JPH01172299A - タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法Info
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- JPH01172299A JPH01172299A JP62331425A JP33142587A JPH01172299A JP H01172299 A JPH01172299 A JP H01172299A JP 62331425 A JP62331425 A JP 62331425A JP 33142587 A JP33142587 A JP 33142587A JP H01172299 A JPH01172299 A JP H01172299A
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- lithium tantalate
- lithium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子基板を採取する
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法に関し、 ポーリングの均一性と再現性を高め、ポーリング時に発
生するクラックの低減を目的とし、ニオブ酸リチウム単
結晶の粉末または該粉末の焼結体を媒体として一対の白
金電極でタンタル酸リチウムの単結晶を挟み、該白金電
極にポーリング電圧を印加することを特徴とし構成する
。
タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法に関し、 ポーリングの均一性と再現性を高め、ポーリング時に発
生するクラックの低減を目的とし、ニオブ酸リチウム単
結晶の粉末または該粉末の焼結体を媒体として一対の白
金電極でタンタル酸リチウムの単結晶を挟み、該白金電
極にポーリング電圧を印加することを特徴とし構成する
。
本発明はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯｓ）の単結晶
、特に圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子基板を採
取するタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法の改
良に関する。
、特に圧電素子や弾性表面波フィルタ等の素子基板を採
取するタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法の改
良に関する。
タンタル酸リチウムの単結晶、例えばチョクラルスキー
法で育成した単結晶（インゴット）は、薄く切断してウ
ェーハを作成するに先立って、前記育成時にできた内部
ひずみを除去するアニールを実施し、さらに分域を単一
化させるポーリング処理が施される。
法で育成した単結晶（インゴット）は、薄く切断してウ
ェーハを作成するに先立って、前記育成時にできた内部
ひずみを除去するアニールを実施し、さらに分域を単一
化させるポーリング処理が施される。
第４図は育成されたタンタル酸リチウム単結晶の従来の
ポーリング方法を説明するための側面図であり、円筒形
状に育成された単結晶１は、結晶Ｚ軸方向の対向円筒面
にそれぞれ導体ペースト２を塗布し、導体ペースト２を
介して一対の断面円弧形状の白金電極３で挟み、電極３
を直流電源４に接続する。
ポーリング方法を説明するための側面図であり、円筒形
状に育成された単結晶１は、結晶Ｚ軸方向の対向円筒面
にそれぞれ導体ペースト２を塗布し、導体ペースト２を
介して一対の断面円弧形状の白金電極３で挟み、電極３
を直流電源４に接続する。
このような単結晶１、例えば直径３インチの単結晶ｌは
、６５０°Ｃ〜 ７００℃に加熱した雰囲気中で約４時
間、電極３に所定の直流電圧を印加しポーリングが行わ
れる。
、６５０°Ｃ〜 ７００℃に加熱した雰囲気中で約４時
間、電極３に所定の直流電圧を印加しポーリングが行わ
れる。
なお、図中の符号５は単結晶１を支承する磁器製の台、
符号６は単結晶１に搭載した電極３を押さえる磁気製の
蓋であり、一般に導体ペースト２は、白金パラジウムの
粉末を溶剤で練ったものが使用される。
符号６は単結晶１に搭載した電極３を押さえる磁気製の
蓋であり、一般に導体ペースト２は、白金パラジウムの
粉末を溶剤で練ったものが使用される。
前記従来のポーリング方法において、白金電極３の接続
媒体となる従来の導体ペースト２の溶媒は、６５０°Ｃ
以上で溶媒に含まれる有機物が炭化する等の変質が生じ
、その結果ポーリング電圧の分布が不均一となってポー
リングに°“むら”が生じるおよび、該炭化生成物によ
ってマイクロクラックが発生するようになると共に、ポ
ーリング特性の再現性が悪いという問題点があった。
媒体となる従来の導体ペースト２の溶媒は、６５０°Ｃ
以上で溶媒に含まれる有機物が炭化する等の変質が生じ
、その結果ポーリング電圧の分布が不均一となってポー
リングに°“むら”が生じるおよび、該炭化生成物によ
ってマイクロクラックが発生するようになると共に、ポ
ーリング特性の再現性が悪いという問題点があった。
なお、温度依存性を有する前記ポーリングに際し、６５
０°Ｃという温度は再現性の不充分な処理条件、特に直
径が３インチ程度の単結晶１では中心部のポーリングが
行われ難くなり、その改善のため７００℃程度の高温で
ポーリング処理すると前記溶媒の変質が顕著となり、ポ
ーリングを均一化するためポーリング電圧を高くすると
、そのことによって単結晶１に微細なりラックが発生し
、所要の素子基板を採取できる歩留まりが低減するよう
になる。
０°Ｃという温度は再現性の不充分な処理条件、特に直
径が３インチ程度の単結晶１では中心部のポーリングが
行われ難くなり、その改善のため７００℃程度の高温で
ポーリング処理すると前記溶媒の変質が顕著となり、ポ
ーリングを均一化するためポーリング電圧を高くすると
、そのことによって単結晶１に微細なりラックが発生し
、所要の素子基板を採取できる歩留まりが低減するよう
になる。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、タンタル酸リ
チウムがニオブ酸リチウムに対し安定であり、かつ、ニ
オブ酸リチウムが６５０ ’Ｃ程度以上で導電性になる
ことを利用したものであり、第１図は本発明方法を説明
するための基本図である。
チウムがニオブ酸リチウムに対し安定であり、かつ、ニ
オブ酸リチウムが６５０ ’Ｃ程度以上で導電性になる
ことを利用したものであり、第１図は本発明方法を説明
するための基本図である。
第１図において本発明方法は、ニオブ酸リチウム単結晶
の粉末または該粉末の焼結体を媒体６として一対の白金
電極３でタンタル酸リチウムの単結晶１を挟み、直流電
源４より一対の電極３にポーリング電圧を印加すること
を特徴とするタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方
法である。
の粉末または該粉末の焼結体を媒体６として一対の白金
電極３でタンタル酸リチウムの単結晶１を挟み、直流電
源４より一対の電極３にポーリング電圧を印加すること
を特徴とするタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方
法である。
６５０°Ｃ程度以上で導電性になるニオブ酸リチラム単
結晶の粉末または該粉末の焼結体を媒体とし、一対の白
金電極でタンタル酸リチウムの単結晶を挟み、該単結晶
をポーリング処理することにより、従来方法より高温度
でのポーリングが可能となり均一性および再現性が向上
し、該単結晶にマイクロクランクが発生しないことで、
所要の素子基板の採取歩留まりが向上する。
結晶の粉末または該粉末の焼結体を媒体とし、一対の白
金電極でタンタル酸リチウムの単結晶を挟み、該単結晶
をポーリング処理することにより、従来方法より高温度
でのポーリングが可能となり均一性および再現性が向上
し、該単結晶にマイクロクランクが発生しないことで、
所要の素子基板の採取歩留まりが向上する。
以下に、図面を用いて本発明方法の実施例を説明する。
第２図は本発明の一実施例を説明するための断面図、第
３図は本発明の他の実施例を説明するための側面図であ
る。
３図は本発明の他の実施例を説明するための側面図であ
る。
アルミナ坩堝とニオブ酸リチウム単結晶の粉末を利用し
、前出の第４図と共通部分に同一符号を使用した第２図
において、アルミナ坩堝１１の底にニオブ酸リチウム単
結晶の粉末１２を、例えば２ｃ＋＋＋の厚さに敷き詰め
、その上にタンタル酸リチウムの単結晶１と、単結晶１
から適宜量だけ離れ単結晶１のＺ軸方向に対向する一対
の白金電極３とを直立させたのち、単結晶１と白金電極
３との間にはニオブ酸リチウム単結晶の粉末１３を充填
し、単結晶ｌと坩堝１１との間および白金電極３と坩堝
１１との間にニオブ酸リチウム単結晶の粉末（媒体）１
４を充填する。
、前出の第４図と共通部分に同一符号を使用した第２図
において、アルミナ坩堝１１の底にニオブ酸リチウム単
結晶の粉末１２を、例えば２ｃ＋＋＋の厚さに敷き詰め
、その上にタンタル酸リチウムの単結晶１と、単結晶１
から適宜量だけ離れ単結晶１のＺ軸方向に対向する一対
の白金電極３とを直立させたのち、単結晶１と白金電極
３との間にはニオブ酸リチウム単結晶の粉末１３を充填
し、単結晶ｌと坩堝１１との間および白金電極３と坩堝
１１との間にニオブ酸リチウム単結晶の粉末（媒体）１
４を充填する。
そこで、一対の白金電極３を直流電源４に接続し、例え
ば１時間に１００’Ｃ程度の割合で８５０°Ｃまで加熱
し単結晶１に従来と同じポーリング電圧を印加しながら
１時間保持したのち、１時間に７５°Ｃ程度の割合で徐
冷し、単結晶１のポーリングが完了する。
ば１時間に１００’Ｃ程度の割合で８５０°Ｃまで加熱
し単結晶１に従来と同じポーリング電圧を印加しながら
１時間保持したのち、１時間に７５°Ｃ程度の割合で徐
冷し、単結晶１のポーリングが完了する。
かかるポーリング処理において、６５０°Ｃ以上で導電
性となるニオブ酸リチウム単結晶の粉末１２゜１３、１
４は、８５０ ’Ｃの高温でも組成的に安定であるため
単結晶１にはクラックが発生せず、単結晶１の全体に渡
り従来より均一なポーリングが行われるようになる。
性となるニオブ酸リチウム単結晶の粉末１２゜１３、１
４は、８５０ ’Ｃの高温でも組成的に安定であるため
単結晶１にはクラックが発生せず、単結晶１の全体に渡
り従来より均一なポーリングが行われるようになる。
なお、第２図においてポーリング電流が流れる粉末１４
は、該電流の流れを良くするため搗き固め、粉末１３よ
り高密度にすることが望ましく、ニオブ酸リチウム単結
晶の粉末１４に替え、理想として高融点の良導電材料例
えば白金の粉末を使用する方が優れるが、かかる材料は
極めて高価であり実用的でない。
は、該電流の流れを良くするため搗き固め、粉末１３よ
り高密度にすることが望ましく、ニオブ酸リチウム単結
晶の粉末１４に替え、理想として高融点の良導電材料例
えば白金の粉末を使用する方が優れるが、かかる材料は
極めて高価であり実用的でない。
ニオブ酸リチウム単結晶の粉末の焼結体を利用し、前出
図と共通部分に同一符号を使用した第３図において、タ
ンタル酸リチウムの単結晶１はオリエントフラット１ａ
を形成し、上向きにしたオリエントフラット１ａには、
ニオブ酸リチウム単結晶の粉末を焼結し均一厚さの板状
に形成した焼結体２１を搭載し、前出の白金電極３の一
方に相当する平板状の白金電極３１を焼結体２１の上に
搭載し、白金電極３の上に板状の磁器製の蓋２３を搭載
する。
図と共通部分に同一符号を使用した第３図において、タ
ンタル酸リチウムの単結晶１はオリエントフラット１ａ
を形成し、上向きにしたオリエントフラット１ａには、
ニオブ酸リチウム単結晶の粉末を焼結し均一厚さの板状
に形成した焼結体２１を搭載し、前出の白金電極３の一
方に相当する平板状の白金電極３１を焼結体２１の上に
搭載し、白金電極３の上に板状の磁器製の蓋２３を搭載
する。
単結晶１の支持用である板状の磁器製の台２４には、前
出の白金電極３の他方に相当する平板状の白金電極３１
を搭載し、その上にニオブ酸リチウム単結晶の粉末の焼
結し上面が単結晶ｌの円筒面の接触する円筒面に形成し
た焼結体２２を搭載し、焼結体２２の上に単結晶ｌを搭
載する。
出の白金電極３の他方に相当する平板状の白金電極３１
を搭載し、その上にニオブ酸リチウム単結晶の粉末の焼
結し上面が単結晶ｌの円筒面の接触する円筒面に形成し
た焼結体２２を搭載し、焼結体２２の上に単結晶ｌを搭
載する。
そこで、一対の白金電極３１を直流電源４に接続し、例
えば１時間に１００″Ｃ程度の割合で８５０°Ｃまで加
熱し単結晶１に従来と同じポーリング電圧を印加しなが
ら１時間保持口たのち、１時間に７５℃程度の割合で徐
冷し、単結晶ｌのポーリングが完了する。
えば１時間に１００″Ｃ程度の割合で８５０°Ｃまで加
熱し単結晶１に従来と同じポーリング電圧を印加しなが
ら１時間保持口たのち、１時間に７５℃程度の割合で徐
冷し、単結晶ｌのポーリングが完了する。
かかるポーリング処理において、６５０℃以上で導電性
となるニオブ酸リチウム単結晶の粉末を焼結した焼結体
２１および２２は、８５０°Ｃの高温でも組成的に安定
であるため単結晶１にはクラックが発生せず、単結晶１
の全体に渡り従来より均一なポーリングが行われるよう
になる。
となるニオブ酸リチウム単結晶の粉末を焼結した焼結体
２１および２２は、８５０°Ｃの高温でも組成的に安定
であるため単結晶１にはクラックが発生せず、単結晶１
の全体に渡り従来より均一なポーリングが行われるよう
になる。
以上説明したように本発明は、６５０ ’Ｃ程度以上で
導電性になるニオブ酸リチウム単結晶の粉末または該粉
末の焼結体を媒体として利用し、タンタル酸リチウムの
単結晶をポーリングすることにより、従来方法より高温
度でのポーリングが可能となり均一性および再現性が向
上し、マイクロクラックの発生をなくし得た結果、該単
結晶から採取する圧電素子等の基板の歩留まりが向上し
、かつ、該素子等の性能を安定にした効果がある。
導電性になるニオブ酸リチウム単結晶の粉末または該粉
末の焼結体を媒体として利用し、タンタル酸リチウムの
単結晶をポーリングすることにより、従来方法より高温
度でのポーリングが可能となり均一性および再現性が向
上し、マイクロクラックの発生をなくし得た結果、該単
結晶から採取する圧電素子等の基板の歩留まりが向上し
、かつ、該素子等の性能を安定にした効果がある。
第１図は本発明方法を説明するための基本図、第２図は
本発明の一実施例を説明するための断面図、 第３図は本発明の他・の実施例を説明するための側面図
、 第４図はタンタル酸リチウム単結晶の従来のポーリング
方法を説明するための側面図、である。 図中において、 １はタンタル酸リチウムの単結晶、 １ａはオリエントフラット、 ３．３１は白金電極、 ４は直流電源、 ６は媒体、 １１はアルミナ坩堝、 １２、１３はニオブ酸リチウム単結晶の粉末、１４はニ
オブ酸リチウム単結晶の粉末（媒体）、 ２１．２２はニオブ酸リチウム単結晶の粉末の焼結体（
媒体）、 を示す。 ｆ′完・竺〜シー１否るｒ：Ａｈ （７）’に勢図早
Ｚ （８）
本発明の一実施例を説明するための断面図、 第３図は本発明の他・の実施例を説明するための側面図
、 第４図はタンタル酸リチウム単結晶の従来のポーリング
方法を説明するための側面図、である。 図中において、 １はタンタル酸リチウムの単結晶、 １ａはオリエントフラット、 ３．３１は白金電極、 ４は直流電源、 ６は媒体、 １１はアルミナ坩堝、 １２、１３はニオブ酸リチウム単結晶の粉末、１４はニ
オブ酸リチウム単結晶の粉末（媒体）、 ２１．２２はニオブ酸リチウム単結晶の粉末の焼結体（
媒体）、 を示す。 ｆ′完・竺〜シー１否るｒ：Ａｈ （７）’に勢図早
Ｚ （８）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ニオブ酸リチウム単結晶の粉末または該粉末の焼
結体を媒体（６）として一対の白金電極（３，３１）で
タンタル酸リチウムの単結晶（１）を挟み、該白金電極
（３，３１）にポーリング電圧を印加することを特徴と
するタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法。 （２）アルミナにてなる坩堝（１１）の底部にニオブ酸
リチウム単結晶の第１の粉末（１２）を敷き詰め、該粉
末（１２）の上に前記タンタル酸リチウムの単結晶（１
）と該単結晶（１）に対向する前記一対の白金電極（３
）とを直立せしめ、該単結晶（１）と該白金電極（３）
との間にニオブ酸リチウム単結晶の粉末（１４）にてな
る前記媒体（６）を充填し、該坩堝（１１）と該単結晶
（１）および該白金電極（３）との間にニオブ酸リチウ
ム単結晶の第２の粉末（１３）を充填したのち、前記ポ
ーリング電圧を印加することを特徴とする前記特許請求
の範囲第１項記載のタンタル酸リチウム単結晶のポーリ
ング方法。（３）前記ニオブ酸リチウム単結晶（１）と
前記白金電極（３）との間のに充填した前記ニオブ酸リ
チウム単結晶の粉末（１４）を搗き固めて前記媒体（６
）とすることを特徴とする前記特許請求の範囲第２項記
載のタンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法。 （４）前記媒体（６）がニオブ酸リチウム単結晶の粉末
を焼結した一対の焼結体（２１，２２）であり、前記タ
ンタル酸リチウムの単結晶（１）にオリエントフラット
（１ａ）を形成し、該オリエントフラット（１ａ）に接
触する一方の該焼結体（２１）をほぼ一定厚さの板状に
形成し、該オリエントフラット（１ａ）に対向する該タ
ンタル酸リチウム単結晶（１）の円筒面に接触する他方
の該焼結体（２２）を該円筒面に沿った円筒面を有する
板状に形成し、該一対の焼結体（２１，２２）を介して
前記一対の白金電極（３１）が該タンタル酸リチウムの
単結晶（１）を挟み、該白金電極（３１）に前記ポーリ
ング電圧を印加することを特徴とする前記特許請求の範
囲第１項記載のタンタル酸リチウム単結晶のポーリング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331425A JPH01172299A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331425A JPH01172299A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172299A true JPH01172299A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18243524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331425A Pending JPH01172299A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01172299A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037697A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 光学材料の製造方法 |
| KR100482512B1 (ko) * | 2002-09-06 | 2005-04-14 | 한국과학기술원 | 포타시움 니오베이트 단결정의 단일 분역화 방법 |
| CN114318539A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-12 | 江西匀晶光电技术有限公司 | 一种大尺寸x轴或y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法 |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62331425A patent/JPH01172299A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037697A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 光学材料の製造方法 |
| KR100482512B1 (ko) * | 2002-09-06 | 2005-04-14 | 한국과학기술원 | 포타시움 니오베이트 단결정의 단일 분역화 방법 |
| CN114318539A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-12 | 江西匀晶光电技术有限公司 | 一种大尺寸x轴或y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法 |
| CN114318539B (zh) * | 2022-01-04 | 2023-01-10 | 江西匀晶光电技术有限公司 | 一种大尺寸x轴或y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法 |
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