JP3104246B2 - チップ状固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
チップ状固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JP3104246B2 JP3104246B2 JP02240799A JP24079990A JP3104246B2 JP 3104246 B2 JP3104246 B2 JP 3104246B2 JP 02240799 A JP02240799 A JP 02240799A JP 24079990 A JP24079990 A JP 24079990A JP 3104246 B2 JP3104246 B2 JP 3104246B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はチップ状固体電解コンデンサの製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術 従来のこの種の固体電解コンデンサは第４図に示すよ
うに製造されていた。すなわち、陽極導出線１を具備
し、かつタンタル金属からなる多孔質体の表面に陽極酸
化により誘電体性酸化皮膜を形成し、そしてこの表面に
二酸化マンガンなどの電解質層を形成し、さらに浸漬法
によりカーボン層および陰極導電層２を順次積層形成し
てコンデンサ素子３を構成し、続いて陽極導出線１の一
部とコンデンサ素子３の全体に樹脂外装４を施した後、
陰極側の端部をサンドブラストにより、陰極導電層２の
露出状況を確認しながら樹脂外装４の一部を除去して陰
極導電層２の露出部2aを形成し、その後、陽極導出線１
をカットし、さらに陽極導出線１の突出部1aと陽極側端
部、陰極側の露出部2aおよび陰極側端部にメッキ層５を
形成するようにして製造していた。
うに製造されていた。すなわち、陽極導出線１を具備
し、かつタンタル金属からなる多孔質体の表面に陽極酸
化により誘電体性酸化皮膜を形成し、そしてこの表面に
二酸化マンガンなどの電解質層を形成し、さらに浸漬法
によりカーボン層および陰極導電層２を順次積層形成し
てコンデンサ素子３を構成し、続いて陽極導出線１の一
部とコンデンサ素子３の全体に樹脂外装４を施した後、
陰極側の端部をサンドブラストにより、陰極導電層２の
露出状況を確認しながら樹脂外装４の一部を除去して陰
極導電層２の露出部2aを形成し、その後、陽極導出線１
をカットし、さらに陽極導出線１の突出部1aと陽極側端
部、陰極側の露出部2aおよび陰極側端部にメッキ層５を
形成するようにして製造していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このように構成されたチップ状固体電
解コンデンサにおいては、次のような問題があった。
解コンデンサにおいては、次のような問題があった。
（１）陽極導出線１の突出部1aにメッキ層５を形成する
ために、メッキ工程以前に前記陽極導出線１をカットし
なければならず、この場合、陽極導出線１のカットによ
りチップ状固体電解コンデンサがバラバラの状態になる
ため、前記メッキ工程以後の工程、例えば特性検査工程
において、面倒な極性判別作業をしなければならないと
いう問題点があった。
ために、メッキ工程以前に前記陽極導出線１をカットし
なければならず、この場合、陽極導出線１のカットによ
りチップ状固体電解コンデンサがバラバラの状態になる
ため、前記メッキ工程以後の工程、例えば特性検査工程
において、面倒な極性判別作業をしなければならないと
いう問題点があった。
（２）コンデンサ素子３より導出された陽極導出線１
は、陽極側端部を長く残してカットされるため、チップ
状固体電解コンデンサの外観形状もすっきりしたものと
ならず、そのため、このチップ状固体電解コンデンサを
自動実装機によってつかんで実装する場合、つかみにく
くてスムーズな自動実装が行えないという問題点があっ
た。
は、陽極側端部を長く残してカットされるため、チップ
状固体電解コンデンサの外観形状もすっきりしたものと
ならず、そのため、このチップ状固体電解コンデンサを
自動実装機によってつかんで実装する場合、つかみにく
くてスムーズな自動実装が行えないという問題点があっ
た。
本発明は上記問題点を解決するもので、直方体の外観
形状をなすチップ状固体電解コンデンサを容易に生産す
ることができるチップ状固体電解コンデンサの製造方法
を提供することを目的とするものである。
形状をなすチップ状固体電解コンデンサを容易に生産す
ることができるチップ状固体電解コンデンサの製造方法
を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明のチップ状固体電解
コンデンサの製造方法は、陽極導出線を具備しかつ弁作
用金属からなる多孔質体の表面に誘電体性酸化皮膜、電
解質層、カーボン層、陰極導電層を順次積層形成してコ
ンデンサ素子を構成し、このコンデンサ素子の陽極導出
線が片側より外部に引き出されるようにトランスファー
モールド方式によりコンデンサ素子全体に樹脂外装を施
し、続いて前記外部に露出した陽極導出線を電気メッキ
を含む複数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層
で被覆し、次いで表示、エージング、特性検査工程を施
し、その後、前記樹脂外装の凹部内で陽極導出線をカッ
トし、かつこの陽極導出線のカット面およびこのカット
面の近傍に発生する変形部分も前記電気メッキを含む複
数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層でそれら
の金属の延伸性により被覆したものである。
コンデンサの製造方法は、陽極導出線を具備しかつ弁作
用金属からなる多孔質体の表面に誘電体性酸化皮膜、電
解質層、カーボン層、陰極導電層を順次積層形成してコ
ンデンサ素子を構成し、このコンデンサ素子の陽極導出
線が片側より外部に引き出されるようにトランスファー
モールド方式によりコンデンサ素子全体に樹脂外装を施
し、続いて前記外部に露出した陽極導出線を電気メッキ
を含む複数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層
で被覆し、次いで表示、エージング、特性検査工程を施
し、その後、前記樹脂外装の凹部内で陽極導出線をカッ
トし、かつこの陽極導出線のカット面およびこのカット
面の近傍に発生する変形部分も前記電気メッキを含む複
数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層でそれら
の金属の延伸性により被覆したものである。
作用 上記製造方法によれば、コンデンサ素子の陽極導出線
が片側より外部に引き出されるようにトランスファーモ
ールド方式によりコンデンサ素子全体に樹脂外装を施
し、続いて前記外部に露出した陽極導出線を電気メッキ
を含む複数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層
で被覆し、次いで表示、エージング、特性検査工程を施
し、その後、前記樹脂外装の凹部内で陽極導出線をカッ
トし、かつこの陽極導出線のカット面およびこのカット
面の近傍に発生する変形部分も前記電気メッキを含む複
数の積層したメッキ層とのその上部を覆う半田層でそれ
らの金属の延伸性により被覆しているため、陽極導出線
を被覆するメッキ層は複数の層により厚いものを構成す
ることができるとともに、各層の接着強度も電解メッキ
層と無電解メッキ層の組み合わせにより大きくすること
ができ、その結果、各層の亀裂や剥離もなくなるととも
に、陽極導出線のカット面も前後複数の積層したメッキ
層および半田層でそれらの金属の延伸性により被覆され
るため、このカット面上にも半田付けをすることが可能
となる。
が片側より外部に引き出されるようにトランスファーモ
ールド方式によりコンデンサ素子全体に樹脂外装を施
し、続いて前記外部に露出した陽極導出線を電気メッキ
を含む複数の積層したメッキ層とその上部を覆う半田層
で被覆し、次いで表示、エージング、特性検査工程を施
し、その後、前記樹脂外装の凹部内で陽極導出線をカッ
トし、かつこの陽極導出線のカット面およびこのカット
面の近傍に発生する変形部分も前記電気メッキを含む複
数の積層したメッキ層とのその上部を覆う半田層でそれ
らの金属の延伸性により被覆しているため、陽極導出線
を被覆するメッキ層は複数の層により厚いものを構成す
ることができるとともに、各層の接着強度も電解メッキ
層と無電解メッキ層の組み合わせにより大きくすること
ができ、その結果、各層の亀裂や剥離もなくなるととも
に、陽極導出線のカット面も前後複数の積層したメッキ
層および半田層でそれらの金属の延伸性により被覆され
るため、このカット面上にも半田付けをすることが可能
となる。
また前記陽極導出線のカット面上にも半田付けが可能
となることにより、陽極導出線の外部への導出部を短く
カットして樹脂外装の凹部内に陽極導出線のカット面を
納めることができるため、チップ状固体電解コンデンサ
の外観形状も直方体という優れたものを得ることがで
き、しかも前記陽極導出線のカットは、表示、エージン
グ、特性検査工程を行った後の最終工程で行うようにし
ているため、従来のように組立工程の途中の工程、例え
ば特性検査工程において面倒な極性判別作業をするとい
う必要もなくなり、その結果、組立工程の途中の工程、
すなわち、表示、エージング、特性検査工程も容易に行
うことができ、生産性が高められるものである。
となることにより、陽極導出線の外部への導出部を短く
カットして樹脂外装の凹部内に陽極導出線のカット面を
納めることができるため、チップ状固体電解コンデンサ
の外観形状も直方体という優れたものを得ることがで
き、しかも前記陽極導出線のカットは、表示、エージン
グ、特性検査工程を行った後の最終工程で行うようにし
ているため、従来のように組立工程の途中の工程、例え
ば特性検査工程において面倒な極性判別作業をするとい
う必要もなくなり、その結果、組立工程の途中の工程、
すなわち、表示、エージング、特性検査工程も容易に行
うことができ、生産性が高められるものである。
実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明
する。第１図は本発明の一実施例におけるチップ状固体
電解コンデンサの斜視図を示し、また第２図は第１図の
Ａ−Ａ′線断面図であり、さらに第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）は同コンデンサの組立工程の順序を示す断
面図であり、これらの図面にもとづいてチップ状固体電
解コンデンサの組立工程について説明する。
する。第１図は本発明の一実施例におけるチップ状固体
電解コンデンサの斜視図を示し、また第２図は第１図の
Ａ−Ａ′線断面図であり、さらに第３図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）は同コンデンサの組立工程の順序を示す断
面図であり、これらの図面にもとづいてチップ状固体電
解コンデンサの組立工程について説明する。
まず、第３図（ａ）において、共通リボン11に接続さ
れたタンタル金属からなる陽極導出線12を具備するタン
タル多孔質体の表面に一般的な陽極酸化方法により誘電
体性酸化皮膜を形成した後、電解質層、カーボン層、銀
塗料よりなる陰極導電層13を順次形成してコンデンサ素
子14を構成し、その後、このコンデンサ素子14の周囲に
設けた銀塗料よりなる陰極導電層13において、陽極導出
線12の導出面と反対の面に、熱硬化性エポキシ樹脂を結
合剤とした銀よりなる導電性物質15を導電材料として凸
状に盛り付けて接続した。なお、この導電材料はPdより
なる導電性物質15であってもよく、これは150℃〜180℃
に加熱して硬化させるものである。また、この導電材料
は吸水性、吸湿性が小さく、かつ耐湿性のすぐれたもの
が望ましく、一方、ニッケル等の金属板よりなる金属材
料であってもよい。すなわち、この導電材料は後のメッ
キ工程でメッキ液がコンデンサ素子14の内部に侵入しな
いものでなければならない。なお、テフロン板16は上記
電解質層形成時における陽極導出線12への電解質の付着
を防止する絶縁板である。
れたタンタル金属からなる陽極導出線12を具備するタン
タル多孔質体の表面に一般的な陽極酸化方法により誘電
体性酸化皮膜を形成した後、電解質層、カーボン層、銀
塗料よりなる陰極導電層13を順次形成してコンデンサ素
子14を構成し、その後、このコンデンサ素子14の周囲に
設けた銀塗料よりなる陰極導電層13において、陽極導出
線12の導出面と反対の面に、熱硬化性エポキシ樹脂を結
合剤とした銀よりなる導電性物質15を導電材料として凸
状に盛り付けて接続した。なお、この導電材料はPdより
なる導電性物質15であってもよく、これは150℃〜180℃
に加熱して硬化させるものである。また、この導電材料
は吸水性、吸湿性が小さく、かつ耐湿性のすぐれたもの
が望ましく、一方、ニッケル等の金属板よりなる金属材
料であってもよい。すなわち、この導電材料は後のメッ
キ工程でメッキ液がコンデンサ素子14の内部に侵入しな
いものでなければならない。なお、テフロン板16は上記
電解質層形成時における陽極導出線12への電解質の付着
を防止する絶縁板である。
続いて第３図（ｂ）に示すように、陽極導出線12が片
側より外部に引き出されるように金型にセットし、トラ
ンスファーモールド方式によりコンデンサ素子14の全体
に樹脂外装17を施した。この場合、銀よりなる導電性物
質15はモールド金型にほぼ接触した状態に配置された樹
脂外装17の一部を構成するとともに、外部に露出するも
のである。そしてこの導電性物質15の露出が少ない場合
はブラスト研磨またはエメリー研磨により補う。
側より外部に引き出されるように金型にセットし、トラ
ンスファーモールド方式によりコンデンサ素子14の全体
に樹脂外装17を施した。この場合、銀よりなる導電性物
質15はモールド金型にほぼ接触した状態に配置された樹
脂外装17の一部を構成するとともに、外部に露出するも
のである。そしてこの導電性物質15の露出が少ない場合
はブラスト研磨またはエメリー研磨により補う。
続いて第３図（ｃ）に示すように、陽極導出線12にお
ける樹脂外装17から外部に露出した部分にブラスト研磨
等の前処理を施して、1.0〜2.0μｍの厚さの電解ストラ
イクニッケルメッキ層18を形成した。この電解ストライ
クニッケルメッキ層18は陽極導出線12との接着強度が高
く、さらにこの上に重ねる無電解ニッケルメッキ層19と
の接着力強化にも効果を有するものである。なお、前記
無電解ニッケルメッキ層19は銀よりなる導電性物質15の
露出面および樹脂外装17の両端部の周囲表面に第２図に
示す金属端子層19,20,21の一層目を形成するために、塩
化パラジウム溶液に樹脂外装17を浸漬してパラジウムの
核をその表面に形成した後、ニッケル無電解メッキ液に
浸漬して1.0〜2.0μｍの厚さの無電解ニッケルメッキ層
19を形成した。その後、さらにこの無電解ニッケルメッ
キ層19の上に、10.0〜20.0μｍの厚さの電解ニッケルメ
ッキ層20を形成して補強した。
ける樹脂外装17から外部に露出した部分にブラスト研磨
等の前処理を施して、1.0〜2.0μｍの厚さの電解ストラ
イクニッケルメッキ層18を形成した。この電解ストライ
クニッケルメッキ層18は陽極導出線12との接着強度が高
く、さらにこの上に重ねる無電解ニッケルメッキ層19と
の接着力強化にも効果を有するものである。なお、前記
無電解ニッケルメッキ層19は銀よりなる導電性物質15の
露出面および樹脂外装17の両端部の周囲表面に第２図に
示す金属端子層19,20,21の一層目を形成するために、塩
化パラジウム溶液に樹脂外装17を浸漬してパラジウムの
核をその表面に形成した後、ニッケル無電解メッキ液に
浸漬して1.0〜2.0μｍの厚さの無電解ニッケルメッキ層
19を形成した。その後、さらにこの無電解ニッケルメッ
キ層19の上に、10.0〜20.0μｍの厚さの電解ニッケルメ
ッキ層20を形成して補強した。
次に、第３図（ｄ）に示すように、樹脂外装17におけ
る前記無電解ニッケルメッキ層19および電解ニッケルメ
ッキ層20の両端部を金属端子として残す部分に樹脂21,2
1′によりマスキングを行い、そして樹脂外装17の両端
部を除く中間部分を硝酸により溶解除去した後、マスキ
ングを行う樹脂21,21′をアルカリ性の溶液により除去
した。
る前記無電解ニッケルメッキ層19および電解ニッケルメ
ッキ層20の両端部を金属端子として残す部分に樹脂21,2
1′によりマスキングを行い、そして樹脂外装17の両端
部を除く中間部分を硝酸により溶解除去した後、マスキ
ングを行う樹脂21,21′をアルカリ性の溶液により除去
した。
最後に半田付け性を確保するために、チップ状固体電
解コンデンサを半田浴槽に浸漬することにより、その表
面に30.0〜50.0μｍの厚さの半田層22を形成した。
解コンデンサを半田浴槽に浸漬することにより、その表
面に30.0〜50.0μｍの厚さの半田層22を形成した。
この後、表示、エージング、特性検査工程を施し、そ
の後、陽極導出線12を第１図に示す樹脂外装17の凹部17
a内でカットすることにより、陽極導出線12にカット面2
1aを形成した。
の後、陽極導出線12を第１図に示す樹脂外装17の凹部17
a内でカットすることにより、陽極導出線12にカット面2
1aを形成した。
第２図は陽極導出線12のカット面12aの断面を示した
もので、この陽極導出線12のカット面12aおよびこのカ
ット面12aの近傍に発生する変形部分は、前記電解スト
ライクニッケルメッキ層18、無電解ニッケルメッキ層1
9、電解ニッケルメッキ層20の三層のニッケルメッキ層
とその上部を覆う半田層22で、それらの金属の延伸性に
より、被覆されるものである。そしてこれらの各層の接
着力は大きく、かつ四層が厚く構成されているため各層
の亀裂や剥離もなくなるとともに、陽極導出線12のカッ
ト面12aの上にも半田付けが可能となるものである。こ
れにより、陽極導出線12の導出部を短くカットして樹脂
外装17の凹部17a内に陽極導出線12のカット面12aを納め
ることができる。また前記陽極導出部12のカットは最終
工程で行われるため、組立工程途中の工程、例えば特性
検査工程において、面倒なチップ状固体電解コンデンサ
の極性判別作業をするという必要はなく、その結果、組
立工程の途中の工程、すなわち、表示、エージング、特
性検査工程も容易に行うことができ、生産性が高められ
る。
もので、この陽極導出線12のカット面12aおよびこのカ
ット面12aの近傍に発生する変形部分は、前記電解スト
ライクニッケルメッキ層18、無電解ニッケルメッキ層1
9、電解ニッケルメッキ層20の三層のニッケルメッキ層
とその上部を覆う半田層22で、それらの金属の延伸性に
より、被覆されるものである。そしてこれらの各層の接
着力は大きく、かつ四層が厚く構成されているため各層
の亀裂や剥離もなくなるとともに、陽極導出線12のカッ
ト面12aの上にも半田付けが可能となるものである。こ
れにより、陽極導出線12の導出部を短くカットして樹脂
外装17の凹部17a内に陽極導出線12のカット面12aを納め
ることができる。また前記陽極導出部12のカットは最終
工程で行われるため、組立工程途中の工程、例えば特性
検査工程において、面倒なチップ状固体電解コンデンサ
の極性判別作業をするという必要はなく、その結果、組
立工程の途中の工程、すなわち、表示、エージング、特
性検査工程も容易に行うことができ、生産性が高められ
る。
なお、前記三層のニッケルメッキ層のうち、電解スト
ライクニッケルメッキ層18と無電解ニッケルメッキ層19
の二層に半田層22を重ねたものでもよい。また陽極導出
線12のカット面12aを被覆している半田層22はホットエ
アーまたはレーザ光線により溶融してもよく、そしてま
たメッキの材質は上記実施例におけるニッケルに限定さ
れるものではなく、銅、錫、半田でもよい。
ライクニッケルメッキ層18と無電解ニッケルメッキ層19
の二層に半田層22を重ねたものでもよい。また陽極導出
線12のカット面12aを被覆している半田層22はホットエ
アーまたはレーザ光線により溶融してもよく、そしてま
たメッキの材質は上記実施例におけるニッケルに限定さ
れるものではなく、銅、錫、半田でもよい。
発明の効果 上記実施例の説明から明らかなように、本発明のチッ
プ状固体電解コンデンサの製造方法によれば、コンデン
サ素子の陽極導出線が片側より外部に引き出されるよう
にトランスファーモールド方式によりコンデンサ素子の
全体に樹脂外装を施し、続いて前記外部に露出した陽極
導出線を電気メッキを含む複数の積層したメッキ層とそ
の上部を覆う半田層で被覆し、次いで表示、エージン
グ、特性検査工程を施し、その後、前記樹脂外装の凹部
内で陽極導出線をカットし、かつこの陽極導出線のカッ
ト面およびこのカット面の近傍に発生する変形部分も、
前記電気メッキを含む複数の積層したメッキ層とその上
部を覆う半田層でそれらの金属の延伸性により被覆して
いるため、陽極導出線を被覆するメッキ層は複数の層に
より厚いものを構成することができるとともに、各層の
接着強度も電解メッキ層と無電解メッキ層の組み合わせ
により大きくすることができ、その結果、各層の亀裂や
剥離もなくなるとともに、陽極導出線のカット面も前記
複数の積層したメッキ層および半田層でそれらの金属の
延伸性により被覆されるため、このカット面上にも半田
付けをすることが可能となる。
プ状固体電解コンデンサの製造方法によれば、コンデン
サ素子の陽極導出線が片側より外部に引き出されるよう
にトランスファーモールド方式によりコンデンサ素子の
全体に樹脂外装を施し、続いて前記外部に露出した陽極
導出線を電気メッキを含む複数の積層したメッキ層とそ
の上部を覆う半田層で被覆し、次いで表示、エージン
グ、特性検査工程を施し、その後、前記樹脂外装の凹部
内で陽極導出線をカットし、かつこの陽極導出線のカッ
ト面およびこのカット面の近傍に発生する変形部分も、
前記電気メッキを含む複数の積層したメッキ層とその上
部を覆う半田層でそれらの金属の延伸性により被覆して
いるため、陽極導出線を被覆するメッキ層は複数の層に
より厚いものを構成することができるとともに、各層の
接着強度も電解メッキ層と無電解メッキ層の組み合わせ
により大きくすることができ、その結果、各層の亀裂や
剥離もなくなるとともに、陽極導出線のカット面も前記
複数の積層したメッキ層および半田層でそれらの金属の
延伸性により被覆されるため、このカット面上にも半田
付けをすることが可能となる。
また、陽極導出線のカット面上に半田付けが可能とな
ることにより、陽極導出線の外部への導出部を短くカッ
トして樹脂外装の凹部内に陽極導出線のカット面を納め
ることができるため、チップ状固体電解コンデンサの外
観形状も直方体という優れたものを得ることができ、し
かも前記陽極導出線のカットは、表示、エージング、特
性検査工程を行った後の最終工程で行うようにしている
ため、従来のように組立工程の途中の工程、例えば特性
検査工程において、面倒な極性判別作業をするという必
要もなくなり、その結果、組立工程の途中の工程、すな
わち、表示、エージング、特性検査工程も容易に行うこ
とができ、生産性が高められるものである。
ることにより、陽極導出線の外部への導出部を短くカッ
トして樹脂外装の凹部内に陽極導出線のカット面を納め
ることができるため、チップ状固体電解コンデンサの外
観形状も直方体という優れたものを得ることができ、し
かも前記陽極導出線のカットは、表示、エージング、特
性検査工程を行った後の最終工程で行うようにしている
ため、従来のように組立工程の途中の工程、例えば特性
検査工程において、面倒な極性判別作業をするという必
要もなくなり、その結果、組立工程の途中の工程、すな
わち、表示、エージング、特性検査工程も容易に行うこ
とができ、生産性が高められるものである。
第１図は本発明の一実施例を示すチップ状固体電解コン
デンサの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面
図、、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は同コンデンサ
の組立工程の順序を示す断面図、第４図は従来のチップ
状固体電解コンデンサを示す断面図である。 12……陽極導出線、12a……陽極導出線のカット面、13
……陰極導電層、14……コンデンサ素子、17……樹脂外
装、17a……凹部、18……電解ストライクニッケルメッ
キ層、19……無電解ニッケルメッキ層、20……電解ニッ
ケルメッキ層、22……半田層。
デンサの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線断面
図、、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は同コンデンサ
の組立工程の順序を示す断面図、第４図は従来のチップ
状固体電解コンデンサを示す断面図である。 12……陽極導出線、12a……陽極導出線のカット面、13
……陰極導電層、14……コンデンサ素子、17……樹脂外
装、17a……凹部、18……電解ストライクニッケルメッ
キ層、19……無電解ニッケルメッキ層、20……電解ニッ
ケルメッキ層、22……半田層。
フロントページの続き (72)発明者 西山 澄夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−8325（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−276613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−40520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−155119（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−246814（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/012 H01G 9/08
Claims (3)
- 【請求項１】陽極導出線を具備しかつ弁作用金属からな
る多孔質体の表面に誘電体性酸化皮膜、電解質層、カー
ボン層、陰極導電層を順次積層形成してコンデンサ素子
を構成し、このコンデンサ素子の陽極導出線が片側より
外部に引き出されるようにトランスファーモールド方式
によりコンデンサ素子全体に樹脂外層を施し、続いて前
記外部に露出した陽極導出線を電気メッキを含む複数の
積層したメッキ層とその上部を覆う半田層で被覆し、次
いで表示、エージング、特性検査工程を施し、その後、
前記樹脂外装の凹部内で陽極導出線をカットし、かつこ
の陽極導出線のカット面およびこのカット面の近傍に発
生する変形部分も前記電気メッキを含む複数の積層した
メッキ層とその上部を覆う半田層でそれらの金属の延伸
性により被覆したことを特徴とするチップ状固体電解コ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項２】複数の積層したメッキ層を、電解メッキ
層、無電解メッキ層、電解メッキ層の三層で構成した請
求項１記載のチップ状固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】複数の積層したメッキ層を、電解メッキ
層、無電解メッキ層の二層で構成した請求項１記載のチ
ップ状固体電解コンデンサの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP02240799A JP3104246B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP02240799A JP3104246B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04119622A JPH04119622A (ja) | 1992-04-21 |
| JP3104246B2 true JP3104246B2 (ja) | 2000-10-30 |
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|---|---|---|---|
| JP02240799A Expired - Fee Related JP3104246B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104246B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232655B1 (en) | 1997-01-10 | 2001-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element having external connection terminals, method of manufacturing the semiconductor element, and semiconductor device equipped with the semiconductor element |
| WO2014130500A1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-08-28 | Kemet Electronics Corporation | Low esr capacitor |
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| US9583273B2 (en) | 2010-09-21 | 2017-02-28 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP02240799A patent/JP3104246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| US6232655B1 (en) | 1997-01-10 | 2001-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element having external connection terminals, method of manufacturing the semiconductor element, and semiconductor device equipped with the semiconductor element |
| US6346432B2 (en) | 1997-01-10 | 2002-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element having external connection terminals, method of manufacturing the semiconductor element, and semiconductor device equipped with the semiconductor element |
| US8842418B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-09-23 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
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| US9847179B2 (en) | 2010-09-21 | 2017-12-19 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| WO2014130500A1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-08-28 | Kemet Electronics Corporation | Low esr capacitor |
| US9959979B2 (en) | 2013-02-19 | 2018-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Low ESR capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04119622A (ja) | 1992-04-21 |
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