JPH01129449A - マルチチップモジュール及びそれに用いるモジュール基板 - Google Patents

マルチチップモジュール及びそれに用いるモジュール基板

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Publication number
JPH01129449A
JPH01129449A JP62287391A JP28739187A JPH01129449A JP H01129449 A JPH01129449 A JP H01129449A JP 62287391 A JP62287391 A JP 62287391A JP 28739187 A JP28739187 A JP 28739187A JP H01129449 A JPH01129449 A JP H01129449A
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JP
Japan
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inspection
chip
input
multilayer wiring
pad
Prior art date
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Pending
Application number
JP62287391A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Matsumoto
邦夫 松本
Takanobu Noro
野呂 孝信
Naoya Isada
尚哉 諌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US07/271,677 priority patent/US4922377A/en
Publication of JPH01129449A publication Critical patent/JPH01129449A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/877Bump connectors and die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数の半導体素子(以下、LSIチップという
)を搭載したマルチチップモジュール及びLSIチップ
を相互接続するマルチチップモジュール基板に関する。
〔従来の技術〕
複数のLSIチップ(単にチップとも略称する)を相互
接続するモジュール基板構成の従来例として米国特許第
4302625号及び高密度実装技術、高密度多層基板
の応用(サイエンスフォーラム、昭和61年3月15日
、第196頁から第197頁)記載の多層セラミック基
板を挙げることができる。
この従来例では、LSIチップ相互接続用多層セラミッ
ク基板において、検査・技術変更パッドをチップ搭載面
(以下、基板表面という)に設け。
入出力及び給電ピンをチップ搭載裏面(以下、載板裏面
という)に載置した構成となっている。また、チップの
放熱のための冷却体がチップ背面に熱接続できる構成と
なっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来実装構成では、検査・技術変更用パッドがLS
Iチップ周辺の基板表面に略チップ信号端子数だけ配置
されているので、多端子化傾向にあるLSIチップの実
装では、検査・技術変更用パッド領域の確保のためにチ
ップの実装密度を犠牲にしなければならなかった。
また、モジュール検査時においては、検査用プローブを
検査・技術変更パッドに接続させるために、チップ背面
に熱接続されるべき冷却体をはずす必要があった。その
代り、検査用プローブの障害にならない特別の検査時冷
却システムを用意しなければならなかった。
本発明の目的は、上記した(1)検査・技術変更用パッ
ド領域確保のためのチップ実装密度低下、及び(2)モ
ジュール検査時における検査時冷却システムの要求の2
つの問題を解決することにある。
つまり1本発明の第1の目的は、LSIチップが高密度
に搭載され、かつモジュール検査時に特別のチップ冷却
システムを要せず、実使用時の冷却システムのままの状
態で容易に検査可能なマルチチップモジュールを提供す
ることにあり、第2の目的は、上記マルチチップモジュ
ールの使用に好適なモジュール基板を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、基板裏面に検査・技術変更用パッド〔と入
出力ピン(端子)〕を、基基板面に電源バス(給電端子
)を設けることにより、達成される。
以下に本発明マルチチップモジュールの特徴点を列挙し
、さらに具体的に説明する。
(1)信号入出力端子、給電端子及び検査・技術変更用
パレドとを有する多層配線基板と、前記基板に搭載され
、かつその背面に冷却手段の設けられた複数の半導体L
SIチップとから成るマルチチップモジュールにおいて
、前記多層配線基板の表面には、その背面に冷却手段の
設けられたiII記半導体LSIチップが素子接続部を
通して電気的に接続配設されると共に、その周縁には電
源接続部を通して給電端子が配設されており、前記多層
配線基板の裏面には、前記半導体LSIチップに接続さ
れた入出力端子と検査・技術変更用パッドパターンとが
配設されていることを特徴とする。
(2)上記検査・技術変更用パッドには、対応する上記
半導体LSIチップの各入出力端子に接続するリードと
、隣接するL S Iチップ相互間を電気的に接続する
リードとが上記多層配線基板を介して接続されているこ
とを特徴とする。
(3)上記多層配線基板の裏面の主面には検査・技術変
更用パッドパターンが設けられ、その周縁に入出力端子
群が配設されて成ることを特徴とする。
次に、本発明マルチチップモジュール用基板の特徴点を
列挙し、さらに具体的に説明する。
(1)半導体LSIチップ搭載面のLSIチップ配設該
当周縁部に給電端子を設け、前記L S Iチップ搭載
、S面には検査・技術変更用パッドパターンと入出力端
子とを設けると共に、少なくとも前記検査・技術変更用
パッドパターンに接続する前記L S Iチップの電極
からのリードと隣接する前記LSIチップ相互間を電気
的に接続するリードとを内在させた多層配線構造体から
成ることを特徴とする。
(2)上記検査・技術変更用パッドには対応する上記半
導体LSIチップの各入力端子に接続するリードと、隣
接するLSIチップ相互間を電気的に接続するリードと
が接続されていることを特徴とする。
(3)上記検査・技術変更用パッドパターンの周縁に入
出力群を設けたことを特徴とする。
(4)上記多層配線構造体には少なくとも給電層、信号
入出力層及び接地層の三層が積層して成ることを特徴と
する。
(5)上記多層配線構造体は配線パターンの施されたセ
ラミックスの積層板から成ることを特徴とする。
(作用〕 まず、基板表面のLSIチップ周辺に設けられていた検
査・技術変更用パッドを基板裏面に配置し、代りに基板
表面のチップ周辺に電源バス(給電端子)を設けること
について考える。本発明においては、電源バスに使われ
る導体の厚さを数mm以下にしてもその高さ方向に制限
がないため、導体高さを十分高く確保でき、給電経路の
抵抗を小さく抑えることは可能である。一方、検査・技
術変更用パッドは基板表面よりも基板裏面に配置した方
がチップ搭載面積だけ余裕ができ、より多くの検査・技
術変更用パッドを配置できる。すなわち、検査・技術変
更用パッド数を十分確保しつつ。
LSIチップを高密度に実装することが可能となる。ま
た、モジュール検査時においては、基板裏面から検査用
プローブを検査・技術変更バッドに接続させることがで
き、素子背面に熱接続されている冷却体をはずす必要は
なく特別な検査時冷却システムは不要となる。
〔実施例〕
以下1本発明の一実施例を第1図及び第2図により説明
する。
第1図は本発明の一実施例を示すマルチチップモジュー
ルの断面図、第2図は同斜視図である6第1図及び第2
図において、 10は搭載すべきLSIチップ、20は
チップ10を冷却するための冷却体、21は冷却体20
に設けらJlた冷媒路、40はチップ10への給電用電
源バス、41は電源バス40の異種電圧印加用電源還体
、42は電源導体41相互の絶縁を図るための絶縁層、
30はモジュール基板、33はモジュール基板30にチ
ップ10を接続するための素子接続部、34はモジュー
ル基板30に電源導体41を接続するための電源接続部
、 31はチップ10への給′6用電源層、32はチッ
プ10相互を配線する配線層、5゜はモジュール基板3
0の裏面に配置された検査・技術変更バッド、51はチ
ップ10の(1号線を検査・技術変更パッド50に導く
ための貫通導体、52は検査・技術変更バッド50と配
線層32を結ぶための経由導体、35は他のモジュール
あるいは外部との信号接続用入出力ピン、60は検査・
技術変更バッド50 、kに接続された技術変更布線で
ある8 第1図及び第2図から分かるように、検査・技術変更用
パッド50を基板裏面に配置することにより、従来、チ
ップ10周辺に配置されていたときと比較しチップ10
を40〜50%増の高密度に配置可能となる。また、検
査時においては、検査用プローブを基板裏面方向から接
続可能となり1組み立てられたモジュール状態で検査で
きる。このため、検査時に特別な冷却システムを用意す
る必要はない。さらに、平面配置された検査・技術変更
パッド50へは検査用プローブの位置決めが容易となる
などの長所が挙げられる。このことは、技術変更布線6
0の接続をも容易ならしめる。
なお、本実施例では検査・技術変更用パッド50を基板
裏面に配置するために、入出力ピン35はモジュール基
板30の周辺に、電源系は電源バス40として基板表面
に載置する構成となっている。
〔発明の効果〕
本発明によれば、検査・技術変更用パッド領域を確保し
つつLSIチップ実装密度を向上させることができ、演
算速度の高速化等モジュール機能の向上が可能となる。
また、モジュール検査時において、特別な検査時冷却シ
ステムが不要となり、検査工程の簡素化等が図られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のマルチチップモジュールの
断面図、第2図は同じく斜視図である。 図において。 10・・・LSIチップ 20・・・冷却体 30・・・モジュール基板 40・・・電源バス 50・・・検査・技術変更パッド 35・・・入出力ピン 60・・・技術変更布線 代理人弁理士  中 村 純之助

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.信号入出力端子、給電端子及び検査・技術変更用パ
    ッドとを有する多層配線基板と、前記基板に搭載され、
    かつその背面に冷却手段の設けられた複数の半導体LS
    Iチップとから成るマルチチップモジュールにおいて、
    前記多層配線基板の表面には、その背面に冷却手段の設
    けられた前記半導体LSIチップが素子接続部を通して
    電気的に接続配設されると共に、その周縁には電源接続
    部を通して給電端子が配設されており、前記多層配線基
    板の裏面には、前記半導体LSIチップに接続された入
    出力端子と検査・技術変更用パッドパターンとが配設さ
    れていることを特徴とするマルチチップモジュール。
  2. 2.上記検査・技術変更用パッドは、対応する上記半導
    体LSIチップの各入出力端子に接続するリードと、隣
    接するLSIチップ相互間を電気的に接続するリードと
    が上記多層配線基板を介して接続されていることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のマルチチップモジュ
    ール。
  3. 3.上記多層配線基板の裏面の主面には検査・技術変更
    用パッドパターンが設けられ、その周縁に入出力端子群
    が配設されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項もしくは第2項記載のマルチチップモジュール。
  4. 4.半導体LSIチップ搭載面のLSIチップ配設該当
    周縁部に給電端子を設け、前記LSIチップ搭載裏面に
    は検査・技術変更用パッドパターンと入出力端子とを設
    けると共に、少なくとも前記検査・技術変更用パッドパ
    ターンに接続する前記LSIチップの電極からのリード
    と隣接する前記LSIチップ相互間を電気的に接続する
    リードとを内在させた多層配線構造体から成ることを特
    徴とするマルチチップモジュール用基板。
  5. 5.上記検査・技術変更用パッドには対応する上記半導
    体LSIチップの各入力端子に接続するリードと、隣接
    するLSIチップ相互間を電気的に接続するリードとが
    接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第4項
    記載のマルチチップモジュール用基板。
  6. 6.上記検査・技術変更用パッドパターンの周縁に入出
    力端子群を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第4
    項もしくは第5項記載のマルチチップモジュール用基板
  7. 7.上記多層配線構造体には少なくとも給電層、信号入
    出力層及び接地層の三層が積層して成ることを特徴とす
    る特許請求の範囲第4項、第5項もしくは第6項記載の
    マルチチップモジュール用基板。
  8. 8.上記多層配線構造体は配線パターンの施されたセラ
    ミックスの積層板から成ることを特徴とする特許請求の
    範囲第7項記載のマルチチップモジュール用基板。
JP62287391A 1987-11-16 1987-11-16 マルチチップモジュール及びそれに用いるモジュール基板 Pending JPH01129449A (ja)

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US07/271,677 US4922377A (en) 1987-11-16 1988-11-16 Module and a substrate for the module

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JP (1) JPH01129449A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5721299A (en) * 1989-05-26 1998-02-24 International Business Machines Corporation Electrically conductive and abrasion/scratch resistant polymeric materials, method of fabrication thereof and uses thereof
JP2010007306A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Takigen Mfg Co Ltd 筒状鍵使用のピンタンブラ錠

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