JPH0362716A - 表面波デバイス - Google Patents
表面波デバイスInfo
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- JPH0362716A JPH0362716A JP19879089A JP19879089A JPH0362716A JP H0362716 A JPH0362716 A JP H0362716A JP 19879089 A JP19879089 A JP 19879089A JP 19879089 A JP19879089 A JP 19879089A JP H0362716 A JPH0362716 A JP H0362716A
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- Japan
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面波デバイス、特に表面実装に対応可能な表
面波デバイスに関するものである。
面波デバイスに関するものである。
従来、表面実装に対応可能な表面波デバイスとして、第
6図に示すように、平板状のベース50上に予め引出電
極51を形成しておき、このベース50上に表面波素子
52を接着固定し、表面波素子52の電極53とベース
50の引出電極51とをワイヤボンディングにて接続す
るとともに、ベース50の表面に表面波素子52を覆う
箱型のキャップ54を接着固定することにより、表面波
素子52の周囲を密封したものがある。この場合には、
ベース50の裏面に引出電極51を引き出すことにより
、表面実装に対応できる。
6図に示すように、平板状のベース50上に予め引出電
極51を形成しておき、このベース50上に表面波素子
52を接着固定し、表面波素子52の電極53とベース
50の引出電極51とをワイヤボンディングにて接続す
るとともに、ベース50の表面に表面波素子52を覆う
箱型のキャップ54を接着固定することにより、表面波
素子52の周囲を密封したものがある。この場合には、
ベース50の裏面に引出電極51を引き出すことにより
、表面実装に対応できる。
ところが、上記表面波デバイスの場合には、キャップ5
4をベース50」二の引出電極51にも接着しなければ
ならないため、絶縁体であるキャップ54と金属膜から
なる引出電極51との接着性が悪く、気密封止が困難で
あるという問題があった。
4をベース50」二の引出電極51にも接着しなければ
ならないため、絶縁体であるキャップ54と金属膜から
なる引出電極51との接着性が悪く、気密封止が困難で
あるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、」二記の問題点を解消した表
面実装可能な表面波デバイスを提供することにある。
面実装可能な表面波デバイスを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、表面波素子かムー
ス上に固定され、表面波素子の電極とムース上の引出電
極とが電気的に接続されるとともに、ムース上に表面波
素子を覆うキャップが封着される表面波デバイスにおい
て、上記ヘースが誘電体でjt4威されるとともに、キ
ャップがベースと同一材料で構成され、表面波素子の電
極と接続されたヘース上面の引出電極はキャップ封着部
より内側に形成され、該引出電極をコンデンサ電極とす
るとともに、ヘース下面の上記コンデンサ電極と対向す
る部位にコンデンサ電極が形成されていることを特徴と
するものである。
ス上に固定され、表面波素子の電極とムース上の引出電
極とが電気的に接続されるとともに、ムース上に表面波
素子を覆うキャップが封着される表面波デバイスにおい
て、上記ヘースが誘電体でjt4威されるとともに、キ
ャップがベースと同一材料で構成され、表面波素子の電
極と接続されたヘース上面の引出電極はキャップ封着部
より内側に形成され、該引出電極をコンデンサ電極とす
るとともに、ヘース下面の上記コンデンサ電極と対向す
る部位にコンデンサ電極が形成されていることを特徴と
するものである。
即ち、誘電体よりなるヘース上面のキャップ封着部より
内側に、表面波素子と接続される引出電極を形成し、こ
の引出電極をコンデンサ電極とし、このコンデンサ電極
と対向するヘース下面にもコンデンサ電極を設しすたの
で、表面波素子を静電容量を介して外部に交流的に接続
できる。これにより、コンデンザ内蔵型の表面波デバイ
スを得るごとができ、本表面波デバイスを発振回路に適
用した場合、外付けのD Cカット用コンデンザが不要
となり、回路を簡素化できる。また、キャップを引出電
極上ムこ接着する必要がなく、しかもキャップとヘース
とが同一材質よりなるので、気密封止を行うための接着
剤の選定が容易で、がっ温度変化による気密性の劣化を
防止できる。
内側に、表面波素子と接続される引出電極を形成し、こ
の引出電極をコンデンサ電極とし、このコンデンサ電極
と対向するヘース下面にもコンデンサ電極を設しすたの
で、表面波素子を静電容量を介して外部に交流的に接続
できる。これにより、コンデンザ内蔵型の表面波デバイ
スを得るごとができ、本表面波デバイスを発振回路に適
用した場合、外付けのD Cカット用コンデンザが不要
となり、回路を簡素化できる。また、キャップを引出電
極上ムこ接着する必要がなく、しかもキャップとヘース
とが同一材質よりなるので、気密封止を行うための接着
剤の選定が容易で、がっ温度変化による気密性の劣化を
防止できる。
第1図〜第5図は本発明の一例である】ボート型の表面
波デバイスを示す。この表面波デバイスは、ヘースlと
、表面波素子10と、キャップ2oとで構成されている
。
波デバイスを示す。この表面波デバイスは、ヘースlと
、表面波素子10と、キャップ2oとで構成されている
。
ヘース1は例えばアルくナセラミンク等の所望の誘電率
を有する平板で構成されており、その上面対称位置には
2個の方形のコンデンサ電極2゜3がスバ・ンクリング
、蒸M′!Jにて形成されている。
を有する平板で構成されており、その上面対称位置には
2個の方形のコンデンサ電極2゜3がスバ・ンクリング
、蒸M′!Jにて形成されている。
ヘース1の長辺側端面の対角位置には人、出力用端子電
極4,5が形成されており、これら端子型極4,5と導
通した方形のコンデンサ電極6,7がムース1下面の上
記コンデンサ電極2,3と対向した位置に形成されてい
る。そのため、コンデンサ電極2,6および3,7間に
は静電容量CC2(第4図参照)が構成される。
極4,5が形成されており、これら端子型極4,5と導
通した方形のコンデンサ電極6,7がムース1下面の上
記コンデンサ電極2,3と対向した位置に形成されてい
る。そのため、コンデンサ電極2,6および3,7間に
は静電容量CC2(第4図参照)が構成される。
表面波素子10は公知の1ポート型SAW素子であり、
第3図に示すように、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電
基板11の上面両端部に電極パッド12゜13が形成さ
れ、これら電極パッド12.13は引回し電極12a、
13aを介して対向方向へ突出した櫛歯電極12b、
13bと接続されている。上記櫛歯電極12b13bの
両側には反射電極14が独立して形成されている。」二
記表面波素子10は、その電極形成面を上に向けてヘー
ス1の中央部上面にグイボンドされている。そして、表
面波素子10の電極パッド1213はそれぞれポンディ
ングワイヤ15.16によってヘース1のコンデンサ電
極2.3と接続されている。
第3図に示すように、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電
基板11の上面両端部に電極パッド12゜13が形成さ
れ、これら電極パッド12.13は引回し電極12a、
13aを介して対向方向へ突出した櫛歯電極12b、
13bと接続されている。上記櫛歯電極12b13bの
両側には反射電極14が独立して形成されている。」二
記表面波素子10は、その電極形成面を上に向けてヘー
ス1の中央部上面にグイボンドされている。そして、表
面波素子10の電極パッド1213はそれぞれポンディ
ングワイヤ15.16によってヘース1のコンデンサ電
極2.3と接続されている。
キャップ20はヘースlと全く同一材料によって一面が
開口した箱型に形成されたものであり、その開口部が上
記ヘース1の」二面のキャップ封着部8に、接着剤21
によってコンデンサ電極2.3および表面波素子10を
取り囲むように封着され、キャップ20内部が密封され
ている。特に、キャップ20とヘース1とが同−tiA
料よりなるので、両者の接着性が良く、既存の接着剤2
1で簡単に気密封止できるとともに、温度変化ムこよっ
てヘース1とキャップ20とが膨張した場合でも、両者
の線膨張係数が同しであるから、接着部にクランク等が
入らず、気密性が劣化しない。
開口した箱型に形成されたものであり、その開口部が上
記ヘース1の」二面のキャップ封着部8に、接着剤21
によってコンデンサ電極2.3および表面波素子10を
取り囲むように封着され、キャップ20内部が密封され
ている。特に、キャップ20とヘース1とが同−tiA
料よりなるので、両者の接着性が良く、既存の接着剤2
1で簡単に気密封止できるとともに、温度変化ムこよっ
てヘース1とキャップ20とが膨張した場合でも、両者
の線膨張係数が同しであるから、接着部にクランク等が
入らず、気密性が劣化しない。
上記のように構成することにより、第5図に示されるよ
うな等価回路を有するコンデンサ内蔵型表面波デバイス
が得られる。
うな等価回路を有するコンデンサ内蔵型表面波デバイス
が得られる。
上記ヘース1として、例えば誘電率ε−3000程度の
誘電体基板を使用すれば、コンデンサCC2の容量は、
100 Mll□付近で使用されているSAW発振回路
のDCカント用コンデンサとほぼ同等の100OPF程
度を得ることができる。したがって、本発明の表面波デ
バイスをSAW発振回路に適用すれば、従来外付?Jさ
れていたDCカント用コンデンサが不要となり、回路を
簡素化できる。
誘電体基板を使用すれば、コンデンサCC2の容量は、
100 Mll□付近で使用されているSAW発振回路
のDCカント用コンデンサとほぼ同等の100OPF程
度を得ることができる。したがって、本発明の表面波デ
バイスをSAW発振回路に適用すれば、従来外付?Jさ
れていたDCカント用コンデンサが不要となり、回路を
簡素化できる。
なお、」二記実施例では1ボート型の表面波デバイスに
ついて説明したが、他の形式の表面波デバイスにも適用
できる。また、ヘースに設けられるコンデンサ電極は、
2対以上設けてもよい。
ついて説明したが、他の形式の表面波デバイスにも適用
できる。また、ヘースに設けられるコンデンサ電極は、
2対以上設けてもよい。
(発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明によれば誘電体よ
りなるヘース」二面にキャップを引出電極と接触せずに
封着したので、気密封止が簡単で、接着剤の選定が容易
となる。
りなるヘース」二面にキャップを引出電極と接触せずに
封着したので、気密封止が簡単で、接着剤の選定が容易
となる。
また、キャップとヘースとが同一材料よりなるので、温
度変化によって両者が熱膨張しても、気密性が全く劣化
せず、信頼性の高い表面波デバイスを得ることができる
。
度変化によって両者が熱膨張しても、気密性が全く劣化
せず、信頼性の高い表面波デバイスを得ることができる
。
さらに、ヘース上下面に引出電極を兼ねるコンデンサ電
極を設けることにより、表面波素子を静電容量を介して
外部に交流的δこ接続できるので、小型のコンデンサ内
蔵型表面波デバイスを得ることができる。
極を設けることにより、表面波素子を静電容量を介して
外部に交流的δこ接続できるので、小型のコンデンサ内
蔵型表面波デバイスを得ることができる。
第1図は本発明にかかる表面波デバイスの一例の分解斜
視図、第2図はヘースの下面側の斜視図、第3図は表面
波素子の斜視図、第4図は第1図のTV−TV線断面図
、第5図は等価回路図、第6図は従来例の分解斜視図で
ある。 1・・・ヘース、236.7・・・コンデンリ“電極、
8・・・キャップ封着部、10 表面波素子、15.
16・・・ボンディングワイヤ、20・・・キャップ、
21・・・接着剤。
視図、第2図はヘースの下面側の斜視図、第3図は表面
波素子の斜視図、第4図は第1図のTV−TV線断面図
、第5図は等価回路図、第6図は従来例の分解斜視図で
ある。 1・・・ヘース、236.7・・・コンデンリ“電極、
8・・・キャップ封着部、10 表面波素子、15.
16・・・ボンディングワイヤ、20・・・キャップ、
21・・・接着剤。
Claims (1)
- 表面波素子がベース上に固定され、表面波素子の電極
とベース上の引出電極とが電気的に接続されるとともに
、ベース上に表面波素子を覆うキャップが封着される表
面波デバイスにおいて、上記ベースが誘電体で構成され
るとともに、キャップがベースと同一材料で構成され、
表面波素子の電極と接続されたベース上面の引出電極は
キャップ封着部より内側に形成され、該引出電極をコン
デンサ電極とするとともに、ベース下面の上記コンデン
サ電極と対向する部位にコンデンサ電極が形成されてい
ることを特徴とする表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19879089A JPH0362716A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19879089A JPH0362716A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362716A true JPH0362716A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16396952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19879089A Pending JPH0362716A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362716A (ja) |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19879089A patent/JPH0362716A/ja active Pending
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