JP3220973B2 - ジアリールカーボネートの製法 - Google Patents
ジアリールカーボネートの製法Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Description
の製造原料として有用なジアリールカーボネートを製造
する方法に関する。
としては、ホスゲンと芳香族ヒドロキシ化合物をアルカ
リ存在下で反応させる方法(特開昭62−190146
号公報など)や、ジアルキルカーボネートと芳香族ヒド
ロキシ化合物を触媒存在下でエステル交換反応させる方
法(特公昭56−42577号公報や特公平1−558
8号公報など)がよく知られている。しかしながら、前
者のホスゲンを用いる方法はホスゲン自体が毒性の強い
化合物であることや多量のアルカリを使用することなど
から工業的には必ずしも優れた方法ではない。また、後
者のエステル交換による方法は、この方法に係わる多く
の特許に記載されているように、高活性な触媒を用いる
にも拘わらず反応速度が充分ではなく、これを補うため
に大規模の装置を必要とするなどの問題を有している。
ートを脱カルボニル反応させてジアリールカーボネート
を生成させる方法が知られているが、この方法は反応温
度が高いために工業的に不利であるという問題を有して
いる。即ち、シュウ酸ジフェニル(ジフェニルオキサレ
ート)を蒸留フラスコ中で無触媒下で煮沸して炭酸ジフ
ェニル(ジフェニルカーボネート)を製造する方法(有
機合成協会誌,5,報47(1948),70)では、
反応温度が高いためにフェノールや二酸化炭素が副生し
て炭酸ジフェニル(ジフェニルカーボネート)の收率が
低下し、逆に反応温度が低いと炭酸ジフェニル(ジフェ
ニルカーボネート)が殆ど得られない(比較例1、2参
照)。
ート触媒の存在下に50〜150℃に液相で加熱してカ
ーボネートジエステルを製造する方法も提案されている
が(USP4544507号公報)、この方法では、公
報記載の実施例に示されるように、主生成物として得ら
れるものは原料のジフェニルオキサレートであって、目
的のジフェニルカーボネートは得られない(比較例3参
照)。
化合物であるホスゲンを用いることなく、ジアリールカ
ーボネートを容易に製造できる方法を提供することを課
題とする。即ち、ジアリールオキサレートからジアリー
ルカーボネートを製造する方法において、ジアリールカ
ーボネートを收率よく製造できる方法を提供することを
課題とするものである。
ールオキサレートをアルカリ土類金属触媒の存在下に液
相で脱カルボニル反応させることを特徴とするジアリー
ルカーボネートの製法によって達成される。
ートは、次式で示されるジアリールオキサレートの脱カ
ルボニル反応によって生成する。
ル基、(2)置換基として、(a)メチル基、エチル基
等の炭素数1〜12のアルキル基、(b)メトキシ基、
エトキシ基等の炭素数1〜12のアルコキシ基、(c)
ニトロ基、又は(d)フッ素原子、塩素原子等のハロゲ
ン原子などを有する置換フェニル基、及び(3)ナフチ
ル基などが挙げられる。
これら異性体としては、(a)2−(又は3−、4−)
メチルフェニル基、2−(又は3−、4−)エチルフェ
ニル基等の炭素数1〜12のアルキル基を有する2−
(又は3−、4−)アルキルフェニル基や、(b)2−
(又は3−、4−)メトキシフェニル基、2−(又は3
−、4−)エトキシフェニル基等の炭素数1〜12のア
ルコキシ基を有する2−(又は3−、4−)アルコキシ
フェニル基や、(c)2−(又は3−、4−)ニトロフ
ェニル基や、(d)2−(又は3−、4−)フルオロフ
ェニル基、2−(又は3−、4−)クロロフェニル基等
のハロゲン原子を有する2−(又は3−、4−)ハロフ
ェニル基などが挙げられる。
ウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアル
カリ土類金属及びその化合物が挙げられるが、通常、そ
の化合物が好適に使用される。アルカリ土類金属の化合
物としては、(a)塩化マグネシウム、塩化カルシウ
ム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、臭化マグネシ
ウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリ
ウム等のアルカリ土類金属のハロゲン化物や、(b)シ
ュウ酸マグネシウム、シュウ酸カルシウム、シュウ酸ス
トロンチウム、シュウ酸バリウム、ギ酸マグネシウム、
ギ酸カルシウム、ギ酸ストロンチウム、ギ酸バリウム、
酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、酢酸ストロンチウ
ム、酢酸バリウム等の脂肪族モノ又はジカルボン酸のア
ルカリ土類金属塩や、(c)酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等のアル
カリ土類金属の酸化物や、(d)水酸化マグネシウム、
水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物など
が挙げられる。なお、上記のアルカリ土類金属触媒は予
め窒素ガス等の不活性ガス中で100〜600℃に加熱
処理して使用してもよい。
サレートに対して、アルカリ土類金属として通常0.0
01〜50モル%、好ましくは0.01〜40モル%使
用される。この触媒は単独でもまた2種以上混合して使
用しても差し支えなく、また反応液に溶解又は懸濁させ
て使用しても差し支えない。アルカリ土類金属触媒を懸
濁状態で使用する場合、γ−アルミナ等のアルミナ、シ
リカ、シリカアルミナ、ゼオライト等の担体にアルカリ
土類金属又はその化合物が担持されたものを使用しても
よい。アルカリ土類金属又はその化合物の担持量は担体
に対してアルカリ土類金属として通常0.1〜50モル
%、好ましくは0.5〜20モル%である。
応は、ジアリールオキサレートとアルカリ土類金属触媒
を反応器(例えば攪拌槽)に入れて100〜450℃、
好ましくは160〜400℃、更に好ましくは180〜
350℃、特には180〜300℃で液相で加熱するこ
とによって行われる。このとき、前記反応式に従ってジ
アリールオキサレートからジアリールカーボネートが生
成すると共に、副生物として一酸化炭素が発生する。な
お、反応圧力は、反応温度がジアリールオキサレートの
沸点を越える場合は加圧とされるが、通常は常圧又は減
圧である。脱カルボニル反応において溶媒は特に必要と
されないが、例えばスルホラン、N−メチルピロリド
ン、ジメチルイミダゾリドン、1,3−ジメチル−3,
4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン
等の非プロトン性の極性溶媒が適宜使用することができ
る。反応後、生成したジアリールオキサレートは蒸留等
により分離精製される。
体的に説明する。なお、ジフェニルカーボネートの收率
(モル%)は仕込みジフェニルオキサレートに対して求
めた。
ス製フラスコに、ジフェニルオキサレート16.4mm
ol(3.97g)とアルカリ土類金属触媒として塩化
マグネシウム(MgCl2 )0.82mmol(0.0
78g)とを入れて260℃まで昇温した後、常圧下、
発生する一酸化炭素を系外へ除去しながらこの温度で3
時間加熱して脱カルボニル反応を行った。反応終了後、
反応液を室温まで冷却してガスクロマトグラフィー(カ
ラム温度:100〜180℃、注入口温度:170℃)
により分析したところ、ジフェニルカーボネートが2.
5mmol(0.54g)生成していた。ジフェニルカ
ーボネートの收率は15.3%で、その選択率(消費さ
れたジフェニルオキサレートに対するジフェニルカーボ
ネートの割合)は83.9モル%であった。なお、分析
操作によるジフェニルオキサレートからのジフェニルカ
ーボネートの生成は認められなかった。
ほかは、実施例1と同様に反応と分析を行った。その結
果、ジフェニルカーボネートの生成は認められなかっ
た。
化合物に代え、ジフェニルオキサレートの仕込み量及び
反応温度を表1記載のように変えたほかは、実施例1と
同様に反応と分析を行った。その結果を表1に示す。
mol(5.0g)を用いて、反応温度を330℃に変
え、アルカリ土類金属触媒を用いなかったほかは、実施
例1と同様に反応と分析を行った。その結果、ジフェニ
ルカーボネートが0.84mmol生成していた(收
率:4.1%)。
mlのステンレス鋼製反応器に、ジフェニルオキサレー
ト20.7mmol(5.0g)、カリウムフェノラー
ト3.8mmol(0.5g)及びテトラヒドロフラン
5.0gを入れて100℃まで昇温した後、常圧下、こ
の温度で3時間加熱して脱カルボニル反応を行った。実
施例1と同様に分析を行ったところ、ジフェニルカーボ
ネートの生成は認められなかった。実施例及び比較例の
結果を表1に示す。
として有用なジアリールカーボネートを、公知のジアリ
ールオキサレートを煮沸して脱カルボニル反応させる方
法に比べ、工業的に好適な低い反応温度で、ジアリール
オキサレートから收率よく製造することができる。ま
た、毒性の強い化合物であるホスゲンを用いないことか
ら、ジアリールカーボネートを容易にしかも安全に製造
することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 ジアリールオキサレートを、アルカリ土
類金属のハロゲン化物、脂肪族モノ又はジカルボン酸の
アルカリ土類金属塩、又はアルカリ土類金属の酸化物の
存在下に、液相で脱カルボニル反応させることを特徴と
するジアリールカーボネートの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03923996A JP3220973B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-02-27 | ジアリールカーボネートの製法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17173195 | 1995-07-07 | ||
| JP7-171731 | 1995-07-07 | ||
| JP03923996A JP3220973B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-02-27 | ジアリールカーボネートの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0977722A JPH0977722A (ja) | 1997-03-25 |
| JP3220973B2 true JP3220973B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=26378565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03923996A Expired - Lifetime JP3220973B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-02-27 | ジアリールカーボネートの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220973B2 (ja) |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP03923996A patent/JP3220973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0977722A (ja) | 1997-03-25 |
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