JPH11302100A - ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法Info
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- JPH11302100A JPH11302100A JP12676998A JP12676998A JPH11302100A JP H11302100 A JPH11302100 A JP H11302100A JP 12676998 A JP12676998 A JP 12676998A JP 12676998 A JP12676998 A JP 12676998A JP H11302100 A JPH11302100 A JP H11302100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製品となる結晶部分への白金の拡散を防止
し、それによるクラックの発生の問題を解決して、製品
歩留りを向上させる。 【解決手段】 引き上げ法によってＺ軸引き上げニオブ
酸リチウム単結晶を育成し、（００１）面で切断して、
両端の（００１）面に白金系の導電性ペーストを焼き付
けて電極４０，４２とし、該単結晶のキュリー温度以上
の温度で両電極間に直流電圧を印加して単分域化処理す
るニオブ酸リチウム単結晶の製造方法である。ここで製
品となりうる結晶部分５２の長さよりも、前記電極材料
の拡散距離に見合った長さ以上の不要部分５０を余計に
残して（００１）面で切断し、その不要部分側の端面を
正電極とし反対側の端面を負電極として単分域化処理
し、その後、前記不要部分を切除する。
し、それによるクラックの発生の問題を解決して、製品
歩留りを向上させる。 【解決手段】 引き上げ法によってＺ軸引き上げニオブ
酸リチウム単結晶を育成し、（００１）面で切断して、
両端の（００１）面に白金系の導電性ペーストを焼き付
けて電極４０，４２とし、該単結晶のキュリー温度以上
の温度で両電極間に直流電圧を印加して単分域化処理す
るニオブ酸リチウム単結晶の製造方法である。ここで製
品となりうる結晶部分５２の長さよりも、前記電極材料
の拡散距離に見合った長さ以上の不要部分５０を余計に
残して（００１）面で切断し、その不要部分側の端面を
正電極とし反対側の端面を負電極として単分域化処理
し、その後、前記不要部分を切除する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単分域化処理した
ニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法に関し、更に詳
しく述べると、ニオブ酸リチウム単結晶に高温状態で直
流電圧を印加して単分域化処理する際に、正電極側に一
定長さ以上の不要部分を残したままの状態で処理するこ
とにより製品歩留りを向上させることができるようにし
たニオブ酸リチウム単結晶の製造方法に関するものであ
る。
ニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法に関し、更に詳
しく述べると、ニオブ酸リチウム単結晶に高温状態で直
流電圧を印加して単分域化処理する際に、正電極側に一
定長さ以上の不要部分を残したままの状態で処理するこ
とにより製品歩留りを向上させることができるようにし
たニオブ酸リチウム単結晶の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸リチウム単結晶は、各種の光学
部品などに使用されている強誘電体材料である。このニ
オブ酸リチウム単結晶は、引き上げ法により育成されて
いる。即ち、種結晶をルツボ中の原料融液に接触させ
て、両者を相対的に回転させながらゆっくりと引き上げ
ることで育成する。引き上げによって種結晶の部分から
直径が大きくなっていき、所定の直径が得られた状態
で、以後は同じ直径となるように直胴部分を育成する。
種結晶の部分から直胴部分へと直径が大きくなっていく
部分はコーン部と呼ばれ、その形状（軸方向の長さ）
は、育成条件などに応じて様々である。
部品などに使用されている強誘電体材料である。このニ
オブ酸リチウム単結晶は、引き上げ法により育成されて
いる。即ち、種結晶をルツボ中の原料融液に接触させ
て、両者を相対的に回転させながらゆっくりと引き上げ
ることで育成する。引き上げによって種結晶の部分から
直径が大きくなっていき、所定の直径が得られた状態
で、以後は同じ直径となるように直胴部分を育成する。
種結晶の部分から直胴部分へと直径が大きくなっていく
部分はコーン部と呼ばれ、その形状（軸方向の長さ）
は、育成条件などに応じて様々である。
【０００３】ところで、この種の強誘電体結晶は、その
キュリー温度よりも高い温度で直流電圧を印加して分極
の向きを一定に揃える「単分域化」と呼ばれる処理を必
要とする。ニオブ酸リチウム単結晶のキュリー温度は、
ニオブとリチウムの比率で変わるが、ほぼ１１４０〜１
１５０℃程度である。
キュリー温度よりも高い温度で直流電圧を印加して分極
の向きを一定に揃える「単分域化」と呼ばれる処理を必
要とする。ニオブ酸リチウム単結晶のキュリー温度は、
ニオブとリチウムの比率で変わるが、ほぼ１１４０〜１
１５０℃程度である。
【０００４】従来、この単分域化処理は、次のような方
法で行われていた。例えば図４に示すように、育成した
ニオブ酸リチウム単結晶１０のＺ軸方向の両端を切り落
とした後に、白金ペーストを塗布し焼き付けて白金電極
１２，１３を形成する。そして、それぞれ白金板１４，
１５を当接しアルミナ等の磁器ルツボ１６内に収容して
電気炉（図示せず）内に設置し、所定の加熱状態で直流
電源１８から直流電圧を印加して単分域化する。育成し
たニオブ酸リチウム単結晶の状態によっては、両端を切
り落とすこと無く、両端に直接白金を焼き付けて電極を
形成する場合もある。
法で行われていた。例えば図４に示すように、育成した
ニオブ酸リチウム単結晶１０のＺ軸方向の両端を切り落
とした後に、白金ペーストを塗布し焼き付けて白金電極
１２，１３を形成する。そして、それぞれ白金板１４，
１５を当接しアルミナ等の磁器ルツボ１６内に収容して
電気炉（図示せず）内に設置し、所定の加熱状態で直流
電源１８から直流電圧を印加して単分域化する。育成し
たニオブ酸リチウム単結晶の状態によっては、両端を切
り落とすこと無く、両端に直接白金を焼き付けて電極を
形成する場合もある。
【０００５】他の方法としては、図５に示すような方法
もある。育成したニオブ酸リチウム単結晶２０のＺ軸方
向の両端近傍に白金電極板２２，２３を配置し、それを
磁器ルツボ２４内に収容して、間に単結晶と同種の粉末
（即ち、ニオブ酸リチウム粉末）２６を充填する。それ
を電気炉（図示せず）内に設置し、所定の加熱状態にお
いて直流電源２８から直流電圧を印加して単分域化す
る。
もある。育成したニオブ酸リチウム単結晶２０のＺ軸方
向の両端近傍に白金電極板２２，２３を配置し、それを
磁器ルツボ２４内に収容して、間に単結晶と同種の粉末
（即ち、ニオブ酸リチウム粉末）２６を充填する。それ
を電気炉（図示せず）内に設置し、所定の加熱状態にお
いて直流電源２８から直流電圧を印加して単分域化す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前者の白金ペーストを
焼き付けて電極を形成する方法では、正電極近傍でクラ
ックが発生し、製品歩留りが低下する欠点があった。そ
の原因は、正電極側で電極材である白金が結晶内部へ拡
散していくためと考えられている。
焼き付けて電極を形成する方法では、正電極近傍でクラ
ックが発生し、製品歩留りが低下する欠点があった。そ
の原因は、正電極側で電極材である白金が結晶内部へ拡
散していくためと考えられている。
【０００７】また後者の粉末を充填する方法では、粉末
の充填作業が煩瑣であるし、粉末の充填密度を処理毎に
一定に維持することが困難であり、その結果、結晶体に
印加されるべき所定の電圧が印加されず、単分域化でき
ないことがあるという問題があった。
の充填作業が煩瑣であるし、粉末の充填密度を処理毎に
一定に維持することが困難であり、その結果、結晶体に
印加されるべき所定の電圧が印加されず、単分域化でき
ないことがあるという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、製品となる結晶部分への
白金の拡散を防止し、それによるクラックの発生の問題
を解決して、製品歩留りを向上させることができるよう
に工夫したニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供す
ることである。
白金の拡散を防止し、それによるクラックの発生の問題
を解決して、製品歩留りを向上させることができるよう
に工夫したニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、引き上げ法に
よりＺ軸引き上げニオブ酸リチウム単結晶を育成し、
（００１）面で切断して、両端の（００１）面に白金系
の導電性ペーストを焼き付けて電極とし、該単結晶のキ
ュリー温度以上の温度で両電極間に直流電圧を印加して
単分域化処理するニオブ酸リチウム単結晶の製造方法で
ある。ここで本発明では、製品となりうる結晶部分長よ
りも、前記電極材料の拡散距離に見合った長さ以上の不
要部分を余計に残して（００１）面で切断し、その不要
部分側の端面を正電極とし反対側の端面を負電極として
単分域化処理し、その後、前記不要部分を切除する。
よりＺ軸引き上げニオブ酸リチウム単結晶を育成し、
（００１）面で切断して、両端の（００１）面に白金系
の導電性ペーストを焼き付けて電極とし、該単結晶のキ
ュリー温度以上の温度で両電極間に直流電圧を印加して
単分域化処理するニオブ酸リチウム単結晶の製造方法で
ある。ここで本発明では、製品となりうる結晶部分長よ
りも、前記電極材料の拡散距離に見合った長さ以上の不
要部分を余計に残して（００１）面で切断し、その不要
部分側の端面を正電極とし反対側の端面を負電極として
単分域化処理し、その後、前記不要部分を切除する。
【００１０】結晶表面に白金系の導電性ペーストを塗布
し焼き付けて電極とし単分域化処理を行った場合、正電
極側で焼き付けられている白金が、単分域化工程中に結
晶中を拡散していく現象が生じる。また、この現象に伴
って、正電極側の結晶表面にクラックが生じる。そこで
本発明者は、この現象について実験的に検証した結果、
クラックの発生深さは、おおよそ印加電圧と印加時間と
単分域化処理温度の３つの因子に支配されていることが
判明した。また負電極側ではクラックが発生しないこと
も判明した。
し焼き付けて電極とし単分域化処理を行った場合、正電
極側で焼き付けられている白金が、単分域化工程中に結
晶中を拡散していく現象が生じる。また、この現象に伴
って、正電極側の結晶表面にクラックが生じる。そこで
本発明者は、この現象について実験的に検証した結果、
クラックの発生深さは、おおよそ印加電圧と印加時間と
単分域化処理温度の３つの因子に支配されていることが
判明した。また負電極側ではクラックが発生しないこと
も判明した。
【００１１】正電極側でのクラック発生深さは、ほぼＶ
×Ｔ×ＤＴ／５で与えられる。 但し、Ｖ：単位長さ当たりの印加電圧（Ｖ／cm） Ｔ：所定の単分域化温度での電圧印加時間（ｈｒ） ＤＴ：所定の単分域化温度−その結晶のキュリー温度
（℃） である。そこで、不要部分の長さＬ（mm）を、Ｌ≧Ｖ×
Ｔ×ＤＴ／５で示される値とするのが好ましい。正電極
側では、製品に供する結晶部位よりも、上記のように規
定した長さ以上の不要な結晶を残したままの結晶ブール
で単分域化処理を行うことによって、製品に供する部分
の結晶にはクラック等の欠陥が生じず、その結果、同一
の結晶からとれる製品数量が増大し、製品歩留りが向上
する。
×Ｔ×ＤＴ／５で与えられる。 但し、Ｖ：単位長さ当たりの印加電圧（Ｖ／cm） Ｔ：所定の単分域化温度での電圧印加時間（ｈｒ） ＤＴ：所定の単分域化温度−その結晶のキュリー温度
（℃） である。そこで、不要部分の長さＬ（mm）を、Ｌ≧Ｖ×
Ｔ×ＤＴ／５で示される値とするのが好ましい。正電極
側では、製品に供する結晶部位よりも、上記のように規
定した長さ以上の不要な結晶を残したままの結晶ブール
で単分域化処理を行うことによって、製品に供する部分
の結晶にはクラック等の欠陥が生じず、その結果、同一
の結晶からとれる製品数量が増大し、製品歩留りが向上
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】不要部分を有効に利用するために
は、引き上げ法による単結晶の育成時に生じるコーン部
分の一部を不要部分として用いるのがよい。そのために
は単結晶引き上げ時に、直胴部分の端から不要部分の長
さに相当する位置で切断したときのコーン部分の結晶断
面の径が、直胴部分の径の１／２以上となるような形状
に肩作りするのがよい。正電極を形成する結晶切断面の
結晶径が、直胴部分径の１／２より小さいと単分域化処
理がうまくできない場合があるからである。これによっ
て、直胴部分全体が製品となりうる結晶部分となる。
は、引き上げ法による単結晶の育成時に生じるコーン部
分の一部を不要部分として用いるのがよい。そのために
は単結晶引き上げ時に、直胴部分の端から不要部分の長
さに相当する位置で切断したときのコーン部分の結晶断
面の径が、直胴部分の径の１／２以上となるような形状
に肩作りするのがよい。正電極を形成する結晶切断面の
結晶径が、直胴部分径の１／２より小さいと単分域化処
理がうまくできない場合があるからである。これによっ
て、直胴部分全体が製品となりうる結晶部分となる。
【００１３】ニオブ酸リチウム単結晶は、前述のよう
に、引き上げ法により育成される。即ち、種結晶をルツ
ボ内の原料融液に接触させて、両者を相対的に回転させ
ながらゆっくりと引き上げることで育成する。引き上げ
によって、図１に示すように、種結晶部分３０から直径
が大きくなっていき、所定の直径が得られた状態で、以
後はほぼ同じ直径となるように直胴部分３２を育成す
る。種結晶部分３０から直胴部分３２へと直径が大きく
なっていく部分はコーン部分３４と呼ばれ、その形状
（軸方向の長さ）は、育成条件などに応じて様々であ
る。一般的には、結晶品質を上げるためには、コーン部
分はある程度の長さをもつことが必要であるが、このコ
ーン部分３４は育成後に切除され製品にはならないこと
から、短い方が好ましい。
に、引き上げ法により育成される。即ち、種結晶をルツ
ボ内の原料融液に接触させて、両者を相対的に回転させ
ながらゆっくりと引き上げることで育成する。引き上げ
によって、図１に示すように、種結晶部分３０から直径
が大きくなっていき、所定の直径が得られた状態で、以
後はほぼ同じ直径となるように直胴部分３２を育成す
る。種結晶部分３０から直胴部分３２へと直径が大きく
なっていく部分はコーン部分３４と呼ばれ、その形状
（軸方向の長さ）は、育成条件などに応じて様々であ
る。一般的には、結晶品質を上げるためには、コーン部
分はある程度の長さをもつことが必要であるが、このコ
ーン部分３４は育成後に切除され製品にはならないこと
から、短い方が好ましい。
【００１４】本発明では、直胴部分３２の上端ではな
く、それよりも前記長さＬだけ上方のコーン部分３４の
位置で結晶を切断する。そのとき、その切断位置での結
晶の径Ｄ1 が直胴部分の径Ｄ2 の１／２以上となるよう
なコーン形状となるように肩作りして単結晶を育成す
る。うまく単分域化するためには、切断位置での面積が
ある程度以上必要であり、それが上記のような直径の関
係である。なお、使用する導電性ペーストとしては、白
金ペーストのみならず、白金系ペースト即ち白金を含む
合金ペーストも含まれる。
く、それよりも前記長さＬだけ上方のコーン部分３４の
位置で結晶を切断する。そのとき、その切断位置での結
晶の径Ｄ1 が直胴部分の径Ｄ2 の１／２以上となるよう
なコーン形状となるように肩作りして単結晶を育成す
る。うまく単分域化するためには、切断位置での面積が
ある程度以上必要であり、それが上記のような直径の関
係である。なお、使用する導電性ペーストとしては、白
金ペーストのみならず、白金系ペースト即ち白金を含む
合金ペーストも含まれる。
【００１５】
【実施例】図１に示す直径２インチ、直胴部分長さ１０
０mm、コーン部分長さ３０mmの同一形状、同一材質のニ
オブ酸リチウム単結晶を用い、それを図４に示す方法を
用い、種々の条件で単分域化処理し、クラックの発生状
況と、良品ウエハの収量を求めた。なお、この単結晶の
キュリー温度は１１４０℃である。
０mm、コーン部分長さ３０mmの同一形状、同一材質のニ
オブ酸リチウム単結晶を用い、それを図４に示す方法を
用い、種々の条件で単分域化処理し、クラックの発生状
況と、良品ウエハの収量を求めた。なお、この単結晶の
キュリー温度は１１４０℃である。
【００１６】（実施例）図２に示すように、コーン部分
の一部（直胴部分の上端から１０mmの部分）を残して切
り落とし、その残った部分を不要部分５０とする。また
直胴部分が製品となりうる結晶部分５２である。両端面
に白金ペーストを塗布して焼き付け、電極４０，４２と
した。コーン部分の切断位置での直径Ｄ1 は、直胴部分
３２の直径Ｄ2 の１／２以上であった。この結晶を、１
１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの電界を印加し
たまま、約１時間保持し、その後、降温して、１０００
℃以下で電界印加を停止した。このような条件で単分域
化処理した結晶の正電極側では、電極表面から６mmの位
置までクラックが発生していたが、直胴部分にはクラッ
クは入っていなかった。この結晶ブールからは、厚み１
mmの良品ウエハが６６枚得られた。
の一部（直胴部分の上端から１０mmの部分）を残して切
り落とし、その残った部分を不要部分５０とする。また
直胴部分が製品となりうる結晶部分５２である。両端面
に白金ペーストを塗布して焼き付け、電極４０，４２と
した。コーン部分の切断位置での直径Ｄ1 は、直胴部分
３２の直径Ｄ2 の１／２以上であった。この結晶を、１
１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの電界を印加し
たまま、約１時間保持し、その後、降温して、１０００
℃以下で電界印加を停止した。このような条件で単分域
化処理した結晶の正電極側では、電極表面から６mmの位
置までクラックが発生していたが、直胴部分にはクラッ
クは入っていなかった。この結晶ブールからは、厚み１
mmの良品ウエハが６６枚得られた。
【００１７】（比較例１）図３に示すように、コーン部
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から６mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが６
３枚しか得られなかった。
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から６mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが６
３枚しか得られなかった。
【００１８】（比較例２）図３に示すように、コーン部
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１６０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１６０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
【００１９】（比較例３）図３に示すように、コーン部
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に６Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に６Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約１時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
【００２０】（比較例４）図３に示すように、コーン部
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約２時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
の全てを残して切り落とし、直胴部分の両端面に白金ペ
ーストを塗布して焼き付け、電極４４，４６とした。こ
の結晶を、１１５０℃に加熱し、両電極間に３Ｖ／cmの
電界を印加したまま、約２時間保持し、その後、降温し
て、１０００℃以下で電界印加を停止した。このような
条件で単分域化処理した結晶の正電極側では、直胴部分
の電極表面から１２mmの位置までクラックが発生してい
た。この結晶ブールからは、厚み１mmの良品ウエハが５
８枚しか得られなかった。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上記のように、製品となりうる
結晶部分長よりも一定以上の長さの不要部分を残した状
態で単分域化処理する方法であるから、従来問題となっ
ていた正電極近傍での結晶品質低下及びクラック発生に
伴う製造歩留りの低下の問題を解消することができる。
結晶部分長よりも一定以上の長さの不要部分を残した状
態で単分域化処理する方法であるから、従来問題となっ
ていた正電極近傍での結晶品質低下及びクラック発生に
伴う製造歩留りの低下の問題を解消することができる。
【図１】育成した単結晶の形状説明図。
【図２】本発明における電極形成状態を示す説明図。
【図３】比較例における電極形成状態を示す説明図。
【図４】単分域化の一方法を示す説明図。
【図５】単分域化の他の方法を示す説明図。
４０ 電極 ４２ 電極 ５０ 不要部分 ５２ 製品となりうる結晶部分
Claims (3)
- 【請求項１】 引き上げ法によりＺ軸引き上げニオブ酸
リチウム単結晶を育成し、（００１）面で切断して、両
端の（００１）面に白金系の導電性ペーストを焼き付け
て電極とし、該単結晶のキュリー温度以上の温度で両電
極間に直流電圧を印加して単分域化処理するニオブ酸リ
チウム単結晶の製造方法において、 製品となりうる結晶部分長よりも、前記電極材料の拡散
距離に見合った長さ以上の不要部分を余計に残して（０
０１）面で切断し、その不要部分側の端面を正電極とし
反対側の端面を負電極として単分域化処理し、その後、
前記不要部分を切除することを特徴とするニオブ酸リチ
ウム単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 不要部分の長さＬ（mm）を、 Ｌ≧Ｖ×Ｔ×ＤＴ／５ 但し、Ｖ：単位長さ当たりの印加電圧（Ｖ／cm） Ｔ：所定の単分域化温度での電圧印加時間（ｈｒ） ＤＴ：所定の単分域化温度−その結晶のキュリー温度
（℃） で規定した値とする請求項１記載のニオブ酸リチウム単
結晶の製造方法。 - 【請求項３】 引き上げ法による単結晶の育成時に生じ
るコーン部分の一部を不要部分として用い、単結晶引き
上げ時に、直胴部分の端から不要部分の長さに相当する
位置で切断したときのコーン部分の結晶断面の径が、直
胴部分の径の１／２以上となるような形状に肩作りする
請求項１又は２記載のニオブ酸リチウム単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676998A JPH11302100A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676998A JPH11302100A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302100A true JPH11302100A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14943479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12676998A Pending JPH11302100A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11302100A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116200828A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-06-02 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法 |
-
1998
- 1998-04-21 JP JP12676998A patent/JPH11302100A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116200828A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-06-02 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法 |
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