JPH01117224A - 高周波リレー - Google Patents
高周波リレーInfo
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- JPH01117224A JPH01117224A JP24340488A JP24340488A JPH01117224A JP H01117224 A JPH01117224 A JP H01117224A JP 24340488 A JP24340488 A JP 24340488A JP 24340488 A JP24340488 A JP 24340488A JP H01117224 A JPH01117224 A JP H01117224A
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Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H50/00—Details of electromagnetic relays
- H01H50/10—Electromagnetic or electrostatic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波領域で’ｊｌｔｇＩＣ侶号の開閉を行う
高周波リレーに関する。
高周波リレーに関する。
従来この種高周波リレーには、アース端子を一対の接点
端子間でなく接点部を収納したシールドケースの外周の
一部を延長させて設けたものや、Ｖ−ルドケースと別体
の２木の中間を連結したアース端子を前記接点端子間に
配設し、シールドケースをベースに嵌着する時にその両
者間に前記アース端子の一部を挟着してシールドケース
とアース端子を電気的に接続したものや、一対の接点端
子間にシールドケースと一体になった一本のアース端子
を配設したものなどがある。
端子間でなく接点部を収納したシールドケースの外周の
一部を延長させて設けたものや、Ｖ−ルドケースと別体
の２木の中間を連結したアース端子を前記接点端子間に
配設し、シールドケースをベースに嵌着する時にその両
者間に前記アース端子の一部を挟着してシールドケース
とアース端子を電気的に接続したものや、一対の接点端
子間にシールドケースと一体になった一本のアース端子
を配設したものなどがある。
従来例で説明した各々の高周波リレーは接点部を収納し
たシールドケースへ電気的に接続されるアース端子をプ
リント基板のアースパターンに接続することＫよシ一般
リレーに比べて高周波特性が良いものであるが、近年高
周波特性（例えばアイソレージ四ン特性など）ｌＣ対す
る性能向上が望まれてきておシ、例えば９００ＭＨ２の
高周波帯でアイソレーシッン特性が６５ｄＢ以上などと
いう高いアイソレージ鱈ン特性の要望が出てきているが
、従来例で説明した各々の高周波リレーでは特性のばら
つき等を考慮するとこれらの要望を満足することが困難
であった。
たシールドケースへ電気的に接続されるアース端子をプ
リント基板のアースパターンに接続することＫよシ一般
リレーに比べて高周波特性が良いものであるが、近年高
周波特性（例えばアイソレージ四ン特性など）ｌＣ対す
る性能向上が望まれてきておシ、例えば９００ＭＨ２の
高周波帯でアイソレーシッン特性が６５ｄＢ以上などと
いう高いアイソレージ鱈ン特性の要望が出てきているが
、従来例で説明した各々の高周波リレーでは特性のばら
つき等を考慮するとこれらの要望を満足することが困難
であった。
本発明は前記問題点に着目し数置を図ったものであって
、その目的とするとζろは高周波特性、特にアイツレ−
Ｖ１ン特性の良い高周波リレーを得るにある。
、その目的とするとζろは高周波特性、特にアイツレ−
Ｖ１ン特性の良い高周波リレーを得るにある。
前記目的を達成するため本発明高周波リレーはシールド
ケースの少なくとも一対の接点端子間を結ぶ略直線上で
、かつその接点端子間に少なくとも２つ以上の外方への
切り起こしによるアース接続端子を設けている。
ケースの少なくとも一対の接点端子間を結ぶ略直線上で
、かつその接点端子間に少なくとも２つ以上の外方への
切り起こしによるアース接続端子を設けている。
シールドケースから一体に切り起こしてアース接続端子
を設けると共にそのアース接続端子が少なくとも一対の
接点端子間を結ぶ略直線上で、かつ接点端子間に２つ以
上設けたことにより極めてアイツレ−シーン特性の良い
高周波リレーが得られるものである。
を設けると共にそのアース接続端子が少なくとも一対の
接点端子間を結ぶ略直線上で、かつ接点端子間に２つ以
上設けたことにより極めてアイツレ−シーン特性の良い
高周波リレーが得られるものである。
以下本発明の一実施例につき詳しく説明する。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示して
おシ、Ｃ，ＯＭ接点端子５ｂをＮＣ接点端子５ａ及びＮ
Ｃ接点端子５Ｃとに切り換え接続する。
おシ、Ｃ，ＯＭ接点端子５ｂをＮＣ接点端子５ａ及びＮ
Ｃ接点端子５Ｃとに切り換え接続する。
いわゆるＩＴＷｔ成のりｖ−について示しておシ。
電磁石部ルを励磁することによシ、カード１が接極子９
に押圧駆動され、カードｌを取着した接触ばね４ａ 、
＜ｂによってＣＯＭ接点にＮＣ接点とＮＣ接点を交互
に接触させるものである。
に押圧駆動され、カードｌを取着した接触ばね４ａ 、
＜ｂによってＣＯＭ接点にＮＣ接点とＮＣ接点を交互
に接触させるものである。
各部について詳しく説明すると、コ形カードｌは両側片
ｚａ 、 ｚｂがそれぞれ異って形成されておシ全体が
前後摺動自在に設けられている。前記両側片２ａ 、
２ｂの先端にはカードｌの中央片３と平行した接触ばね
４ａ 、 ４ｂがそれぞれ段違いに取着されている。前
記接触ばね４ａ 、 ４ｂは可動接点となる部分が少な
くとも金などの貴金属メツキが施こされており、その略
中央部分が前記カードｌの側片：ａ 、 ｚｂに取着さ
れている。各接触ばね４ａ。
ｚａ 、 ｚｂがそれぞれ異って形成されておシ全体が
前後摺動自在に設けられている。前記両側片２ａ 、
２ｂの先端にはカードｌの中央片３と平行した接触ばね
４ａ 、 ４ｂがそれぞれ段違いに取着されている。前
記接触ばね４ａ 、 ４ｂは可動接点となる部分が少な
くとも金などの貴金属メツキが施こされており、その略
中央部分が前記カードｌの側片：ａ 、 ｚｂに取着さ
れている。各接触ばね４ａ。
４ｂで開閉される接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、 ｓｃは
固定接点となる部分に少なくとも金などの貴金属メツキ
が施こされており、図中右からそれぞれＮＣ接点、ＣＯ
Ｍ接点、Ｎｏ接点とされ、略同−直線上に並んで等間隔
に配設されている。前記接点端子５ａ。
固定接点となる部分に少なくとも金などの貴金属メツキ
が施こされており、図中右からそれぞれＮＣ接点、ＣＯ
Ｍ接点、Ｎｏ接点とされ、略同−直線上に並んで等間隔
に配設されている。前記接点端子５ａ。
ｓｂ 、 ５Ｃは両接触ばね４ａ、４ｂと平行して配設
され、中間部が合成樹脂等の成形材よシなるボディ口に
植設されている。各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、 ｓｃ
と接触ばね４ａ 、 ４ｂ及びカード１とは上面開口し
た金属板を折曲げて形成したｙ−ルビケース６内に収納
され、前記カードｌの突出片７が前記シールドケース６
の後側面に設けた切欠８よシ突出されている。前記カー
ド１の突出片７はく形波極子９の一端に対向して配設さ
れている。又、前記シールドケース６の前側面及び左右
両側面には外向きに切り起こされシールドケース６の底
面１４よシ延出する複数のアース接続端子１０が設けら
れている。尚、アース接続端子ｌＯは接点端子ｓａ 、
ｓｂ 。
され、中間部が合成樹脂等の成形材よシなるボディ口に
植設されている。各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、 ｓｃ
と接触ばね４ａ 、 ４ｂ及びカード１とは上面開口し
た金属板を折曲げて形成したｙ−ルビケース６内に収納
され、前記カードｌの突出片７が前記シールドケース６
の後側面に設けた切欠８よシ突出されている。前記カー
ド１の突出片７はく形波極子９の一端に対向して配設さ
れている。又、前記シールドケース６の前側面及び左右
両側面には外向きに切り起こされシールドケース６の底
面１４よシ延出する複数のアース接続端子１０が設けら
れている。尚、アース接続端子ｌＯは接点端子ｓａ 、
ｓｂ 。
５Ｃを結ぶ直線上であって、かつその接点端子５ａ、
ｓｂ間又は、接点端子ｓｂ 、 ｓｃ間にそれぞれ２本
づつ設けられており、各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、ｓ
ｃに近接してアース接続端子１０がそれぞれ設けられる
ので接点部ムで高周波信号を開閉する場合に例えば接点
端子ｓａ 、 ｓｂ間が閉じて閉回路を形成し高周波信
号を伝達する側と開離している接点端子ｓｂ 、 ｓｃ
間側の開回路とのアイソＶ−シッン特性が極めて高くな
シ、例えば９ｏｏ （ＭＨ２）に於いて６５ｄＢ以上と
いう優れた高周波特性が得られるものである。又、前記
シールドケース６の両側面には内向きに切り起こしてＶ
−７１／ドケース６内に立設されるアース端子ｕａ、ｌ
ｌｂ、１１Ｃ，ｕｄカ設けられており、各々一対のアー
ス端子１１ａ −、ｌｌｂは接触ばね４ａ前方にてＮＣ
接点端子５ａ及びＣＯＭ接点端子５ｂにそれぞれ対向配
置され、前記各接点端子ｓａ 、 ｓｂと各アース端子
ｎａ 、 ｕｂ間に接触ばね４ａが配設されている。一
方、別の一対のアース端子ｕｃ 、 １１ｄは接触ばね
４ｂの後方にてＣＯＭ接点端子５ｂ及びＮｏ接点端子５
Ｃに対向配置され、各接点端子ｓｂ 、 ｓｃと各アー
ス端子ｕｃ 、 ｕｄ間に接触ばね４ｂが配設されてい
る。
ｓｂ間又は、接点端子ｓｂ 、 ｓｃ間にそれぞれ２本
づつ設けられており、各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、ｓ
ｃに近接してアース接続端子１０がそれぞれ設けられる
ので接点部ムで高周波信号を開閉する場合に例えば接点
端子ｓａ 、 ｓｂ間が閉じて閉回路を形成し高周波信
号を伝達する側と開離している接点端子ｓｂ 、 ｓｃ
間側の開回路とのアイソＶ−シッン特性が極めて高くな
シ、例えば９ｏｏ （ＭＨ２）に於いて６５ｄＢ以上と
いう優れた高周波特性が得られるものである。又、前記
シールドケース６の両側面には内向きに切り起こしてＶ
−７１／ドケース６内に立設されるアース端子ｕａ、ｌ
ｌｂ、１１Ｃ，ｕｄカ設けられており、各々一対のアー
ス端子１１ａ −、ｌｌｂは接触ばね４ａ前方にてＮＣ
接点端子５ａ及びＣＯＭ接点端子５ｂにそれぞれ対向配
置され、前記各接点端子ｓａ 、 ｓｂと各アース端子
ｎａ 、 ｕｂ間に接触ばね４ａが配設されている。一
方、別の一対のアース端子ｕｃ 、 １１ｄは接触ばね
４ｂの後方にてＣＯＭ接点端子５ｂ及びＮｏ接点端子５
Ｃに対向配置され、各接点端子ｓｂ 、 ｓｃと各アー
ス端子ｕｃ 、 ｕｄ間に接触ばね４ｂが配設されてい
る。
そして、前記電磁石部ルが無励磁の場合は、接触ばね４
ｂがアース端子ｍｅ 、 １１ｄに接触する ものであ
り、励磁した場合は接触ばね４ａがアース端子ｕａ 、
ｕｂに接触して、それぞれ接点開離状態の接触ばね４
ａ 、 ４ｂがアースされるものである。
ｂがアース端子ｍｅ 、 １１ｄに接触する ものであ
り、励磁した場合は接触ばね４ａがアース端子ｕａ 、
ｕｂに接触して、それぞれ接点開離状態の接触ばね４
ａ 、 ４ｂがアースされるものである。
前記シールドケース６はボディ１３に設けられた凹部３
に嵌着され、各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、 ｓｃは切
り起こしによシ生じた切欠１６及び底面に設けた孔１７
によシ−ルドケース６と電気的絶縁を保ちながら前記シ
ールドケース６内に設けられる。摺はボディ口に穿孔し
たアース接続端子挿通孔であム１９は一端がカード１の
突出片７に設けられた溝に挿入係止され、他端が電磁石
部認のヨーク２］１ｃ固定された復帰ばねであり、ρは
前記シールドケース６に被嵌される金属性のシールド板
である。
に嵌着され、各接点端子ｓａ 、 ｓｂ 、 ｓｃは切
り起こしによシ生じた切欠１６及び底面に設けた孔１７
によシ−ルドケース６と電気的絶縁を保ちながら前記シ
ールドケース６内に設けられる。摺はボディ口に穿孔し
たアース接続端子挿通孔であム１９は一端がカード１の
突出片７に設けられた溝に挿入係止され、他端が電磁石
部認のヨーク２］１ｃ固定された復帰ばねであり、ρは
前記シールドケース６に被嵌される金属性のシールド板
である。
そして、ボディコに電磁石部認を取着すると共にボディ
口の凹部■にシールドケース６を嵌着しシールドケース
６内に接触ばね４ａ 、 ４ｂ及びカードｌを装着した
後、電磁石部認とカードｌを復帰ばね１９にて係合連結
する。そして、シールドケース６の開口面に上記シール
ド板４を被嵌し、電磁石部νが無励磁状態では接触ばね
４ａがＣＯＭ接点端子５ｂとＮｏ接点端子５Ｃとを接続
するように配設する。今電磁石部νを励磁すると、接極
子９の一端が該電磁石部球に吸着され、接極子９により
突出片７が前方に押圧されてカードｌが前方に摺動し接
触ばね４ｂがＣＯＭ接点端子５ｂとＮｏ接点端子５Ｃと
を接続する。この時、前記アース接続端子ｌＯをプリン
ト基板のアースパターンに接続しておけば各接点端子ｓ
ａ 、 ｓｂ 、 ｓａ間の浮遊容量は小さくなシ、高
周波特性が良くなるわけである。
口の凹部■にシールドケース６を嵌着しシールドケース
６内に接触ばね４ａ 、 ４ｂ及びカードｌを装着した
後、電磁石部認とカードｌを復帰ばね１９にて係合連結
する。そして、シールドケース６の開口面に上記シール
ド板４を被嵌し、電磁石部νが無励磁状態では接触ばね
４ａがＣＯＭ接点端子５ｂとＮｏ接点端子５Ｃとを接続
するように配設する。今電磁石部νを励磁すると、接極
子９の一端が該電磁石部球に吸着され、接極子９により
突出片７が前方に押圧されてカードｌが前方に摺動し接
触ばね４ｂがＣＯＭ接点端子５ｂとＮｏ接点端子５Ｃと
を接続する。この時、前記アース接続端子ｌＯをプリン
ト基板のアースパターンに接続しておけば各接点端子ｓ
ａ 、 ｓｂ 、 ｓａ間の浮遊容量は小さくなシ、高
周波特性が良くなるわけである。
本発明は以上の如く、シールドケースに少なくとも一対
の接点端子間を結ぶ略直線上で、かつその接点端子間に
少くとも２つ以上の切り起こしによるアース接続端子を
設けたことによシ、従来に比べ極めて接点端子間のアイ
ソレージ冒ン特性の高い高周波リレーを得ることができ
るものである。
の接点端子間を結ぶ略直線上で、かつその接点端子間に
少くとも２つ以上の切り起こしによるアース接続端子を
設けたことによシ、従来に比べ極めて接点端子間のアイ
ソレージ冒ン特性の高い高周波リレーを得ることができ
るものである。
第１図及び＄２図はそれぞれ本発明の一実施例を示すも
のであシ、それぞれ第１図は分解斜視図、第２図は正面
図である。 ｌ・・・カード、４・・・接触ばね、ｓａ 、 ｓｂ
、 ５Ｃ・・・接点端子、６・・・シールドケース、１
０・・・アース接続端子、Ｈａ 、 ｌｌｂ 、 １ｌ
ｃ−ｙ −ｙ、端子、ｍ −・・電磁石部、Ａ・・・接
点部。
のであシ、それぞれ第１図は分解斜視図、第２図は正面
図である。 ｌ・・・カード、４・・・接触ばね、ｓａ 、 ｓｂ
、 ５Ｃ・・・接点端子、６・・・シールドケース、１
０・・・アース接続端子、Ｈａ 、 ｌｌｂ 、 １ｌ
ｃ−ｙ −ｙ、端子、ｍ −・・電磁石部、Ａ・・・接
点部。
Claims (1)
- １）可動する接触ばねにより開閉される一対の接点端子
よりなる接点部と、内部に前記接点部を収納した金属板
よりなり、接点開離中に接触ばねが接触するアース端子
を設けてなるシールドケースと、カードを介し前記接点
部を駆動する電磁石とからなる高周波リレーであって、
前記シールドケースの少なくとも一対の接点端子間を結
ぶ略直線上で、かつその接点端子の間に少なくとも２つ
以上の外方への切り起こしによるアース接続端子を設け
てなることを特徴とする高周波リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24340488A JPH01117224A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24340488A JPH01117224A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波リレー |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291181A Division JPS57197723A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | High frequency current switching relay |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117224A true JPH01117224A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17103356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24340488A Pending JPH01117224A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1083585A3 (de) * | 1999-09-07 | 2002-10-02 | ABB PATENT GmbH | Elektromagnetischer Auslöser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197723A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-04 | Matsushita Electric Works Ltd | High frequency current switching relay |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24340488A patent/JPH01117224A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197723A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-04 | Matsushita Electric Works Ltd | High frequency current switching relay |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1083585A3 (de) * | 1999-09-07 | 2002-10-02 | ABB PATENT GmbH | Elektromagnetischer Auslöser |
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