JPS62164205A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS62164205A JPS62164205A JP477286A JP477286A JPS62164205A JP S62164205 A JPS62164205 A JP S62164205A JP 477286 A JP477286 A JP 477286A JP 477286 A JP477286 A JP 477286A JP S62164205 A JPS62164205 A JP S62164205A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体、特にコンピュータ外部メモリ装
置に用いられる固定磁気ディスクあるいはフレキシブル
ディスクに関するものである。
置に用いられる固定磁気ディスクあるいはフレキシブル
ディスクに関するものである。
近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要求
されてきている。この要求を満足させるためには、外部
メモリ装置に用いられるメモリディスクも更に記録密度
を増加させる必要があり、このためには記録層を形成す
る磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜
化を促進しなければならない。
外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要求
されてきている。この要求を満足させるためには、外部
メモリ装置に用いられるメモリディスクも更に記録密度
を増加させる必要があり、このためには記録層を形成す
る磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜
化を促進しなければならない。
そこで、かかる要求を満足させる１つの方法として、特
公昭５５−１４０５８号公報に示されるように、スパッ
タリング法により記録層を形成する方法が開発された。
公昭５５−１４０５８号公報に示されるように、スパッ
タリング法により記録層を形成する方法が開発された。
こり方法は、鉄あるいは鉄合金をターゲットとし反応ス
パッタリングによりディスク基板上にＦｅＪａの薄膜層
を形成し、その後これを熱酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３とす
るものである。
パッタリングによりディスク基板上にＦｅＪａの薄膜層
を形成し、その後これを熱酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３とす
るものである。
上記の磁気記録媒体においては、磁性層が酸化物である
ため飽和磁束密度が小さく記録媒体として実用に供する
ためには薄層化に限界があった。
ため飽和磁束密度が小さく記録媒体として実用に供する
ためには薄層化に限界があった。
また、２５０℃以上の熱処理過程を必要とするため、ア
ルミニウム合金上にＮ１−Ｐ下地層が形成された基板を
使用した場合、Ｎ１−Ｐ層の帯磁を招き記録特性の劣化
をもたらし安価な該基板を使用できないという不具合を
有していた。本発明は高飽和磁束密度の媒体を特殊下地
層の形成により、薄膜を磁化容易軸方向が膜面内になる
様エピタキシャル成長させ高い保磁力とヒステリシス角
形性を有することに特徴を有する。
ルミニウム合金上にＮ１−Ｐ下地層が形成された基板を
使用した場合、Ｎ１−Ｐ層の帯磁を招き記録特性の劣化
をもたらし安価な該基板を使用できないという不具合を
有していた。本発明は高飽和磁束密度の媒体を特殊下地
層の形成により、薄膜を磁化容易軸方向が膜面内になる
様エピタキシャル成長させ高い保磁力とヒステリシス角
形性を有することに特徴を有する。
従来かかる目的にはＣｒ下地膜が形成されていたが、Ｃ
ｒ下地膜は極めて活性なため雰囲気中の微量０□ガス等
により表面が酸化され、磁性膜の上記エピタキシー成長
に支障をきたし、保磁力、角形比の制御性に困難を有し
ていた。
ｒ下地膜は極めて活性なため雰囲気中の微量０□ガス等
により表面が酸化され、磁性膜の上記エピタキシー成長
に支障をきたし、保磁力、角形比の制御性に困難を有し
ていた。
ずなわち、背圧１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中に５−
２０ ｍＴｏｒｒのＡｒガスを流し、Ｃｒ下地膜を５０
００人スパッタした場合次の磁性膜形成に至る時間の増
大と共にＨｃが低下する傾向を有している。このため背
圧、Ａｒガス純度、下地膜形成後の磁性膜形成時間の制
御が極めて重要となり、かかるＣｒ下地による磁気ディ
スク等の製法では磁性の制御が困難であった。
２０ ｍＴｏｒｒのＡｒガスを流し、Ｃｒ下地膜を５０
００人スパッタした場合次の磁性膜形成に至る時間の増
大と共にＨｃが低下する傾向を有している。このため背
圧、Ａｒガス純度、下地膜形成後の磁性膜形成時間の制
御が極めて重要となり、かかるＣｒ下地による磁気ディ
スク等の製法では磁性の制御が困難であった。
上記従来技術の問題点を解決するために、本発明はＭｎ
、ＭｏまたはＶ下地層上にＣｏ基磁性層が形成されて成
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
、ＭｏまたはＶ下地層上にＣｏ基磁性層が形成されて成
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
以下本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、Ｍｎ、Ｍｏまたは■下地層上
に磁性層が形成されている。磁性層はＣｏ基合金であり
３５原子％以下のＮｉまたは２０原子％以下のＣｒ、あ
るいはＮｉおよびＣｒの総量が４５原子％以下を含んだ
組成であることが望ましい。この組成に限定した理由は
いずれの組成においても上限を超える場合ｆ、ｃ、ｃ、
相の等軸異方性構造となり、記録媒体に適切な磁気特性
が得られないという理由による。
に磁性層が形成されている。磁性層はＣｏ基合金であり
３５原子％以下のＮｉまたは２０原子％以下のＣｒ、あ
るいはＮｉおよびＣｒの総量が４５原子％以下を含んだ
組成であることが望ましい。この組成に限定した理由は
いずれの組成においても上限を超える場合ｆ、ｃ、ｃ、
相の等軸異方性構造となり、記録媒体に適切な磁気特性
が得られないという理由による。
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地組及びＣｏ基合金磁性層は、スパッ
タリング、イオンビームスパッタリンク、真空蒸着など
のイオン工学的手段により形成される。
タリング、イオンビームスパッタリンク、真空蒸着など
のイオン工学的手段により形成される。
Ｃｏ基合金磁性層は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ層上にこの下地層
との２次元的方位関係を満足する結晶成長、所謂エピタ
キシャル成長によりり、ｃ、ｐ、構造を有するＣｏ基合
金の磁化容易軸であるＣ軸方向が磁性面内に傾き、面内
記録媒体として適切な磁気特性を有するものと考えられ
る。Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層厚は特に限定されるものでは
なく、また、この下地層の下にさらにＳｉ＋ Ｇ ｅ
ｒ Ｔ ｉ層などを設けた場合Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉなどの
層はＭｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層の均一な結晶成長を促しその
下地層膜厚を軽減させる効果を有する。尚、Ｓ Ｌ Ｇ
ｅ、 Ｔ ｉ層もイオン工学的手段により形成される。
との２次元的方位関係を満足する結晶成長、所謂エピタ
キシャル成長によりり、ｃ、ｐ、構造を有するＣｏ基合
金の磁化容易軸であるＣ軸方向が磁性面内に傾き、面内
記録媒体として適切な磁気特性を有するものと考えられ
る。Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層厚は特に限定されるものでは
なく、また、この下地層の下にさらにＳｉ＋ Ｇ ｅ
ｒ Ｔ ｉ層などを設けた場合Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉなどの
層はＭｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層の均一な結晶成長を促しその
下地層膜厚を軽減させる効果を有する。尚、Ｓ Ｌ Ｇ
ｅ、 Ｔ ｉ層もイオン工学的手段により形成される。
〔実施例〕 １
平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い、下記条
件にて下地膜および磁性膜を形成した。
件にて下地膜および磁性膜を形成した。
初期排気圧 ＜ ３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒスパ
ッタ時Ａｒ圧 １〜８ｍＴＯｒｒ（下地層）１０〜２
０ｍＴｏｒｒ （磁性層） 投入電力 ３００Ｗ ターゲット組成 ０〜４０ａｔ％Ｎｉ１０〜２５ａ
ｔ％Ｃｒ ２Ｏ〜３０ａｔ％Ｎｉ、 １０〜２０ａｔ％Ｃｒいずれ
も残部Ｃｏ 極間隔 ６０１１ 基板温度 １００〜２００℃ 磁性層膜厚 ７００Ａ 基 板 ガラス この磁気記録媒体の磁気特性は表１に示す如くであった
。本磁性特性は第１層および第２層下地膜成形後の時間
に関係なく５０時間経過しても同様に高い磁気特性値を
示した。この点従来のＣｒ下地による方法に対し、特性
の制御性にも優っていた。
ッタ時Ａｒ圧 １〜８ｍＴＯｒｒ（下地層）１０〜２
０ｍＴｏｒｒ （磁性層） 投入電力 ３００Ｗ ターゲット組成 ０〜４０ａｔ％Ｎｉ１０〜２５ａ
ｔ％Ｃｒ ２Ｏ〜３０ａｔ％Ｎｉ、 １０〜２０ａｔ％Ｃｒいずれ
も残部Ｃｏ 極間隔 ６０１１ 基板温度 １００〜２００℃ 磁性層膜厚 ７００Ａ 基 板 ガラス この磁気記録媒体の磁気特性は表１に示す如くであった
。本磁性特性は第１層および第２層下地膜成形後の時間
に関係なく５０時間経過しても同様に高い磁気特性値を
示した。この点従来のＣｒ下地による方法に対し、特性
の制御性にも優っていた。
Ｍｎ、Ｖ等の第２層下地膜をつけず実施例１と同様の方
法で形成した薄膜は保磁力２０００ｅ程度であり（表Ｉ
Ｎｏ、１４． Ｎｏ、ｌ ５） 、磁気記録媒体として
不適であった。Ｃｏ−４０Ｎｉ、 Ｃｏ−２５Ｃｒ。
法で形成した薄膜は保磁力２０００ｅ程度であり（表Ｉ
Ｎｏ、１４． Ｎｏ、ｌ ５） 、磁気記録媒体として
不適であった。Ｃｏ−４０Ｎｉ、 Ｃｏ−２５Ｃｒ。
Ｃｏ−３ＯＮ＋−２０Ｃｒ媒体（表１１１ｋ１．３．ｈ
ｋ１．５゜隘８）においては、いずれもＣｏ組成が少（
Ｎｉ。
ｋ１．５゜隘８）においては、いずれもＣｏ組成が少（
Ｎｉ。
Ｃｒ組成が多すぎたため充分な保磁力が得られなかった
。又、Ｃｒ下地膜を０．５μｍ形成５０時間後表１と同
様な条件で同様の媒体を形成したが、Ｈｃ、は４０００
ｅ以下であり媒体に不適であった。
。又、Ｃｒ下地膜を０．５μｍ形成５０時間後表１と同
様な条件で同様の媒体を形成したが、Ｈｃ、は４０００
ｅ以下であり媒体に不適であった。
以上、本発明の磁気記録媒体はＣｏ基合金磁性層の下に
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層を設けることにより、良好な膜面
内の磁気特性を得ることができ従来のγ−Ｆｅ２０３ス
パッタ膜より３倍以上の磁束密度を有し、一層の薄膜化
を可能とし新たな記録媒体の製造が可能となった。
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層を設けることにより、良好な膜面
内の磁気特性を得ることができ従来のγ−Ｆｅ２０３ス
パッタ膜より３倍以上の磁束密度を有し、一層の薄膜化
を可能とし新たな記録媒体の製造が可能となった。
基板をガラスに代えて安定化ＺｒＯ□（ＺｒＯ□・６Ｙ
２０３）セラミック基板、ＮｉＰメツキ処理、１１基板
、アルマイト処理Ａβ基板を使用した場合についてもガ
ラスと同様の下地層効果が認められ、表１と同様の高い
面内異方性を有する高保磁力、高磁束密度媒体が得られ
た。
２０３）セラミック基板、ＮｉＰメツキ処理、１１基板
、アルマイト処理Ａβ基板を使用した場合についてもガ
ラスと同様の下地層効果が認められ、表１と同様の高い
面内異方性を有する高保磁力、高磁束密度媒体が得られ
た。
本発明により、Ｃｒ下地膜よりも制御性の良い高い磁気
特性を有する合金面内磁気記録用媒体が得られる様にな
った。
特性を有する合金面内磁気記録用媒体が得られる様にな
った。
Claims (4)
- （１）基板上に形成された下地層および磁性層より成る
磁気記録媒体において、この下地層がＭｎ、Ｍｏまたは
Ｖより成り、磁性層はＣｏ基合金より成ることを特徴と
する磁気記録媒体。 - （２）磁性層は３５原子％以下のＮｉ、または２０原子
％以下のＣｒ、あるいはＮｉおよびＣｒの総量で４５原
子％以下含有し残部実質的にＣｏより成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - （３）基板上に形成された下地層および磁性層からなる
磁気記録媒体において、この下地層はＳｉ、Ｇｅ及びＴ
ｉから選ばれた少くとも一種の元素から成る第一層と、
その上の形成されたＭｎ、ＭｏあるいはＶより成る第二
層からなり、磁性層はＣｏ基合金より成ることを特徴と
する磁気記録媒体。 - （４）磁性層は３５原子％以下のＮｉ、または２０原子
％以下のＣｒ、あるいはＮｉおよびＣｒの総量で４５原
子％以下含有し、残部が実質的にＣｏより成ることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477286A JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477286A JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164205A true JPS62164205A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11593130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP477286A Pending JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048413A1 (en) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
| US6432563B1 (en) | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP477286A patent/JPS62164205A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048413A1 (en) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
| US6432563B1 (en) | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
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