JPH01123068A - 基材面への薄膜生成方法 - Google Patents
基材面への薄膜生成方法Info
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- JPH01123068A JPH01123068A JP28118887A JP28118887A JPH01123068A JP H01123068 A JPH01123068 A JP H01123068A JP 28118887 A JP28118887 A JP 28118887A JP 28118887 A JP28118887 A JP 28118887A JP H01123068 A JPH01123068 A JP H01123068A
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- film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えば金属とセラミックの様に熱膨張率に大
きな差のある２種の材料の一方を基材、他方を膜材とし
て基材表面にスパッタリング法にて膜材の薄膜を生成す
る方法に関するものである。
きな差のある２種の材料の一方を基材、他方を膜材とし
て基材表面にスパッタリング法にて膜材の薄膜を生成す
る方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、金属を基板とし、その表面に熱膨張率の小さいセ
ラミック薄膜をスパッタリング法にて生成する場合、金
属表面に直接セラミック薄膜を生成するか、若しくは、
その金属より熱膨張率は小さいかセラミックより熱膨張
率の大きな別種の金属の薄膜を基材金属表面に生成した
後、その上にセラミック薄膜を生成している。
ラミック薄膜をスパッタリング法にて生成する場合、金
属表面に直接セラミック薄膜を生成するか、若しくは、
その金属より熱膨張率は小さいかセラミックより熱膨張
率の大きな別種の金属の薄膜を基材金属表面に生成した
後、その上にセラミック薄膜を生成している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら前記した従来の前者の方法によると、熱膨
張率に差がある為、基材と膜の間で剥離か生じるととも
に基材と膜との密着性が劣る等の問題があり、又後者の
方法によると、熱膨張による剥離の問題はある程度解消
されるが、密着性については十分満足し得る結果は得ら
れないという問題があった。
張率に差がある為、基材と膜の間で剥離か生じるととも
に基材と膜との密着性が劣る等の問題があり、又後者の
方法によると、熱膨張による剥離の問題はある程度解消
されるが、密着性については十分満足し得る結果は得ら
れないという問題があった。
本発明は係る問題点に対処する為提案されたもので、熱
膨張による剥離がなく、しかも密着性のよい基材面への
薄膜生成方法を提供しようとするものである。
膨張による剥離がなく、しかも密着性のよい基材面への
薄膜生成方法を提供しようとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は前記した問題点を解決する為、熱膨張率に大き
な差のある２種の材料の一方を基材、他方を１膜材とし
て基材表面にスパッタリンク法にて膜材の薄膜を生成す
る方法において、先ず前記２種の材料の混合材よりなる
スパッタリングターゲットをスパッタリングして基材表
面に前記混合材の薄膜を生成し、次いでその上に前記膜
材よりなるスパッタリングターゲットをスパッタリング
してその薄膜を生成することを特徴とするものである。
な差のある２種の材料の一方を基材、他方を１膜材とし
て基材表面にスパッタリンク法にて膜材の薄膜を生成す
る方法において、先ず前記２種の材料の混合材よりなる
スパッタリングターゲットをスパッタリングして基材表
面に前記混合材の薄膜を生成し、次いでその上に前記膜
材よりなるスパッタリングターゲットをスパッタリング
してその薄膜を生成することを特徴とするものである。
く作用〉
上記の様にして基材と薄膜との間に基材の材料と薄膜の
材料との混合材よりなる膜を中間膜として介在させる様
にしている為、基材と中間膜との間、及び中間膜とその
外側の薄膜との間は、夫々同種材性によって熱膨張差が
小さくなるとともに密着力が向上する。
材料との混合材よりなる膜を中間膜として介在させる様
にしている為、基材と中間膜との間、及び中間膜とその
外側の薄膜との間は、夫々同種材性によって熱膨張差が
小さくなるとともに密着力が向上する。
従って剥離の発生かなく、又十分な密着性か選られる。
〈実施例〉
以下に本発明の一実施例を説明する。
ここては、一実施例として金属基材面へセラミック薄膜
を生成する方法について説明する。
を生成する方法について説明する。
スパッタリングは２種のターゲットを順に使用し、２種
の薄膜を２層に形成する。
の薄膜を２層に形成する。
先ず、金属基材と同種の金属とセラミック薄膜と同種の
セラミックを混合して製造したターゲットを使用してス
パッタリングを行い、金属基材表面に上記混合材の薄膜
を生成する。
セラミックを混合して製造したターゲットを使用してス
パッタリングを行い、金属基材表面に上記混合材の薄膜
を生成する。
次いで、この表面に目的とするセラミック薄膜と同種の
セラミックで製造したターゲットを使用してスパッタリ
ングを行い、セラミック薄膜を生成する。
セラミックで製造したターゲットを使用してスパッタリ
ングを行い、セラミック薄膜を生成する。
この様にして２層膜を形成することによって、金属基材
と混合材膜との間、及び混合材膜とセラミックとの間で
は、夫々同種材性によって熱膨張差が小さくなるととも
に密着性か向上する。
と混合材膜との間、及び混合材膜とセラミックとの間で
は、夫々同種材性によって熱膨張差が小さくなるととも
に密着性か向上する。
この際、混合材膜とするターゲットの材料混合比は、そ
れらの熱膨張率の値により適当な比率に選定すればよい
。
れらの熱膨張率の値により適当な比率に選定すればよい
。
尚、上記実施例では、基材を金属、膜材をセラミックと
した例について説明したが逆の場合でも同様に実施する
ことかできる。
した例について説明したが逆の場合でも同様に実施する
ことかできる。
又、熱膨張率に大きな差のある金属同志、或いは他の材
料等にも適用することができる。
料等にも適用することができる。
更には、厳しい条件下ではその混合材膜の材料混合比率
を順次板やかに変化させて、３層以上の多層膜としてこ
れに対応することができる。
を順次板やかに変化させて、３層以上の多層膜としてこ
れに対応することができる。
〈発明の効果〉
以上から明らかな様に本発明の生成方法によると、熱膨
張率に大きな差のある材料の場合でも剥離の発生がなく
、且つ密着性にも優れた強固な薄膜を生成することがで
きる。
張率に大きな差のある材料の場合でも剥離の発生がなく
、且つ密着性にも優れた強固な薄膜を生成することがで
きる。
特許出願人 日本建鉄株式会社。
Claims (6)
- （１）熱膨張率に大きな差のある２種の材料の一方を基
材、他方を膜材とし、該基材表面に該膜材の薄膜を生成
する方法において、先ず前記２種の材料の混合材よりな
るスパッタリングターゲットをスパッタリングして前記
基材表面に前記混合材の薄膜を生成し、次いでその上に
前記膜材より成るスパッタリングターゲットをスパッタ
リングして、その薄膜を生成することを特徴とする基材
面への薄膜生成方法。 - （２）前記２種の材料の一方が金属、他方がセラミック
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の基
材面への薄膜生成方法。 - （３）前記基材が金属、膜材がセラミックであることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の基材面への薄膜
生成方法。 - （４）前記基材がセラミック、膜材が金属であることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の基材面への薄膜
生成方法。 - （５）前記基材、膜材がともに金属であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の基材面への薄膜生成方
法。 - （６）前記混合材の薄膜は混合材の混合比率を順次変化
させて少なくとも２層以上に生成されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の基材面への薄膜生成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28118887A JPH01123068A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 基材面への薄膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28118887A JPH01123068A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 基材面への薄膜生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123068A true JPH01123068A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17635571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28118887A Pending JPH01123068A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 基材面への薄膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018979A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Applied Science And Technology, Inc. | Sputter deposition apparatus |
| US7100954B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-09-05 | Nexx Systems, Inc. | Ultra-thin wafer handling system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526380A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Abrasion resistant thin film |
| JPS6199640A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | Mitsubishi Metal Corp | 複合タ−ゲツト材の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP28118887A patent/JPH01123068A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526380A (en) * | 1975-07-07 | 1977-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Abrasion resistant thin film |
| JPS6199640A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | Mitsubishi Metal Corp | 複合タ−ゲツト材の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018979A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Applied Science And Technology, Inc. | Sputter deposition apparatus |
| US7100954B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-09-05 | Nexx Systems, Inc. | Ultra-thin wafer handling system |
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