JPH01117355A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH01117355A JPH01117355A JP62275526A JP27552687A JPH01117355A JP H01117355 A JPH01117355 A JP H01117355A JP 62275526 A JP62275526 A JP 62275526A JP 27552687 A JP27552687 A JP 27552687A JP H01117355 A JPH01117355 A JP H01117355A
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- JP
- Japan
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- signal readout
- photoelectric conversion
- readout wirings
- fixed potential
- wiring
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Links
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 10
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、−次元固体盪像装置の素子及びパターンの配
置の方法に関する。
置の方法に関する。
第３図は２本の信号読出し配線を用いる場合の回路の例
を示すものである。同図中において、信号読出し配線、
３１４及び３２４に接続された光電変換素子３１３及び
３２３は、走査回路３３１からの信号によりアナログス
イッチ３１３及び３２３によって同時に選択され、それ
ぞれの信号読出し配線に信号電荷の読出しが行われる。
を示すものである。同図中において、信号読出し配線、
３１４及び３２４に接続された光電変換素子３１３及び
３２３は、走査回路３３１からの信号によりアナログス
イッチ３１３及び３２３によって同時に選択され、それ
ぞれの信号読出し配線に信号電荷の読出しが行われる。
・この様な形式で複数の信号読出し配線を用いることは
、信号読出し配線を一本とする場合に比べて、選択され
た光電変換素子からの信号読出し時間を長く取る事が可
能なため信号電荷の読出し効率の向上が計れること、走
査回路及び信号続出し回路の動作速度の低減が計れるた
め各部で発生するノイズを低減できること、及び同一信
号読出し配線上に接続される光電変換素子の数が減るた
め各光電変換素子に対する選択比が向上することにより
大幅なＳ／Ｎの向上が計れ、有用である。
、信号読出し配線を一本とする場合に比べて、選択され
た光電変換素子からの信号読出し時間を長く取る事が可
能なため信号電荷の読出し効率の向上が計れること、走
査回路及び信号続出し回路の動作速度の低減が計れるた
め各部で発生するノイズを低減できること、及び同一信
号読出し配線上に接続される光電変換素子の数が減るた
め各光電変換素子に対する選択比が向上することにより
大幅なＳ／Ｎの向上が計れ、有用である。
第２図は従来の２本の信号読出し配線を用いた固体撮像
装置の光電変換素子、アナログスイッチ、信号読出し配
線等の配置を示すパターン図である。
装置の光電変換素子、アナログスイッチ、信号読出し配
線等の配置を示すパターン図である。
同図中２１１及び２２１は光電変換素子、２１２及び２
２２は光［変換部で発生した電（１１ｒを’１５４ｉ’
Ｊするため光電変換素子に外付けした並列容量部で、２
１３及び２２３は各光電変換素子を選択するためのアナ
ログスイッチである。光電変換素子２１１は信号読出し
配線２１４に、光電変換素子２２１は信号読出し配線２
２４にそれぞれ接続されており、この様に信号読出し配
線２１４に接続されている光電変換素子と信号読出し配
線２２４に接続されている光電変換素子とが交互に並ぶ
様に配列されている。
２２は光［変換部で発生した電（１１ｒを’１５４ｉ’
Ｊするため光電変換素子に外付けした並列容量部で、２
１３及び２２３は各光電変換素子を選択するためのアナ
ログスイッチである。光電変換素子２１１は信号読出し
配線２１４に、光電変換素子２２１は信号読出し配線２
２４にそれぞれ接続されており、この様に信号読出し配
線２１４に接続されている光電変換素子と信号読出し配
線２２４に接続されている光電変換素子とが交互に並ぶ
様に配列されている。
走査回路部及びアナログスイッチ制御用配線２３２は主
なノイズの発生源となるためこれらと信号読出し配線が
隣接したリクロスアンダしたりする事はＳ／Ｎ上非常に
不利である。このため、光電変換素子の両側に信号読出
し配線を振り分けて配置する事はできず、信号読出し配
線は、走査回路部及びアナログスイッチ制御用配線とは
光電変換素子をはさんだ反対側に配置される。
なノイズの発生源となるためこれらと信号読出し配線が
隣接したリクロスアンダしたりする事はＳ／Ｎ上非常に
不利である。このため、光電変換素子の両側に信号読出
し配線を振り分けて配置する事はできず、信号読出し配
線は、走査回路部及びアナログスイッチ制御用配線とは
光電変換素子をはさんだ反対側に配置される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第２図に示した様なパターンでの各素子及び配線の配置
を採った場合、各信号読出し配線が平行して走る部分、
異なる信号読出し配線に接続された光電変換素子並びに
並列容量が隣接する部分及び各信号読出し配線間のクロ
スアンダ部２４２が存在することにより、実際上第３図
の３４１に示した様な信号読出し配線間の結合容量が存
在することになる。
を採った場合、各信号読出し配線が平行して走る部分、
異なる信号読出し配線に接続された光電変換素子並びに
並列容量が隣接する部分及び各信号読出し配線間のクロ
スアンダ部２４２が存在することにより、実際上第３図
の３４１に示した様な信号読出し配線間の結合容量が存
在することになる。
一方各光電変換素子並びに外付の並列容量に蓄積された
光電荷は、その光変換素子が選択された時にパルス的に
信号読出し配線に読み出されるため、この読出し信号は
かなり高い周波数の成分を有することになる。このため
信号読出し配線間の結合容量３４１を介して各信号読出
し配線間にクロストークが発生し、同時に選択される光
電変換素子間の選択比が低下することにより固体撮像装
置としてのＳ／Ｎ及び分解能が低下するという問題が発
生する。この問題は複数の信号読出し配線を用いること
による利点を大きく損ねるものとなる。
光電荷は、その光変換素子が選択された時にパルス的に
信号読出し配線に読み出されるため、この読出し信号は
かなり高い周波数の成分を有することになる。このため
信号読出し配線間の結合容量３４１を介して各信号読出
し配線間にクロストークが発生し、同時に選択される光
電変換素子間の選択比が低下することにより固体撮像装
置としてのＳ／Ｎ及び分解能が低下するという問題が発
生する。この問題は複数の信号読出し配線を用いること
による利点を大きく損ねるものとなる。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するためのもので
、その目的とするところは、信号読出し配線間の結合容
量を減少させることにより固体撮像装置のＳ／Ｎ及び分
解能を向上させることにある。
、その目的とするところは、信号読出し配線間の結合容
量を減少させることにより固体撮像装置のＳ／Ｎ及び分
解能を向上させることにある。
本発明の固体撮像装置は、■、各信号読出し配線の間に
固定された電位のパターンを配置したこと、２．異なる
信号読出し配線に接続される光電変換素子の間に固定さ
れた電位のパターンを配置した事を特徴とする。
固定された電位のパターンを配置したこと、２．異なる
信号読出し配線に接続される光電変換素子の間に固定さ
れた電位のパターンを配置した事を特徴とする。
第１図（ａ）は本発明の実施例における固体撮像装置の
光電変換素子、アナログスイッチ、信号読出し配線等の
配置を示すパターン図で、信号読出し配線が２本の場合
を示すものである。第１図（ｂ）及び（Ｃ）は、第１図
（ａ）中のＢ及びＣにおける断面図である。同図中１１
１及び１１２は透明導電層１０３による下部電極、光導
電層１０２及び金属配線層１０７による上部電極より成
る光電変換素子で、絶縁性透明基板１０１側より光を入
射させる形式のものである。１１２及び１２２は下部電
極１゜８、層間絶縁膜１０４及び金属配線層１０７によ
る上部電極より成る光電変換素子に外付けした並列容量
、１１３及び１２３は薄膜トランジスタによるアナログ
スイッチである。
光電変換素子、アナログスイッチ、信号読出し配線等の
配置を示すパターン図で、信号読出し配線が２本の場合
を示すものである。第１図（ｂ）及び（Ｃ）は、第１図
（ａ）中のＢ及びＣにおける断面図である。同図中１１
１及び１１２は透明導電層１０３による下部電極、光導
電層１０２及び金属配線層１０７による上部電極より成
る光電変換素子で、絶縁性透明基板１０１側より光を入
射させる形式のものである。１１２及び１２２は下部電
極１゜８、層間絶縁膜１０４及び金属配線層１０７によ
る上部電極より成る光電変換素子に外付けした並列容量
、１１３及び１２３は薄膜トランジスタによるアナログ
スイッチである。
信号読出し配線１１４と１２４の間には固定電位のパタ
ーン１４１を配置し、信号読出し配線１１４に接続され
る光電変換素子１１１並びに外付けの並列容量１１２と
、信号読出し配線１２４に接続される光電変換素子１２
１並びに外付けの容量部１２２との間には固定電位のパ
ターン１４２を配置している。これらの固定電位のパタ
ーンが、各信号読出し配線、光電変換素子及び外付けの
並列容量部間の容量結合を阻止するため、各信号読出し
配線が平行に走ること及び異なる信号読出し配線に接続
される光電変換素子並びに外付は並列容量部が隣接する
ことにより発生する信号読出し配線間の結合容量３４１
を大幅に低減することができ、信号読出し配線間のクロ
ストークの低減を計ることができる。また、固定電位の
パターン１４１及び１４２は、金属配線層１０７を用い
て形成することが可能で、作製する工程を従来の場合と
変更すること無く適用が可能である。一方、これらの固
定電位のパターンが存在することにより、信号読出し配
線の接地に対する容１３１５及び３２５が増加するが、
これらの容・量は信号読出し時に信号読出し配線のイン
ピーダンスを低下させる様に働くため、各信号読出し配
線間のクロストークを低減させる方向に働くものである
。
ーン１４１を配置し、信号読出し配線１１４に接続され
る光電変換素子１１１並びに外付けの並列容量１１２と
、信号読出し配線１２４に接続される光電変換素子１２
１並びに外付けの容量部１２２との間には固定電位のパ
ターン１４２を配置している。これらの固定電位のパタ
ーンが、各信号読出し配線、光電変換素子及び外付けの
並列容量部間の容量結合を阻止するため、各信号読出し
配線が平行に走ること及び異なる信号読出し配線に接続
される光電変換素子並びに外付は並列容量部が隣接する
ことにより発生する信号読出し配線間の結合容量３４１
を大幅に低減することができ、信号読出し配線間のクロ
ストークの低減を計ることができる。また、固定電位の
パターン１４１及び１４２は、金属配線層１０７を用い
て形成することが可能で、作製する工程を従来の場合と
変更すること無く適用が可能である。一方、これらの固
定電位のパターンが存在することにより、信号読出し配
線の接地に対する容１３１５及び３２５が増加するが、
これらの容・量は信号読出し時に信号読出し配線のイン
ピーダンスを低下させる様に働くため、各信号読出し配
線間のクロストークを低減させる方向に働くものである
。
第４図は（ａ）は本発明の実施例における固体撮像装置
の他の一例を示すパターン図で、第４図（ｂ）及び（ｃ
）は、第１図（ａ）中のＢ及びＣにおける断面図である
。同図中４４１は、層間絶縁膜４０４中に設けた固定電
位のパターンである。本例では眉間絶縁膜４０４中に導
電層を設けることにより固定電位のパターン４４１を形
成する。この様な構造をとることにより作製する工程は
幾分複雑になるものの、信号続出し配線４１４と４２４
のクロスアンダ部においても、各信号読出し配線間に固
定電位のパターンを配置することができる。このため各
信号読出し配線間のクロスアンダ部において発生する信
号続出し配線間の結合容量も低′滅することが出来、−
層の信号読出し配線間のクロストークの低減を計ること
ができる。
の他の一例を示すパターン図で、第４図（ｂ）及び（ｃ
）は、第１図（ａ）中のＢ及びＣにおける断面図である
。同図中４４１は、層間絶縁膜４０４中に設けた固定電
位のパターンである。本例では眉間絶縁膜４０４中に導
電層を設けることにより固定電位のパターン４４１を形
成する。この様な構造をとることにより作製する工程は
幾分複雑になるものの、信号続出し配線４１４と４２４
のクロスアンダ部においても、各信号読出し配線間に固
定電位のパターンを配置することができる。このため各
信号読出し配線間のクロスアンダ部において発生する信
号続出し配線間の結合容量も低′滅することが出来、−
層の信号読出し配線間のクロストークの低減を計ること
ができる。
以上信号読出し配線が２本の場合について説明したが、
信号読出し配線が３本以上の場合においても同様な効果
があることは言うまでもない。
信号読出し配線が３本以上の場合においても同様な効果
があることは言うまでもない。
〔発明の効果］
以上述べた様に本発明によれば、複数の信号読出し配線
を用いた固体撮像装置において信号読出し配線間の結合
容量を低減することが可能となり、固体撮像装置のＳ／
Ｎ及び分解能の向上を図ることができる。
を用いた固体撮像装置において信号読出し配線間の結合
容量を低減することが可能となり、固体撮像装置のＳ／
Ｎ及び分解能の向上を図ることができる。
第１図（ａ）は本発明の実施例における固体撮像装置の
パターン図であり、第１図（ｂ）及び第１図（ｃ）は第
１図（ａ）中の線Ｂ及びＣにおける断面図である。 第２図は従来の固体撮像装置のパターン図である。 第３図は、２本の信号読出し配線を用いた場合の回路図
である。 第４図（ａ）は本発明の実施例における固体撮像装置の
他の一例のパターン図であり、第４図（ｂ）及び第４図
（ｃ）は、第１図（ａ）中の線Ｂ及びＣにおける断面図
である。 １０１．４０１ ・・・絶縁性透明基板１０２．４０
２ ・・・光導電層 １０３．４０３ ・・・透明導電層 １０５．４０５ ・・・薄膜トランジスタのチャンネ
ル、ソース及びドレイン部となる層 １０６．４０６ ・・・薄膜トランジスタのゲート配
線層 １０７、４０７ ・・・金属配線層 １０８．４０８ ・・・外付は並列容量下部電極（１
０６，４０６と同材ｆ） １１１．１２１，２１１，２１２，４１１，４２１・・
・光電変換素子 １１２、１２２，２１２，２２２，４１２，４２２・・
・光電変換素子に対する外付けの 並列容量部 １１３．１２３，２１３，２２３，４１３，４２３・・
・アナログスイッチ １１４．１２４，２１４，２２４，４１４，４２４・・
・信号読出し配線 ３３１ ・−・・・・走査回路 １３２、２３２．３３２．４３２ ・・・アナログスイッチ制御用配線 １４１、１４２，４４１，４４２ ・・・固定電位のパターン ３４１ ・・・・・信号読出し配線間結合容量２４２
゛・・・・・信号読出し配線間クロスアンダ部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （α） 、） ｔ４ Ｎ （しン 第１図 第２図 ３３１足（ω誇 ゝ・ （ 第３図 ４／〜４ イＳＵａヒメ＝−ＬａＬ：峰！／
赫ｔ （ｉｔ） 第４図 ＜Ｃ＞
パターン図であり、第１図（ｂ）及び第１図（ｃ）は第
１図（ａ）中の線Ｂ及びＣにおける断面図である。 第２図は従来の固体撮像装置のパターン図である。 第３図は、２本の信号読出し配線を用いた場合の回路図
である。 第４図（ａ）は本発明の実施例における固体撮像装置の
他の一例のパターン図であり、第４図（ｂ）及び第４図
（ｃ）は、第１図（ａ）中の線Ｂ及びＣにおける断面図
である。 １０１．４０１ ・・・絶縁性透明基板１０２．４０
２ ・・・光導電層 １０３．４０３ ・・・透明導電層 １０５．４０５ ・・・薄膜トランジスタのチャンネ
ル、ソース及びドレイン部となる層 １０６．４０６ ・・・薄膜トランジスタのゲート配
線層 １０７、４０７ ・・・金属配線層 １０８．４０８ ・・・外付は並列容量下部電極（１
０６，４０６と同材ｆ） １１１．１２１，２１１，２１２，４１１，４２１・・
・光電変換素子 １１２、１２２，２１２，２２２，４１２，４２２・・
・光電変換素子に対する外付けの 並列容量部 １１３．１２３，２１３，２２３，４１３，４２３・・
・アナログスイッチ １１４．１２４，２１４，２２４，４１４，４２４・・
・信号読出し配線 ３３１ ・−・・・・走査回路 １３２、２３２．３３２．４３２ ・・・アナログスイッチ制御用配線 １４１、１４２，４４１，４４２ ・・・固定電位のパターン ３４１ ・・・・・信号読出し配線間結合容量２４２
゛・・・・・信号読出し配線間クロスアンダ部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （α） 、） ｔ４ Ｎ （しン 第１図 第２図 ３３１足（ω誇 ゝ・ （ 第３図 ４／〜４ イＳＵａヒメ＝−ＬａＬ：峰！／
赫ｔ （ｉｔ） 第４図 ＜Ｃ＞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の信号読出し配線を持ち、同時に複数個の光電変
換素子を選択して信号読出しを行う一次元固体撮像装置
において、 各信号読出し配線の間に固定された電位のパターンを配
置したこと、 異なる信号読出し配線に接続される光電変換素子の間に
固定された電位のパターンを配置したことを特徴とする
固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275526A JPH01117355A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 固体撮像装置 |
| EP19880310151 EP0314494A3 (en) | 1987-10-30 | 1988-10-28 | Solid state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275526A JPH01117355A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117355A true JPH01117355A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17556684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275526A Pending JPH01117355A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0546166U (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-18 | 鐘淵化学工業株式会社 | イメージセンサ |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62275526A patent/JPH01117355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0546166U (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-18 | 鐘淵化学工業株式会社 | イメージセンサ |
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