JPH01227464A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置に適用して有効な技術に関するも
ので、例えば１表面実装型の半導体装置に利用して有効
な技術に関するものである。

［従来の技術］ 機器の小型化・軽量化を図るためには半導体装置自体の
高集積化を図ると共に、実装密度を向上させなければな
らず、そのための技術として表面実装技術が考えられて
いる。

このような表面実装技術については、１９８４年３月２
０日に工業調査会から発行された［サーフェイス・マウ
ント・テクノロジー」に詳しく記載されている。

ところで、上記のような表面実装に用いられる半導体装
置の一例として、パッケージ本体の４辺から、リードを
取り出すＱ　Ｆ　Ｐ　（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋ
ａｇｅ）型の半導体装置が知られている。

第８図および第９図にはこのＱＦＰ型の半導体装置が示
されている。

この半導体装置においては、タブ１に半導体チップ２が
接合され、半導体チップ２のポンディングパッド２ａと
リード３におけるインナリード３ａとが金ワイヤ４によ
って接続され、半導体チップ２およびその周辺が樹脂パ
ッケージ５によって封止されている。また、この樹脂パ
ッケージ５の４辺から導出されるアウタリード３ｂの形
状はガル・ウィング形状となっている。そして、この半
導体装置の実装は第９図に示すようにプリント基板６の
表面に形成されたランド６ａ上に半田ペースト７を載せ
、この半田ペースト７上に半導体装置のアウタリード３
ｂを載せた後１例えばリフローソルダリング法により半
田ペースト７をリフローすることによりなされる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のような表面実装型の半導体装置に
おいては次のような問題がある。

即ち、上述したように最近の半導体装置においては樹脂
パッケージ５より導出されるピン数（リード３の数）が
増大し、そのためアウタリード３ｂの幅およびその厚み
が極めて小さくなっている。

したがって、半導体装置のアウタリード３ｂの剛性が低
く、半導体装置の特性のチエツクを行なうテスティング
工程またはトレイを用いての搬送工程においてアウタリ
ード３ｂが曲がり易い。このことは最近の半導体装置一
般について言えているが、ＱＦＰ型の半導体装置におい
てはピン数（リード数）が多く、しかもリードが樹脂パ
ッケージの４辺から取り出されているので特に取扱いが
困難であり、その傾向が顕著である。

而して、このようにアウタリード３ｂの曲がりが生じた
場合には、半導体装置を表面実装する際に、アウタリー
ド３ｂの背面が半田ペースト６ｂに密着されず、その結
果、マウント不良が生じ。

応用機器の電気的特性の劣化が惹起され、機器の信頼性
の低下が招来されることになる。

本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、リード曲が
りを効果的に防止できる半導体装置を提供することを目
的としている。

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。

［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。

即ち、本願発明は、半導体装置におけるアウタリードの
長手方向全域をその中心線を含む仮想鉛直面に対して対
称となるように折曲形成したものである。

［作用］ 上記した手段によれば、アウタリードの長手方向全域が
その中心線を含む仮想鉛直面に対して対称となるように
折曲形成されているので、アウタリードの剛性が高まる
という作用によって、テスティングの工程および搬送の
工程におけるリード曲がりを効果的に防止でき、その結
果当該半導体装置の表面実装においてプリント基板上の
ランドに７ウタリードを確実に接合できることになる。

［実施例］ 以下、本発明に係る半導体装置を実施例に基づいて説明
する。

第１図乃至第３図には本発明に係る半導体装置の実施例
が示されている。

第２図において、符号１１はタブを表わしており、この
タブ１１上には半導体チップ１２が接合され、この半導
体チップ１２のポンディングパッド１２ａとリード１３
におけるインナリード１３ａとは例えば金ワイヤ１４に
よって電気的に接続されている。また、この半導体装置
においては。

半導体チップ１２の周りが樹脂パッケージ１５によって
封止されている。さらに、樹脂パッケージ１５から導出
されるリード１３即ちアウタリード１３ｂはガル・ウィ
ング形状となるように折曲形成されている。また、アウ
タリード１３ｂはその長手方向全域がその中心線を含む
仮想鉛直面に対して対称となるように折曲形成されてい
る。つまり、アウタリード３ｂはその中央部分が裏面側
に膨出されるように断面Ｖ字状に折曲形成されている。

次に、上記半導体装置の製造方法を説明する。

第４図乃至第６図には、本実施例の半導体装置の製造に
用いられるリードフレームが示されている。このリード
フレーム２１の幅方向中央にはタブ１１が設けられ、こ
のタブ１１の周辺には多数のリード１３が所定の間隔を
保って多数配されている。ここで、インナリード１３ａ
におけるアウタリード側終端部からアウタリード１３ｂ
の先端まではその中心線を含む仮想鉛直面に対して対称
となるように断面Ｖ字状に折曲形成されている。

ダイボンディングの工程では、上弓タブ１１の上に銀ペ
ースト（図示せず）が載せられると共に。

ヒートブロック上で上記リードフレーム２１が約１７０
℃で加熱され、半導体チップ１２がボクディング（接合
）される。

ダイボンディング後、当該リードフレーム２１はワイヤ
ボンディング工程に送られ、ここで金ワイヤ１４によっ
てリードフレーム２１におけるインナリード１３ａと半
導体チップ１２のアルミニウムからなるポンディングパ
ッド１２ａとが接続される。

次いで、当該リードフレーム２１は樹脂モールド工程へ
送られる。そして、モールド樹脂封止金型によって半導
体チップ１２およびその周辺が樹脂パッケージング１５
によって封止される。このときのモールド樹脂封止金型
の温度は約１７５℃である。また、封止に要する時間は
約９０秒である。そして、その後、リードフレーム２１
はモールド樹脂封止金型から取り出され、加熱炉で１７
５℃、約５〜６時間のアフターキュアが行なわれる。な
お、本実施例に用いられるリードフレーム２１には樹脂
の流出を防止するためのダム部が存在しないが、この点
は樹脂の流出防止の工夫を金型に施すことによって解決
できる。勿論、リードフレーム２１に樹脂の流出防止の
ためのダム部等を設けても良い。

その後、半導体装置のアウタリード１３ｂに半田メツキ
が施される。

そして、リードフレーム２１の所定部分の切断および成
形が行なわれる。つまり、リードフレーム２１における
タブ吊り、タイバ、リード１３と外枠との連結部分が切
断されると共にアウタリード１３ｂがガル・ウィング形
状に折り曲げられる。

これによって第１図に示すような単品の半導体装置が得
られる。なお、このアウタリード１３ｂの成形の際には
アウタリード１３ｂのＶ字形状が損なわれないようにす
ることが必要である。

そうして、マーキング等の所要の工程を経た後、これら
半導体装置はユーザ等に納められる。

続いて、上記半導体装置の実装工程の一例を具体的に説
明すれば以下のとおりである。

第２図において、符号１６はプリント基板を表わしてお
り、このプリント基板１６の上には実装すべき半導体装
置のアウタリード１３ｂに対応する位置にランド１６ａ
が形成されている。そして、上記半導体装置を実装する
にあたっては、プリント基板１６上に形成されたランド
１６ａ上に半田ペースト１７が載せられる。そして、こ
の半田ペースト１７上にアウタリード１３ｂが合致する
ようにして半導体装置が設置される。そうして、半導体
装置の設置されたプリント基板１６は赤外線炉に入部ら
れ、これによって、半導体装置はプリント基板１６上に
強固に接合される。こめ場合、第７図に示すように半田
ペースト１７は界面張力によりアウタリード１３ｂ背面
に沿って・吸い上げられる。　　　　　　　　　　　　
　　　′以上の実施例によれば次のような効果を得るこ
とができる。

即ち、上記半導体装置によれば、アウタリード１３ｂの
長手方向全域がその中心線を含む仮想鉛直面に対して対
称となるように折曲形成されたリードフレーム２１を用
いているので、アウタリード１３ｂの剛性が高！仝とい
う作用によって、アウタリード１３ｂの曲がりが防止さ
れ、テスティング工程および実装工程におけるマウント
不良が防止されることとなる。

また、上記半導体装置によれば、実装時に半【ロペース
ト１７に対してアウタリード１３ｂが線接触となるので
、その界面にボイドが封入されず、しかも界面張力によ
って半田ペースト１７が７ウタリード１３ｂに良好に付
着されるという作用により、アウタリード１３ｂの濡れ
が良好となりアウタリード１３ｂの接着性が高まる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもなし）。

例えば、上記実施例ではアウタリード１３ｂをＶ字状に
折曲形成しているが、Ｕ字状に折曲形成するようにして
も良い。

［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

即ち、本発明に係る半導体装置によれば、アウタリード
の長手方向全域がその中心線を含む仮想鉛直面に対して
対称となるように折曲形成されていので、アウタリード
の剛性が高まり、リード曲がりが防止され、表面実装時
のマウント不良が防止されることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の実施例の斜視図。 第２図は第１図の半導体装置の実装後の状態を示す縦断
面図、 第３図は第１図の半導体装置のアウタリードおよびその
近傍の拡大斜視図、 第４図は第１図の半導体装置に用いられたリードフレー
ムの一部を示す平面図、 第５図は第４図のリードフレームの拡大平面図、第６図
は第４図のリードフレームのアウタリードの一部を示す
側面図、 第７図は第４図のアウタリードの実装後の状態を示す縦
断面図 第８図は従来の半導体装置の斜視図、 第９図は第８図の半導体装置の実装後の状態を示す縦断
面図である。 １２・・・・半導体チップ、１３・・・・リード、１３
ａ・・・・インナリード、１３ｂ・・・・アウタリード
、１５・・・・樹脂パッケージ。 第　　１　図 第２図 第３図 第　　４　図 第５図 第　　６　図 第　　８　図 第　　９ｖＡ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを封止するパッケージからリードが導
   出される半導体装置において、上記リード導出部分の長
   手方向全域をその中心線を含む仮想鉛直面に対して対称
   となるように折曲形成したことを特徴とする半導体装置
   。 ２、上記リードはガル・ウィング形状に成形されている
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ３、上記リードはリード裏面に対して膨出するように折
   曲形成されていることを特徴とする請求項１または請求
   項２記載の半導体装置。