JPH01196878A - タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法Info
- Publication number
- JPH01196878A JPH01196878A JP63022274A JP2227488A JPH01196878A JP H01196878 A JPH01196878 A JP H01196878A JP 63022274 A JP63022274 A JP 63022274A JP 2227488 A JP2227488 A JP 2227488A JP H01196878 A JPH01196878 A JP H01196878A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- poling
- temperature
- voltage
- electric field
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子基板を採取する
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法に関し、 分域を単一化させるポーリング処理時に発生するクラッ
クをなくすことを目的とし、 タンタル酸リチウムの単結晶を一対の電極で挟み該単結
晶のキューリ点を越える温度まで徐々に加熱したのち、
所定のポーリング電界を形成するまで徐々に上昇する直
流電圧を該電極に印加し、その状態で所定時間経過した
のち徐々に冷却を開始し、該単結品数り出し温度にほぼ
達した時点で該電圧を遮断し構成する。
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法に関し、 分域を単一化させるポーリング処理時に発生するクラッ
クをなくすことを目的とし、 タンタル酸リチウムの単結晶を一対の電極で挟み該単結
晶のキューリ点を越える温度まで徐々に加熱したのち、
所定のポーリング電界を形成するまで徐々に上昇する直
流電圧を該電極に印加し、その状態で所定時間経過した
のち徐々に冷却を開始し、該単結品数り出し温度にほぼ
達した時点で該電圧を遮断し構成する。
本発明はタンタル酸リチウム（Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏｚ）
の単結晶、特に圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子
基板を採取するタンタル酸リチウム単結晶のポーリング
方法の改良に関する。
の単結晶、特に圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子
基板を採取するタンタル酸リチウム単結晶のポーリング
方法の改良に関する。
タンタル酸リチウムの単結晶、例えばチョクラルスキー
法で育成した単結晶（インゴット）は、薄く切断してウ
ェーハを作成するに先立って、前記育成時にできた内部
ひずみを除去するアニールを実施し、さらに分域を単一
化させるポーリング処理が施される。
法で育成した単結晶（インゴット）は、薄く切断してウ
ェーハを作成するに先立って、前記育成時にできた内部
ひずみを除去するアニールを実施し、さらに分域を単一
化させるポーリング処理が施される。
第３図は育成されたタンタル酸リチウム単結晶とそのポ
ーリング装置の要部を示す側面図、第４図は従来方法に
よるタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法を説明
するための図である。
ーリング装置の要部を示す側面図、第４図は従来方法に
よるタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法を説明
するための図である。
第３図において、円筒形状に育成された単結晶ｌは、結
晶Ｚ軸方向の対向円筒面にそれぞれ導体ペースト２を塗
布し、導体ペースト２を介して一対の白金電極３で挟み
、電極３を直流電源４に接続する。
晶Ｚ軸方向の対向円筒面にそれぞれ導体ペースト２を塗
布し、導体ペースト２を介して一対の白金電極３で挟み
、電極３を直流電源４に接続する。
そして単結晶１は、電極３に所定の直流電圧を印加する
と共ｃ’＝、単結晶１の外側に配設したヒータ５に通電
して加熱し、ポーリング処理が行われる。
と共ｃ’＝、単結晶１の外側に配設したヒータ５に通電
して加熱し、ポーリング処理が行われる。
第４図において、左方の縦軸は直径３インチに育成され
た単結晶１の加熱温度（℃）、右方の縦軸は電極３に印
加する直流電圧（■）、横軸はポーリング処理の経過時
間（ｈ）である。図中に実線で示す加熱温度特性は、約
９時間かけて単結晶１をそのキューり温度（約６４０℃
）より適当に高い温度、例えば７００℃まで加熱して４
時間保持したのち、約２４時間かけて単結晶１の取り出
し温度（室温）に徐冷すると共に、単結晶ｌにポーリン
グ電界を付加させるため電極３に印加する電圧は、図中
に破線で示すように、前記加熱を開始し徐冷が終了する
まで、一定値（図は５０Ｖ）であった。
た単結晶１の加熱温度（℃）、右方の縦軸は電極３に印
加する直流電圧（■）、横軸はポーリング処理の経過時
間（ｈ）である。図中に実線で示す加熱温度特性は、約
９時間かけて単結晶１をそのキューり温度（約６４０℃
）より適当に高い温度、例えば７００℃まで加熱して４
時間保持したのち、約２４時間かけて単結晶１の取り出
し温度（室温）に徐冷すると共に、単結晶ｌにポーリン
グ電界を付加させるため電極３に印加する電圧は、図中
に破線で示すように、前記加熱を開始し徐冷が終了する
まで、一定値（図は５０Ｖ）であった。
以上説明したように、単結晶のポーリングに際し加熱開
始と同時に所定のポーリング電圧を印加する従来方法は
、ポーリング処理に際し、該単結晶にマイクロクランク
の発生が不可避であり、該マイクロクランクの発生部分
が使用できないため、単結晶より切り出せる素子基板数
の歩留まりが低減されるという問題点があった。
始と同時に所定のポーリング電圧を印加する従来方法は
、ポーリング処理に際し、該単結晶にマイクロクランク
の発生が不可避であり、該マイクロクランクの発生部分
が使用できないため、単結晶より切り出せる素子基板数
の歩留まりが低減されるという問題点があった。
本発明の目的は、タンタル酸リチウム単結晶のポーリン
グ処理に際し発生するマイクロクランクを低減させるこ
とである。
グ処理に際し発生するマイクロクランクを低減させるこ
とである。
上記目的を達成し得た本発明は、タンタル酸リチウムの
単結晶を一対の電極で挟み該単結晶のキューリ点を越え
る温度まで徐々に加熱したのち、所定のポーリング電界
を形成するまで徐々に上昇する直流電圧を該電極に印加
し、その状態で所定時間経過したのち徐々に冷却を開始
し、該単結晶数り出し温度にほぼ達した時点で該電圧を
遮断することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の
ポーリング方法である。
単結晶を一対の電極で挟み該単結晶のキューリ点を越え
る温度まで徐々に加熱したのち、所定のポーリング電界
を形成するまで徐々に上昇する直流電圧を該電極に印加
し、その状態で所定時間経過したのち徐々に冷却を開始
し、該単結晶数り出し温度にほぼ達した時点で該電圧を
遮断することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の
ポーリング方法である。
上記手段によれば、加熱温度が上昇することで熱応力が
増大中の単結晶にポーリング電界を付与せず、所定の温
度に到達したのち徐々に増加するポーリング電界を付与
することで、ポーリング処理中に発生するマイクロクラ
ンクが皆無となり、その結果、従来よりも多数の素子基
板が切り出し可能になる。
増大中の単結晶にポーリング電界を付与せず、所定の温
度に到達したのち徐々に増加するポーリング電界を付与
することで、ポーリング処理中に発生するマイクロクラ
ンクが皆無となり、その結果、従来よりも多数の素子基
板が切り出し可能になる。
以下に、前述の第３図に示す装置を使用した本発明方法
の一実施例につき、図面を用いて説明する。
の一実施例につき、図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例によるタンタル酸リチウム単
結晶のポーリング方法を説明するための図である。
結晶のポーリング方法を説明するための図である。
第１図において、左方の縦軸は直径３インチに育成され
た単結晶１の加熱温度（℃）、右方の縦軸は電極３に印
加する直流電圧（■）２横軸はポーリング処理の経過時
間（ｈ）である。
た単結晶１の加熱温度（℃）、右方の縦軸は電極３に印
加する直流電圧（■）２横軸はポーリング処理の経過時
間（ｈ）である。
図中に実線で示す加熱温度特性は、第４図に示す従来方
法のそれと同一であり、約９時間かけて単結晶１をその
キューリ温度（約６４０℃）ヨリ適当に高い７００℃ま
で加熱して４時間保持したのち、約２４時間かけて単結
晶ｌの取り出し温度（室温）に徐冷する。
法のそれと同一であり、約９時間かけて単結晶１をその
キューリ温度（約６４０℃）ヨリ適当に高い７００℃ま
で加熱して４時間保持したのち、約２４時間かけて単結
晶ｌの取り出し温度（室温）に徐冷する。
他方、単結晶１にポーリング電界を付加させるため電極
３に印加する電圧は、図中に破線で示すように、単結晶
１の温度が７００℃に到達してから約１時間保持したの
ち、１時間に約５０Ｖの割合で徐々に増大するように電
圧を高めながら印加し、１時間後に５０Ｖになったら単
結晶１がその取り出し温度になるまでの約３７時間保持
したのち、遮断するようになる。
３に印加する電圧は、図中に破線で示すように、単結晶
１の温度が７００℃に到達してから約１時間保持したの
ち、１時間に約５０Ｖの割合で徐々に増大するように電
圧を高めながら印加し、１時間後に５０Ｖになったら単
結晶１がその取り出し温度になるまでの約３７時間保持
したのち、遮断するようになる。
なお、第２図はポーリング電圧の増加割合とマイクロク
ランクとの関係を示す図である。
ランクとの関係を示す図である。
第２図において、縦軸は単結晶ｌのクラック発生率、横
軸はポーリング電圧の増加割合（Ｖ／ｈ）であり、ポー
リング電圧の増加割合を高めると、ポーリングに要する
所要時間は短縮されるようになるが、単結晶１にはマイ
クロクランクが多く発生するようになる。そして、マイ
クロクランクの発生は電界印加割合が６０Ｖ／ｈを越え
ると発生率の増加が明瞭となるため、従来より一般に５
０Ｖ／ｈが使用されており、第１図の本発明においても
５０Ｖ／ｈとした。
軸はポーリング電圧の増加割合（Ｖ／ｈ）であり、ポー
リング電圧の増加割合を高めると、ポーリングに要する
所要時間は短縮されるようになるが、単結晶１にはマイ
クロクランクが多く発生するようになる。そして、マイ
クロクランクの発生は電界印加割合が６０Ｖ／ｈを越え
ると発生率の増加が明瞭となるため、従来より一般に５
０Ｖ／ｈが使用されており、第１図の本発明においても
５０Ｖ／ｈとした。
以上説明したように本発明は、温度が上昇することで熱
応力が増大中の単結晶にポーリング電界を付与せず、所
定の温度に到達したのち徐々に増加するポーリング電界
を付与することで、ポーリング処理中に発生するマイク
ロクランクが皆無となり、その結果、従来よりも多数の
素子基板を切り出し可能にした効果がある。
応力が増大中の単結晶にポーリング電界を付与せず、所
定の温度に到達したのち徐々に増加するポーリング電界
を付与することで、ポーリング処理中に発生するマイク
ロクランクが皆無となり、その結果、従来よりも多数の
素子基板を切り出し可能にした効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるタンタル酸リチウム単
結晶のポーリング方法の説明図、第２図はポーリング電
圧の増加割合とクラック発生率との関係を示す図、 第３図はタンタル酸リチウム単結晶とポーリング装置の
要部を示す側面図、 第４図は従来方法によるタンタル酸リチウム単結晶のポ
ーリング方法の説明図、 図中において、 １はタンタル酸リチウム単結晶、 ２は導体ペースト、 ３は白金電極、 ４は電源、 ５はヒータ、 を示す。 さ 木企萌の一実絶会尼よろタンクル酸ソ＋ウム単陪晶０ポ
ーンンク方法の説明図 第 １ 図 オで−クングミ力しの槽刀Ｏ宇）令（Ｖ７．）ボーリン
グ電圧９増加割治と２ラツク 光先牢との間係Σ示Ｔ図 第 ２ 図
結晶のポーリング方法の説明図、第２図はポーリング電
圧の増加割合とクラック発生率との関係を示す図、 第３図はタンタル酸リチウム単結晶とポーリング装置の
要部を示す側面図、 第４図は従来方法によるタンタル酸リチウム単結晶のポ
ーリング方法の説明図、 図中において、 １はタンタル酸リチウム単結晶、 ２は導体ペースト、 ３は白金電極、 ４は電源、 ５はヒータ、 を示す。 さ 木企萌の一実絶会尼よろタンクル酸ソ＋ウム単陪晶０ポ
ーンンク方法の説明図 第 １ 図 オで−クングミ力しの槽刀Ｏ宇）令（Ｖ７．）ボーリン
グ電圧９増加割治と２ラツク 光先牢との間係Σ示Ｔ図 第 ２ 図
Claims (1)
- タンタル酸リチウムの単結晶（１）を一対の電極（３）
で挟み該単結晶（１）のキューリ点を越える温度まで徐
々に加熱したのち、所定のポーリング電界を形成するま
で徐々に上昇する直流電圧を該電極（３）に印加し、そ
の状態で所定時間経過したのち徐々に冷却を開始し、該
単結晶（１）の取り出し温度にほぼ達した時点で該電圧
を遮断することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶
のポーリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022274A JPH01196878A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022274A JPH01196878A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196878A true JPH01196878A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12078181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63022274A Pending JPH01196878A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2378580A3 (de) * | 2010-04-16 | 2014-07-02 | Robert Bosch GmbH | Verfahren zum Heißpolarisieren eines piezokeramischen Bauelements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154406A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | 株式会社東芝 | 強誘電体単結晶の単一分域化方法 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63022274A patent/JPH01196878A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154406A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | 株式会社東芝 | 強誘電体単結晶の単一分域化方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2378580A3 (de) * | 2010-04-16 | 2014-07-02 | Robert Bosch GmbH | Verfahren zum Heißpolarisieren eines piezokeramischen Bauelements |
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