JPH01100501A - 無反射処理基板の製造方法 - Google Patents
無反射処理基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01100501A JPH01100501A JP62257164A JP25716487A JPH01100501A JP H01100501 A JPH01100501 A JP H01100501A JP 62257164 A JP62257164 A JP 62257164A JP 25716487 A JP25716487 A JP 25716487A JP H01100501 A JPH01100501 A JP H01100501A
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- fingerprints
- etching
- glass substrate
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- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔童業上の利用分野〕
本発明はブラウン管等の製造に用いられる無反射処理基
板の製造方法に関するものである。
板の製造方法に関するものである。
公知のようにブラウン管などでは、表面反射を防止する
必要があるため、従来は多層膜をコーティングすること
により目的を達していた。ところが多層コーティングで
は膜厚を±２０Ａ程度に制御して各層を形成する必要が
あり、コスト高となるという問題があった。
必要があるため、従来は多層膜をコーティングすること
により目的を達していた。ところが多層コーティングで
は膜厚を±２０Ａ程度に制御して各層を形成する必要が
あり、コスト高となるという問題があった。
この解決策として、例えば米国特許第２４９０６６２号
公報に記載されているように、珪フッ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液を利用するエツチング方法がある。該方法
はガラス基板を上記水溶液中に浸漬して、アルカリ金属
酸化物等をガラス表面から除去し、多孔質のシタカスケ
ルトンからなる凹凸面をガラス表面忙形成するものであ
る。このような方法を使用すれば、低コストで表面反射
を防止することができる。
公報に記載されているように、珪フッ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液を利用するエツチング方法がある。該方法
はガラス基板を上記水溶液中に浸漬して、アルカリ金属
酸化物等をガラス表面から除去し、多孔質のシタカスケ
ルトンからなる凹凸面をガラス表面忙形成するものであ
る。このような方法を使用すれば、低コストで表面反射
を防止することができる。
ところが、上記方法により形成した無反射処理基板には
膜強度が十分に大でな（、また素手で取扱う場合に指紋
等が付着して取れないと云う実用上、極めて不利な問題
点があった。
膜強度が十分に大でな（、また素手で取扱う場合に指紋
等が付着して取れないと云う実用上、極めて不利な問題
点があった。
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、膜強
度が大きく、かつ付着した指紋が容易に取り除ける実用
的な無反射処理基板とその製造方法の提供を目的とする
。
度が大きく、かつ付着した指紋が容易に取り除ける実用
的な無反射処理基板とその製造方法の提供を目的とする
。
本発明の無反射処理基板の製造方法は上記目的を達成す
るために、基板表面全体に微小球を接触させエツチング
することにより微細凹凸を形成することを特徴とする。
るために、基板表面全体に微小球を接触させエツチング
することにより微細凹凸を形成することを特徴とする。
以下、本発明４の実施例を図により説明する。
実施例１゜
第１図に示す如（、テフロン製容器１にフッ酸とフタ化
アンモニウムの混合液２を調整し、０．０１〜１０μ馬
程度のポリスチレン球３を加える。実験に用いた混合液
の組成およびポリスチレン球の粒径を表１に示す。ガラ
ス基板４をその片面全体がポリスチレン球６と接触する
ように浸す。この際ガラス基板を一定の圧力で押しても
よい。ガラス基板が１０００〜２０［＋１］Ｘ程度エツ
チングされた時点でガラス基板を取出し十分水洗した後
乾燥させた。得られたサンプルの反射率を積分球型の反
射率測定装置で測定した結果を表１ＶＣ示す。ポリスチ
レン球を用いない例（比較例１）に比べ反射率は十分に
低い。また、従来からの珪フッ化水素酸によるエツチン
グ方式に比べ、反射率は同等で膜強度は十分に大きい。
アンモニウムの混合液２を調整し、０．０１〜１０μ馬
程度のポリスチレン球３を加える。実験に用いた混合液
の組成およびポリスチレン球の粒径を表１に示す。ガラ
ス基板４をその片面全体がポリスチレン球６と接触する
ように浸す。この際ガラス基板を一定の圧力で押しても
よい。ガラス基板が１０００〜２０［＋１］Ｘ程度エツ
チングされた時点でガラス基板を取出し十分水洗した後
乾燥させた。得られたサンプルの反射率を積分球型の反
射率測定装置で測定した結果を表１ＶＣ示す。ポリスチ
レン球を用いない例（比較例１）に比べ反射率は十分に
低い。また、従来からの珪フッ化水素酸によるエツチン
グ方式に比べ、反射率は同等で膜強度は十分に大きい。
また付着した指紋もガー（でふ（ことＫより容易に取除
くことができた。
くことができた。
実施例２゜
第２図（ａ）に示す如くガラス基板４上に微小金属球５
を形成する。特に金属の種類は限定されるものではない
が、本実施例では金の微小球を以下に示す手法により形
成した。真空蒸着装置を１０−′ｔｏｒｒ程度まで真空
引きした後、不治性ガス（例えばＮ２）を導入し０．５
〜１ ｔｏｒｒ程度とする。この状態で金を抵抗加熱圧
より蒸発させガラス基板上に微小球を形成した。得られ
たサンプルを第２図（ｃＬ）に示すごと（ＣＦ４プラズ
マによりエツチングする。
を形成する。特に金属の種類は限定されるものではない
が、本実施例では金の微小球を以下に示す手法により形
成した。真空蒸着装置を１０−′ｔｏｒｒ程度まで真空
引きした後、不治性ガス（例えばＮ２）を導入し０．５
〜１ ｔｏｒｒ程度とする。この状態で金を抵抗加熱圧
より蒸発させガラス基板上に微小球を形成した。得られ
たサンプルを第２図（ｃＬ）に示すごと（ＣＦ４プラズ
マによりエツチングする。
エツチング条件はＣＦ４の流量毎分２０ＣＣ（標準状態
での体ｆｆ）、高周波電力３００Ｗ、 ＣＦ４圧力５ｐ
ａ、エツチング時間数分とした。王水により金を除去し
た後（第２図（ｂ））、積分球型の反射率測定装置によ
り反射率を測定し表２に示す結果が得られた。
での体ｆｆ）、高周波電力３００Ｗ、 ＣＦ４圧力５ｐ
ａ、エツチング時間数分とした。王水により金を除去し
た後（第２図（ｂ））、積分球型の反射率測定装置によ
り反射率を測定し表２に示す結果が得られた。
また膜強度を消しゴム剥離試験により検討した結果を表
２に示す。比較例として示した珪フッ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液によるエツチングに比べ、反射率は同程度
、膜強度は十分に大きい。また、付着した指紋もガーゼ
でふくことにより容易・ ３ ・ 式取除くことができた。本実施例では金を用いたが無論
他の金属でもよく、その場合には、真空圧２００ ｔｏ
ｒｒ以下の適当な不活性ガス中での蒸着により微小金属
球をガラス基板上に形成できる。
２に示す。比較例として示した珪フッ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液によるエツチングに比べ、反射率は同程度
、膜強度は十分に大きい。また、付着した指紋もガーゼ
でふくことにより容易・ ３ ・ 式取除くことができた。本実施例では金を用いたが無論
他の金属でもよく、その場合には、真空圧２００ ｔｏ
ｒｒ以下の適当な不活性ガス中での蒸着により微小金属
球をガラス基板上に形成できる。
（以下余白）
、 ４ 。
＊２ 消しゴムを２８ボンドの荷重で往復させ、膜はが
れの生ずる回数 ネ４ 珪フッ化水素酸のシリカ過飽和水溶液によるエツ
チング＊１ 表１の＊１に同じ ＊２ 表１の＊２に同じ ＊３ 表１の＊４に同じ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば膜強度が太き（、
かつ付着した指紋が容易に取り除ける実用的な無反射処
理基板を得ることができるので、表面反射の低減された
ブラウン管等を安価に製造することができる。
れの生ずる回数 ネ４ 珪フッ化水素酸のシリカ過飽和水溶液によるエツ
チング＊１ 表１の＊１に同じ ＊２ 表１の＊２に同じ ＊３ 表１の＊４に同じ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば膜強度が太き（、
かつ付着した指紋が容易に取り除ける実用的な無反射処
理基板を得ることができるので、表面反射の低減された
ブラウン管等を安価に製造することができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す模式図で
ある。 １・・・テフロン製容器、 ２・・・フッ酸、フッ化アンモニウムの混合液、３・・
・微小ポリスチレン球、 ４・・・ガラス基板、 ５・・・微小金属球、 ６・・・ＣＦ４プラズマ。
ある。 １・・・テフロン製容器、 ２・・・フッ酸、フッ化アンモニウムの混合液、３・・
・微小ポリスチレン球、 ４・・・ガラス基板、 ５・・・微小金属球、 ６・・・ＣＦ４プラズマ。
Claims (1)
- １、基板表面全体に微小球を接触させエッチングするこ
とにより微細凹凸を形成することを特徴とする無反射処
理基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257164A JPH01100501A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無反射処理基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257164A JPH01100501A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無反射処理基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100501A true JPH01100501A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17302586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257164A Pending JPH01100501A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無反射処理基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122702A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルム、及び表示素子 |
| CN110611013A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-24 | 西北工业大学 | 在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62257164A patent/JPH01100501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122702A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルム、及び表示素子 |
| CN110611013A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-24 | 西北工业大学 | 在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法 |
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