JPH01100100A - 酸化物単結晶の単一分域方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 特にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）単結晶のインゴ
ットまたはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯｓ）単結晶
のインゴットを単一分域化させる処理方法の改良に関し
、 従来より長い柱状単結晶の分域処理を可能にすると共に
、分域処理用ヒータを長寿命化にすることを目的とし、 単一分域処理する酸化物単結晶のインゴットとほぼ同じ
成分の粉末と、メチルエチルケトンと、ジブチルフタレ
ートと、セルロースとを混合した導体ペーストを介して
一対の電極で該インゴット挟み、 該単結晶のキューリ点を越える温度雰囲気中で該電極に
単一分域電圧を印加することを特徴とし構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は酸化物単結晶、特にニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯｓ）単結晶のインゴットまたはタンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯｓ）単結晶のインゴットを単一分域化させ
る処理方法の改良に関する。

ＬｉＮｂ０．単結晶およびＬｉＴａＯ３単結晶を育成し
たインゴットは、圧電振動子や弾性表面波フィルタ等の
素子基板とするため、薄く切断しウェーハを作成するに
先立って、育成中に生じた内部ひずみをアニールに依っ
て除去し、さらに分域を整える単一分域処理（ポーリン
グ）が行われる。

〔従来の技術〕

第２図は従来方法による分域処理を説明するための模式
側面図（イ）とその模式平面図（Ｕ）である。

第２図において、ＬｉＮｂ０．またはＬｉＴａＯ５辱に
てなる酸化物単結晶°のインゴット１は、分域を単一化
する処理に先立ってほぼ円柱状に形状を整え、その−側
を全長に渡り除去した平面１ａを形成する。

分域処理装置の台８に搭載し白金（Ｐ　ｔ）にてなる箱
形電極２には、インゴット１と同じＬｉＮｂＯ５または
ＬｉＴａＯ３単結晶の粉末を半焼成したセラミック板３
を収容し、インゴット１と同じＬｉＮｂＯ５またはＬｉ
ＴａＯ３単結晶の粉末４を入れ、その粉末４の上に平面
１ａが上向きとなるようにインゴット１を寝かせた状態
に搭載する。

次いで、平面１ａには粉末４を介してセラミック板３を
搭載し、その上にｐｔ電極５を搭載し、一対の対向電極
２と５を電源６に接続する。

このようなインゴット１は、ヒータ７に通電しインゴッ
トｌのキューリ点を少し越える温度で適宜の時間だけ、
例えばインゴットｌがＬｉＮｂ０１にてなり直径が１５
０ｎｕｓ程度のときは１２００’Ｃで４時間程度加熱す
ると、図中に矢印で示すようにインゴットｌの長さ方向
（結晶の２軸方向）に単一分域Ｐｓが形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上説明したように、円柱状インゴットの２軸方向に単
一分域Ｐｓを形成させようとすると、Ｚ軸に直交する方
向、即ちインゴットの円柱面を挟むように一対の分域電
極を接続する必要があり、かつ、インゴットと該電極と
の間にインゴットと同じ酸化物のセラミック板および粉
末を介在させる必要がある。

そこで、設置スペースが狭くて済むためヒータが縦型で
ある従来の装置は、一対の電極が上下方向にインゴット
を挟む方式であり、かかる装置は細心の注意のもとに段
取りし操作するも、酸化物の粉末が散ってヒータの寿命
を損なうと共に、ヒータの直径をｄとしたとき、インゴ
ットの長さり、は直径ｄの２／３程度が限度となり、単
結晶の育成長さが単一分域処理によって制約されるとい
う問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点の除去を目的とした本発明方法は、第１図の
実施例によれば、単一分域処理する酸化物単結晶のイン
ボッＨ１とほぼ同じ成分の粉末と、メチルエチルケトン
と、ジブチルフタレートと、セルロースとを混合した導
体ペースト１２を介して一対の電極１５でインゴット１
１を挟み、該単結晶のキエーり点を越える温度雰囲気中
で電極１５に単一分域電圧を印加することを特徴とする
酸化物単結晶の単一分域方法である。

〔作用〕

上記手段によれば、分域処理するインゴットとほぼ同じ
線分の粉末を含む導体ペーストを使用し、柱状インゴッ
トを直立姿態で分域処理可能としたことにより、インゴ
ットはその一側を削除して平面を形成する必要がなくな
り、縦型分域処理用ヒータの直径に制限されず長いイン
ゴットの分域処理が可能となり、インゴットと同じ粉末
の飛び散りがなくなってヒータの長寿命化が可能になっ
た。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明方法の実施例を説明する。

第１図は本発明方法の実施例による分域処理を説明する
ための模式側面図（イ）とその模式平面図（ＥＴ）であ
る。

第１図において、ＬｉＮｂＯ５またはＬｉＴａ０＋にて
なる単結晶のインゴット１１は、分域処理に先立ってほ
ぼ円柱状にその形状を整え、インゴット１１と同じＬｉ
ＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ５（酸化物単結晶）の粉末、
メチルエチルケトン、ジブチルフタレートセルロースを
混合した導体ペースト１２を、インゴット１１の円柱面
の対向する２ケ所に塗付する。　　　　′一方、分域処
理装置の台８にインゴット１１と同じ成分の単結晶の粉
末を半焼成したセラミック板１４を搭載し、セラミック
板１４の上にインゴット１１を搭載し、一対の導体ペー
スト１２には、ｐｔにてなり分域処理電源６に接続する
一対の電極１５を接合させる。

このようなインゴット１１は、ヒータ７に通電しインボ
ッ）１１のキューリ点を少し越える温度で適宜の時間だ
け加熱すると、図中に矢印で示すようにインゴットｌｌ
の長さ方向（結晶の２軸方向）の単一分域ｐｓが形成さ
れる。そして、インゴット１１の長さし！は、ヒータ７
の長さにより拘束されるがヒータ７の直径に拘束されず
、従って従来と同じヒータ７を使用するまたは、ヒータ
７と同じ直径で適当に長いヒータと交換するだけで、従
来のインゴット１より長いインゴット１１の分域処理が
可能になる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明方法によれば、分域処理する
円柱状インゴットは、その長さ方向をヒータの長さ方向
と同一の直立姿態に支持して分域処理するため、従来よ
りも長いものが分域処理できるようになり、生産性が著
しく向上されると共に、インゴットと電極との間には該
インゴットと同成分の粉末をペースト状にして介在させ
ることにより、該粉末がヒータの寿命を損なうという従
来の欠点をなくし得た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施例による分域処理を説明する
ための図、 第２図は従来方法による分域処理を説明するための図、 である。 図中において、 ６は分域処理電源、　　７はヒータ、 １１はインゴット、 １２はインゴットと同じ単結晶の粉末を含む導体ペース
ト、 １４はセラミック板、　　１５は電極、Ｐｓは分極方向
、 を示す。 代理人　弁理士　井　桁　貞　−、パｊ＼ イ １″：２ 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　単一分域処理する酸化物単結晶のインゴット（１１）
   とほぼ同じ成分の粉末と、メチルエチルケトンと、ジブ
   チルフタレートと、セルロースとを混合した導体ペース
   ト（１２）を介して一対の電極（１５）で該インゴット
   （１１）を挟み、 該単結晶のキューリ点を越える温度雰囲気中で該電極（
   １５）に単一分域電圧を印加することを特徴とする酸化
   物単結晶の単一分域方法。