JPH01130537A - ダイボンディング装置 - Google Patents

ダイボンディング装置

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Publication number
JPH01130537A
JPH01130537A JP29012387A JP29012387A JPH01130537A JP H01130537 A JPH01130537 A JP H01130537A JP 29012387 A JP29012387 A JP 29012387A JP 29012387 A JP29012387 A JP 29012387A JP H01130537 A JPH01130537 A JP H01130537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
speed
scrubbing
collet
motor
Prior art date
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Pending
Application number
JP29012387A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Shiozaki
塩崎 章雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01130537A publication Critical patent/JPH01130537A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子(以下ダイという)をパッケージ又
はリードフレームに固着接続するダイボンディング装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体製品の製造工程において、ダイをパッケー
ジ又はリードフレームのダイ取付部に固着する場合、ダ
イの裏面とダイ取付部の取付面との間に金−シリコン共
晶構造を形成するためにダイに対してスクラブ動作(周
波数2〜5Hz、振幅0.2〜1mm)を与えている。
その場合、コレットを支持するボンディングアームをカ
ムで動作させることにより、パッケージ又はリードフレ
ームと相対的にスクラブ動作を与えている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のダイボンディング装置では大型のダイの
場合、ダイ裏面に金−シリコン共晶が発生するまではダ
イとダイ取付面との摩擦力が大きく、スクラブした際に
、スクラブ速度が速い場合にはコレットのダイ保持力よ
りもダイとダイ取付面の摩擦力が大きくなり、コレット
がダイに乗り上げることがある。逆にスクラブ速度を遅
くすると、ダイはコレットに確実に保持されるが、金−
シリコン共晶が十分に広がるまでには多くの時間が必要
となる。
つまり、ダイボンディング装置の能力を上げるためにス
クラブ速度を速くするとキズが多くなり。
キズを少なくするためにスクラブ速度を遅くすると、装
置能力が下がることとなる。
本発明の目的は上記問題点を解消したダイボンディング
装置を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のダイボンディング装置に対し、本発明は
スクラブ速度をスクラブ中に自動変速すなわち、低速か
ら徐々に高速へ変速することで、コレットのダイ乗り上
げを防止するという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体素子とパッケージ又はリードフレームと
を相対的にスクラブ運動させ、その両者を共晶合金によ
り接合するダイボンディング装置において、スクラブ速
度をスクラブ運動開始時に低速に設定し、徐々に高速に
変速する変速機構を装備したことを特徴とするダイボン
ディング装置である。
〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図である。
図において、アーム基板8上に上下駆動手段7をスライ
ドガイド15を介して図中左右方向に往復動可能に設置
し、該上下駆動手段7上に前後駆動手段6を設置する。
また前後駆動手段6にはボンディングアニム5を水平に
取付け、該アーム5の先端にコレット4を垂架させ、前
後駆動手段6及び上下駆動手段7により、コレット4に
吸着したダイ1のパッケージ2に対する位置決めを行う
さらに、上下駆動手段7に支柱13を取付け、該支柱1
3の下端にカムフォロワー10を軸支し、該カムフォロ
ワー10を、モータ11の回転軸12に軸支したカム9
にバネ14により弾接させる。さらに、スクラブ速度す
なわちモータ11の回転速度をスクラブ開始時に低速に
設定し、徐々に高速に変速する変速機構16を前記モー
タ11に装備する。
実施例において、ダイ1はボンディングアーム5の先端
に取付けられたコレット4により吸着され、図示しない
ヒータブロックにより加熱されたパッケージ2のダイ取
付部3に供給される。
ボンディングアーム5は上下駆動手段7上の前後駆動手
段6に取付けられ1図示しないダイ1の位置決め部より
パッケージ2上にダイ1を移送する。
スライドガイド15に取付けられた支柱13のカムフォ
ロワーlOはバネ14によりスクラブ運動を与えるカム
曲線を持つカム9に押し当てられている。
カム9が回転軸12を介してモータ11により回転する
ことにより、スライドガイド15上のボンディングアー
ム5がスクラブ運動をする。すなわち、ダイ1がスクラ
ブ運動をする。
ここで、変速機構16はモータ11の回転速度をスクラ
ブ開始時に低速に設定し、スクラブの経過とともに徐々
に高速に変速する。そのため、ダイ1真面に金−シリコ
ン共晶が少なく摩擦力が大きいときにはスクラブ速度が
遅く、金−シリコン共晶が広がり、摩擦力が小さくなっ
たときにはスクラブ速度を速くすることができる。した
がって、コレット4のダイ1への乗り上げが防止できる
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2の模式図である。本実施例で
は、パッケージ2はヒータブロック基板18上のスライ
ドガイド15に搭載されたヒータブロック17により加
熱されている。
スライドガイド15には実施例1と同様にスクラブ機構
が取付けられている。
本実施例では変速機構16によりモータ11の回転速度
を実施例1と同様に変速すれば、コレット4のダイ1へ
の乗り上げが防止できる。
また、この実施例では重量の軽いヒータブロック17を
動作させるためスクラブ機構が小型化できる利点がある
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はスクラブ速度をスクラブ中
に自動変速することにより、コレットのダイ乗り上げが
防止できるとともに歩留り向上ができ、さらにスクラブ
速度が可変できるため、ダイボンディング装置の能力も
低下させることなく、ダイボンディング作業ができる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の模式図、第2図は本発明の
実施例2の模式図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子とパッケージ又はリードフレームとを
    相対的にスクラブ運動させ、その両者を共晶合金により
    接合するダイボンディング装置において、スクラブ速度
    をスクラブ運動開始時に低速に設定し、徐々に高速に変
    速する変速機構を装備したことを特徴とするダイボンデ
    ィング装置。
JP29012387A 1987-11-17 1987-11-17 ダイボンディング装置 Pending JPH01130537A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29012387A JPH01130537A (ja) 1987-11-17 1987-11-17 ダイボンディング装置

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JP29012387A JPH01130537A (ja) 1987-11-17 1987-11-17 ダイボンディング装置

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Publication Number Publication Date
JPH01130537A true JPH01130537A (ja) 1989-05-23

Family

ID=17752100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29012387A Pending JPH01130537A (ja) 1987-11-17 1987-11-17 ダイボンディング装置

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57106135A (en) * 1980-12-24 1982-07-01 Hitachi Ltd Pellet bonder
JPS5750849B2 (ja) * 1980-08-12 1982-10-29
JPS58130539A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Hitachi Ltd ダイボンダ装置
JPS58143546A (ja) * 1982-02-22 1983-08-26 Hitachi Ltd ペレツト付機
JPS62169339A (ja) * 1986-01-21 1987-07-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法

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