JPH01121875U - - Google Patents

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JPH01121875U
JPH01121875U JP1714688U JP1714688U JPH01121875U JP H01121875 U JPH01121875 U JP H01121875U JP 1714688 U JP1714688 U JP 1714688U JP 1714688 U JP1714688 U JP 1714688U JP H01121875 U JPH01121875 U JP H01121875U
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JP
Japan
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insulator
ground plane
high frequency
frequency characteristics
lead pin
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JP1714688U
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは本考案の一実施例の平面図、第１図
ｂは第１図ａのＡ―Ａ線断面図、第２図ａは本考
案の他の実施例の平面図、第２図ｂは第２図ａの
Ｂ―Ｂ線断面図、第３図ａは従来の測定用ソケツ
トの平面図、第３図ｂは第３図ａのＣ―Ｃ線断面
図である。 １，１Ａ……半導体素子、２，２Ａ……リード
ピン、３……マイクロストリツプ線路（金属片）
、４……マイクロストリツプ線路（導体）、５…
…ベース、６……絶縁体、７……接地面、８……
ソケツトピン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高周波特性の測定を行う半導体素子のリードピ
    ンが挿入される測定用ソケツトにおいて、前記リ
    ードピンが挿入接続されるバネ性を有する金属端
    子を高周波特性の優れた絶縁体で支持すると共に
    この絶縁体の外側に接地面を形成し、前記金属端
    子及びこれに連続する導体でマイクロストリツプ
    線路を形成し、かつ複数個の前記金属端子を夫々
    前記接地面の一部で電気遮蔽することを特徴とす
    る半導体素子の測定用ソケツト。
JP1714688U 1988-02-12 1988-02-12 Pending JPH01121875U (ja)

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JP1714688U JPH01121875U (ja) 1988-02-12 1988-02-12

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JPH01121875U true JPH01121875U (ja) 1989-08-18

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JP1714688U Pending JPH01121875U (ja) 1988-02-12 1988-02-12

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