JPH01113343U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01113343U JPH01113343U JP1988008660U JP866088U JPH01113343U JP H01113343 U JPH01113343 U JP H01113343U JP 1988008660 U JP1988008660 U JP 1988008660U JP 866088 U JP866088 U JP 866088U JP H01113343 U JPH01113343 U JP H01113343U
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- JP
- Japan
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- type
- diffusion region
- wiring
- regions
- diffusion
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の平面図、第２図は
第１図のＡ―Ａ′線断面図、第３図は従来例の断
面図である。 １……Ｐ型第１拡散領域、２……Ｐ型第２拡散
領域、３，６……配線、４，５……熱酸化膜、７
……チヤンネルストツパ、８……Ｎ型エピタキシ
ヤル層。
第１図のＡ―Ａ′線断面図、第３図は従来例の断
面図である。 １……Ｐ型第１拡散領域、２……Ｐ型第２拡散
領域、３，６……配線、４，５……熱酸化膜、７
……チヤンネルストツパ、８……Ｎ型エピタキシ
ヤル層。
Claims (1)
- Ｎ型エピタキシヤル層中に近接配置されている
Ｐ型第１拡散領域とＰ型第２拡散領域を有し、こ
れら第１および第２拡散領域をそれぞれ別個の外
部端子に接続する第１および第２配線を有する半
導体装置において、前記第１および第２配線の内
のどちらか一方の配線が、他方の配線に接続され
ているＰ型拡散領域上を通過しておき、通過する
配線とそのＰ型拡散領域の間の酸化膜が他の領域
上の酸化膜より厚くされていることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988008660U JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988008660U JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01113343U true JPH01113343U (ja) | 1989-07-31 |
| JPH062275Y2 JPH062275Y2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=31214735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988008660U Expired - Lifetime JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062275Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1988008660U patent/JPH062275Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062275Y2 (ja) | 1994-01-19 |