JPH01117329A - 薄膜装置の絶縁膜製造方法 - Google Patents
薄膜装置の絶縁膜製造方法Info
- Publication number
- JPH01117329A JPH01117329A JP27545987A JP27545987A JPH01117329A JP H01117329 A JPH01117329 A JP H01117329A JP 27545987 A JP27545987 A JP 27545987A JP 27545987 A JP27545987 A JP 27545987A JP H01117329 A JPH01117329 A JP H01117329A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- insulating film
- wiring pattern
- thin film
- forming
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば積層形薄膜コイル等の薄！！ｌ装置
に係り、特にその絶縁膜製造方法に関する。
に係り、特にその絶縁膜製造方法に関する。
（従来の技術）
一般に、ａｌｌｌ装置を製造する場合は、複数の配線パ
ターンが順に積層構造に形成されるために、その配線パ
ターン間の平坦化の要請がある。これは、配線パターン
を積層構造に形成する際、下地となる層に段差があると
、配線パターンが断線したり、居間に短絡が発生するお
それがあるうえ、フォトリソグラフィ、あるいはエツチ
ング工程におけるパターン寸法が不均一となり、高密度
化が困難となるからである。また、配線パターンの層間
が平坦でない場合には、素子特性の低下を招き、特に、
磁気特性の低下により不具合が発生し易い磁気薄膜素子
にあっては、段差による磁気特性の低下が大きな問題と
なる。
ターンが順に積層構造に形成されるために、その配線パ
ターン間の平坦化の要請がある。これは、配線パターン
を積層構造に形成する際、下地となる層に段差があると
、配線パターンが断線したり、居間に短絡が発生するお
それがあるうえ、フォトリソグラフィ、あるいはエツチ
ング工程におけるパターン寸法が不均一となり、高密度
化が困難となるからである。また、配線パターンの層間
が平坦でない場合には、素子特性の低下を招き、特に、
磁気特性の低下により不具合が発生し易い磁気薄膜素子
にあっては、段差による磁気特性の低下が大きな問題と
なる。
このため、従来は、第２図に示す樹脂塗布法、第３図に
示すエッチパック法、第４図に示すバイアススパッタ法
等の手法により、層の平坦化が図られていた。
示すエッチパック法、第４図に示すバイアススパッタ法
等の手法により、層の平坦化が図られていた。
すなわち、第２図の樹脂塗布法は基板１ａ上に配線パタ
ーン２ａを形成し、この配線パターン２ａを含む基板１
ａ上にレジスト、ポリイミド等の熱硬化樹脂を塗布して
絶縁膜３ａを形成することにより、その平坦化を図るも
のである。
ーン２ａを形成し、この配線パターン２ａを含む基板１
ａ上にレジスト、ポリイミド等の熱硬化樹脂を塗布して
絶縁膜３ａを形成することにより、その平坦化を図るも
のである。
第３図のエッチバック法は、配線パターン２ｂを形成し
た基板１ｂ上にスパッタ等のドライプロセスで絶縁膜３
ｂを形成しく同図（ａ）参照）、さらに、この絶縁膜３
ｂ上にレジスト４ａを塗布して段差を緩和した後、同図
（ｂ）に示すように、これら絶縁１ｍ３ｂとレジスト４
ａのエツチンググレードが等しくなるようにエツチング
して平坦に形成するもので、３ａｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒＷｏｒｌｄ １９８４．１Ｏｒエッチバック法によ
る平坦化技術」に記載されるところのものである。
た基板１ｂ上にスパッタ等のドライプロセスで絶縁膜３
ｂを形成しく同図（ａ）参照）、さらに、この絶縁膜３
ｂ上にレジスト４ａを塗布して段差を緩和した後、同図
（ｂ）に示すように、これら絶縁１ｍ３ｂとレジスト４
ａのエツチンググレードが等しくなるようにエツチング
して平坦に形成するもので、３ａｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒＷｏｒｌｄ １９８４．１Ｏｒエッチバック法によ
る平坦化技術」に記載されるところのものである。
第４図のバイアススパッタ法は、配線パターン２Ｃを形
成した基板１Ｃ上にスパッタにより絶縁ｍ３ｃを形成す
る際に、ドライエツチングの効果が起こるように形成し
て平坦化を図るものである（同図（ａ）〜（Ｃ）参照）
。
成した基板１Ｃ上にスパッタにより絶縁ｍ３ｃを形成す
る際に、ドライエツチングの効果が起こるように形成し
て平坦化を図るものである（同図（ａ）〜（Ｃ）参照）
。
ところが、上記平坦化の手法では、いずれのものも、そ
の製造上、配線パターン２ａ、２ｂ。
の製造上、配線パターン２ａ、２ｂ。
２Ｃの密な箇所において、効果的に平坦化することがで
きるが、配線パターン２ａ、２ｂ、２ｃの粗い箇所の平
坦化が困難であると共に、最外周層を効果的に平坦に形
成することが困難であった。
きるが、配線パターン２ａ、２ｂ、２ｃの粗い箇所の平
坦化が困難であると共に、最外周層を効果的に平坦に形
成することが困難であった。
このため、製造上における信頼性及び素子特性の点で満
足いく製造が出来ず、特に、磁気薄膜素子を形成した場
合に磁気特性の低下を招くので、大きな問題となってい
た。
足いく製造が出来ず、特に、磁気薄膜素子を形成した場
合に磁気特性の低下を招くので、大きな問題となってい
た。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来の平坦化の手法では、いずれの
ものも配線パターンの粗い箇所の平坦化が困難であると
共に、最外周層を効果的に平坦に形成することが困難な
ため、製造上における信頼性及び素子特性の点で満足い
く製造が出来ないものであった。
ものも配線パターンの粗い箇所の平坦化が困難であると
共に、最外周層を効果的に平坦に形成することが困難な
ため、製造上における信頼性及び素子特性の点で満足い
く製造が出来ないものであった。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、製作容
易にして、確実に平坦度の高い絶縁膜を形成し得るｆｉ
ｌｌ装置の絶縁膜製造方法を提供することを目的とする
。
易にして、確実に平坦度の高い絶縁膜を形成し得るｆｉ
ｌｌ装置の絶縁膜製造方法を提供することを目的とする
。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明は基板上に配線パターンに対応した第１のレジ
スト層を形成する第１の工程と、前記第１のレジスト層
上に該第１のレジスト層に比して低温で焼成される第２
のレジスト層を形成する第２の工程と、前記第２のレジ
スト層を含む基板上に前記第１のレジスト層に対応した
金属膜を形成する第３の工程と、前記第２のレジスト層
を溶解して前記金属膜で配線パターンを形成する第４の
工程と、前記配線パターン及び第１のレジスト層上に絶
縁膜を形成する第５の工程とを備えて薄膜装置を製造す
るようにしたものである。
スト層を形成する第１の工程と、前記第１のレジスト層
上に該第１のレジスト層に比して低温で焼成される第２
のレジスト層を形成する第２の工程と、前記第２のレジ
スト層を含む基板上に前記第１のレジスト層に対応した
金属膜を形成する第３の工程と、前記第２のレジスト層
を溶解して前記金属膜で配線パターンを形成する第４の
工程と、前記配線パターン及び第１のレジスト層上に絶
縁膜を形成する第５の工程とを備えて薄膜装置を製造す
るようにしたものである。
（作用）
上記構成によれば、絶縁膜は略平坦に形成された第１の
レジスト層と配線パターン上に所望の平坦度を有して形
成することができる。これにより、配線パターンの粗密
と無関係に高精度な平坦度を有する絶縁膜を形成するこ
とが可能となり、可及的に製造工程における信頼性の向
上が図れ得ると共に、素子特性の低下の防止を図ること
ができる。
レジスト層と配線パターン上に所望の平坦度を有して形
成することができる。これにより、配線パターンの粗密
と無関係に高精度な平坦度を有する絶縁膜を形成するこ
とが可能となり、可及的に製造工程における信頼性の向
上が図れ得ると共に、素子特性の低下の防止を図ること
ができる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係るＷＪＩ！ｌ装置の絶
縁膜製造方法を示すもので、先ず同図（ａ）に示すよう
に、基板１０上には、先ず配線のネガパターンに対応し
て第１のレジスト層１１が形成されて、例えば、１８０
°Ｃで焼成される。この第１のレジスト層１１上には第
２のレジスト層１２が形成されて、例えば１００°Ｃで
焼成された後（同図（ｂ）参照）、この第２のレジスト
層１２を含む基板１０上には蒸着あるいはスパッタ法に
よりＡ１．Ａｕ、Ｃｕ等の金属膜１３が上記第１のレジ
スト層１１と略同様の厚さ寸法だけ形成される（同図（
Ｃ）参照）。次に、基板１ｏが、例えば図示しないアセ
トンに浸漬される。これにより、基板１０の第２のレジ
スト層１２がアセトンにより溶解されて、その金属膜１
３がリフトオフされ、該基板１０上には第１のレジスト
層１１及び金属１！１１３で構成される配線パターン１
４が略平坦に形成される（同図（ｄ）参照）。そして、
これら第１のレジスト層１１及び配線パターン１４上に
は上記第１のレジストＨ１１より低温、例えば１７０°
Ｃで焼成される層間用の絶縁膜１５が形成され（同図（
ｅ）参照）、この絶縁膜１５上には上述した工程で、積
層式に図示しない別の配線パターンが順に形成される。
縁膜製造方法を示すもので、先ず同図（ａ）に示すよう
に、基板１０上には、先ず配線のネガパターンに対応し
て第１のレジスト層１１が形成されて、例えば、１８０
°Ｃで焼成される。この第１のレジスト層１１上には第
２のレジスト層１２が形成されて、例えば１００°Ｃで
焼成された後（同図（ｂ）参照）、この第２のレジスト
層１２を含む基板１０上には蒸着あるいはスパッタ法に
よりＡ１．Ａｕ、Ｃｕ等の金属膜１３が上記第１のレジ
スト層１１と略同様の厚さ寸法だけ形成される（同図（
Ｃ）参照）。次に、基板１ｏが、例えば図示しないアセ
トンに浸漬される。これにより、基板１０の第２のレジ
スト層１２がアセトンにより溶解されて、その金属膜１
３がリフトオフされ、該基板１０上には第１のレジスト
層１１及び金属１！１１３で構成される配線パターン１
４が略平坦に形成される（同図（ｄ）参照）。そして、
これら第１のレジスト層１１及び配線パターン１４上に
は上記第１のレジストＨ１１より低温、例えば１７０°
Ｃで焼成される層間用の絶縁膜１５が形成され（同図（
ｅ）参照）、この絶縁膜１５上には上述した工程で、積
層式に図示しない別の配線パターンが順に形成される。
このように、上記薄膜装置の絶縁膜製造方法は配線のネ
ガパターンとなる第１のレジスト層１１上に該第１のレ
ジスト層１１に比して低温焼成される第２のレジスト１
１１２を形成して、その全面に第１のレジスト層１１と
略同様の厚さ寸法を有した金属１１１３を形成した後、
その第２のレジスト層１２を溶解して金属膜１３をり゛
フトオフすることにより第１のレジスト層１１と配線パ
ターン１４を形成して、絶縁膜１５を形成するように構
成した。これによれば、配線パターン１４の粗密に係わ
ることなく、第１のレジスト層１１と配線パターン１４
を略平坦に形成することができるため、絶縁膜１５を高
精度な平坦度を有して形成することが可能となり、可及
的に薄膜装置の製造工程における信頼性の向上が図り得
ると共に、所望の素子特性の確保が実現できる。これは
、磁気薄膜素子を形成する場合、磁気特性の低下を確実
に防止することができるため、特に有効な効果が期待で
きる。
ガパターンとなる第１のレジスト層１１上に該第１のレ
ジスト層１１に比して低温焼成される第２のレジスト１
１１２を形成して、その全面に第１のレジスト層１１と
略同様の厚さ寸法を有した金属１１１３を形成した後、
その第２のレジスト層１２を溶解して金属膜１３をり゛
フトオフすることにより第１のレジスト層１１と配線パ
ターン１４を形成して、絶縁膜１５を形成するように構
成した。これによれば、配線パターン１４の粗密に係わ
ることなく、第１のレジスト層１１と配線パターン１４
を略平坦に形成することができるため、絶縁膜１５を高
精度な平坦度を有して形成することが可能となり、可及
的に薄膜装置の製造工程における信頼性の向上が図り得
ると共に、所望の素子特性の確保が実現できる。これは
、磁気薄膜素子を形成する場合、磁気特性の低下を確実
に防止することができるため、特に有効な効果が期待で
きる。
なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その他、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し
得ることは勿論のことである。
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し
得ることは勿論のことである。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、製作容易にＣ
て、確実に平坦度の高い絶縁膜を形成し得る薄膜装置の
絶縁＋ｍ製造方法を提供することができる。
て、確実に平坦度の高い絶縁膜を形成し得る薄膜装置の
絶縁＋ｍ製造方法を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜装置の絶縁膜製
造方法を説明するために示した図、第２図乃至第４図は
それぞれ従来の薄膜装置の絶縁膜製造方法を説明するた
めに示した図である。 １０・・・基板、１１・・・第１のレジスト層、１２・
・・第２のレジスト層、１３・・・金属膜、１４・・・
配線パターン、１５・・・絶縁膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ｂ） （ｃ） 払 （ｄ） （ｅ） 第１図 ５２ｒｊＡ （ａ） （ｂ） 第３図 （ａ） −（ｂ） （Ｃ） 第４ｒｘＪ
造方法を説明するために示した図、第２図乃至第４図は
それぞれ従来の薄膜装置の絶縁膜製造方法を説明するた
めに示した図である。 １０・・・基板、１１・・・第１のレジスト層、１２・
・・第２のレジスト層、１３・・・金属膜、１４・・・
配線パターン、１５・・・絶縁膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ｂ） （ｃ） 払 （ｄ） （ｅ） 第１図 ５２ｒｊＡ （ａ） （ｂ） 第３図 （ａ） −（ｂ） （Ｃ） 第４ｒｘＪ
Claims (1)
- 基板上に配線パターンに対応した第１のレジスト層を
形成する第１の工程と、前記第１のレジスト層上に該第
１のレジスト層に比して低温で焼成される第２のレジス
ト層を形成する第２の工程と、前記第２のレジスト層を
含む基板上に前記第１のレジスト層に対応した金属膜を
形成する第３の工程と、前記第２のレジスト層を溶解し
て前記金属膜で配線パターンを形成する第４の工程と、
前記配線パターン及び第１のレジスト層上に絶縁膜を形
成する第５の工程とを具備したことを特徴とする薄膜装
置の絶縁膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27545987A JPH01117329A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 薄膜装置の絶縁膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27545987A JPH01117329A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 薄膜装置の絶縁膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117329A true JPH01117329A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17555825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27545987A Pending JPH01117329A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 薄膜装置の絶縁膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160120906A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | (주)인터플렉스 | 스퍼터링 방법 |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27545987A patent/JPH01117329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160120906A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | (주)인터플렉스 | 스퍼터링 방법 |
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