JPH01114068A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01114068A JPH01114068A JP62272276A JP27227687A JPH01114068A JP H01114068 A JPH01114068 A JP H01114068A JP 62272276 A JP62272276 A JP 62272276A JP 27227687 A JP27227687 A JP 27227687A JP H01114068 A JPH01114068 A JP H01114068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- resistance layer
- layer
- junction diode
- electrostatic breakdown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分前〕
本発明は半導体装置に関し、特に静電破壊防止回路を備
えた半導体装置に関する。
えた半導体装置に関する。
８て従来の技術〕
今日、実用される半導体装置の静電破壊防止回路は、半
導体基板上に設けられる多結晶シリコン抵抗層とＰＮ接
合ダイオードの直列接続からなり、ボンディングパッド
と多結晶シリコン抵抗層間および多結晶シリコン抵抗層
と接合ダイオードの拡散層間は何れもコンタクト・ホー
ルを介した金属導体で行われる。
導体基板上に設けられる多結晶シリコン抵抗層とＰＮ接
合ダイオードの直列接続からなり、ボンディングパッド
と多結晶シリコン抵抗層間および多結晶シリコン抵抗層
と接合ダイオードの拡散層間は何れもコンタクト・ホー
ルを介した金属導体で行われる。
第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来の静電破壊防
止回路の半導体構造を示す平面図およびそのＢ−Ｂ’断
面図で、１および２はそれぞれＰ型半導体基板およびボ
ンディングパッド、３は多結晶シリコ抵抗層、４および
５はそれぞれ接合ダイオードを形成する半導体基板１上
のＰ型およびＮ型拡散層、６．７．８ｉよコンタクト、
９．１”０および１１は金属導体をそれぞれ示す。
止回路の半導体構造を示す平面図およびそのＢ−Ｂ’断
面図で、１および２はそれぞれＰ型半導体基板およびボ
ンディングパッド、３は多結晶シリコ抵抗層、４および
５はそれぞれ接合ダイオードを形成する半導体基板１上
のＰ型およびＮ型拡散層、６．７．８ｉよコンタクト、
９．１”０および１１は金属導体をそれぞれ示す。
しかしながら、この従来の静電破壊防止回路は、基板表
面の拡散層で形成されるＰＮ接合ダイオードを含む半導
体構造を有し、多結晶シリコン抵抗層とＰＮ接合ダイオ
ードとを接続するのに多くの金属配線とコンタクトホー
ルとを用意しなければならないので、チップの大型化を
避けることが女き、゛な〜）′。
面の拡散層で形成されるＰＮ接合ダイオードを含む半導
体構造を有し、多結晶シリコン抵抗層とＰＮ接合ダイオ
ードとを接続するのに多くの金属配線とコンタクトホー
ルとを用意しなければならないので、チップの大型化を
避けることが女き、゛な〜）′。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、半導体チッチを大
型化することなき静電破壊防止回路構造を備えた半導体
装置を提供することである。
型化することなき静電破壊防止回路構造を備えた半導体
装置を提供することである。
本発明によれば、半導体装置は、半導体基・板と、前記
半導体基板上に形成されるボンディングパッドと、前記
ボンディングパッドと電気接続される多結晶シリコン抵
抗層と、前記多結晶シリコン抵抗層と一体化されて形成
されるＰ型多結晶シリコン層およびＮ型多結晶シリコン
層の接合ダイオードとから成る前記半導体基板上の静電
破壊防止回路とを含む。
半導体基板上に形成されるボンディングパッドと、前記
ボンディングパッドと電気接続される多結晶シリコン抵
抗層と、前記多結晶シリコン抵抗層と一体化されて形成
されるＰ型多結晶シリコン層およびＮ型多結晶シリコン
層の接合ダイオードとから成る前記半導体基板上の静電
破壊防止回路とを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置における静電破壊防止回路部の平面図
およびそのＡ−Ａ’断面図である０本実施例によれば、
本発明の半導体装置は、Ｐ型半導体基板１１およびボン
ディングパッド１２と、コンタクト１６および金属導体
１９を介しボンディングパッド１２と電気的に接続され
る多結晶シリコン抵抗層１３と、この多結晶シリコン層
１３と一体化されたＰ型多結晶シリコン層１４およびＮ
型多結６９９３２層１５とから成るＰＮ接合ダイオード
と、コンタクト１８を介しＰ型多結晶シリコン層１４と
電気接続される金属導体２１と、コンタクト１７を介し
Ｎ型多結６９９３２層１５と電気接続される金属導体２
０とから成る静電破壊防止回路を含む。本実施例によれ
は、静電破壊防止回路は、従来配置されていた領域を侵
略することなく、配置することができ、また、従来では
利用できなかった基板領域を有効に利用することができ
るので、半導体チップの大型化の避けることができる。
を示す半導体装置における静電破壊防止回路部の平面図
およびそのＡ−Ａ’断面図である０本実施例によれば、
本発明の半導体装置は、Ｐ型半導体基板１１およびボン
ディングパッド１２と、コンタクト１６および金属導体
１９を介しボンディングパッド１２と電気的に接続され
る多結晶シリコン抵抗層１３と、この多結晶シリコン層
１３と一体化されたＰ型多結晶シリコン層１４およびＮ
型多結６９９３２層１５とから成るＰＮ接合ダイオード
と、コンタクト１８を介しＰ型多結晶シリコン層１４と
電気接続される金属導体２１と、コンタクト１７を介し
Ｎ型多結６９９３２層１５と電気接続される金属導体２
０とから成る静電破壊防止回路を含む。本実施例によれ
は、静電破壊防止回路は、従来配置されていた領域を侵
略することなく、配置することができ、また、従来では
利用できなかった基板領域を有効に利用することができ
るので、半導体チップの大型化の避けることができる。
以上は一つの多結晶シリコン層上に一つのＰＮ接合ダイ
オードを形成する場合について説明したが、これに限る
ことなく複数個を形成する場合を妨げるものではない。
オードを形成する場合について説明したが、これに限る
ことなく複数個を形成する場合を妨げるものではない。
以上説明したように、本発明によれば、多結晶シリコン
抵抗層と一体化してＰＮ接合ダイオードを形成すること
により静電破壊防止回路の基板占有面積を縮小化し得る
ので、半導体装置の集積度向上に大きな効果をあげるこ
とができる。
抵抗層と一体化してＰＮ接合ダイオードを形成すること
により静電破壊防止回路の基板占有面積を縮小化し得る
ので、半導体装置の集積度向上に大きな効果をあげるこ
とができる。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置における静電破壊防止回路部の平面図
およびＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ従来の静電破壊防止回路の半導体構造を示す平面図お
よびそのＢ−Ｂ’断面図である。 １１・・・Ｐ型半導体基板、１２・・・ボンディングパ
ッド、１３・・・多結晶シリコン抵抗層、１４・・・Ｐ
型多結晶シリコン層、１５・・・Ｎ型多結晶シリコン層
、１６．１７．１８・・・コンタクト、１９゜２０．２
１・・・金属導体。
を示す半導体装置における静電破壊防止回路部の平面図
およびＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ従来の静電破壊防止回路の半導体構造を示す平面図お
よびそのＢ−Ｂ’断面図である。 １１・・・Ｐ型半導体基板、１２・・・ボンディングパ
ッド、１３・・・多結晶シリコン抵抗層、１４・・・Ｐ
型多結晶シリコン層、１５・・・Ｎ型多結晶シリコン層
、１６．１７．１８・・・コンタクト、１９゜２０．２
１・・・金属導体。
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるボンデ
ィングパッドと、前記ボンディングパッドと電気接続さ
れる多結晶シリコン抵抗層と、前記多結晶シリコン抵抗
層と一体化されて形成されるＰ型多結晶シリコン層およ
びＮ型多結晶シリコン層の接合ダイオードとから成る前
記半導体基板上の静電破壊防止回路とを含むことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272276A JP2664911B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272276A JP2664911B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114068A true JPH01114068A (ja) | 1989-05-02 |
| JP2664911B2 JP2664911B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17511593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272276A Expired - Lifetime JP2664911B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664911B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618207B2 (en) | 1998-12-18 | 2003-09-09 | Karl Storz Gmbh & Co. Kg | Endoscope lens, and an endoscope equipped with such a lens |
| US7154152B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-12-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396767A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Agency Of Ind Science & Technol | Protecting circuit of semiconductor integrated circuit on insulation substrate |
| JPS5563858A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57147264A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Citizen Watch Co Ltd | Protecting circuit structure for oscillation circuit |
| JPS5974665A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Toshiba Corp | 入力保護回路 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62272276A patent/JP2664911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396767A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Agency Of Ind Science & Technol | Protecting circuit of semiconductor integrated circuit on insulation substrate |
| JPS5563858A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57147264A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Citizen Watch Co Ltd | Protecting circuit structure for oscillation circuit |
| JPS5974665A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Toshiba Corp | 入力保護回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618207B2 (en) | 1998-12-18 | 2003-09-09 | Karl Storz Gmbh & Co. Kg | Endoscope lens, and an endoscope equipped with such a lens |
| US7154152B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-12-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2664911B2 (ja) | 1997-10-22 |
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