JPH01108362A - 低熱膨張率を有する磁性金属層の製造方法 - Google Patents

低熱膨張率を有する磁性金属層の製造方法

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JPH01108362A
JPH01108362A JP63226693A JP22669388A JPH01108362A JP H01108362 A JPH01108362 A JP H01108362A JP 63226693 A JP63226693 A JP 63226693A JP 22669388 A JP22669388 A JP 22669388A JP H01108362 A JPH01108362 A JP H01108362A
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JP
Japan
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magnetic metal
thermal expansion
metal layer
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element selected
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Pending
Application number
JP63226693A
Other languages
English (en)
Inventor
Kurt Heinz Jurgen Buschow
クルト・ヘインズ・ユルゲン・ブッショウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon

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  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低熱膨張率を有する薄い磁性金属層を基体上に
形成する方法に関するものである。
かかる磁性金属層は広範囲の温度で低膨張が必要とされ
る用途に用いられる。
低膨張率を有する磁性金属化合物を製造する方法は、就
中欧州特許第１１８，１４８号明細書に開示されている
。この特許明細書には、鉄基村上に磁性四元合金からな
る目的物を製造するのに適する方法が記載されている。
これ等の合金は次式％式％） （式中のＸは、１ＭまたはＳｉを示す）で表わされる表
示組成を有する。上記合金はＮａＺｎ＋：＋型の結晶構
造を有する金属間化合物により形成される。
これ等の金属間化合物は０〜２００°Ｃの範囲の温度で
低熱膨張率を有する。
更にこれ等の化合物につき行った実験により、これ等の
化合物の少なくとも２種類の混合物を適切に選定すると
、混合した化合物の熱膨張率が個々の化合物の熱膨張率
より低いことがわかった。
実際に上記Ｌａ　（Ｆｅ　、Ｃｏ　、Ｘ）　＋３合金の
混合化合物の磁性金属の薄層は欠点を伴うことなくして
は形成されないことを見出した。
本発明の目的は上記欠点を有せぬ低膨張率を有する薄い
磁性金属層を形成する方法を提供することにある。
この目的は、次式 ％式％ （式中（７）ＲＥはＮｄ、Ｓｓ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤＹ。
Ｈｏ　、Ｅｒ　、Ｔｍ　、ＬｕおよびＹから成る群から
選ばれた元素、ＴはＳｔ　、Ｔｉ　、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ。
およびＷから成る群から選ばれた元素を示し、１≦Ｘ≦
４である）で規定される組成を有する磁性金属材料を１
気相から蒸着法により被着することを特徴とする方法に
よって達成される。
実験から上記ＲＥ　ＦｅＩｔ−ｘ　’ｒｘ化合物は０〜
２００°Ｃの範囲の温度で低熱膨張率を有する。化合物
のキューリー温度は３５０〜６００にである。この比較
的高いキューリー点により化合物に高価なＣｏを添加す
る必要がない。
化合物の高い強磁性挙動は、Ｆｅおよび選定されるＲＥ
元素により、更に特にこれ等の元素の磁気モーメントの
カップリングにより決定される。
上記化合物はＴｈＭｎ＋ｚ型の正方品系構造を有する安
定な硬質１磁性金属間成分を有する。この硬質磁性成分
は、金属間構造を安定化する元素Ｔの存在によって得ら
れる。
Ｘが１より小かまたは４より大である場合に、上記磁性
金属間成分は、化合物の磁気特性が有意に減少するよう
な十分な程度には化合物中に存在しないことを見出した
。
更に、Ｌａ　（Ｆｅ　、Ｃｏ　、Ｘ）＋３型の上記の化
合物の混合物に対比して、ＲＥ　Ｆ　ｅ＋□−ＸＴや化
合物は蒸着法により蒸気相から基体上に薄層で被着させ
ることができる。
好適例の方法は、磁性物質の組成が、次式２式％ （式中のＲＥはＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤＹ。
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＬｕおよびＹから成る群から選ばれ
た元素を示す）で規定されることを特徴とする。実験に
よりこれ等のＲＥＦｅ＋ｏＶｚ化合物の熱膨張率は、０
〜２００°Ｃの範囲の温度で、ＲＥ　Ｆｅ、、Ｔｚ化合
物（但しＴはＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ。
ＭｏおよびＷから成る群から選ばれた元素を示す）の膨
張率より小である。
他の好適例の方法は、磁性金属物質をスパッター法によ
り堆積することを特徴とする。この操作の出発点は、実
現させるべき磁性薄層の組成を有する鋳物である。従っ
てこの操作は元素を個々に蒸気相にし、然る後薄層に蒸
着する操作より簡単である。
他の好適例の方法は、蒸着操作中基体を６００°Ｃ以上
に加熱することを特徴とする。これ等の条件下で磁性薄
層が基体上に改善された範囲に晶出することを見出した
。
次に図面を参照して実施例につき説明する。
夫−隻一貫 ＬｕＦｅ＋。■２の組成を有する鋳物を、基体上に蒸着
する間、ターゲットとして用いた。マグネトロンスパッ
ターを真空中（１０−’ｍｓＨｇ以下の圧力）で行い、
この際２５０°Ｃの基体温度において１５分間で２μの
厚さを有する薄い磁性金属層が基体上に形成された。上
記Ｌ　ｕ　Ｆ　ｅ、。■２の熱膨張を温度に対して示す
第１図から０〜２００°Ｃの範囲の温度における平均熱
膨張率が１．５　Ｘｌ０−”以下であることを導き出す
ことができた。
第２図および第３図に示す化合物を上記例示した方法と
同様の方法で製造した。これ等の化合物の相対的膨張対
温度の関係を第２図および第３図に示す。これ等の化合
物は低い熱膨張率を有した。
【図面の簡単な説明】
第１図はＬｕＦｅ、。■２の膨張対温度の関係を示す曲
線図、 第２図は６種類のＲＥ　Ｆ　ｅ　＋。■２化合物の相対
的膨張対矢印で示すキューリー点における温度との関係
を示す曲線図、 第３図は本発明の４種類の化合物の相対的膨張対温度の
関係を示す曲線図である。 特許出願人　　　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランベンファブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、低熱膨張率を有する薄い磁性金属層を基体上に形成
    するに当り、次式 ＲＥＦｅ＿１＿２＿−＿ｘＴ＿ｘ （式中のＲＥはＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、 ＤＹ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＬｕおよびＹから成る群から
    選ばれた元素、ＴはＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏおよび
    ｗから成る群から選ばれた元素を示し、１≦ｘ≦４であ
    る）で規定される組成を有する磁性金属材料を蒸気相か
    ら蒸着法により被着することを特徴とする低熱膨張率を
    有する磁性金属層の製造方法。 ２、磁性金属物質の組成が、次式 ＲＥＦｅ＿１＿０Ｖ＿２ （式中のＲＥはＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、 ＤＹ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＬｕおよびＹから成る群から
    選ばれた元素を示す）で表わされることを特徴とする請
    求項１記載の製造方法。 ３、磁性金属物質をスパッター法により堆積することを
    特徴とする請求項１または２記載の製造方法。 ４、基体を、蒸着中６００℃以上の温度に加熱すること
    を特徴とする請求項１、２または３記載の製造方法。
JP63226693A 1987-09-14 1988-09-12 低熱膨張率を有する磁性金属層の製造方法 Pending JPH01108362A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8702180 1987-09-14
NL8702180 1987-09-14

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JPH01108362A true JPH01108362A (ja) 1989-04-25

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ID=19850603

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JP63226693A Pending JPH01108362A (ja) 1987-09-14 1988-09-12 低熱膨張率を有する磁性金属層の製造方法

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US (1) US4889607A (ja)
EP (1) EP0309022A1 (ja)
JP (1) JPH01108362A (ja)
KR (1) KR890005827A (ja)
CN (1) CN1032037A (ja)

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KR890005827A (ko) 1989-05-17
EP0309022A1 (en) 1989-03-29
CN1032037A (zh) 1989-03-29
US4889607A (en) 1989-12-26

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