JPH01100943A - マスタースライス方式の半導体集積回路装置 - Google Patents
マスタースライス方式の半導体集積回路装置Info
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- JPH01100943A JPH01100943A JP62259001A JP25900187A JPH01100943A JP H01100943 A JPH01100943 A JP H01100943A JP 62259001 A JP62259001 A JP 62259001A JP 25900187 A JP25900187 A JP 25900187A JP H01100943 A JPH01100943 A JP H01100943A
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- functional circuit
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスタースライス方式の半導体集積回路装置に
関し、特に品種毎に金属配線パターンを変更したマスタ
ースライス方式の半導体集積回路装置に関する。
関し、特に品種毎に金属配線パターンを変更したマスタ
ースライス方式の半導体集積回路装置に関する。
従来から、マスタースライス方式の半導体集積回路装置
は、専用品種に比較して開発工期が短く、安価に製造で
きる利点があり、多品種少量生産には適した装置とされ
ている。
は、専用品種に比較して開発工期が短く、安価に製造で
きる利点があり、多品種少量生産には適した装置とされ
ている。
しかしながら、従来のマスタースライス方式の半導体集
積回路装置は、第一にはチップ内のポンディングパッド
の数やレイアウトが同一であっても一つのウェーハ内に
不規則に複数個の品種を配置した場合、品種が異なれば
ICテスターのテストパターンも変える必要があるため
、ICテスターによるウェーハ内チップの自動測定によ
る良品選別が出来なくなるという問題があり、仮に出来
たとしてもグイシング工程後に品種を分類する工程が必
らず必要になり、生産性が劣るという欠点がある。また
、第二には特定のICパッケージが複数個の品種に共通
に使用される場合、裸眼ではチップの品種区別が不可能
であるため特に品名などの捺印工程ではロフト管理が難
しくなり生産性が劣るという欠点がある。
積回路装置は、第一にはチップ内のポンディングパッド
の数やレイアウトが同一であっても一つのウェーハ内に
不規則に複数個の品種を配置した場合、品種が異なれば
ICテスターのテストパターンも変える必要があるため
、ICテスターによるウェーハ内チップの自動測定によ
る良品選別が出来なくなるという問題があり、仮に出来
たとしてもグイシング工程後に品種を分類する工程が必
らず必要になり、生産性が劣るという欠点がある。また
、第二には特定のICパッケージが複数個の品種に共通
に使用される場合、裸眼ではチップの品種区別が不可能
であるため特に品名などの捺印工程ではロフト管理が難
しくなり生産性が劣るという欠点がある。
本発明の目的は、チップの自動測定による良品選別を実
現し、ロフト管理を簡略化しうるマスタースライス方式
の半導体集積回路装置を提供することにある。
現し、ロフト管理を簡略化しうるマスタースライス方式
の半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明のマスタースライス方式の半導体集積回路装置は
、第一の機能回路部および第二の機能回路部を同一の半
導体モノリシックチップ内に組み込み、第一の機能回路
部に第二の機能回路部を言及する情報を外部に電気的に
取り出せる手段を設けて構成される。
、第一の機能回路部および第二の機能回路部を同一の半
導体モノリシックチップ内に組み込み、第一の機能回路
部に第二の機能回路部を言及する情報を外部に電気的に
取り出せる手段を設けて構成される。
すなわち、本発明はチップ自身にチップ自身の情報、例
えば品名、設計変更履歴、等を電気的に調べることが出
来る様に電子回路及びポンディングパッドを内蔵させる
というものである。
えば品名、設計変更履歴、等を電気的に調べることが出
来る様に電子回路及びポンディングパッドを内蔵させる
というものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するためのICチップの平面図である。
を説明するためのICチップの平面図である。
第1図(a)に示すように、Tcチップ1は、第一の機
能回路部2と、従来がらのマスタースライス方式の半導
体集積回路装置に相当している第二の機能回路部3と、
第一の機能回路部2および第二の機能回路部3に接続す
るためのパッドから構成される。第一の機能回路部2は
カウンタ回路4およびリードオンリーメモリ(以下、R
OMと称す)5とを備え、このカウンタ回路4はカウン
タインクリメント端子および5桁の出力端子を有し、ま
たROM5は出力端子および5本のアドレス端子を有し
、更にカウンタ回路4の5桁の出力はROM5の5本の
アドレス端子と接続されている。この第一の機能回路部
2の外部に形成されたポンデイグパッド6〜9は第一の
機能回路部2に含まれるカウンタ回路4とROM5との
それぞれ電源、カウンタインクリメント端子、ROM5
の出力、GND電位を外部に引き出すためのポンディン
グパッドであり、また第二の機能回路部3の外部に形成
されたポンディングパッド10は第二の機能回路部3の
各目的に応じた、機能を外部に引き出すためのポンディ
ングパッドである。
能回路部2と、従来がらのマスタースライス方式の半導
体集積回路装置に相当している第二の機能回路部3と、
第一の機能回路部2および第二の機能回路部3に接続す
るためのパッドから構成される。第一の機能回路部2は
カウンタ回路4およびリードオンリーメモリ(以下、R
OMと称す)5とを備え、このカウンタ回路4はカウン
タインクリメント端子および5桁の出力端子を有し、ま
たROM5は出力端子および5本のアドレス端子を有し
、更にカウンタ回路4の5桁の出力はROM5の5本の
アドレス端子と接続されている。この第一の機能回路部
2の外部に形成されたポンデイグパッド6〜9は第一の
機能回路部2に含まれるカウンタ回路4とROM5との
それぞれ電源、カウンタインクリメント端子、ROM5
の出力、GND電位を外部に引き出すためのポンディン
グパッドであり、また第二の機能回路部3の外部に形成
されたポンディングパッド10は第二の機能回路部3の
各目的に応じた、機能を外部に引き出すためのポンディ
ングパッドである。
上述した第一の機能回路部2はROM5の記憶情報を除
けば下地を共通とする全ての品種においてポンディング
パッド6〜9の機能およびICチップ1内でのレイアウ
ト等も含めて全く同じものである。また、カウンタ回路
4の出力は電源端子の電位がGND電位から電源電位5
Vに変わるときクリア即ち0となるように回路を組んで
ある。
けば下地を共通とする全ての品種においてポンディング
パッド6〜9の機能およびICチップ1内でのレイアウ
ト等も含めて全く同じものである。また、カウンタ回路
4の出力は電源端子の電位がGND電位から電源電位5
Vに変わるときクリア即ち0となるように回路を組んで
ある。
更に、ROM5の記憶情報は、例えば1.、、Cチップ
lの品種名(製品番号)、改版番号2機能名など少なく
とも第二の機能回路部3を言及する情報が二進符号でア
ドレス順にシリアルに記憶されている。この第二の機能
回路部3の中身が変わったり、あるいは品種名が変わる
場合、メタライズ工程においてROM5の記憶情報も同
時に変更する。
lの品種名(製品番号)、改版番号2機能名など少なく
とも第二の機能回路部3を言及する情報が二進符号でア
ドレス順にシリアルに記憶されている。この第二の機能
回路部3の中身が変わったり、あるいは品種名が変わる
場合、メタライズ工程においてROM5の記憶情報も同
時に変更する。
次に、第1図(b)に示すように、第二の機能回路部2
におけるROM5の情報は次のようにして読み出される
。
におけるROM5の情報は次のようにして読み出される
。
まず、電源パッド6、GND電位パッド9およびカウン
タインクリメント端子パッド7を接地し、しかる後に電
源パッド6に電源電圧5■を印加すればカウンタ4の内
容が0となり、ROM5の0番地の内容が出力パッド8
に出力される。
タインクリメント端子パッド7を接地し、しかる後に電
源パッド6に電源電圧5■を印加すればカウンタ4の内
容が0となり、ROM5の0番地の内容が出力パッド8
に出力される。
次に、カウンタインクリメント端子パッド7をGND電
位から電源電圧5vにした後、再びGND電位にもどせ
ばカウンタ4の内容がひとつ増加してlとなり、ROM
5の1番地の内容が出力パッド8に出力される。同様に
して、カウンタインクリメント端子パッド7の電位の上
げ下げを繰り返せば、カウンタの内容が−っづつ31ま
で増加するから、0番地から順番に31番地までROM
5の記憶情報を出力パッド8から読み取ることが出来る
。
位から電源電圧5vにした後、再びGND電位にもどせ
ばカウンタ4の内容がひとつ増加してlとなり、ROM
5の1番地の内容が出力パッド8に出力される。同様に
して、カウンタインクリメント端子パッド7の電位の上
げ下げを繰り返せば、カウンタの内容が−っづつ31ま
で増加するから、0番地から順番に31番地までROM
5の記憶情報を出力パッド8から読み取ることが出来る
。
従って、第一の機能回路部2におけるカウンタインクリ
メント端子パッド7から少なくとも第二の機能回路部3
を言及する情報をえることができるので第二の機能回路
部(品種情報)を知ることが出来る。
メント端子パッド7から少なくとも第二の機能回路部3
を言及する情報をえることができるので第二の機能回路
部(品種情報)を知ることが出来る。
第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二の実施例
を説明するためのICチップの平面図および信号波形図
である。
を説明するためのICチップの平面図および信号波形図
である。
第2図(a)に示すように、このICチップ1は第1図
(a)に示す第一の機能回路部2における電源パッド6
およびGNDバッド9を取り除き、第一の機能回路部3
を精成するカウンタ4とROM5の電源・GND電位を
外部に引き出すためのボンディングGNDパッド12に
リード配線13を介して接続されている点が前述の第一
の実施例とは異なっている。その他の番号は第一の実施
例の番号と同じであるので説明を省略する。このように
電源パッド11およびGNDパッド12を共有すること
により、第二の実施例は第一の実施例の機能を落とさず
にICチップ1全体のポンディングパッド数を減らすこ
とが出来る利点を有する。
(a)に示す第一の機能回路部2における電源パッド6
およびGNDバッド9を取り除き、第一の機能回路部3
を精成するカウンタ4とROM5の電源・GND電位を
外部に引き出すためのボンディングGNDパッド12に
リード配線13を介して接続されている点が前述の第一
の実施例とは異なっている。その他の番号は第一の実施
例の番号と同じであるので説明を省略する。このように
電源パッド11およびGNDパッド12を共有すること
により、第二の実施例は第一の実施例の機能を落とさず
にICチップ1全体のポンディングパッド数を減らすこ
とが出来る利点を有する。
また、第2図(b)に示すように、第一の機能回路部2
におけるROM5の情報が第一の実施例と同様にして読
み出される。
におけるROM5の情報が第一の実施例と同様にして読
み出される。
第3図は本発明の第三の実施例を説明するためのrcチ
ップ平面図である。
ップ平面図である。
第3図に示すように、ICチップ1は第一の機能回路部
2と第二の機能回路部3とを備え、この第一の機能回路
部2は単体で100Ωの抵抗14を9個直列に接続し、
おのおのの抵抗14の両端から10個のタップ15が引
き出されている。この10個のタップ中、4つのタップ
を外部に引き出すためのポンディングパッドがそれぞれ
パッド6〜9である。また、第二の機能回路部3は従来
からのマスタースライス方式の半導体集積回路に相当し
ており、それに接続されるパッド10が第二の機能回路
部3を外部に引き出すためのポンディングパッドである
。前述した第一の機能回路部2における9個の抵抗14
は95〜105Ωの抵抗値になる様マスタースライス方
式の半導体集積回路の下地工程でコントロールしておき
、品種作製工程でポンディングパッド6〜8を10個の
タップのどれに接続するかは品種名(製品番号)。
2と第二の機能回路部3とを備え、この第一の機能回路
部2は単体で100Ωの抵抗14を9個直列に接続し、
おのおのの抵抗14の両端から10個のタップ15が引
き出されている。この10個のタップ中、4つのタップ
を外部に引き出すためのポンディングパッドがそれぞれ
パッド6〜9である。また、第二の機能回路部3は従来
からのマスタースライス方式の半導体集積回路に相当し
ており、それに接続されるパッド10が第二の機能回路
部3を外部に引き出すためのポンディングパッドである
。前述した第一の機能回路部2における9個の抵抗14
は95〜105Ωの抵抗値になる様マスタースライス方
式の半導体集積回路の下地工程でコントロールしておき
、品種作製工程でポンディングパッド6〜8を10個の
タップのどれに接続するかは品種名(製品番号)。
改版番号1機能名など少なくとも第二の機能回路部3を
言及する情報が得られる5各ボンデイング、パッド6〜
8とポンディングパッド9間の抵抗値による0本実施例
ではポンディングパッド9は全ての品種に共通で同一の
タップに接続する。
言及する情報が得られる5各ボンデイング、パッド6〜
8とポンディングパッド9間の抵抗値による0本実施例
ではポンディングパッド9は全ての品種に共通で同一の
タップに接続する。
実際に第二の機能回路部3を言及する情報は次のように
して得られる。
して得られる。
すなわち、ポンディングパッド9と各ポンデイ□ フグ
パッド6〜8間の抵抗値R6,R7,R8を測定した後
、各々の値を100Ωで割った商にもっとも近い整数を
それぞれL−M−Nとすれば、3桁の整数100L+1
0M+Nが得られる。従って、あらかじめ3桁の整数と
第二の機能回路部3との間に対応関係を持たせておけば
、第一の機能回路部2によって第二の機能回路部3を言
及する情報が得られることが分かる。
パッド6〜8間の抵抗値R6,R7,R8を測定した後
、各々の値を100Ωで割った商にもっとも近い整数を
それぞれL−M−Nとすれば、3桁の整数100L+1
0M+Nが得られる。従って、あらかじめ3桁の整数と
第二の機能回路部3との間に対応関係を持たせておけば
、第一の機能回路部2によって第二の機能回路部3を言
及する情報が得られることが分かる。
以上に説明した三つの実施例のマスタースライス方式の
半導体集積回路は、−ウェーハ内にチップの大きさ、ポ
ンディングパッドの数、レイアウト等が同一である複数
個の品種を不規則に配置した場合でも、まずICテスタ
ーで第一の機能回路部によって第二の機能回路部すなわ
ち品種を知り、しかる後に品種に対応したテストパター
ンに変えてICの選別、検査をすることがICテスター
のプログラムによて可能であるため、ICテスターによ
るウェーハ内チップの自動測定による良品選別が可能に
なる。また、グイボンディング後にも同様にして品種を
知ることができることから、ダイシング工程後はもちろ
んマウント、グイボンディング、捺印工程において品種
を分類する必要はまったくない。従って、ウェーハチエ
ツク、組立、捺印1選別、検査などの工程における生産
性が向上する利点がある。
半導体集積回路は、−ウェーハ内にチップの大きさ、ポ
ンディングパッドの数、レイアウト等が同一である複数
個の品種を不規則に配置した場合でも、まずICテスタ
ーで第一の機能回路部によって第二の機能回路部すなわ
ち品種を知り、しかる後に品種に対応したテストパター
ンに変えてICの選別、検査をすることがICテスター
のプログラムによて可能であるため、ICテスターによ
るウェーハ内チップの自動測定による良品選別が可能に
なる。また、グイボンディング後にも同様にして品種を
知ることができることから、ダイシング工程後はもちろ
んマウント、グイボンディング、捺印工程において品種
を分類する必要はまったくない。従って、ウェーハチエ
ツク、組立、捺印1選別、検査などの工程における生産
性が向上する利点がある。
以上説明したように、本発明のマスタースライス方式の
半導体集積回路は、その製造すなわちつェーハ内のチエ
ツク、組立、捺印1選別、検査、などの各工程における
生産性を向上させるという効果がある。
半導体集積回路は、その製造すなわちつェーハ内のチエ
ツク、組立、捺印1選別、検査、などの各工程における
生産性を向上させるという効果がある。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するためのICチップの平面図および信号波形図
、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二の実施
例を説明するためのICチップの平面図および信号波形
図、第3図は本発明の第三の実施例を説明するためのI
Cチップの平面図である。 1・・・ICチップ、2・・・ICの第一機能回路部、
3・・・ICの第二機能回路部、4・・・カウンタ回路
、5・・・リードオンリーメモリ(ROM) 、6・・
・第一機能回路部の電源パッド、7・・・カウンタイン
クリメント端子パッド、8・・・ROMの出力パッド、
9・・・第一機能回路部のGNDパッド、10・・・第
二機能回路部のパッド、11・・・第二機能回路部の電
源パッド、12・・・第二機能回路部のGNDバッド、
13・・・リード配線、14・・・抵抗、15・・・タ
ップ。
を説明するためのICチップの平面図および信号波形図
、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二の実施
例を説明するためのICチップの平面図および信号波形
図、第3図は本発明の第三の実施例を説明するためのI
Cチップの平面図である。 1・・・ICチップ、2・・・ICの第一機能回路部、
3・・・ICの第二機能回路部、4・・・カウンタ回路
、5・・・リードオンリーメモリ(ROM) 、6・・
・第一機能回路部の電源パッド、7・・・カウンタイン
クリメント端子パッド、8・・・ROMの出力パッド、
9・・・第一機能回路部のGNDパッド、10・・・第
二機能回路部のパッド、11・・・第二機能回路部の電
源パッド、12・・・第二機能回路部のGNDバッド、
13・・・リード配線、14・・・抵抗、15・・・タ
ップ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第一の機能回路部および第二の機能回路部を同一の
半導体モノリシックチップ内に組み込み、第一の機能回
路部に第二の機能回路部を言及する情報を外部に電気的
に取り出せる手段を設けたことを特徴とするマスタース
ライス方式の半導体集積回路装置。 2、第一の機能回路部をカウンタ回路とリードオンリー
メモリとから形成し、カウンタ回路の出力がリードオン
リーメモリのアドレスに接続されている特許請求の範囲
第1項記載のマスタースライス方式の半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259001A JPH01100943A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | マスタースライス方式の半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259001A JPH01100943A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | マスタースライス方式の半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100943A true JPH01100943A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17327976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259001A Pending JPH01100943A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | マスタースライス方式の半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100943A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098157A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO2002045139A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Hitachi, Ltd | Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip |
| JP5013387B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2012-08-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置の識別方法、集積回路装置の製造方法、集積回路装置、半導体チップ及び実装体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793520A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5793519A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS58176966A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nec Corp | 集積回路装置 |
| JPS6053043A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6095930A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Toshiba Corp | 集積回路試験システム及び集積回路装置 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62259001A patent/JPH01100943A/ja active Pending
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