JPH01103992A - ダイヤモンド膜の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH01103992A JPH01103992A JP26025287A JP26025287A JPH01103992A JP H01103992 A JPH01103992 A JP H01103992A JP 26025287 A JP26025287 A JP 26025287A JP 26025287 A JP26025287 A JP 26025287A JP H01103992 A JPH01103992 A JP H01103992A
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- vacuum
- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はダイヤモンド膜の製造方法に関し、さらに詳
しく言うと、たとえばバイト、エンドミル、ドリル、カ
ッター等の各種切削工具の保＊Ｓとして有用なダイヤモ
ンド膜を、密着性良く超硬合金上に形成させることので
きるダイヤモンド膜の製造方法に関する。
しく言うと、たとえばバイト、エンドミル、ドリル、カ
ッター等の各種切削工具の保＊Ｓとして有用なダイヤモ
ンド膜を、密着性良く超硬合金上に形成させることので
きるダイヤモンド膜の製造方法に関する。
［従来の技術およびその問題点］
近年、ダイヤモンドの合成技術は著しい発展を遂げ、た
とえば各種保護膜として、あるいは光学用材料、電子材
料、化学工業材料などにダイヤモンドが広く用いられる
に至っている。
とえば各種保護膜として、あるいは光学用材料、電子材
料、化学工業材料などにダイヤモンドが広く用いられる
に至っている。
特に、バイト、エンドミル、カッター等の各種切削工具
の分野においては、ａ硬合金からなる切削工具の保ｗＩ
ＦｇＩＩとしてダイヤモンド膜を用いることにより、耐
摩耗性に優れた切削工具が得られることから、超硬合金
上にダイヤモンド膜を形成してなる切削工具の需要が高
まりつつある。
の分野においては、ａ硬合金からなる切削工具の保ｗＩ
ＦｇＩＩとしてダイヤモンド膜を用いることにより、耐
摩耗性に優れた切削工具が得られることから、超硬合金
上にダイヤモンド膜を形成してなる切削工具の需要が高
まりつつある。
そして、従来、超硬合金上にダイヤモンド膜を形成させ
る方法としては、たとえば、ダイヤモンド膜の形成に先
立って超硬合金にイオンエツチング処理を施すことによ
り超硬合金の表面を活性化してから、この超硬合金と活
性化した原料ガスとを接触させる方法（特開昭６０−２
０４６９５号公報参照、）、あるいはサーメットからな
る基板上にダイヤモンド膜の形成を行なうに先立ってサ
ーメットをたとえば酸溶液でエツチング処理して表面の
結合相を除去してから、このサーメットと活性化した原
料ガスとを接触させる方法（特開昭６１−５２３６３号
公報参照、）などが提案されている。
る方法としては、たとえば、ダイヤモンド膜の形成に先
立って超硬合金にイオンエツチング処理を施すことによ
り超硬合金の表面を活性化してから、この超硬合金と活
性化した原料ガスとを接触させる方法（特開昭６０−２
０４６９５号公報参照、）、あるいはサーメットからな
る基板上にダイヤモンド膜の形成を行なうに先立ってサ
ーメットをたとえば酸溶液でエツチング処理して表面の
結合相を除去してから、このサーメットと活性化した原
料ガスとを接触させる方法（特開昭６１−５２３６３号
公報参照、）などが提案されている。
しかしながら、これらの方法で得られるダイヤモンド膜
を形成してなる超硬合金を用いた切削工具においては、
依然として切刃の摩耗、チッピング（一部欠損）が見ら
れ、ダイヤモンド膜の密着性は未だ充分とは言いがたい
という問題がある。
を形成してなる超硬合金を用いた切削工具においては、
依然として切刃の摩耗、チッピング（一部欠損）が見ら
れ、ダイヤモンド膜の密着性は未だ充分とは言いがたい
という問題がある。
この発明の目的は、前記問題点を解決し、超硬合金上に
強固に密着性したダイヤモンド膜を形成させることので
きるダイヤモンド膜の製造方法を提供することにある。
強固に密着性したダイヤモンド膜を形成させることので
きるダイヤモンド膜の製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
前記問題点を解決するために、この発明者が鋭意検討を
重ねた結果、超硬合金上にダイヤモンド膜を堆積させる
ダイヤモンド膜の製造方法において、超硬合金を予め真
空中で熱処理すれば、この超硬合金上に強固に密着した
ダイヤモンド膜が得られることを見い出してこの発明に
到達した。すなわち、この発明の構成は、超硬合金上に
ダイヤモンド膜を形成させる方法において、超硬合金を
予め真空中で熱処理した後、炭素源ガスを含む原料ガス
を活性化して得られるガスを、前記超硬合金に接触させ
ることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法である。
重ねた結果、超硬合金上にダイヤモンド膜を堆積させる
ダイヤモンド膜の製造方法において、超硬合金を予め真
空中で熱処理すれば、この超硬合金上に強固に密着した
ダイヤモンド膜が得られることを見い出してこの発明に
到達した。すなわち、この発明の構成は、超硬合金上に
ダイヤモンド膜を形成させる方法において、超硬合金を
予め真空中で熱処理した後、炭素源ガスを含む原料ガス
を活性化して得られるガスを、前記超硬合金に接触させ
ることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法である。
この発明の方法において、前記超硬合金はダイヤモンド
膜を形成させる基板として用いる。
膜を形成させる基板として用いる。
使用に供される超硬合金には特に制限はなく、たとえば
ＷＣ−Ｇｏ系合金、ＷＣ−Ｔｉｅ−Ｇｏ系合金、ＶＣ−
Ｔｉｅ−ＴａＣ−Ｇｏ系合金などの中から適宜に選択し
て用いることができる。
ＷＣ−Ｇｏ系合金、ＷＣ−Ｔｉｅ−Ｇｏ系合金、ＶＣ−
Ｔｉｅ−ＴａＣ−Ｇｏ系合金などの中から適宜に選択し
て用いることができる。
この発明の方法において重要な点は、ダイヤモンド膜の
形成に先立ち、前記超硬合金を予め真空中で熱処理して
超硬合金の表面を清浄にすることにある。
形成に先立ち、前記超硬合金を予め真空中で熱処理して
超硬合金の表面を清浄にすることにある。
この熱処理は、以下の条件下で行なうのがよい。
すなわち、真空度は１０１ｔｏｒｒ −１Ｏ−３ｔｏｒ
ｒ、好ましくは１０−６〜１０−’ｔｏｒｒである。こ
の真空度が１Ｏ−７ｔｏｒｒ未満であると超硬合金の内
部にまでエツチングが進行して、超硬合金本来の性能が
損なわれるとともにこの超硬合金上に得られるダイヤモ
ンド膜の、超硬合金に対する密着性が低下することがあ
る。一方、１０″３ｔｏｒｒを超えると、超硬合金が酸
化されてしまうことがある。
ｒ、好ましくは１０−６〜１０−’ｔｏｒｒである。こ
の真空度が１Ｏ−７ｔｏｒｒ未満であると超硬合金の内
部にまでエツチングが進行して、超硬合金本来の性能が
損なわれるとともにこの超硬合金上に得られるダイヤモ
ンド膜の、超硬合金に対する密着性が低下することがあ
る。一方、１０″３ｔｏｒｒを超えると、超硬合金が酸
化されてしまうことがある。
熱処理温度は９００℃〜１２００℃であり、好ましくは
１０００℃〜１２００℃である。この温度が９００℃未
満であると、熱処理による充分な清浄効果が奏されない
ことがある。一方、１２００℃を超えると、エツチング
が超硬合金の内部にまで進行して、超硬合金本来の性能
が損なわれるとともに得られるダイヤモンド膜の超硬合
金に対する密着性が低下することがある。
１０００℃〜１２００℃である。この温度が９００℃未
満であると、熱処理による充分な清浄効果が奏されない
ことがある。一方、１２００℃を超えると、エツチング
が超硬合金の内部にまで進行して、超硬合金本来の性能
が損なわれるとともに得られるダイヤモンド膜の超硬合
金に対する密着性が低下することがある。
熱処理時間は１通常、 １０分間〜６０分間である。
熱処理時間が１０分間未満であると、充分な熱処理効果
が奏されないことがある。一方、６０分間を超えると、
エツチングが超硬合金の内部にまで進行して、超硬合金
本来の性能が損なわれるとともにこの超硬合金上に得ら
れるダイヤモンド膜の密着性が低下することがある。
が奏されないことがある。一方、６０分間を超えると、
エツチングが超硬合金の内部にまで進行して、超硬合金
本来の性能が損なわれるとともにこの超硬合金上に得ら
れるダイヤモンド膜の密着性が低下することがある。
この発明の方法においては、前記熱処理を行なって表面
を清浄化した超硬合金に、炭素源ガスを含む原料ガスを
活性化して得られるガスを接触させる。
を清浄化した超硬合金に、炭素源ガスを含む原料ガスを
活性化して得られるガスを接触させる。
前記原料ガスは少くとも炭素源ガスを含有するものであ
り、炭素源ガスのほかに水素ガス、不活性ガスを含有し
ていてもよい。
り、炭素源ガスのほかに水素ガス、不活性ガスを含有し
ていてもよい。
前記炭素源ガスとしては、たとえばメタン、エタン、プ
ロパン、ブタン等のパラフィン系炭化水素；エチレン、
プロピレン、フチレン等のオレフィン系炭化水素；アセ
チレン、アリレン等のアセチレン系炭化水素；ブタジェ
ン等のジオレフィン系炭化水素；シクロプロパ、ン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環
式炭化水素二ジクロブタジェン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、ナフタレン等の芳香族炭化水素；ア七トン、
ジエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン類；メタノ
ール、エタノール等のアルコール類ニトリメチルアミン
、トリエチルアミンなどのアミン類：炭酸ガス、−酸化
炭素：さらに、単体ではないが、ガソリンなどの消防法
危険物第４類、第１類、ケロシン、テレピン油、しよう
のう油、松根油などの第２石油類１重油などの第３石油
類、ギヤー油、シリンダー油などの第４石油類も有効に
使用することもできる。また前記各種の炭素化合物を混
合して使用することもできる。
ロパン、ブタン等のパラフィン系炭化水素；エチレン、
プロピレン、フチレン等のオレフィン系炭化水素；アセ
チレン、アリレン等のアセチレン系炭化水素；ブタジェ
ン等のジオレフィン系炭化水素；シクロプロパ、ン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環
式炭化水素二ジクロブタジェン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、ナフタレン等の芳香族炭化水素；ア七トン、
ジエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン類；メタノ
ール、エタノール等のアルコール類ニトリメチルアミン
、トリエチルアミンなどのアミン類：炭酸ガス、−酸化
炭素：さらに、単体ではないが、ガソリンなどの消防法
危険物第４類、第１類、ケロシン、テレピン油、しよう
のう油、松根油などの第２石油類１重油などの第３石油
類、ギヤー油、シリンダー油などの第４石油類も有効に
使用することもできる。また前記各種の炭素化合物を混
合して使用することもできる。
これらの巾でも、好ましいのはメタン、エタン、プロパ
ン等のパラフィン系炭化水素、アセトン、ベンゾフェノ
ンなどのケトン類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ンなどのアミン類、炭酸ガス、−酸化炭素である。
ン等のパラフィン系炭化水素、アセトン、ベンゾフェノ
ンなどのケトン類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ンなどのアミン類、炭酸ガス、−酸化炭素である。
水素ガスは前記炭素源ガスの希釈ガスとして、また原料
ガスをプラズマ分解するときにはプラズマ発生用ガスと
して用いることができる。この水素ガスを用いる場合の
前記原料ガスにおける水素ガスの含有率は９９．９モル
％以下、好ましくは０．１〜９９．９モル％である。こ
の含有率が９９．９モル％を超えると、ダイヤモンド膜
の形成速度が著しく遅くなったり、ダイヤモンドが析出
しなくなったりすることがある。
ガスをプラズマ分解するときにはプラズマ発生用ガスと
して用いることができる。この水素ガスを用いる場合の
前記原料ガスにおける水素ガスの含有率は９９．９モル
％以下、好ましくは０．１〜９９．９モル％である。こ
の含有率が９９．９モル％を超えると、ダイヤモンド膜
の形成速度が著しく遅くなったり、ダイヤモンドが析出
しなくなったりすることがある。
不活性ガスは前記炭素源ガスまたは炭素源ガスと水素ガ
スとの混合ガスのキャリヤーガスとして用いることがで
きる。
スとの混合ガスのキャリヤーガスとして用いることがで
きる。
この不活性ガスとしては、たとえば窒素ガス、アルゴン
ガス、ネオンガス、キセノンガスなどが挙げられる。
ガス、ネオンガス、キセノンガスなどが挙げられる。
前記原料ガスの活性化手段としては、ダイヤモンドの合
成に従来より慣用されている各種の方法の中から任意の
方法を用いることができる。具体的には、たとえば直流
電圧を電極間に印加してプラズマ分解する方法、高周波
を電極間に印加してプラズマ分解する方法、マイクロを
電極間に印加してプラズマ分解する方法、あるいはプラ
ズマ分解をイオン室またはイオン銃で行なわせ、電界に
よりイオンを引出すイオンビーム法などの各種プラズマ
分解法、熱フィラメントよる加熱により熱分解する熱分
解法などが挙げられる。これらの中でも、好ましいのは
各種プラズマ分解法である。
成に従来より慣用されている各種の方法の中から任意の
方法を用いることができる。具体的には、たとえば直流
電圧を電極間に印加してプラズマ分解する方法、高周波
を電極間に印加してプラズマ分解する方法、マイクロを
電極間に印加してプラズマ分解する方法、あるいはプラ
ズマ分解をイオン室またはイオン銃で行なわせ、電界に
よりイオンを引出すイオンビーム法などの各種プラズマ
分解法、熱フィラメントよる加熱により熱分解する熱分
解法などが挙げられる。これらの中でも、好ましいのは
各種プラズマ分解法である。
この発明の方法においては、通常、以下の条件下に反応
が進行して、予め前処理を行なった超硬合金からなる基
板上にダイヤモンド膜が形成される。
が進行して、予め前処理を行なった超硬合金からなる基
板上にダイヤモンド膜が形成される。
すなわち、前記超硬合金からなる基板表面の温度は、前
記原料ガスの活性化手段により異なるので、−概に決め
ることはできないが、たとえばプラズマ分解による場合
には、通常、４００〜１，２００℃、好ましくは４５０
〜１，１００℃である。この温度が４００℃よりも低い
と、ダイヤモンド膜の形成速度が遅くなることがある。
記原料ガスの活性化手段により異なるので、−概に決め
ることはできないが、たとえばプラズマ分解による場合
には、通常、４００〜１，２００℃、好ましくは４５０
〜１，１００℃である。この温度が４００℃よりも低い
と、ダイヤモンド膜の形成速度が遅くなることがある。
一方、 １，２００℃を超えると、超硬合金上に堆積し
たダイヤモンド膜がエツチングにより削り取られてしま
い結果的にダイヤモンド膜の形成速度が遅くなることが
ある。
たダイヤモンド膜がエツチングにより削り取られてしま
い結果的にダイヤモンド膜の形成速度が遅くなることが
ある。
反応圧力は１０−３〜１０３ ｔｏｒｒ、好ましくは１
〜８００ ｔｏｒｒである０反応圧力が１Ｏ−３ｔｏｒ
ｒよりも低いと、ダイヤモンド膜の形成速度が遅くなる
ことがある。一方、１０’ ｔｏｒｒより高くしてもそ
れに相当する効果は奏されず、場合によってはダイヤモ
ンド膜の形成速度の低下を招くことがある。
〜８００ ｔｏｒｒである０反応圧力が１Ｏ−３ｔｏｒ
ｒよりも低いと、ダイヤモンド膜の形成速度が遅くなる
ことがある。一方、１０’ ｔｏｒｒより高くしてもそ
れに相当する効果は奏されず、場合によってはダイヤモ
ンド膜の形成速度の低下を招くことがある。
反応時間は所望のダイヤモンド膜の膜厚およびダイヤモ
ンド膜の形成速度により適宜に設定することができる。
ンド膜の形成速度により適宜に設定することができる。
さらに、前記原料ガスをプラズマ分解する場合のプラズ
マ出力は１通常、 ０．１ ｋｗ以上である。プラズマ
出力が０．１ ｋｗ未満であると、プラズマが充分に発
生しないことがある。
マ出力は１通常、 ０．１ ｋｗ以上である。プラズマ
出力が０．１ ｋｗ未満であると、プラズマが充分に発
生しないことがある。
以上の条件下での反応は、たとえば第１図に示したよう
な反応装置を用いて行なうことができる。
な反応装置を用いて行なうことができる。
ｍ１ｍは、この発明の方法に用いることのできる反応装
置の概念図である。
置の概念図である。
すなわち、炭素源ガスを含む原料ガスは原料ガス導入口
ｌから、反応容器２内へ導入される。この反応容器ｚ内
へ導入された原料ガスは導波管３により導出されるマイ
クロ波あるいは高周波によりプラズマ分解されて活性化
し、この活性化したガスに含まれる励起状態の炭素が、
予め前処理を行なって表面を清浄化した超硬合金からな
る基板４上に堆積してダイヤモンド膜を形成する。
ｌから、反応容器２内へ導入される。この反応容器ｚ内
へ導入された原料ガスは導波管３により導出されるマイ
クロ波あるいは高周波によりプラズマ分解されて活性化
し、この活性化したガスに含まれる励起状態の炭素が、
予め前処理を行なって表面を清浄化した超硬合金からな
る基板４上に堆積してダイヤモンド膜を形成する。
この発明の方法により得ることのできるダイヤモンド膜
は、たとえばバイト、カッター、エンドミルなどの各種
切削工具の表面保護膜として特に好適に利用することが
できる。
は、たとえばバイト、カッター、エンドミルなどの各種
切削工具の表面保護膜として特に好適に利用することが
できる。
［実施例Ｊ
次いで、この発明の実施例および比較例を示し、この発
明についてさらに具体的に説明する。
明についてさらに具体的に説明する。
（実施例１）
超硬合金からなる切削チップ（ＪＩＳ Ｋ １０５ＰＧ
Ｎ４２２）を、圧力１Ｏ−６ｔｏｒｒ、温度１０００℃
、処理時間３０分間の条件下に熱処理して、この切削チ
ップの表面層を除去した。
Ｎ４２２）を、圧力１Ｏ−６ｔｏｒｒ、温度１０００℃
、処理時間３０分間の条件下に熱処理して、この切削チ
ップの表面層を除去した。
次いで、この切削チップを基板として反応室内に設置し
、基板温度９００℃、反応室内の圧力５０ｔｏｒｒの条
件下に、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源の出力
を４００Ｗに設定するとともに１反応室内への原料ガス
流量を一酸化炭素ガス１０ ｓｃｃ麿、水素ガス９０
ｓｃｃｍに設定し、反応を１時間行なって、前記温度に
制御した基板上に平均膜厚６ｐｍの堆積物を得た。
、基板温度９００℃、反応室内の圧力５０ｔｏｒｒの条
件下に、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源の出力
を４００Ｗに設定するとともに１反応室内への原料ガス
流量を一酸化炭素ガス１０ ｓｃｃ麿、水素ガス９０
ｓｃｃｍに設定し、反応を１時間行なって、前記温度に
制御した基板上に平均膜厚６ｐｍの堆積物を得た。
得られた堆積物について、ラマン分光分析を行なったと
ころ、ラマン散乱スペクトルの１３３３ｃｍ−１付近に
ダイヤモンドに起因するピークが見られ、不純物のない
ダイヤモンドであることを確認した。
ころ、ラマン散乱スペクトルの１３３３ｃｍ−１付近に
ダイヤモンドに起因するピークが見られ、不純物のない
ダイヤモンドであることを確認した。
さらに、このダイヤモンド膜を形成してなる切削チップ
について、以下の条件下に切削試験を行なった。
について、以下の条件下に切削試験を行なった。
被削材；Ａ旦−８重量％Ｓｉ合金。
切削速度；８００ｍ／分、 “送り ；
０．１ｍｍ ／ ｒｅｖ。
０．１ｍｍ ／ ｒｅｖ。
切込み； ０．２５霧膳。
切削時間：１０分間。
試験後、被切削材溶着物を稀塩酸で除去し、切削チップ
の切刃の状態を走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、
Ｊ ５Ｍ８４０ ）で観察したところ。
の切刃の状態を走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、
Ｊ ５Ｍ８４０ ）で観察したところ。
摩耗もチッピングも見られず、正常であることを確認し
た。
た。
（比較例１）
前記実施例１において、切削チップの熱処理を行なわな
かったほかは、前記実施例１と同様にしてダイヤモンド
膜の形成を行なって平均膜厚６＃Ｌｍのダイヤモンド膜
を得るとともに、前記実施例１と同様の条件で切削試験
を行なった。
かったほかは、前記実施例１と同様にしてダイヤモンド
膜の形成を行なって平均膜厚６＃Ｌｍのダイヤモンド膜
を得るとともに、前記実施例１と同様の条件で切削試験
を行なった。
その結果、切削チップの刃先にはダイヤモンド膜の剥離
現象が見られ、この比較例で得られたダイヤモンド膜の
密着性が劣っていることを確認した。
現象が見られ、この比較例で得られたダイヤモンド膜の
密着性が劣っていることを確認した。
［発明の効果］
この発明によると、
（１） 従来の方法に比較して密着性に優れたダイヤ
モンド膜を超硬合金上に形成することができ。
モンド膜を超硬合金上に形成することができ。
（２） このダイヤモンド膜を、たとえば切削工具の
保護膜に用いれば、耐摩耗性に優れるとともに剥離のな
い保護膜とすることができる。
保護膜に用いれば、耐摩耗性に優れるとともに剥離のな
い保護膜とすることができる。
等の効果を有する工業的に有利なダイヤモンド膜の製造
方法を提供することができる。
方法を提供することができる。
第１図はこの発明の方法において使用する反応装置の一
例を示す概略図である。 特許出願人 出光石油化学株式会社 代 埋 人 ガ埋士 描村 面倒１ｔ ・１第１
図 ヨ
例を示す概略図である。 特許出願人 出光石油化学株式会社 代 埋 人 ガ埋士 描村 面倒１ｔ ・１第１
図 ヨ
Claims (1)
- （１）超硬合金上にダイヤモンド膜を形成させる方法に
おいて、超硬合金を予め真空中で熱処理した後、炭素源
ガスを含む原料ガスを活性化して得られるガスを、前記
超硬合金に接触させることを特徴とするダイヤモンド膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260252A JPH0776146B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ダイヤモンド膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260252A JPH0776146B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ダイヤモンド膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103992A true JPH01103992A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH0776146B2 JPH0776146B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17345465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260252A Expired - Fee Related JPH0776146B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ダイヤモンド膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776146B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246361A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 耐剥離性にすぐれたダイヤモンド被覆燒結合金及びその製造方法 |
| US5585176A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-17 | Kennametal Inc. | Diamond coated tools and wear parts |
| US5716170A (en) * | 1996-05-15 | 1998-02-10 | Kennametal Inc. | Diamond coated cutting member and method of making the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62260252A patent/JPH0776146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01246361A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 耐剥離性にすぐれたダイヤモンド被覆燒結合金及びその製造方法 |
| US5585176A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-17 | Kennametal Inc. | Diamond coated tools and wear parts |
| US5648119A (en) * | 1993-11-30 | 1997-07-15 | Kennametal Inc. | Process for making diamond coated tools and wear parts |
| US6287682B1 (en) | 1993-11-30 | 2001-09-11 | Kennametal Pc Inc. | Diamond coated tools and process for making |
| US5716170A (en) * | 1996-05-15 | 1998-02-10 | Kennametal Inc. | Diamond coated cutting member and method of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0776146B2 (ja) | 1995-08-16 |
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