合溶
剤としては、例えばナフタレン、メチルナフタレン、エ
チルナフタレン及びジメチルナフタレンの混合物60重量
％以上と、テトラメチルベンゼン、ウンデシルベンゼン
及びドデシルベンゼンの混合物約10重量％とを含有する
芳香族炭化水素の混合溶剤であるソルベツソ200（エク
ソン化学社製）、トリメチルベンゼンとメチルエチルベ
ンゼンを主成分とする芳香族炭化水素の混合溶剤である
ソルベツソ100（エクソン化学社製）及びペガソールＲ
−100（モービル石油社製）、ウンデシルベンゼン及び
ドデシルベンゼン75モル％以上を含有したアルキル基の
炭素原子数９〜16のアルキルベンゼン系化合物から成る
混合溶剤のアルケン56N（日本石油化学社製）、アルキ
ルベンゼン系化合物の混合溶剤であるアルキルベンゼン
DAD A−40（住友化学工業社製）などを挙げることがで
きる。
これら市販の混合溶剤はそれぞれ単独で用いてもよい
し、２種以上混合して用いてもよいが、特にソルベツソ
200とアルケン56Nとの混合物が好適である。
し、２種以上混合して用いてもよいが、特にソルベツソ
200とアルケン56Nとの混合物が好適である。
本発明において用いる芳香族炭化水素から成るリンス液
は、剥離処理するレジストパターンがネガ型又はポジ型
のいずれのホトレジストから形成されたものであつて
も、剥離後のリンス処理に有効であるが、ネガ型ホトレ
ジストを用いた場合のリンス液としては、アルキルベン
ゼン系化合物が少なくとも30重量％以上含有したものが
好ましい。
は、剥離処理するレジストパターンがネガ型又はポジ型
のいずれのホトレジストから形成されたものであつて
も、剥離後のリンス処理に有効であるが、ネガ型ホトレ
ジストを用いた場合のリンス液としては、アルキルベン
ゼン系化合物が少なくとも30重量％以上含有したものが
好ましい。
次に、本発明の基板の処理方法の１例について説明する
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコーンウエハ
ーなどから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布
し、乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望パ
ターンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポスト
ベークしてレジストパターンを形成する。次に、このレ
ジストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択
的にエツチングしたのち、基板上の該レジストパターン
を剥離液により完全に除去し、次いで前記芳香族炭化水
素から成るリンス液用いて基板にリンス処理を施し、該
剥離液を完全に洗い流す。
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコーンウエハ
ーなどから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布
し、乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望パ
ターンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポスト
ベークしてレジストパターンを形成する。次に、このレ
ジストパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択
的にエツチングしたのち、基板上の該レジストパターン
を剥離液により完全に除去し、次いで前記芳香族炭化水
素から成るリンス液用いて基板にリンス処理を施し、該
剥離液を完全に洗い流す。
発明の効果 本発明の基板の処理方法は、リンス液として、リンス効
果に優れ、かつ従来のものに比べて人体に対する毒性や
廃水処理などの環境面での問題が極めて少ない上に、消
防上の安全性にも優れたものを用いているので、実用的
価値が高い。
果に優れ、かつ従来のものに比べて人体に対する毒性や
廃水処理などの環境面での問題が極めて少ない上に、消
防上の安全性にも優れたものを用いているので、実用的
価値が高い。
実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１ ２枚のシリコンウエハー上に、それぞれネガ型ホトレジ
ストとしてOMR−83（東京応化工業社製）及びポジ型ホ
トレジストとしてOFPR−800（東京応化工業社製）を乾
燥膜厚１μｍになるように、スピンナーにより塗布した
のち、露光、現像処理を施し、次いで160℃で30分間ポ
ストベークしてシリコンウエハー上にレジストパターン
膜を形成した。次に、液温120℃に保持した剥離液502
（東京応化工業社製）中に、該シリコンウエハーを浸漬
し、５分後に取り出し、さらにジメチルナフタレン溶剤
中に浸漬して３分間リンス処理を行つた。
ストとしてOMR−83（東京応化工業社製）及びポジ型ホ
トレジストとしてOFPR−800（東京応化工業社製）を乾
燥膜厚１μｍになるように、スピンナーにより塗布した
のち、露光、現像処理を施し、次いで160℃で30分間ポ
ストベークしてシリコンウエハー上にレジストパターン
膜を形成した。次に、液温120℃に保持した剥離液502
（東京応化工業社製）中に、該シリコンウエハーを浸漬
し、５分後に取り出し、さらにジメチルナフタレン溶剤
中に浸漬して３分間リンス処理を行つた。
このようにして処理されたシリコンウエハーの表面を観
察し、リンス効果の可否を判定したところ、２枚のシリ
コンウエハー表面は、いずれもレジストの再付着及び剥
離液の残存が認められない鏡面状態になつており、リン
ス効果が認められた。
察し、リンス効果の可否を判定したところ、２枚のシリ
コンウエハー表面は、いずれもレジストの再付着及び剥
離液の残存が認められない鏡面状態になつており、リン
ス効果が認められた。
実施例２〜18 種々の芳香族炭化水素から成るリンス液を用いた以外
は、実施例１と同様にして基板の処理を行い、それぞれ
のリンス液のリンス効果の可否を観察した。その結果を
次表に示す。
は、実施例１と同様にして基板の処理を行い、それぞれ
のリンス液のリンス効果の可否を観察した。その結果を
次表に示す。
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に所望のホトレジストパターンを設
けてエツチング処理を行い、次いで該レジストパターン
を剥離液により除去したのち、該基板を芳香族炭化水素
から成る溶剤を用いてリンス処理することを特徴とする
基板の処理方法。 - 【請求項２】芳香族炭化水素がナフタレン系化合物及び
アルキルベンゼン系化合物の中から選ばれた少なくとも
１種である特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】ナフタレン系化合物がナフタレン、メチル
ナフタレン、エチルナフタレン及びジメチルナフタレン
である特許請求の範囲第２項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202085 | 1985-12-17 | ||
| JP60-282020 | 1985-12-17 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7292828A Division JP2613755B2 (ja) | 1985-12-17 | 1995-11-10 | 基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229840A JPS62229840A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0691060B2 true JPH0691060B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17647115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298402A Expired - Lifetime JPH0691060B2 (ja) | 1985-12-17 | 1986-12-15 | 基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691060B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1045291A3 (en) * | 1999-02-17 | 2001-01-10 | Infineon Technologies North America Corp. | Method of improving the etch resistance of photoresists |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242218A (en) * | 1976-11-08 | 1980-12-30 | Allied Chemical Corporation | Phenol-free photoresist stripper |
| JPS612152A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Nagase Sangyo Kk | 剥離剤組成物 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298402A patent/JPH0691060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62229840A (ja) | 1987-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0721638B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| US4992108A (en) | Photoresist stripping compositions | |
| US5334332A (en) | Cleaning compositions for removing etching residue and method of using | |
| US3871929A (en) | Polymeric etch resist strippers and method of using same | |
| US4304681A (en) | Novel stripping composition for positive photoresists and method of using same | |
| US4165294A (en) | Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids | |
| US5407788A (en) | Photoresist stripping method | |
| JP2578821B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト用剥離液 | |
| JPH04350660A (ja) | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 | |
| GB2209850A (en) | Resist solvent composition | |
| US4242218A (en) | Phenol-free photoresist stripper | |
| JPH0612455B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JP2631849B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JPH0567030B2 (ja) | ||
| JPH0259452B2 (ja) | ||
| US4202703A (en) | Method of stripping photoresist | |
| US5863346A (en) | Photoresist stripping composition | |
| KR100497587B1 (ko) | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법 | |
| JPH0691060B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JPH07120937A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
| JP4495863B2 (ja) | 半微量幅金属線を形成するのに適するパターンの製造方法 | |
| JP2591644B2 (ja) | ホトレジストの剥離液 | |
| JP2613755B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| EP0163202B1 (en) | Photoresist stripper and stripping method | |
| JP3161705B2 (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |