JPH01122143A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01122143A JPH01122143A JP62279909A JP27990987A JPH01122143A JP H01122143 A JPH01122143 A JP H01122143A JP 62279909 A JP62279909 A JP 62279909A JP 27990987 A JP27990987 A JP 27990987A JP H01122143 A JPH01122143 A JP H01122143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- sealing resin
- semiconductor device
- support piece
- support pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に半導体素子
が搭載されるダイパットの形状に関するものである。
が搭載されるダイパットの形状に関するものである。
従来のこの種半導体装置は第３図に示すように構成され
ている。第３図は樹脂封止形半導体装置の側断面図で、
同図において、１はダイパット、２はこのダイパット１
上に固定された半導体素子、３は外部装置（図示せず）
に接続されるリードビンで、このリードビン３はワイヤ
４によって前記半導体素子２に接続されている。なお、
５は前記ダイパット１．半導体素子２．リードビン３の
一部およびワイヤ４を封止するための封止樹脂である。
ている。第３図は樹脂封止形半導体装置の側断面図で、
同図において、１はダイパット、２はこのダイパット１
上に固定された半導体素子、３は外部装置（図示せず）
に接続されるリードビンで、このリードビン３はワイヤ
４によって前記半導体素子２に接続されている。なお、
５は前記ダイパット１．半導体素子２．リードビン３の
一部およびワイヤ４を封止するための封止樹脂である。
このように構成された従来の半導体装置を基板（図示せ
ず）に実装するには、基板の所定のランド上またはリー
ドビン３の先端部、あるいはその両方に予め半田を供給
しておき、半導体装置を基板の所定位置に固定した後、
赤外線等で全体を加熱することによって半田を溶融させ
、半導体装置のリードビン３と基板とを接合させること
Ｋよシ行なわれていた。
ず）に実装するには、基板の所定のランド上またはリー
ドビン３の先端部、あるいはその両方に予め半田を供給
しておき、半導体装置を基板の所定位置に固定した後、
赤外線等で全体を加熱することによって半田を溶融させ
、半導体装置のリードビン３と基板とを接合させること
Ｋよシ行なわれていた。
しかるに、このように構成された半導体装置においては
、基板等に実装する際に全体が加熱されると、ダイバン
ト１の裏面が平坦であるためダイパット１の裏面と封止
樹脂５とは強固に密着されていないから、ダイパット１
と封止樹脂５との線膨張係数の違いＫよシ第４図に示す
ように、封止樹脂５はダイパット１の裏面との密着部分
がダイパット１から剥離して膨張し、ダイパット１の側
縁部と対応する部分に応力が集中し割れてしまうという
問題があった。
、基板等に実装する際に全体が加熱されると、ダイバン
ト１の裏面が平坦であるためダイパット１の裏面と封止
樹脂５とは強固に密着されていないから、ダイパット１
と封止樹脂５との線膨張係数の違いＫよシ第４図に示す
ように、封止樹脂５はダイパット１の裏面との密着部分
がダイパット１から剥離して膨張し、ダイパット１の側
縁部と対応する部分に応力が集中し割れてしまうという
問題があった。
本発明に係る半導体装置は、ダイパットの一部分をダイ
パットの裏側へ折曲することによって支持片を形成し、
この支持片に貫通孔を設けたものである。
パットの裏側へ折曲することによって支持片を形成し、
この支持片に貫通孔を設けたものである。
ダイパットの支持片を覆い、かつこの支持片の貫通孔内
に満たされた封止樹脂が一体に硬化することになるから
、封止樹脂は保持片によってダイパットに対して固定さ
れる。
に満たされた封止樹脂が一体に硬化することになるから
、封止樹脂は保持片によってダイパットに対して固定さ
れる。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る半導体装置を示す側断面図、
第２図は本発明に使用するダイパットを示す斜視図であ
る。これらの図において前記従来例で説明したものと同
一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここに
おいて詳細な説明は省略する。これらの図において、符
号１１はダイパットで、このダイパット１１には、半導
体素子２が固着する側と反対側にダイパット１１の一部
分を折曲するととＫよって支持片１２が設けられておシ
、さらに、この支持片１２を貫通する貫通孔１３が穿設
されている。すなわち、このダイパット１１を形成する
には、先ずダイパット１１から平面視路コ字形のスリン
） ｌ１ｍを打抜き加工によシ打抜くことによって支持
片１２を形成する。なお、このスリン） １１ｍ打抜き
加工の際に貫通孔１３も打抜いておく。そして、前記支
持片１２をダイパット１１に対して折曲させることによ
って、このダイパット１１が形成されることになる。
る。第１図は本発明に係る半導体装置を示す側断面図、
第２図は本発明に使用するダイパットを示す斜視図であ
る。これらの図において前記従来例で説明したものと同
一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここに
おいて詳細な説明は省略する。これらの図において、符
号１１はダイパットで、このダイパット１１には、半導
体素子２が固着する側と反対側にダイパット１１の一部
分を折曲するととＫよって支持片１２が設けられておシ
、さらに、この支持片１２を貫通する貫通孔１３が穿設
されている。すなわち、このダイパット１１を形成する
には、先ずダイパット１１から平面視路コ字形のスリン
） ｌ１ｍを打抜き加工によシ打抜くことによって支持
片１２を形成する。なお、このスリン） １１ｍ打抜き
加工の際に貫通孔１３も打抜いておく。そして、前記支
持片１２をダイパット１１に対して折曲させることによ
って、このダイパット１１が形成されることになる。
したがって、このダイパット１１を使用した樹脂封止形
半導体装置においては、支持片１２を覆い、かつこの支
持片１２の貫通孔１３内に満たされた封止樹脂５が一体
に硬化するととＫなるから、封止樹脂５は保持片１２に
よってダイパット１１に対して強固に固定されることに
なる。
半導体装置においては、支持片１２を覆い、かつこの支
持片１２の貫通孔１３内に満たされた封止樹脂５が一体
に硬化するととＫなるから、封止樹脂５は保持片１２に
よってダイパット１１に対して強固に固定されることに
なる。
以上説明したように本発明によれば、ダイパットの一部
分をダイパットの裏側へ折曲することＫよって支持片を
形成し、この支持片に貫通孔を設けたため、前記支持片
を覆い、かっこの支持片の貫通孔内に満たされた封止樹
脂が一体に硬化することになるから、封止樹脂は保持片
によってダイパットに対して強固に固定されることにな
る。したがって、半導体装置を基板等に実装する際に、
全体が加熱され封止樹脂が膨張しても、ダイパットの裏
面から封止樹脂が剥離せず、割れを防ぐことができるの
で、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
分をダイパットの裏側へ折曲することＫよって支持片を
形成し、この支持片に貫通孔を設けたため、前記支持片
を覆い、かっこの支持片の貫通孔内に満たされた封止樹
脂が一体に硬化することになるから、封止樹脂は保持片
によってダイパットに対して強固に固定されることにな
る。したがって、半導体装置を基板等に実装する際に、
全体が加熱され封止樹脂が膨張しても、ダイパットの裏
面から封止樹脂が剥離せず、割れを防ぐことができるの
で、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す側断面図、第２
図は本発明に使用するダイパットを示す斜視図、第３図
は従来の樹脂封止形半導体装置を示す側断面図、第４図
は封止樹脂が膨張した状態を示す側断面図である。 ２・・・・半導体素子、５・・・・封止樹脂、１１・・
・・ダイパット、１２・・・・支持片、１３・・・Φ貫
通孔。
図は本発明に使用するダイパットを示す斜視図、第３図
は従来の樹脂封止形半導体装置を示す側断面図、第４図
は封止樹脂が膨張した状態を示す側断面図である。 ２・・・・半導体素子、５・・・・封止樹脂、１１・・
・・ダイパット、１２・・・・支持片、１３・・・Φ貫
通孔。
Claims (1)
- ダイパット上に搭載された半導体素子が樹脂封止され
てなる半導体装置において、前記ダイパットの一部分を
ダイパットの裏側へ折曲することによつて支持片を形成
し、この支持片に貫通孔を設けたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279909A JPH01122143A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279909A JPH01122143A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122143A true JPH01122143A (ja) | 1989-05-15 |
Family
ID=17617606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62279909A Pending JPH01122143A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122143A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812554B2 (en) | 1999-02-17 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US9076776B1 (en) * | 2009-11-19 | 2015-07-07 | Altera Corporation | Integrated circuit package with stand-off legs |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP62279909A patent/JPH01122143A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812554B2 (en) | 1999-02-17 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7160760B2 (en) | 1999-02-17 | 2007-01-09 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7385279B2 (en) | 1999-02-17 | 2008-06-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7812464B2 (en) | 1999-02-17 | 2010-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing for high output MOSFET |
| US9076776B1 (en) * | 2009-11-19 | 2015-07-07 | Altera Corporation | Integrated circuit package with stand-off legs |
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