JPH01129403A - 高周波高透磁率磁性材料 - Google Patents
高周波高透磁率磁性材料Info
- Publication number
- JPH01129403A JPH01129403A JP62287510A JP28751087A JPH01129403A JP H01129403 A JPH01129403 A JP H01129403A JP 62287510 A JP62287510 A JP 62287510A JP 28751087 A JP28751087 A JP 28751087A JP H01129403 A JPH01129403 A JP H01129403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cao
- magnetic
- ferrite
- added
- permeability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダやハードディスク用の
磁気ヘッド材として使用される高周波特性に優れた高周
波高透磁率磁性材料に関するものであり、特にその組成
に関するものである。
磁気ヘッド材として使用される高周波特性に優れた高周
波高透磁率磁性材料に関するものであり、特にその組成
に関するものである。
本発明は、磁気ヘッド材として使用される高周波高透磁
率磁性材料において、ＦｅよＯ，、ＺｎＯ。
率磁性材料において、ＦｅよＯ，、ＺｎＯ。
ＭｎＯを基本組成とし、所定の組成比で混合してなるフ
ェライト材に、所定の酸化物材料を添加することにより
、高周波数帯域での透磁率をはじめとする各種の特性を
大幅に改善しようとするものである。
ェライト材に、所定の酸化物材料を添加することにより
、高周波数帯域での透磁率をはじめとする各種の特性を
大幅に改善しようとするものである。
ビデオテープレコーダやハードディスク駆動装置等に用
いられる磁気ヘッド用のフェライト材は、高周波特性が
良く、加工性にも優れ、磁気テープとの摺動における耐
摩耗性等も良好であることが要求される。
いられる磁気ヘッド用のフェライト材は、高周波特性が
良く、加工性にも優れ、磁気テープとの摺動における耐
摩耗性等も良好であることが要求される。
ここで上記加工性については、本発明者等は先にフェラ
イトの基本組成物にＺｒＯ□を所定量添加することに゛
よって良好に改善されることを提案した。
イトの基本組成物にＺｒＯ□を所定量添加することに゛
よって良好に改善されることを提案した。
一方、高周波特性を改善する方法としては、従来は、Ｃ
ａＯもしくは５ｔＯｚ（一般には両者を同時に複合添加
する場合が多い、）を添加するという方法が知られてい
る。
ａＯもしくは５ｔＯｚ（一般には両者を同時に複合添加
する場合が多い、）を添加するという方法が知られてい
る。
ところで、特にハードディスク等の記録再生に使用され
る磁気ヘッドには、より一層の高周波特性、すなわち高
周波数帯域における高透磁率化が要求されるため、高周
波特性を改善する上記ＣａＯもしくはＳｉＯ□等の元素
を多情に添加することが必要になっている。しかしなが
ら、高周波特性改善元素を過添加状態とした場合に材料
の密度を向上させることを目的として焼結温度を高くし
た場合には、異常な焼結反応が起こってしまい焼結組成
が大きな結晶と小さな結晶との混在状態を呈することと
なり、これらの元素が粒界に析出し高周波特性の劣化や
材料強度の劣化等を招くこととなってしまう。すなわち
、上記ＣａＯもしくは５ｉｆｔ等の元素を添加すること
による高周波特性の改善には限界があり、高周波数帯域
での高透磁率化にも自ずと限界がある。
る磁気ヘッドには、より一層の高周波特性、すなわち高
周波数帯域における高透磁率化が要求されるため、高周
波特性を改善する上記ＣａＯもしくはＳｉＯ□等の元素
を多情に添加することが必要になっている。しかしなが
ら、高周波特性改善元素を過添加状態とした場合に材料
の密度を向上させることを目的として焼結温度を高くし
た場合には、異常な焼結反応が起こってしまい焼結組成
が大きな結晶と小さな結晶との混在状態を呈することと
なり、これらの元素が粒界に析出し高周波特性の劣化や
材料強度の劣化等を招くこととなってしまう。すなわち
、上記ＣａＯもしくは５ｉｆｔ等の元素を添加すること
による高周波特性の改善には限界があり、高周波数帯域
での高透磁率化にも自ずと限界がある。
上述のようにフェライト材に要求される高周波特性や加
工性を達成するためにフェライト材の基本組成物に所定
の添加元素を添加した場合であってもその改善の効果に
は限界があり、所望する高周波特性を満足するには充分
ではなかった。
工性を達成するためにフェライト材の基本組成物に所定
の添加元素を添加した場合であってもその改善の効果に
は限界があり、所望する高周波特性を満足するには充分
ではなかった。
そこで本発明は、上述の問題点を解決するために提案さ
れたものであって、保磁力を劣化させることなく加工特
性も良好なままの状態で、高周波数帯域でのｉｌｆ率を
はじめとする各種の特性を大幅に改善することを目的と
するものである。
れたものであって、保磁力を劣化させることなく加工特
性も良好なままの状態で、高周波数帯域でのｉｌｆ率を
はじめとする各種の特性を大幅に改善することを目的と
するものである。
本発明は、上述の目的を達成するために、Ｆｅ。
Ｏｈ：５０〜６５モル％、ＺｎＯ：５〜３０モル％、Ｍ
ｎＯ：１０〜４０モル％を基本組成とし、Ｚ ｒ ０２
： ０．０１〜Ｏ，’２重量％、ＣａＯ：０．０１〜
０．５重景％を含有するとともに、さらにＴ ｔ Ｏ。
ｎＯ：１０〜４０モル％を基本組成とし、Ｚ ｒ ０２
： ０．０１〜Ｏ，’２重量％、ＣａＯ：０．０１〜
０．５重景％を含有するとともに、さらにＴ ｔ Ｏ。
及びＳｎｏｗの少なくとも１種を０．０１〜０．３型組
％含有することを特徴とするものである。
％含有することを特徴とするものである。
ここで、本発明で使用されるフェライト材の基本組成は
、Ｆｅｚｏｚ：５０〜６５モル％、ＺｎＯ：５〜３０モ
ル％、ＭｎＯ： １０〜４０モル％からなる。一般にＭ
ｎ −Ｚ ｎ系フェライトと言われるものである。Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライトの基本組成を上述の組成比の範囲
内としたのは、これ以外では透磁率が極めて小さくなり
、また飽和磁束密度の減少や保磁力の増大等を招き軟質
磁性材料として実用性に欠けることとなるためである。
、Ｆｅｚｏｚ：５０〜６５モル％、ＺｎＯ：５〜３０モ
ル％、ＭｎＯ： １０〜４０モル％からなる。一般にＭ
ｎ −Ｚ ｎ系フェライトと言われるものである。Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライトの基本組成を上述の組成比の範囲
内としたのは、これ以外では透磁率が極めて小さくなり
、また飽和磁束密度の減少や保磁力の増大等を招き軟質
磁性材料として実用性に欠けることとなるためである。
本発明の高周波高透磁率磁性材料は、上述の基本組成物
の他に、先ずＺｒＯ２を０．０１〜０．２重量％、Ｃａ
Ｏを０．０１〜０．５重量％を含有した組成である。
の他に、先ずＺｒＯ２を０．０１〜０．２重量％、Ｃａ
Ｏを０．０１〜０．５重量％を含有した組成である。
」二足Ｚｒ０ｚを含有することにより、フェライト材の
磁気損失特性の改善に著しい効果が得られる。このＺｒ
Ｏ，の含有量は、０．０１〜０．２ｆｆｌｆｆ１％であ
ることが好ましい、上記Ｚ ｒ Ｏｔの含有４１が０．
０１ｆｆ（ｆｆｉ％未満であった場合には加工性を充分
に改善することができず、ＺｒＯ□の含ＫｒＰＡが０．
２重吋％を越えると透磁率の低下、飽和磁束密度の減少
や保磁力の増大等磁気損失も大きくなり好ましくない。
磁気損失特性の改善に著しい効果が得られる。このＺｒ
Ｏ，の含有量は、０．０１〜０．２ｆｆｌｆｆ１％であ
ることが好ましい、上記Ｚ ｒ Ｏｔの含有４１が０．
０１ｆｆ（ｆｆｉ％未満であった場合には加工性を充分
に改善することができず、ＺｒＯ□の含ＫｒＰＡが０．
２重吋％を越えると透磁率の低下、飽和磁束密度の減少
や保磁力の増大等磁気損失も大きくなり好ましくない。
一方、フェライト材の基本組成物にＣａＯを含有させる
ことにより低磁気損失が得られる。このＣａＯの含有量
は、０．０１〜０．５重量％であることが好ましい。上
記ＣａＯの含有量が０．０１３１１ｕ１％未満であった
場合には電気抵抗が小さくなり所定の磁気特性が得られ
ず、ＣａＯの含イｒｌｆｋが０．５重量％を越えると高
密度化のため焼結温度を高くすると異常ｍ１ｔｔが発生
しやすく、さらに透磁率の低下、飽和磁束密度の減少や
保ｉｆｆ力の増大等磁気損失も大きくなる。
ことにより低磁気損失が得られる。このＣａＯの含有量
は、０．０１〜０．５重量％であることが好ましい。上
記ＣａＯの含有量が０．０１３１１ｕ１％未満であった
場合には電気抵抗が小さくなり所定の磁気特性が得られ
ず、ＣａＯの含イｒｌｆｋが０．５重量％を越えると高
密度化のため焼結温度を高くすると異常ｍ１ｔｔが発生
しやすく、さらに透磁率の低下、飽和磁束密度の減少や
保ｉｆｆ力の増大等磁気損失も大きくなる。
ここで、前述のＺｒ０ｚ＋ＣａＯの添加のみでもある程
度遇磁率の高周波特性が向上するが、本発明の高周波高
透磁率磁性材料では、さらにＴ ｉ Ｏを及びＳｎＯ□
の少なくとも１種を０．０１〜０．３重量％添加するも
のとする。
度遇磁率の高周波特性が向上するが、本発明の高周波高
透磁率磁性材料では、さらにＴ ｉ Ｏを及びＳｎＯ□
の少なくとも１種を０．０１〜０．３重量％添加するも
のとする。
上記組成物にＴｉｏｔ及びＳｎＯ，の少なくとも一種を
添加するのは、ＣａＯとの複合添加によりＣａＯ単独添
加の場合よりもさらに優れた磁気特性が得られることか
らである。上記Ｔｉ１ｔ及び５ｎＯｔの少なくとも一種
の添加量は、０．０１〜０．３重量％であることが好ま
しく、０８０１重蛍 ゛％未満であると上記磁気特性の
改善効果が期待できず、０．３重量％を越えるとかえっ
て透磁率の低下、ｉ？！和磁束密度の減少や保磁力の増
大等の磁気特性の劣化を招くことになる。ここで、Ｔｉ
ｅ。
添加するのは、ＣａＯとの複合添加によりＣａＯ単独添
加の場合よりもさらに優れた磁気特性が得られることか
らである。上記Ｔｉ１ｔ及び５ｎＯｔの少なくとも一種
の添加量は、０．０１〜０．３重量％であることが好ま
しく、０８０１重蛍 ゛％未満であると上記磁気特性の
改善効果が期待できず、０．３重量％を越えるとかえっ
て透磁率の低下、ｉ？！和磁束密度の減少や保磁力の増
大等の磁気特性の劣化を招くことになる。ここで、Ｔｉ
ｅ。
及びＳｎｏｗの少なくとも一種とは、最低限度Ｔｉ０１
もしくはＳｎＯ，が添加されていればよいことを示すも
のであり、各々単独で添加してもよいが、Ｔｉ０ｚ＋Ｓ
ｎＯ□のように両者を同時にフェライト材基本組成物中
に添加し２てもよい、このように両者を同時に添加した
場合にもその添加量は０．０１〜０．３重ｆｆ１％とす
る。また、このように両者を同時に添加することにより
−ＪｉＴｔＯｚ及びＳｎｕｇを添加した効果が期待でき
る。
もしくはＳｎＯ，が添加されていればよいことを示すも
のであり、各々単独で添加してもよいが、Ｔｉ０ｚ＋Ｓ
ｎＯ□のように両者を同時にフェライト材基本組成物中
に添加し２てもよい、このように両者を同時に添加した
場合にもその添加量は０．０１〜０．３重ｆｆ１％とす
る。また、このように両者を同時に添加することにより
−ＪｉＴｔＯｚ及びＳｎｕｇを添加した効果が期待でき
る。
本発明に係る高周波高透磁率磁性材料を形成するには、
通常の乾式法が採用されるが、さらに熱間静水圧プレス
処理（以下ＨＩ’Ｐ処理という、）を行うことが好まし
い。上記ＨＩＰ処理とは、−次焼結の後行うプレス処理
のことであり、このＨＩＰ処理による方法は、高圧ガス
雰囲気中でガス圧による高圧を加圧焼成物に対して周囲
から加え、等方からプレスするようにしたものであり、
数千ｋｇ／−から１万ｋｇ ／ ｃｊ程度の高圧を加え
ることが可能であることから、非常に高密度なフェライ
トの作製が可能となる。
通常の乾式法が採用されるが、さらに熱間静水圧プレス
処理（以下ＨＩ’Ｐ処理という、）を行うことが好まし
い。上記ＨＩＰ処理とは、−次焼結の後行うプレス処理
のことであり、このＨＩＰ処理による方法は、高圧ガス
雰囲気中でガス圧による高圧を加圧焼成物に対して周囲
から加え、等方からプレスするようにしたものであり、
数千ｋｇ／−から１万ｋｇ ／ ｃｊ程度の高圧を加え
ることが可能であることから、非常に高密度なフェライ
トの作製が可能となる。
上記ＨＩ Ｐ処理条件は通常の条件であれば特に制約さ
れるものではないが、次に示すような条件で処理される
ことが好ましい。
れるものではないが、次に示すような条件で処理される
ことが好ましい。
すなわち、先ずフェライト材を所定の焼結温度Ｔ、（但
し１０５０℃≦Ｔｉ）で−次焼結し、結晶粒の粒成長を
起こすことにより作製したフェライト焼結体を密度９０
％以上としてＨＩＰ処理に備える。ここで、上記焼結温
度Ｔ、が１０５θ℃未満であると、フェライトの平衡酸
素圧に現実的にできないため酸化気味となってヘマタイ
トが析出する戊がある。さらには、フェライトの反応（
スピネル化）が終了する温度１０５０〜１１００℃であ
るために、仮に焼結体ができてもスピネル化が不十分で
、所定の磁気特性が得られない虞がある。グレイン（結
晶粒子）の成長を充分なものとするには、焼結温度Ｔ、
を１２５θ℃以上にすることが好ましいが、粒成長を１
５μｍ以下に抑え、加工性の改善を図ろうとする場合に
は、上記焼結温度Ｔ、は１２５０℃以下に抑えることが
好ましい。
し１０５０℃≦Ｔｉ）で−次焼結し、結晶粒の粒成長を
起こすことにより作製したフェライト焼結体を密度９０
％以上としてＨＩＰ処理に備える。ここで、上記焼結温
度Ｔ、が１０５θ℃未満であると、フェライトの平衡酸
素圧に現実的にできないため酸化気味となってヘマタイ
トが析出する戊がある。さらには、フェライトの反応（
スピネル化）が終了する温度１０５０〜１１００℃であ
るために、仮に焼結体ができてもスピネル化が不十分で
、所定の磁気特性が得られない虞がある。グレイン（結
晶粒子）の成長を充分なものとするには、焼結温度Ｔ、
を１２５θ℃以上にすることが好ましいが、粒成長を１
５μｍ以下に抑え、加工性の改善を図ろうとする場合に
は、上記焼結温度Ｔ、は１２５０℃以下に抑えることが
好ましい。
また、−次焼結に際しては、焼結時の雰囲気の酸素分圧
を適切に選ぶ必要がある。酸素分圧が必要以上に高すぎ
ると焼結時にα−Ｆｅｚｅｓが析出し、酸素分圧が必要
以上に低すぎて焼結後のフェライト焼結体中の酸素量が
少ないと、次のＨＩＰ処理工程においてフェライトにク
ラックが入り易（なる、したがって、通常はフェライト
の組成。
を適切に選ぶ必要がある。酸素分圧が必要以上に高すぎ
ると焼結時にα−Ｆｅｚｅｓが析出し、酸素分圧が必要
以上に低すぎて焼結後のフェライト焼結体中の酸素量が
少ないと、次のＨＩＰ処理工程においてフェライトにク
ラックが入り易（なる、したがって、通常はフェライト
の組成。
焼結温度に応じた平衡酸素圧に設定する。特に、所定の
焼結温度Ｔ、に達するまでの昇温時ならびに焼結終了後
の降温時には窒素雰囲気（窒素に限らず不活性ガス雰囲
気であれば良い、）とし、焼結温度Ｔ、での焼成時にの
み温度Ｔ、に対応した平衡酸素圧濃度に設定すれば、ウ
スタイト層やヘマタイト層の析出がほとんどなく、極め
て良好な焼結状態となる。
焼結温度Ｔ、に達するまでの昇温時ならびに焼結終了後
の降温時には窒素雰囲気（窒素に限らず不活性ガス雰囲
気であれば良い、）とし、焼結温度Ｔ、での焼成時にの
み温度Ｔ、に対応した平衡酸素圧濃度に設定すれば、ウ
スタイト層やヘマタイト層の析出がほとんどなく、極め
て良好な焼結状態となる。
上述の一次焼結により得られたフェライト焼結体は、必
要に応じてフェライト粉末により表面を包んだ状態（あ
るいはフェライト粉末中に埋め込んだ状Ｂ）とした後、
ＨＩＰ処理を施して高密度化する。ＨＩＰ処理は、高圧
ガス雰囲気中でガス圧による高圧を加圧焼成物に対して
周囲から加えるようにしたものであるが、このＨＩＰ処
理を前記フェライト粉末の焼成温度Ｔ、よりも低く、且
つ前記−次焼結温度Ｔ、よりも低く粒成長が実質的に起
こらない温度Ｔｚ（但し１０００℃≦Ｔｔ≦１２５０℃
）で行い、フェライト焼結体を微細な結晶粒径のまま更
に高密度化してその密度を９９％以上とすることが好ま
しい。
要に応じてフェライト粉末により表面を包んだ状態（あ
るいはフェライト粉末中に埋め込んだ状Ｂ）とした後、
ＨＩＰ処理を施して高密度化する。ＨＩＰ処理は、高圧
ガス雰囲気中でガス圧による高圧を加圧焼成物に対して
周囲から加えるようにしたものであるが、このＨＩＰ処
理を前記フェライト粉末の焼成温度Ｔ、よりも低く、且
つ前記−次焼結温度Ｔ、よりも低く粒成長が実質的に起
こらない温度Ｔｚ（但し１０００℃≦Ｔｔ≦１２５０℃
）で行い、フェライト焼結体を微細な結晶粒径のまま更
に高密度化してその密度を９９％以上とすることが好ま
しい。
ＨＩＰ処理時の温度Ｔ２は、実際には、１０００℃≦Ｔ
！≦１２５０℃ であり、焼結温度Ｔ、との関係では、 Ｔ、≦７２−１００℃ であることが好ましい。
！≦１２５０℃ であり、焼結温度Ｔ、との関係では、 Ｔ、≦７２−１００℃ であることが好ましい。
すなわち、温度Ｔ２を１２５０℃より低くすることによ
り、結晶粒の成長を実質的に起こすことがな（、温度Ｔ
、における焼結による結晶粒径を維持しつつプレスによ
り所定の密度のものにすることができる。Ｉ（ＩＰ処理
時の温度Ｔ８が１２５０℃を越えると、フェライト焼結
体とフェライト粉末とが固相反応を起こして両者が焼結
し、処理後に除去しにくくなる。また温度Ｔ２を温度Ｔ
。
り、結晶粒の成長を実質的に起こすことがな（、温度Ｔ
、における焼結による結晶粒径を維持しつつプレスによ
り所定の密度のものにすることができる。Ｉ（ＩＰ処理
時の温度Ｔ８が１２５０℃を越えると、フェライト焼結
体とフェライト粉末とが固相反応を起こして両者が焼結
し、処理後に除去しにくくなる。また温度Ｔ２を温度Ｔ
。
より５０℃以上低くすることにより、結晶粒の成長を完
全に抑え、従って結晶粒成長に基づく歪の蓄積を完全に
防止することができ、処理後にアニリーングを施す必要
がない。
全に抑え、従って結晶粒成長に基づく歪の蓄積を完全に
防止することができ、処理後にアニリーングを施す必要
がない。
但し、上記−次焼結温度Ｔ、を１２５０℃以下に抑え、
粒成長を１５μｍ以下に抑えようとする場合には、ＨＩ
Ｐ処理処理圧度Ｔ！は、１０００℃≦Ｔｔ ≦１２００
℃、Ｔ２≦Ｔｓ ５０℃とすることが好ましい。
粒成長を１５μｍ以下に抑えようとする場合には、ＨＩ
Ｐ処理処理圧度Ｔ！は、１０００℃≦Ｔｔ ≦１２００
℃、Ｔ２≦Ｔｓ ５０℃とすることが好ましい。
また、このＨＩＰ処理処理圧力は３００気圧以上である
のが望ましい、圧力を３００気圧以上とすれば、フェラ
イト焼結体の密度が９９％以上となるまで高密度化する
ことができる。この場合、プレス時の圧力と時間との間
には一定の関係があり、例えば圧力３００気圧では１０
時間、圧力５００気圧では４時間、圧力２０００気圧で
は３０分とすればよい。
のが望ましい、圧力を３００気圧以上とすれば、フェラ
イト焼結体の密度が９９％以上となるまで高密度化する
ことができる。この場合、プレス時の圧力と時間との間
には一定の関係があり、例えば圧力３００気圧では１０
時間、圧力５００気圧では４時間、圧力２０００気圧で
は３０分とすればよい。
なお、上記ＨＩＰ処理を行うにあたっては、−次焼結に
よってフェライト焼結体の密度を９０％（Ｘ線密度ある
いは理論密度に帯する実測密度の比）以上としているの
で、空孔が存在していてもそのフェライト焼結体はほぼ
閉孔状態となっており、このため直接高圧ガス中に入れ
ても表面から雰囲気ガスが浸入せず、従来のように白金
、ニッケル又はガラス製の容器に真空封入することなく
ＨＩ Ｐ処理の高圧容器内に直接入れることができる。
よってフェライト焼結体の密度を９０％（Ｘ線密度ある
いは理論密度に帯する実測密度の比）以上としているの
で、空孔が存在していてもそのフェライト焼結体はほぼ
閉孔状態となっており、このため直接高圧ガス中に入れ
ても表面から雰囲気ガスが浸入せず、従来のように白金
、ニッケル又はガラス製の容器に真空封入することなく
ＨＩ Ｐ処理の高圧容器内に直接入れることができる。
磁気ヘッド用のフェライト材にＺｒＯ□を添加すること
で加工性が改善され粒界強度が向上する。
で加工性が改善され粒界強度が向上する。
また、このフェライト材にＣａＯを添加し、さらにＳｎ
Ｏ，及びＴ ｉ Ｏ，の少なくとも１種を添加すること
により、加工性や材料強度、さらには低保磁力等を維持
したまま磁気特性、特に高周波特性が改善される。
Ｏ，及びＴ ｉ Ｏ，の少なくとも１種を添加すること
により、加工性や材料強度、さらには低保磁力等を維持
したまま磁気特性、特に高周波特性が改善される。
以下、本発明の実施例について図面を参考にして説明す
る。
る。
Ｆｅ、Ｏ，：５３モル％、ＺｎＯ：１６モル％。
Ｍｎｏ ： ３１モル％からなるフェライト原料粉にＺ
ｒＯ□、ＣａＯを第１表に示す範囲で添加し、さらに第
３の添加元素としてＴｉ０ｚもしくは５ｎＯｔを第１表
で示す範囲で添加し、通常の湿式混合を行った後、これ
を１２φ×７φ×４鶴のトロイダル状に成形した。そし
て、このトロイダル状の成形体を平衡酸素圧を考慮して
酸素を含む窒素ガス雰囲気中で１２５０℃、４時間の条
件でフェライト化のための一次焼結を行った。その後、
１２００℃、１０００ｋｇ／−の圧力で３時間、アルゴ
ンガス雰囲気中でＨＩ Ｐ処理を行い、所望のフェライ
ト材を作製した。
ｒＯ□、ＣａＯを第１表に示す範囲で添加し、さらに第
３の添加元素としてＴｉ０ｚもしくは５ｎＯｔを第１表
で示す範囲で添加し、通常の湿式混合を行った後、これ
を１２φ×７φ×４鶴のトロイダル状に成形した。そし
て、このトロイダル状の成形体を平衡酸素圧を考慮して
酸素を含む窒素ガス雰囲気中で１２５０℃、４時間の条
件でフェライト化のための一次焼結を行った。その後、
１２００℃、１０００ｋｇ／−の圧力で３時間、アルゴ
ンガス雰囲気中でＨＩ Ｐ処理を行い、所望のフェライ
ト材を作製した。
第１表
上述のようにして形成したフェライト材について実効透
磁率μ°、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ 。
磁率μ°、飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ 。
加工性について測定を行った。その結果を第２表に示す
。
。
第２表
上記第２表より明らかなように、基本組成物からなるフ
ェライト材にＺｒＯ□とＣａＯを添加したのみであって
も５ＭＨｚにおける実効透磁率は７００を越えるように
なるが、さらにＴ ｉ ＯｔやＳ ｎ Ｏｔを僅かに添
加することによって保磁力は９００を越える高い値を示
すようになる。
ェライト材にＺｒＯ□とＣａＯを添加したのみであって
も５ＭＨｚにおける実効透磁率は７００を越えるように
なるが、さらにＴ ｉ ＯｔやＳ ｎ Ｏｔを僅かに添
加することによって保磁力は９００を越える高い値を示
すようになる。
ここで、第１図にＴｉｅ、、ＳｎＯ，を添加した場合に
おけるＴｉＯ□、ＳｎＯ□の添加量と実効ｉ２［率μ゛
の関係を示した。なお、第１図中・印は周波数１ｋｌｌ
ｚにおけるＴｉ０ｉの添加量と実効ｉ！ｌ磁率μ′との
関係を示すものであり、Ｏ印は周波数１ｋｌｌｚにおけ
るＳｎＯ，の添加量と実効透磁率μ°との関係を示すも
のである。また、第１図中ム印は周波数ＩＭＨｚにおけ
るＴｉ０ｔの添加量と実効１ｇ１ｆｆ率μ゛との関係を
示すものであり、Δ印は周波数ＩＭＩＩｚにおけるＳ
ｎ Ｏｔの添加量と実効透磁率μ° との関係を示すも
のである。さらに、第１図中■印は周波数５ＭＨｚにお
けるＴ ｉ Ｏｚの添加量と実効透磁率μ′ との関係
を示すものであり、０印は周波数５ＭＨｚにおけるＳｎ
Ｏ□の添加■と実効透磁率μ′ との関係を示すもので
ある。
おけるＴｉＯ□、ＳｎＯ□の添加量と実効ｉ２［率μ゛
の関係を示した。なお、第１図中・印は周波数１ｋｌｌ
ｚにおけるＴｉ０ｉの添加量と実効ｉ！ｌ磁率μ′との
関係を示すものであり、Ｏ印は周波数１ｋｌｌｚにおけ
るＳｎＯ，の添加量と実効透磁率μ°との関係を示すも
のである。また、第１図中ム印は周波数ＩＭＨｚにおけ
るＴｉ０ｔの添加量と実効１ｇ１ｆｆ率μ゛との関係を
示すものであり、Δ印は周波数ＩＭＩＩｚにおけるＳ
ｎ Ｏｔの添加量と実効透磁率μ° との関係を示すも
のである。さらに、第１図中■印は周波数５ＭＨｚにお
けるＴ ｉ Ｏｚの添加量と実効透磁率μ′ との関係
を示すものであり、０印は周波数５ＭＨｚにおけるＳｎ
Ｏ□の添加■と実効透磁率μ′ との関係を示すもので
ある。
上記第１図から明らかなように、ＺｒＯ，、ＣａＯの他
にさ６にＴｉＯ□、Ｓｎｏｗのような４価の元素を添加
することによって高周波数帯域におけるＨ磁率化が達成
される。
にさ６にＴｉＯ□、Ｓｎｏｗのような４価の元素を添加
することによって高周波数帯域におけるＨ磁率化が達成
される。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る高周波高
透磁率磁性材料にあっては、Ｆｅ、Ｏ，。
透磁率磁性材料にあっては、Ｆｅ、Ｏ，。
ＺｎＯ，Ｍｎ○からなる基本組成に、加工特性を改善す
るＺｒ０ｔと低損失材であるＣａＯを含有し、さらに高
周波数帯域での透磁率等の磁気特性を改善するＴｉＯ□
及びＳｎＯ，“の少なくとも１種を含存し・ているため
、加工性、材料強度等を維持したまま高周波数帯域での
透磁率をはじめとする各種の磁気特性を大幅に改善する
ことができる。
るＺｒ０ｔと低損失材であるＣａＯを含有し、さらに高
周波数帯域での透磁率等の磁気特性を改善するＴｉＯ□
及びＳｎＯ，“の少なくとも１種を含存し・ているため
、加工性、材料強度等を維持したまま高周波数帯域での
透磁率をはじめとする各種の磁気特性を大幅に改善する
ことができる。
第１図はＴ ｉＯｔ ＊ Ｓ ｎ Ｏｚの添加量と実効
透磁率μ°の関係を示す特性図である。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小池 晃 岡 旧材 榮− 同 佐応 勝 ＴｉＯ２，５ｎ０２二広７＋ＤＩＪ （ｉ！’
／＋）第１図 手ｖ９主甫正吾Ｙ（自発） 昭和６３年２月１０日
透磁率μ°の関係を示す特性図である。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小池 晃 岡 旧材 榮− 同 佐応 勝 ＴｉＯ２，５ｎ０２二広７＋ＤＩＪ （ｉ！’
／＋）第１図 手ｖ９主甫正吾Ｙ（自発） 昭和６３年２月１０日
Claims (1)
- Ｆｅ＿２Ｏ＿３：５０〜６５モル％，ＺｎＯ：５〜３０
モル％，ＭｎＯ：１０〜４０モル％を基本組成とし、Ｚ
ｒＯ＿２：０．０１〜０．２重量％，ＣａＯ：０．０１
〜０．５重量％を含有するとともに、さらにＴｉＯ＿２
及びＳｎＯ＿２の少なくとも１種を０．０１〜０．３重
量％含有することを特徴とする高周波高透磁率磁性材料
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287510A JP2775740B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高周波高透磁率磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287510A JP2775740B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高周波高透磁率磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129403A true JPH01129403A (ja) | 1989-05-22 |
| JP2775740B2 JP2775740B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17718274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62287510A Expired - Fee Related JP2775740B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高周波高透磁率磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775740B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5836974A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-04 | 住友特殊金属株式会社 | 低磁気損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトの製造方法 |
| JPS60137830A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ζｎ系フエライトの製造方法 |
| JPS60262404A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフエライトの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62287510A patent/JP2775740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5836974A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-04 | 住友特殊金属株式会社 | 低磁気損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトの製造方法 |
| JPS60137830A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ζｎ系フエライトの製造方法 |
| JPS60262404A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフエライトの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2775740B2 (ja) | 1998-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3968188B2 (ja) | フェライト | |
| EP1101736B1 (en) | Mn-Zn ferrite and production thereof | |
| JP3597673B2 (ja) | フェライト材料 | |
| JPS61256967A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フエライトの製造方法 | |
| JPH01129403A (ja) | 高周波高透磁率磁性材料 | |
| JPS60262404A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎフエライトの製造方法 | |
| JPH0244099A (ja) | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 | |
| JPH06333726A (ja) | 高密度Ｍｎ−Ｚｎフェライトの製造方法 | |
| JP3597665B2 (ja) | Ｍｎ−Ｎｉフェライト材料 | |
| JPS6224380B2 (ja) | ||
| JPH0433756B2 (ja) | ||
| KR0143068B1 (ko) | 산화물 자성재료의 제조방법 | |
| JPH06333725A (ja) | 高密度フェライト | |
| JP2004006809A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品 | |
| JPH0742554B2 (ja) | 磁性材料及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2925775B2 (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2627676B2 (ja) | 酸化物磁性材料の製造方法 | |
| JP2566143B2 (ja) | 複合磁気ヘッド用高密度，高熱膨張率フェライト及びその製造方法 | |
| JPH04193797A (ja) | 単結晶フェライト | |
| JPH03141611A (ja) | 微粒組織Ｍｎ―Ｚｎフェライト材料及びその製造方法 | |
| JPH0729718A (ja) | 高密度フェライトの製造方法 | |
| JPH06325919A (ja) | 酸化物磁性材料及びその製造方法 | |
| JPH01253210A (ja) | 多結晶フェライト材料及びその製造法 | |
| JPH0335507A (ja) | 単結晶フェライト、並びにその磁気ヘッド | |
| JPH0455362A (ja) | 酸化物磁性材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |