JPH01102757A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01102757A JPH01102757A JP25916587A JP25916587A JPH01102757A JP H01102757 A JPH01102757 A JP H01102757A JP 25916587 A JP25916587 A JP 25916587A JP 25916587 A JP25916587 A JP 25916587A JP H01102757 A JPH01102757 A JP H01102757A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- magnetic
- recording medium
- type ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野〕
本発明はレーザ光により高密度の記録、再生が可能な光
磁気記録媒体に関、する。
磁気記録媒体に関、する。
近年、半導体レーザ光の熱効果等を利用して磁性薄膜に
磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用し
て情報を読みだすようにした光磁気記録媒体が注目され
ている。現在、光磁気記録媒体に用いられる磁性体では
、ＧｄＣｏ。
磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用し
て情報を読みだすようにした光磁気記録媒体が注目され
ている。現在、光磁気記録媒体に用いられる磁性体では
、ＧｄＣｏ。
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶
質合金が盛んに研究されており、商品化段階を迎えよう
としている。この非晶質磁性体は粒界ノイズがなく、ま
た組成を調整することによって飽和磁化Ｍｓをコントロ
ールできるため、Ｋｕ＞２πＭｓ” （Ｋｕ ：垂直磁
気異方性定数）を満たす垂直磁化膜が比較的容易に得ら
れるという利点をもっている。
質合金が盛んに研究されており、商品化段階を迎えよう
としている。この非晶質磁性体は粒界ノイズがなく、ま
た組成を調整することによって飽和磁化Ｍｓをコントロ
ールできるため、Ｋｕ＞２πＭｓ” （Ｋｕ ：垂直磁
気異方性定数）を満たす垂直磁化膜が比較的容易に得ら
れるという利点をもっている。
しかし、非晶質磁性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を
受けやすいために、経時とともに磁気特性等が劣化する
という大きな欠点がある。
受けやすいために、経時とともに磁気特性等が劣化する
という大きな欠点がある。
これを防止するために、非晶質磁性膜上に真空蒸着法や
スパッタリング法により５ｉｎ２、ＡＱＮ等の保護層を
設けることも知られているが、磁性層や保護層の形成時
に真空槽内に残留する酸素、基板表面に吸着した酸素、
水、あるいは合金磁性体ターゲット中に含まれる酸素、
水°等により。
スパッタリング法により５ｉｎ２、ＡＱＮ等の保護層を
設けることも知られているが、磁性層や保護層の形成時
に真空槽内に残留する酸素、基板表面に吸着した酸素、
水、あるいは合金磁性体ターゲット中に含まれる酸素、
水°等により。
経時とともに磁性膜が酸化腐食され、記録時の熱によっ
てさらにこの腐食が促進される。また非晶質磁性体は熱
によって結晶化されやすく、そのために磁気特性の劣化
をきたしやすいという問題点も有する。
てさらにこの腐食が促進される。また非晶質磁性体は熱
によって結晶化されやすく、そのために磁気特性の劣化
をきたしやすいという問題点も有する。
我々はこの欠点を改善するものとして、Ｂａフェライト
に代表されるマグネトプラムバイト型フェライトの大き
な磁気異方性により安定した垂直磁化膜が得られやすい
こと、それ自体が酸化物であるために酸化劣化の虞れが
ないこと、すなわち耐候性に優れていることに着目し、
光磁気記録媒体への応用を検討し、特開昭５９−４５６
４４号として提案している。このようなマグネトプラム
バイト型フェライトは下記一般式で示されるものであり
、磁気特性には優れているが、ファラデー回転角が０．
２ｄｅｇ／ ｔｔｍ （λ＝ ７８０ｎｍ）と小さいも
のである。
に代表されるマグネトプラムバイト型フェライトの大き
な磁気異方性により安定した垂直磁化膜が得られやすい
こと、それ自体が酸化物であるために酸化劣化の虞れが
ないこと、すなわち耐候性に優れていることに着目し、
光磁気記録媒体への応用を検討し、特開昭５９−４５６
４４号として提案している。このようなマグネトプラム
バイト型フェライトは下記一般式で示されるものであり
、磁気特性には優れているが、ファラデー回転角が０．
２ｄｅｇ／ ｔｔｍ （λ＝ ７８０ｎｍ）と小さいも
のである。
ＭｅＦｅ、２０１ｇ（Ｍｅ： Ｓｒ、Ｂａおよびｐｂ等
の１種または２種以上） このファラデー回転角を大きくするにはＦｅの一部をＣ
ｏで置換し、このＣｏｆｆ１換に伴う電荷補償を四価の
非磁性の陽イオン（Ｔｉ、Ｇｅ等）でＦｅの一部に行わ
なければならないため、Ｃ。
の１種または２種以上） このファラデー回転角を大きくするにはＦｅの一部をＣ
ｏで置換し、このＣｏｆｆ１換に伴う電荷補償を四価の
非磁性の陽イオン（Ｔｉ、Ｇｅ等）でＦｅの一部に行わ
なければならないため、Ｃ。
置換量が増大するに従い、非磁性イオンが増え、保磁力
（Ｈｅ）が減少する傾向にあり、Ｃｏ置換量が０．１−
０．６モル程度に制限され、ファラデー回転角の増大に
限界を有するという問題点があった。
（Ｈｅ）が減少する傾向にあり、Ｃｏ置換量が０．１−
０．６モル程度に制限され、ファラデー回転角の増大に
限界を有するという問題点があった。
〔目 的〕 −
本発明は上記した如き従来の問題点を解消し、耐候性に
優れたマグネトプラムバイト型フェライトの特性を生か
し、磁気特性および磁気光学特性を改善した光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。
優れたマグネトプラムバイト型フェライトの特性を生か
し、磁気特性および磁気光学特性を改善した光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。
上記のような課題は、１式に示した如く、マグネトプラ
ムバイト型フェライトのＦｅの一部をＣｏで置換し、そ
の電荷補償を一価の負イオンでありイオン半径が○とほ
ぼ同じＦで行うことにより達成される。これは例えば次
のような一般式で表示することができる。
ムバイト型フェライトのＦｅの一部をＣｏで置換し、そ
の電荷補償を一価の負イオンでありイオン半径が○とほ
ぼ同じＦで行うことにより達成される。これは例えば次
のような一般式で表示することができる。
ＭｅＣ０ＸＦｅｔｚ−ＸＯｚｓ ＸＦ’Ｘ”’（Ｉ ）
（Ｍｅ：Ｓｒ、Ｂａおよびｐｂ等の１種または２種以上
、Ｘ ：０．０１≦Ｘ≦２．０）第１図は本発明に係る
光磁気記録媒体の一構成例を断面で示すものである。こ
の第１図に示した構成例では透明基板１上に磁性層２を
設け、その上に反射層３を設ける。さらにこの反射層３
上に保護層４を積層して構成されるものである。
（Ｍｅ：Ｓｒ、Ｂａおよびｐｂ等の１種または２種以上
、Ｘ ：０．０１≦Ｘ≦２．０）第１図は本発明に係る
光磁気記録媒体の一構成例を断面で示すものである。こ
の第１図に示した構成例では透明基板１上に磁性層２を
設け、その上に反射層３を設ける。さらにこの反射層３
上に保護層４を積層して構成されるものである。
第２図は本発明の他の構成例を示すものであり、この例
では透明基板１と磁性層２との間に下地層５が設けられ
ているものである。その他、磁性層２と反射層３との間
に、誘電層を設けるようにしてもよい。
では透明基板１と磁性層２との間に下地層５が設けられ
ているものである。その他、磁性層２と反射層３との間
に、誘電層を設けるようにしてもよい。
本発明で使用し得る透明基板１としては石英ガラス、Ａ
Ｎガラス等の各種ガラスあるいはＧＧＧ、Ｌｉ９’／９
レート、ＡＱ２０３．ＭｏＯ等の各種単結晶等を用い
ることができる。磁性層２はＭｅＣＯｌＦｅｔｚ−，０
１，−ＸＦＸ（ただし、ＭｅはＳｒ。
Ｎガラス等の各種ガラスあるいはＧＧＧ、Ｌｉ９’／９
レート、ＡＱ２０３．ＭｏＯ等の各種単結晶等を用い
ることができる。磁性層２はＭｅＣＯｌＦｅｔｚ−，０
１，−ＸＦＸ（ただし、ＭｅはＳｒ。
Ｂａおよびｐｂ等の１種または２種以上）の如くＦｅの
一部をＣＯで置換し、その電荷補償をＦで行ったもので
、Ｃｏの置換量又は０．０１〜２．０の範囲とする。磁
性層２は対向ターゲットスパッタリング等の各種スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、メ
ツキ法等の薄膜形成方法により膜厚０．１〜１．０μｍ
程度、好ましくは０．２〜０．５μｍとする。反射層３
としては、Ａｕ、 ＡＱ、 Ａｇ、 Ｐｔ、 Ｃｒ、
Ｎｄ、 Ｇｅ、 Ｒｈ、Ｃｕ。
一部をＣＯで置換し、その電荷補償をＦで行ったもので
、Ｃｏの置換量又は０．０１〜２．０の範囲とする。磁
性層２は対向ターゲットスパッタリング等の各種スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、メ
ツキ法等の薄膜形成方法により膜厚０．１〜１．０μｍ
程度、好ましくは０．２〜０．５μｍとする。反射層３
としては、Ａｕ、 ＡＱ、 Ａｇ、 Ｐｔ、 Ｃｒ、
Ｎｄ、 Ｇｅ、 Ｒｈ、Ｃｕ。
ＴｉＮ等が用いられ、電子ビーム蒸着法等の各種蒸着法
、マグネトロンスパッタリング等の各種スパッタリング
法等により、膜厚０．０１〜１μｍの範囲で成膜される
。また、保護層４としてはＳ ｉｏ、、ＡｆｉＮ等の従
来から保護層として使用されているものがそのまま使用
できる。これらは真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り成膜される。下地層５はＮｉＺｎのフェライト等のス
ピネルフェライト等が好ましく、マグネトロンスパッタ
リング等のスパッタリング法、イオンブレーティング法
、蒸着法、メツキ等の薄膜形成方法により、膜厚０．１
−１．０μｍの範囲で成膜される。
、マグネトロンスパッタリング等の各種スパッタリング
法等により、膜厚０．０１〜１μｍの範囲で成膜される
。また、保護層４としてはＳ ｉｏ、、ＡｆｉＮ等の従
来から保護層として使用されているものがそのまま使用
できる。これらは真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り成膜される。下地層５はＮｉＺｎのフェライト等のス
ピネルフェライト等が好ましく、マグネトロンスパッタ
リング等のスパッタリング法、イオンブレーティング法
、蒸着法、メツキ等の薄膜形成方法により、膜厚０．１
−１．０μｍの範囲で成膜される。
次に具体例を示す。
石英ガラス基板上に予め対向ターゲットスパッタリング
装置により、ＮｉＺｎフェライト（組成はＮｉ、、、
Ｚｎｌ、、、 Ｆｅ、０４）を０．１５μｍ付着させ、
その上にＢａＣｏｘＦｅ、−ｘｏｌ、−ｘＦｘからなる
磁性膜をＸの値を０．１〜２．０まで変化させて成膜し
た。次いでスパッタリング法によりＳｉＯ□を保護膜と
して膜厚０．１μｍ形成し、第２図に示されるような本
発明に係る光磁気記録媒体を製作した。この光磁気記録
媒体のＣｏ置換量に対するＨｅの依存性のグラフを第３
図の曲線１として示す。
装置により、ＮｉＺｎフェライト（組成はＮｉ、、、
Ｚｎｌ、、、 Ｆｅ、０４）を０．１５μｍ付着させ、
その上にＢａＣｏｘＦｅ、−ｘｏｌ、−ｘＦｘからなる
磁性膜をＸの値を０．１〜２．０まで変化させて成膜し
た。次いでスパッタリング法によりＳｉＯ□を保護膜と
して膜厚０．１μｍ形成し、第２図に示されるような本
発明に係る光磁気記録媒体を製作した。この光磁気記録
媒体のＣｏ置換量に対するＨｅの依存性のグラフを第３
図の曲線１として示す。
なお、比較のため、磁性層としてＢａＣｏｘＭｘＦｅｌ
、−２ｘｏ、、 （ただし、Ｍ＝Ｔｉ、Ｇｅ）を用いた
他は同様にして光磁気記録媒体を作製し、その時のＣｏ
置換量とＨｃの依存性のグラフを第３図に示す。この比
較例ではＣｏ置換による電荷補償を四価のＴｉ（第３図
中、曲線２）およびＧｅ（曲ｔＡ３）で行ったものであ
る。
、−２ｘｏ、、 （ただし、Ｍ＝Ｔｉ、Ｇｅ）を用いた
他は同様にして光磁気記録媒体を作製し、その時のＣｏ
置換量とＨｃの依存性のグラフを第３図に示す。この比
較例ではＣｏ置換による電荷補償を四価のＴｉ（第３図
中、曲線２）およびＧｅ（曲ｔＡ３）で行ったものであ
る。
第３図より、Ｃｏ置換による電荷補償を四価の陽イオン
で行った場合にはＣＯの置換量の増大とともにＨｅが減
少するのに対し、本発明におけるように一価の負イオン
であるＦにより電荷補償したものはＣｏ置換量の増大に
よるもその特性はほとんど変っていないことがわかる。
で行った場合にはＣＯの置換量の増大とともにＨｅが減
少するのに対し、本発明におけるように一価の負イオン
であるＦにより電荷補償したものはＣｏ置換量の増大に
よるもその特性はほとんど変っていないことがわかる。
以上のような本発明によれば、マグネトプラムバイト型
フェライトにおいて、Ｃｏ置換に伴う電荷補償をＦで行
っているため、保持力の低下をきたすことなくファラデ
ー回転角を改善することができ、磁気特性および磁気光
学特性ともに優れた光磁気記録媒体が得られるという効
果を有する。
フェライトにおいて、Ｃｏ置換に伴う電荷補償をＦで行
っているため、保持力の低下をきたすことなくファラデ
ー回転角を改善することができ、磁気特性および磁気光
学特性ともに優れた光磁気記録媒体が得られるという効
果を有する。
第１図および第２図は本発明実施例に係る光磁気記録媒
体の断面構成説明図である。 第３図は本発明具体例および比較例におけるＣｏ置換量
と保持力との関係図である。 １・・・透明基板 ２・・・磁性層３・・・
反射層 ４・・・保護層５・・・下地層 戸Ｉ関 児２１￥ｌ 昂３（￥１ ＣＯ含量χ
体の断面構成説明図である。 第３図は本発明具体例および比較例におけるＣｏ置換量
と保持力との関係図である。 １・・・透明基板 ２・・・磁性層３・・・
反射層 ４・・・保護層５・・・下地層 戸Ｉ関 児２１￥ｌ 昂３（￥１ ＣＯ含量χ
Claims (1)
- １．一般式： ＭｅＦｅ＿１＿２Ｏ＿１＿３（Ｍｅ：Ｓｒ，Ｂａおよび
Ｐｂ等の１種または２種以上） で示されるマグネトプラムバイト型フェライトを磁性層
として形成した光磁気記録媒体において、前記マグネト
プラムバイト型フェライトのＦｅの一部をＣｏで置換し
、その電荷補償をＦで行ったことを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25916587A JPH01102757A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25916587A JPH01102757A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102757A true JPH01102757A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17330252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25916587A Pending JPH01102757A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467253A (en) * | 1994-06-30 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip package and method of forming |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25916587A patent/JPH01102757A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467253A (en) * | 1994-06-30 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip package and method of forming |
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