JPH01107565A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH01107565A
JPH01107565A JP26567087A JP26567087A JPH01107565A JP H01107565 A JPH01107565 A JP H01107565A JP 26567087 A JP26567087 A JP 26567087A JP 26567087 A JP26567087 A JP 26567087A JP H01107565 A JPH01107565 A JP H01107565A
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JP
Japan
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solder
resin
coating layer
tape
rod
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JP26567087A
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English (en)
Inventor
Takaaki Yokoyama
隆昭 横山
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Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野コ 本発明は、樹脂封止型ダイオード等の少なくとも2本の
棒状リードを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に
関し、更に詳細には、リードに金属被覆層を形成する方
法に関する。
〔従来の技術〕
樹脂封止型ダイオードの回路基板に対する実装時におけ
る半田付は性を良くするために、ダイオードのリードに
半田被覆層ケ設けることは既に行わTしている。この種
々の半田被覆層を形成する時には、多数個のダイオード
を配列させ、これ等を共通の治具で支持し、多数個のダ
イオードの一方のリードと他方のリードとを交互に半田
浴格に浸漬した。
〔発明が解決しよプとする問題点〕
ところで、多数のダイj−ドを共通の治具で支持するた
めには、パーツフィーダ等の自動機にてダイオードチッ
プ列させなければならない。しかし。
リードは一般に曲がり易いので、パーツフィーダによる
配ダリ中にリード曲がりが生じた。リード曲が9が生じ
ると、自動機によるダイオードの売込が困難又は不可能
になるばかりでなく、シノート°に半田被覆層層形成す
るための治具でリード乞r4実に保持することが困難に
なり、ダイオードが半田浴槽に落下する手放がしばしば
起きた。
ダイオードは半田被覆層形成工程の後においても、その
工程のつと整列を繰り返し行う必要があり、生産性が低
かった。今、ダイオードについて述べたが、これに類似
の別の半導体装置にも同様な問題があった。
そこで、本発明の目的は、リードの金属被)層を高い生
産性を有して形成することができる方法を提供すること
にある。
〔問題点ケ解決するための手段〕
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、半導体チップと、前記半導体チップに接続された第
1の棒状リードと、前記半導体チップに接続され且つ前
記第1の棒状リードと反対方向に導出された第2の棒状
リードと、前記半導体チップ並びに前記第1及び第2の
棒状リードの一端部を被覆する樹脂封止体とから成る半
導体素子V複数個用意する第1の工程と、前記徐数個σ
〕半導体素子の前記第1及び第2の棒状リードが相互に
平行になるように前記複数個の半導体素子が並置ざn旦
つ前記第1及び第2の棒状リードの前記樹脂封止体から
導出されている部分の先端部にテープが夫々固着され、
前記複数個の半導体素子が前記テープによって梯子状に
連結でれている連結体を用意する第2の工程と、前記連
結体の状態にて、前記第1及び/又は第2の棒状リード
の前記樹脂封止体から導出これている部分に金属被覆鳩
を設ける第3の工程とを有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の#遣方法に係わるものである。
[作 用〕 上記発明においては、半導体素子が梯子状にテープに支
持された状態で金属被覆層形成のたやの処理がなされる
。従って、多数の半導体素子のリードに対して金属被1
ljI層ン容易に形成することかでざる。又、金属被覆
層形成処理中に半導体素子が落下するような問題の発生
が少なくなる。
〔実施例〕
次に、本発明の一実施例に係わる樹脂封止型ダイオード
の央遣方法を第1図〜第8図によって説明する。
第1図〜第6図及び第8図は半田被覆層の形成方法を示
し、第4図〜第7図に半田被覆層形成のために必要なダ
イオードの連結体の形成方法乞示す。
まず、第4図に示す如く、ダイオードチップ1の一方の
主面に丸棒状の第1のり−ド2のヘッダ部χ半I21(
図示せず)で結合し、他方の主面に丸棒状の第2のリー
ド3のヘッタ部分を半田(図示せず)で結合したダイオ
ード組立体4を用意する。
なお、一対のリード2.6は銅線にニッケルメッキした
ものから成り、互いに反対方向且つ同軸に導出されてい
る。
次に、第4図で点線で囲む部分を周知のトランス7アモ
ールド法により樹脂封止するために第5図に示す如く上
金型5と下金型6とから成る金型7にダイオード組立体
4を配置し、流動化した封止樹脂をランナ8及びゲート
9を通じて成形空所10内に押圧注入言セて固化して第
6図に示す樹脂刺止体11を形成する。金型7には、ト
ランスファモールドYJit産的に行うため、多数個分
のダイオード組立体4の#:#空所10が設けら4てお
り、多数個のダイオード組立体4が金型7に配置これ、
多数個同時にトランスファモールドされる。
金m7で多数個のダイオード組立体4を同時にモールド
する際には、配列固定用治具12で多数のダイオード組
立体4を支持したものを金型7に配置する。
多数のダイオード組立体4は互いに並置される様に配列
ざt(ているので、成形後に第6図に示すダイオード素
子13の樹脂連結体14が得られる。
即ち、金型7におけるランナ8Etびゲート9に樹脂が
残存するために、残存樹脂15にてダイオード素子13
が相互に連結された樹脂連結体14が得られる。なお、
残存樹脂15による多数のダイオード素子16の連結状
態は金型7汲び治具12を取り外しても維持される。
次に、第6図の破線16の部分で残存樹脂15を切断し
、ダイオ”−ド素子15が互いに並置され念部分のみか
ら成る樹脂連結体14a、14bを得る。次いで、第7
図に示す如く樹脂連結体14a、14bを連続するよう
に配置し、第1及び第2のり一ド2.3の先端部をクラ
フト紙、クレープ紙等から成る耐熱性テープ17,18
,19.20で梯子状保持する。一方のテープ17.1
9の一方の主面は粘着面であるので、ここに他方のテー
プ18.20’Y貼り付けることによってり一ド2.3
1に固着する。即ち第1のり−ド2の先端部は2枚のテ
ープ17.18で挾持し、第2のり−ド3の先端部は2
枚のチーズ19.20で挾持する。第7図には2つの樹
脂連結体14a、14bのみが示されているが、fjm
様なものを順次にテープ17〜20で挾持する。残存樹
脂15は樹脂連結体14 a、14 bvチー717〜
20で挾持した後に除去する。この除去は樹脂封止体1
1と残存樹脂15との境界即ちゲート部乞折り曲げるこ
とによって容易に達成される。これにより、第1図に示
す如くテープ17〜20でダイオード素子13が梯子状
に連結さ?したテープ連結体22が得られる。テープ1
7〜20は可撓性を有するので、テープ連結体22をリ
ールに巻き取ること、テープ連結体22をねじること等
が可能である。
次に、テープ連結体22をベルトコンベア状ニ順次に移
送し、恒温炉C図示せず)を通過させることによって樹
脂封止体11の熱処理を施す。
次に、第3図に示すように第1及び第2のリード2.6
に半田被覆層23yr形成するために、テープ連結体2
2を第19及び第2図に示す如く半田浴槽24に移送す
る。即ち、テープ連結体21を、第2図に示す如く、半
田噴射口25の、J:を通してリード6に半田26を付
着させ、第3図に示すような半田@1層26を形成する
。もう一方のリード2にはテープ連結体22の上下を逆
にすることによって半田26を付着させる。
第8図は上下のリード2.5に連続的に半田被覆層25
を形成する方法を原理的に示すものである。まず、テー
プ連結体22をリート2,3が鉛直方向に対して直交す
るように配置した状態で移送し、しかる後、テープ17
〜20−4ねじることによってリード2.3を鉛直方向
に向け、第1の半田噴射口25の上χ通過ζセる。これ
により。
第2のリード6に半田被覆層23が形成される。
次に、テープ17〜20ya−反対方向にねじることに
よって第1のり−ド2を下側に位置させ、第2の半田噴
射口25aの上を通過させる。これにより、第1のり一
ド2にも半田被覆層23が形成される。
なお、リード2.3のテープ17〜20が貼り付けられ
ている部分には半田26が付着しないが、この部分は回
路基板等にタイオード素子13’i実装する際に一般的
に使用されないので、実用上問題はない。
半田被覆層26が形成されたダイオード素子13を含む
テープ連結体22は、洗浄、マーキング、及び特性検査
の工程へと順次に移送され、これ等の処理が施ざtLる
。特性検査にて不良と判断されたダイオード素子13汀
リード2,6を切断することによってテープ連結体22
から除外される。
丁べての工程が終了したテープ連結体22は、リールに
巻き取られ、この状態で出荷される。
本実施例は次の利点を有する。
!11  ダイオード素子13をチー1連結体22の状
態で半田浴槽24を通過ぎゼ、且つテープ連結体22m
1ねじることによって@1のリード2と第° 2のリー
ド3とを交互に下側に配置して半田26に接触させるの
で、半田被覆層23を高い量産性を有して容易に形成す
ることができる。w念、半田浴−24へ半導体素子13
が落下することが少なくなる。
(2) トランス7アモールド時における治具12にヨ
ルダイオード素子13の配列状態を維持した・状態でダ
イオード素子13をテープ17〜20に固着するため、
テープ連結体22′%:容昌に得ることができる。また
、残存樹脂15’4除去1゛る前忙テーク17〜20に
ダイオード素子13を°固定しているので、この固定を
容易に達成することができる。
131  チーブ連結体22の状態で樹脂封止体11の
熱処理、半田wa層25の形成、洗浄、マーキング、検
査等を行5ので、これ等を量産的且つ円滑に行うことが
できる。
(4)ダイオード素子15のm111tび第2のり−ド
2.3がテープ17〜20で支持され、全体として梯子
状の枠体になっているので、リード2.3が曲がりにく
い。
(5#  テープ17〜20はリード2,3の先端に固
着されているので、後の工程におけるタイオード素子1
3の移送又は処mvテープ17〜20の妨害を受けずに
進めることができる。
〔変形例〕
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
(II  残存樹脂15の除去と同時又は除去後にテー
プ17〜20vダイオード累子13に固着してもよい。
この場合には治具12に基づくダイオード素子13の配
列状態χ維持してテープ17〜20の固着上行うことが
望ましい。
(2)  半田被覆層23を設ける時に使用したテープ
17〜20i−出荷!で使用しんいで、これt除去する
か又は新しいテープを貼り替えてもよい。
又、テープ17〜20の固着を樹脂封止体11の熱処理
工程の後で行ってもよい。
(31滝のような溶融半田流の中に第1及び第2のリー
ド2.3χ接触ζゼることによって半田徴樫層23を形
成してもよい。
(41金属徴覆層を半田デツプに基づく半田am層23
とセブに、錫メッキ法による錫メッキ唐、又は半田メッ
キ層等の金属メッキ層とする場合にもテープ連結体22
を使用することができる。この場合には、メッキ浴にチ
ーブ連結体22の状態でダイオード素子13を送り込む
(5)  前記リード2,3は鋼リードに鎖メッキを施
したものであってもよい。
161  ダイオード素子13以外の半導体素子にも通
用可能である。
〔発明の効果〕
よ述の如く、本発明によればリードの金属被種層を量産
的に容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係わるテープ連結体を示す正
面図、 纂2図は半田II徨膚の形成を説明するための断面図、 第3図はリード部分を示す断面図。 第4図はダイオード組立体の正面図。 第5図はモールドを説明するための断面図。 第6図は樹脂連結体を示す正面図。 第7図はテープ及び樹脂連結体を示す正面図。 第8図は第1及び第2のリードを連続的に半田デツプす
る方法をN理的に示す正面図である。 11・・・樹脂刺止体、15・・・ダイオード素子、1
7.18.19.20・・・テープ、22・・・テープ
連結体、23−・・半田被覆層、24・・・半田浴槽。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕半導体チップと、前記半導体チップに接続された
    第1の棒状リードと、前記半導体チップに接続され且つ
    前記第1の棒状リードと反対方向に導出された第2の棒
    状リードと、前記半導体チップ並びに前記第1及び第2
    の棒状リードの一端部を被覆する樹脂封止体とから成る
    半導体素子を複数個用意する第1の工程と、 前記複数個の半導体素子の前記第1及び第2の棒状リー
    ドが相互に平行になるように前記複数個の半導体素子が
    並置され且つ前記第1及び第2の棒状リードの前記樹脂
    封止体から導出されている部分の先端部にテープが夫々
    固着され、前記複数個の半導体素子が前記テープによつ
    て梯子状に連結されている連結体を用意する第2の工程
    と、前記連結体の状態にて、前記第1及び/又は第2の
    棒状リードの前記樹脂封止体から導出されている部分に
    金属被覆層を設ける第3の工程とを有することを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 〔2〕前記金属被覆層を設けることは前記樹脂封止体か
    ら導出されている部分を溶融半田に接触させて半田被覆
    層を形成することである特許請求の範囲第1項記載の樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。 〔3〕前記金属被覆層を設けることは、前記第1及び第
    2の棒状リードに金属メッキ層を設けることである特許
    請求の範囲第1項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
JP26567087A 1987-10-20 1987-10-20 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH01107565A (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50109669A (ja) * 1974-02-04 1975-08-28
JPS56140653A (en) * 1980-04-02 1981-11-04 Nec Home Electronics Ltd Solder dipping method of electronic parts of axial lead type
JPS58182236A (ja) * 1982-04-20 1983-10-25 Toshiba Corp 電気素子の製造方法
JPS6072215A (ja) * 1983-09-28 1985-04-24 日東電工株式会社 電子部品連の保持構造物

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