JPH01111768A - 高温超伝導酸化物の製造方法 - Google Patents
高温超伝導酸化物の製造方法Info
- Publication number
- JPH01111768A JPH01111768A JP62271270A JP27127087A JPH01111768A JP H01111768 A JPH01111768 A JP H01111768A JP 62271270 A JP62271270 A JP 62271270A JP 27127087 A JP27127087 A JP 27127087A JP H01111768 A JPH01111768 A JP H01111768A
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- JP
- Japan
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- provisionally
- calcined
- production
- oxide
- cuo
- Prior art date
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高温で超伝導現象を示す高温超伝導酸化物の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
・ 〈従来技術〉
高温超伝導材料はバルク材として送電ケーブル、リニア
モーターカー、磁気浮上船、電力貯蔵等に、または、薄
膜としてジョセフソン素子、スクイラド、磁気センサ等
の広い用途に期待されている。
モーターカー、磁気浮上船、電力貯蔵等に、または、薄
膜としてジョセフソン素子、スクイラド、磁気センサ等
の広い用途に期待されている。
この高温超伝導材料として、Ba2 At Cu307
−y[ただしAは、Y又はCe、Pr、Pm。
−y[ただしAは、Y又はCe、Pr、Pm。
Tbを除くランタンド元素のうちいずれか一種]は、I
BM研究所等から提案され、高温で超伝導現象を示す酸
化物として脚光を浴びている。
BM研究所等から提案され、高温で超伝導現象を示す酸
化物として脚光を浴びている。
例えば一般式B a2 YICu307−yで表示され
る高温超伝導材料の製造にあっては、従来、出発原料と
して、BaCO3、Y2O3、CuOを用い、これを混
同し、仮焼、粉砕及び焼成することにより生成していた
。
る高温超伝導材料の製造にあっては、従来、出発原料と
して、BaCO3、Y2O3、CuOを用い、これを混
同し、仮焼、粉砕及び焼成することにより生成していた
。
詳しくは、第2図に示すように、前記各材料を混合して
、900℃で10〜24時間仮焼し、さらに粉砕してか
ら再び仮焼し、この粉砕と仮焼を数回祿換えしてBaC
O3中の炭素を除去し、粉砕後900℃〜1000℃で
数時間焼成し、その後、アニールを施し、400℃〜5
00℃で急冷することによりおこなっていた。
、900℃で10〜24時間仮焼し、さらに粉砕してか
ら再び仮焼し、この粉砕と仮焼を数回祿換えしてBaC
O3中の炭素を除去し、粉砕後900℃〜1000℃で
数時間焼成し、その後、アニールを施し、400℃〜5
00℃で急冷することによりおこなっていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
前記製造方法にあっては、出発原料として、BaCO3
を用いているため、粉砕と仮焼を成度繰返して炭素Cを
除去する必要があり、しかも、仮焼温度が高いため、仮
焼したものは極めて固く、粉砕が困難であり、製造が面
倒であった。また、粉砕に用いる乳鉢、ポットのアルミ
ナ等が粉砕中に混入する恐れがあり、かつ仮焼反応が不
充分であると、BaCO3が焼成物中に残留するため、
安定した酸化物を得ることができず再現性を阻害する一
因となっていた。さらには、焼結性が悪く、相対密度(
理論密度を6.4とする)が70%〜85%のものが製
造され、その緻密化が課題となっていた。
を用いているため、粉砕と仮焼を成度繰返して炭素Cを
除去する必要があり、しかも、仮焼温度が高いため、仮
焼したものは極めて固く、粉砕が困難であり、製造が面
倒であった。また、粉砕に用いる乳鉢、ポットのアルミ
ナ等が粉砕中に混入する恐れがあり、かつ仮焼反応が不
充分であると、BaCO3が焼成物中に残留するため、
安定した酸化物を得ることができず再現性を阻害する一
因となっていた。さらには、焼結性が悪く、相対密度(
理論密度を6.4とする)が70%〜85%のものが製
造され、その緻密化が課題となっていた。
本発明はBa2At Cu307−y [ただしAは、
Y又はCe + P r 、 P m 、 T bを除
くランク、ンド元素のうちいずれか一種]の製造にあっ
て、前記従来方法の問題点を解決することを目的とする
ものである。
Y又はCe + P r 、 P m 、 T bを除
くランク、ンド元素のうちいずれか一種]の製造にあっ
て、前記従来方法の問題点を解決することを目的とする
ものである。
く問題点を解決する手段〉
本発明は、
Ba (OH)2 * 8H20゜A203[た
だしAは、Y又はCe、Pr。
だしAは、Y又はCe、Pr。
Pm、Tbを除くランタンド元素の
うちいずれか一種]
CuO又はCu2O
以上三種の材料を出発原料として混合し、仮焼、粉砕及
び焼成してBa2 A+ Cu307−yを生成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
び焼成してBa2 A+ Cu307−yを生成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
〈実施例〉
第1図に示すように、出発原料として、Ba(OH)2
* 8H20、Y203 、Cuoを所定量秤量し、
エチルアルコールを添加して混合粉砕し、500℃〜7
00℃で10時間仮焼し、これにエチルアルコールを添
加して粉砕した。そして、これを900℃〜1000℃
で5時間焼成し、その後、25℃/時間の割合で徐冷し
、400℃〜450℃で急冷しテBa2 YI Cu3
07−yを得た。
* 8H20、Y203 、Cuoを所定量秤量し、
エチルアルコールを添加して混合粉砕し、500℃〜7
00℃で10時間仮焼し、これにエチルアルコールを添
加して粉砕した。そして、これを900℃〜1000℃
で5時間焼成し、その後、25℃/時間の割合で徐冷し
、400℃〜450℃で急冷しテBa2 YI Cu3
07−yを得た。
前記工程において、CuOに換えて、Cu2Oを用いる
ようにしてもよい。
ようにしてもよい。
かかる工程によって生じたBa2 yt Cu307−
yは、相対密度が90%〜96%であり、緻密なものを
得ることができた。
yは、相対密度が90%〜96%であり、緻密なものを
得ることができた。
また常伝導域での比抵抗も大幅に低下した。
尚、本発明はBa−Y−Cu−0系を例にとって説明し
たが、Ba−M−Cu−0系″[ただしMは、Ce 、
P r 、 P m 、 T bを除くランタンド元
素のうちいずれか一種]の場合でも同様の効果を呈する
ことを確認した。
たが、Ba−M−Cu−0系″[ただしMは、Ce 、
P r 、 P m 、 T bを除くランタンド元
素のうちいずれか一種]の場合でも同様の効果を呈する
ことを確認した。
く効果〉
本発明の製造方法にあって、その製造過程で出発原料と
して炭酸塩を用いないから、仮焼物中に炭素Cが混在せ
ず、このため、粉砕と仮焼を繰返す必要がなく、さらに
は低温で仮焼するため仮焼物の硬度が低く、易粉砕性が
あって、製造が容易である。
して炭酸塩を用いないから、仮焼物中に炭素Cが混在せ
ず、このため、粉砕と仮焼を繰返す必要がなく、さらに
は低温で仮焼するため仮焼物の硬度が低く、易粉砕性が
あって、製造が容易である。
またこの製造方法の結果生成されたBa2AICu30
7−y[ただしAは、Y又はCe 、 Pr 。
7−y[ただしAは、Y又はCe 、 Pr 。
Pm、Tbを除くランタンド元素のうちいずれか一種]
は、低温で仮焼したために、相対密度が高く、緻密な材
料を形成し得る。この緻密化は、Ba2 A+ Cu3
07−yの臨界温度Jcの向上には必要であり、より高
い臨界温度Jcの達成が期待される。
は、低温で仮焼したために、相対密度が高く、緻密な材
料を形成し得る。この緻密化は、Ba2 A+ Cu3
07−yの臨界温度Jcの向上には必要であり、より高
い臨界温度Jcの達成が期待される。
さらにまた材料が水、二酸化炭素に対する特性の劣化が
少なく、対環境性が向上する。
少なく、対環境性が向上する。
その他、常伝導域での比抵抗も大幅に低下する。
而て、本発明は極めて有益な製造方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による製造工程を示す説明図、第2図は
従来の製造方法による製造工程を示す説明図である。
従来の製造方法による製造工程を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ba(OH)_2・8H_2O, A_2O_3[ただしAは、Y又はCe,Pr,Pm,
Tbを除くランタンド元素の うちいずれか一種] CuO又はCu_2O 以上三種の材料を出発原料として混合し、仮焼、粉砕及
び焼成してBa_2AlCu_3O_7_−_yを生成
するようにしたことを特徴とする高温超伝導酸化物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271270A JPH01111768A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 高温超伝導酸化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271270A JPH01111768A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 高温超伝導酸化物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111768A true JPH01111768A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17497744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62271270A Pending JPH01111768A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 高温超伝導酸化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264057A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 酸化物超電導部材 |
| JPWO2015019992A1 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-03-02 | 学校法人同志社 | 炭化ホウ素セラミックス及びその作製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310764A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Mamoru Omori | 配向性酸化物超伝導体及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62271270A patent/JPH01111768A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310764A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Mamoru Omori | 配向性酸化物超伝導体及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264057A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 酸化物超電導部材 |
| JPWO2015019992A1 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-03-02 | 学校法人同志社 | 炭化ホウ素セラミックス及びその作製法 |
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