JPH01117359A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01117359A JPH01117359A JP62276311A JP27631187A JPH01117359A JP H01117359 A JPH01117359 A JP H01117359A JP 62276311 A JP62276311 A JP 62276311A JP 27631187 A JP27631187 A JP 27631187A JP H01117359 A JPH01117359 A JP H01117359A
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- Japan
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- collector
- barrier layer
- barrier
- inp
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰヘテロ接合を用いたホットエレク
トロントランジスタ（ＨＥＴ）に関し。
トロントランジスタ（ＨＥＴ）に関し。
コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱をによる電子走行時
間の低下を防止することを目的とし。
間の低下を防止することを目的とし。
１ｎＰ基板上に順次形成された一導電型ＩｎＧａＡｓか
らなるコレクタ層、 ＩｎＰからなるコレクタバリア層
、一導電型ＩｎＧａＡｓからなるベース層、エミ・７タ
バリア層、および一導電型１ｎＧａＡｓからなるエミッ
タ層を有するように構成する。
らなるコレクタ層、 ＩｎＰからなるコレクタバリア層
、一導電型ＩｎＧａＡｓからなるベース層、エミ・７タ
バリア層、および一導電型１ｎＧａＡｓからなるエミッ
タ層を有するように構成する。
本発明は半導体装置、特に１ｎＧａＡｓ／ １ｎＰヘテ
ロ接合を用いたホットエレクトロントランジスタ（ＩＩ
ＥＴ）に関する。
ロ接合を用いたホットエレクトロントランジスタ（ＩＩ
ＥＴ）に関する。
ＨＥＴは電子がエミッタよりベースに注入されたとき、
高い位置エネルギを運動エネルギに変換して高速で走行
できる利点を持つ。その飽和速度は通常のトランジスタ
では１０’ｃｍ／ｓｅｃであるが。
高い位置エネルギを運動エネルギに変換して高速で走行
できる利点を持つ。その飽和速度は通常のトランジスタ
では１０’ｃｍ／ｓｅｃであるが。
１１ＥＴではその１０倍程度になる。
＋１ＥＴの中でも、共鳴トンネリングホソトエレクトロ
ン（ＲＩＩＥＴ）は、共鳴トンネリング効果を利用し。
ン（ＲＩＩＥＴ）は、共鳴トンネリング効果を利用し。
高いエネルギを持つホットエレクトロンの動きを制御で
きるので、高速の論理、記憶等の機能を持つことができ
る。さらに、少数のデバイスで１、Ｓｌを構成する回路
機能を実現できるため将来の新機能デバイスとして注目
されている。
きるので、高速の論理、記憶等の機能を持つことができ
る。さらに、少数のデバイスで１、Ｓｌを構成する回路
機能を実現できるため将来の新機能デバイスとして注目
されている。
従って、ここではＲＩＩＥＴを例にとり説明する。
従来のＩｎＧａＡｓベース層の（Ｒ）ＩＩＥＴのコレク
タバリア層は、電流利得を向上させるために後述のｒ谷
とＬ谷間のセパレーションエネルギが大きいＩｎＡｌＧ
ａＡｓ ４元混晶としている。
タバリア層は、電流利得を向上させるために後述のｒ谷
とＬ谷間のセパレーションエネルギが大きいＩｎＡｌＧ
ａＡｓ ４元混晶としている。
第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓヘテロ
接合を用いたＲＩＩＥＴの断面図である。
接合を用いたＲＩＩＥＴの断面図である。
図において、 ＩｎＰ基板ｌ上に２例えばＭＢＥ法によ
り順次ｎ＋−１ｎｏ、 ｓ＋Ｇａｏ、 ４？ＡＳコレク
タ層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ）
ｏ、 ａｓ＾Ｓコレクタバリア層３゜ｎ−１ｎｏ、 ５
ｌｃａＯ，４７Ａｓベ一ス層４．さらにＩｎｏ、 ５３
ＡＩＯ，４？ＡＳバリア層５ ＋ Ｉｎｏ、 ５３Ｇａ
６．４７ＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ、 ５ＪＩＧ、
４？＾Ｓバリア層７からなる量子井戸層、およびｎ”−
１ｎｏ、 ５ｘＧａｏ、 ＨＡｓエミッタ層８を成長す
る。
り順次ｎ＋−１ｎｏ、 ｓ＋Ｇａｏ、 ４？ＡＳコレク
タ層２゜Ｉｎｏ、 ５ｚ（Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ）
ｏ、 ａｓ＾Ｓコレクタバリア層３゜ｎ−１ｎｏ、 ５
ｌｃａＯ，４７Ａｓベ一ス層４．さらにＩｎｏ、 ５３
ＡＩＯ，４？ＡＳバリア層５ ＋ Ｉｎｏ、 ５３Ｇａ
６．４７ＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ、 ５ＪＩＧ、
４？＾Ｓバリア層７からなる量子井戸層、およびｎ”−
１ｎｏ、 ５ｘＧａｏ、 ＨＡｓエミッタ層８を成長す
る。
上記各層の諸元は１例えば次の通りである。
図番 層 濃度 厚さ（ｃｍ−’）
（人） Ｉ ＩｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３ １ｎＡＩＧａＡｓ ？
）Ｆ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａＡｓ
ＩＥ１８ ５００５ ＩｎＡｌＡ
ｓ ７ｙＦ−ブ ４
０６ １ｎＧａＡｓ ７
ンＦ−ブ ４０７ ＩｎＡｌＡ
ｓ アンドープ ４
０８ ｎ’″−ＴｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００エミッタＮ８．ベース層４．コレクタ層２上に
それぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／Ａｕ電極が取
り付けられる。
（人） Ｉ ＩｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３ １ｎＡＩＧａＡｓ ？
）Ｆ−ブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａＡｓ
ＩＥ１８ ５００５ ＩｎＡｌＡ
ｓ ７ｙＦ−ブ ４
０６ １ｎＧａＡｓ ７
ンＦ−ブ ４０７ ＩｎＡｌＡ
ｓ アンドープ ４
０８ ｎ’″−ＴｎＧａＡｓ ２Ｅ１８
２０００エミッタＮ８．ベース層４．コレクタ層２上に
それぞれ厚さ２００／３０００人のＣｒ／Ａｕ電極が取
り付けられる。
単に、 ＩＩＥＴの場合は、量子井戸層５，６．７の代
わりにエミッタバリア層として、厚さ１００〜２５０人
のＩｎｏ、 ５ｚＡ１ｏ、 ｎ、Ａｓ層を形成する。
わりにエミッタバリア層として、厚さ１００〜２５０人
のＩｎｏ、 ５ｚＡ１ｏ、 ｎ、Ａｓ層を形成する。
第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。
図において＋ ｌｎｏ、ｓｚ（八り、 ５Ｇａ（、、ｓ
） ０．４１１ＡＳコレクタバリア層３のｒ谷（伝導帯
底Ｅ、と一致）とＬ谷のセパレーションエネルギΔＥ
（ｒ−Ｌ）が約０．４３ ｅＶと＋ ｎ”−１ｎｏ、
ｓ：＋Ｇａｏ、４ＪＳコレクタ層２の約０．５５ ｅＶ
と比較して小さいため、コレクタバリア層３中を通過す
るホットエレクトロン（矢印で図示される）がｒ谷より
Ｌ谷に移り、 ｒ−１，谷間散乱によりその走行速度
を低下させ問題となっている。
） ０．４１１ＡＳコレクタバリア層３のｒ谷（伝導帯
底Ｅ、と一致）とＬ谷のセパレーションエネルギΔＥ
（ｒ−Ｌ）が約０．４３ ｅＶと＋ ｎ”−１ｎｏ、
ｓ：＋Ｇａｏ、４ＪＳコレクタ層２の約０．５５ ｅＶ
と比較して小さいため、コレクタバリア層３中を通過す
るホットエレクトロン（矢印で図示される）がｒ谷より
Ｌ谷に移り、 ｒ−１，谷間散乱によりその走行速度
を低下させ問題となっている。
゛ 囚に、ｒ谷の電子の有効質Ｊｉｍ“はｍ” ＝
０．０４２ ｍ、。
０．０４２ ｍ、。
ここに、ｍｏ：電子の静止質量
であり、Ｌ谷ではその１０倍程度と大きくなり、電子の
エネルギは低下し、電子はコレクタに到達しな（なる。
エネルギは低下し、電子はコレクタに到達しな（なる。
本発明は、上記のコレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱に
よる電子走行時間の低下を防止することを目的とする。
よる電子走行時間の低下を防止することを目的とする。
上記問題点の解決は、 ＩｎＰ基板上に順次形成された
一導電型１ｎＧａＡｓからなるコレクタ層、 ＩｎＰか
らなるコレクタバリア層、一導電型！ｎＧａＡｓからな
るベース層、エミッタバリア層、および一導電型ＩｎＧ
ａＡｓからなるエミッタ層を有する半導体装置により達
成される。
一導電型１ｎＧａＡｓからなるコレクタ層、 ＩｎＰか
らなるコレクタバリア層、一導電型！ｎＧａＡｓからな
るベース層、エミッタバリア層、および一導電型ＩｎＧ
ａＡｓからなるエミッタ層を有する半導体装置により達
成される。
Ｒ）ＩＥＴの場合は、前記エミッタバリア層がＴｎＡＩ
Ａｓからなる第１の量子井戸バリア層、 ＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸ウェル層、 ＩｎＡｌＡｓからなる第
２の量子井戸バリア層からなる量子井戸層であり、 Ｉ
ＩＥＴの場合は、前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓ
からなる単一層である。
Ａｓからなる第１の量子井戸バリア層、 ＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸ウェル層、 ＩｎＡｌＡｓからなる第
２の量子井戸バリア層からなる量子井戸層であり、 Ｉ
ＩＥＴの場合は、前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓ
からなる単一層である。
本発明は、ΔＥ （ｒ−Ｌ）は従来のＩｎＡｌＧａＡｓ
コレクタバリア層が約０．４３ ｅＶと小さく、コレク
タバリア層にコレクタベース間電圧ＶＣＢを加えたとき
に、コレクタバリア層内を略バリスティックに走行する
ホットエレクトロンは「−り谷間散乱を受けるようにな
るのを、コレクタバリア層にΔＥ （ｒ−Ｌ）が約０．
５５ ｅＶと大きいＩｎＰを用いることにより、ｒ−Ｌ
谷間散乱を防止するようにしたものである。
コレクタバリア層が約０．４３ ｅＶと小さく、コレク
タバリア層にコレクタベース間電圧ＶＣＢを加えたとき
に、コレクタバリア層内を略バリスティックに走行する
ホットエレクトロンは「−り谷間散乱を受けるようにな
るのを、コレクタバリア層にΔＥ （ｒ−Ｌ）が約０．
５５ ｅＶと大きいＩｎＰを用いることにより、ｒ−Ｌ
谷間散乱を防止するようにしたものである。
さらに、コレクタバリア層形成に従来のＩｎＡｌＧａＡ
ｓ ４元結晶からＩｎＰ ２元結晶にして成長を容易に
する。この場合１ｎＰのコレクタバリアの高さΔＥｃは
０．２２ ｅＶで、 ＩｎＡｌＧａＡｓの０．２５ ｅ
Ｖと略同程度であるので問題はない。
ｓ ４元結晶からＩｎＰ ２元結晶にして成長を容易に
する。この場合１ｎＰのコレクタバリアの高さΔＥｃは
０．２２ ｅＶで、 ＩｎＡｌＧａＡｓの０．２５ ｅ
Ｖと略同程度であるので問題はない。
第１図は本発明の一実施例によるＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ
Ｐへテロ接合を用いたＲＨＥＴの断面図である。
Ｐへテロ接合を用いたＲＨＥＴの断面図である。
図において、 ＩｎＰ基板ｌ上に１例えばＭＢＥ法によ
り順次ｎ”−１ｎ６． ｓ、Ｇａｏ、 ４Ｊｓコレクタ
層２゜ＩｎＰコレクタバリア層３Ａ、 ｎ−Ｉｎｏ、５
ｚＧａｏ、４Ｊｓベ一ス層４．さらに Ｉｎｏ、 ５３Ａ１Ｇ、 ａＪｓバリア層５ ＋ Ｉｎ
ｏ、 ５３Ｇａｏ、 ４？ＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ
、 ５３Ａ１ｏ、 ４４Ａｓバリア層７からなる量子井
戸層、およびｎ”−１ｎｏ、 ５３Ｇａｏ、 ４．Ａｓ
エミッタ層８を成長する。
り順次ｎ”−１ｎ６． ｓ、Ｇａｏ、 ４Ｊｓコレクタ
層２゜ＩｎＰコレクタバリア層３Ａ、 ｎ−Ｉｎｏ、５
ｚＧａｏ、４Ｊｓベ一ス層４．さらに Ｉｎｏ、 ５３Ａ１Ｇ、 ａＪｓバリア層５ ＋ Ｉｎ
ｏ、 ５３Ｇａｏ、 ４？ＡＳウ工ル層６ ＋ Ｉｎｏ
、 ５３Ａ１ｏ、 ４４Ａｓバリア層７からなる量子井
戸層、およびｎ”−１ｎｏ、 ５３Ｇａｏ、 ４．Ａｓ
エミッタ層８を成長する。
上記各層の諸元は２例えば次の通りである。
図番 層 濃度 厚さ（ｃｍ−３）
（入） １ １ｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３Ａ ＩｎＰ
７ントーブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａ
Ａｓ ＩＥ１８ ５００５ Ｉｎ
ＡｌＡｓ アンドープ
４０５ １ｎＧａＡｓ
アンドープ ４０７ ＩｎＡｌ
Ａｓ ７：／Ｆ−ブ
４０８ ｎ”−１ｎＧａＡｓ
２Ｅ１Ｂ ２０００工ミツタ層８．ベース
層４．コレクタ層２上にそれぞれ厚さ２００／３０００
人のＣｒ／Ａｕ電極が取り付けられる。
（入） １ １ｎＰ基板 ２ ｎ”−１ｎＧａＡｓ ２Ｅ１８ ３０
００３Ａ ＩｎＰ
７ントーブ ２０００４ ｎ−１ｎＧａ
Ａｓ ＩＥ１８ ５００５ Ｉｎ
ＡｌＡｓ アンドープ
４０５ １ｎＧａＡｓ
アンドープ ４０７ ＩｎＡｌ
Ａｓ ７：／Ｆ−ブ
４０８ ｎ”−１ｎＧａＡｓ
２Ｅ１Ｂ ２０００工ミツタ層８．ベース
層４．コレクタ層２上にそれぞれ厚さ２００／３０００
人のＣｒ／Ａｕ電極が取り付けられる。
第２図は実施例のＲＩＩＥＴのバンド構造図である。
図において、 ＩｎＰコレクタバリアＪｉ３ＡのΔＥ
（ｒ−Ｌ）が従来例の約０．４３ ｅＶ ヨリ、約０．
５５ ｅＶと大きいため、コレクタバリア層３へ中を通
過するホットエレクトロンはｒ−Ｌ谷間散乱を受けるこ
となく、従ってその走行速度は低下しない。
（ｒ−Ｌ）が従来例の約０．４３ ｅＶ ヨリ、約０．
５５ ｅＶと大きいため、コレクタバリア層３へ中を通
過するホットエレクトロンはｒ−Ｌ谷間散乱を受けるこ
となく、従ってその走行速度は低下しない。
以上の結果、コレクタバリアでの谷間散乱による電子走
行速度の低下の起こっていた従来例ではコレクタ走行時
間は１．５〜３．Ｏｐｓであったが、実施例では〜０．
３ ｐＳである。
行速度の低下の起こっていた従来例ではコレクタ走行時
間は１．５〜３．Ｏｐｓであったが、実施例では〜０．
３ ｐＳである。
以上説明したように本発明によれば。
ＩｎＧａＡｓ／ ｒｎＰ ヘテロ接合を用いた（Ｒ）Ｈ
ＥＴにより、コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱をによ
る電子走行時間の低下を防止することができる。
ＥＴにより、コレクタバリア内のｒ−Ｌ谷間散乱をによ
る電子走行時間の低下を防止することができる。
さらに１本発明のコレクタバリア層は従来の４元結晶を
用いた場合に比し、格子整合が極めて容易にとれる。
用いた場合に比し、格子整合が極めて容易にとれる。
第１図は本発明の一実施例によるＩｎＧａＡｓ／ Ｉ
ｎＰヘテロ接合を用いたＲＨｎＴの断面図。 第２図は実施例のＩｊＨＥＴのバンド構造図。 第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ ヘテ
ロ接合を用いたＲＩＩＥＴの断面図。 第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。 図において。 １はＩｎＰ基板。 ２はｎ”ｌｎＯ，ｓ：１ｃａｏ、 ４？八八ツコレクタ
。 ３ＡはＩｎＰコレクタバリア層。 ４はｎ−１ｎｏ、 ５３Ｇａ、、４７Ａｓベ一ス層。 ５はＩｎｏ、 ５ｌａｔｅ、 ４Ｊｓｆ１子井戸バリア
層。 ６はＩｎｏ、 Ｓ：１ｃａＯ，４７ＡＳＩＩＬ子井戸ウ
ェル層。 ７はＩｎｏ、 ５ｚＡｌｏ、 ＜ＪｓＩｔ子井戸バリア
層。 ８はｎ’−１ｎｏ、 Ｓ：１ｃａ０．４７八Ｓエミッタ
層１三ツタ１叱７み（Ｃｒ／Ａり 電烏例のＲ）−ＩＥ丁の打面２ 第１図 Φ〕 〒 Ｌ夫のＩｌ’？）−に丁の絣面Ｚ 第３図
ｎＰヘテロ接合を用いたＲＨｎＴの断面図。 第２図は実施例のＩｊＨＥＴのバンド構造図。 第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ ヘテ
ロ接合を用いたＲＩＩＥＴの断面図。 第４図は従来例のＲＨＥＴのバンド構造図である。 図において。 １はＩｎＰ基板。 ２はｎ”ｌｎＯ，ｓ：１ｃａｏ、 ４？八八ツコレクタ
。 ３ＡはＩｎＰコレクタバリア層。 ４はｎ−１ｎｏ、 ５３Ｇａ、、４７Ａｓベ一ス層。 ５はＩｎｏ、 ５ｌａｔｅ、 ４Ｊｓｆ１子井戸バリア
層。 ６はＩｎｏ、 Ｓ：１ｃａＯ，４７ＡＳＩＩＬ子井戸ウ
ェル層。 ７はＩｎｏ、 ５ｚＡｌｏ、 ＜ＪｓＩｔ子井戸バリア
層。 ８はｎ’−１ｎｏ、 Ｓ：１ｃａ０．４７八Ｓエミッタ
層１三ツタ１叱７み（Ｃｒ／Ａり 電烏例のＲ）−ＩＥ丁の打面２ 第１図 Φ〕 〒 Ｌ夫のＩｌ’？）−に丁の絣面Ｚ 第３図
Claims (3)
- （１）ＩｎＰ基板上に順次形成された 一導電型ＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層、ＩｎＰから
なるコレクタバリア層、一導電型ＩｎＧａＡｓからなる
ベース層、エミッタバリア層、および一導電型ＩｎＧａ
Ａｓからなるエミッタ層を有することを特徴とする半導
体装置。 - （２）前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓからなる第
１の量子井戸バリア層、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸
ウェル層、ＩｎＡｌＡｓからなる第２の量子井戸バリア
層からなる量子井戸層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記エミッタバリア層がＩｎＡｌＡｓからなる単
一層であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62276311A JP2569616B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62276311A JP2569616B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117359A true JPH01117359A (ja) | 1989-05-10 |
| JP2569616B2 JP2569616B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17567686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62276311A Expired - Lifetime JP2569616B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569616B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380543A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120170A (en) * | 1980-01-29 | 1981-09-21 | Western Electric Co | Inclinatoin inhibit band rectifying semiconductor device |
| JPS61150373A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Nec Corp | 低閾値電圧のバイポ−ラトランジスタ |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62276311A patent/JP2569616B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120170A (en) * | 1980-01-29 | 1981-09-21 | Western Electric Co | Inclinatoin inhibit band rectifying semiconductor device |
| JPS61150373A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Nec Corp | 低閾値電圧のバイポ−ラトランジスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380543A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569616B2 (ja) | 1997-01-08 |
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