JPH01133363A

JPH01133363A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH01133363A
Application number: JP62292419A
Authority: JP
Inventors: Toshimasa Sadakata; 定方　利正
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1987-11-19
Filing date: 1987-11-19
Publication date: 1989-05-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子とショット
キバリアダイオードを含んだ半導体装置に関するもので
ある。

（ロ）従来の技術一般に半導体素子とショットキバリアダイオードを含ん
だ半導体装置は、例えば特開昭６０−１７０２６７号公
報があり、ショットキクランプ型トランジスタとしては
特願昭−６２−９５５５９号がある。一方これらの技術
を活用し試作したものとして第２図Ａ、Ｂがあり、この
構成は半導体基板（３１）内に形成されるトランジスタ
（邦）と、ショットキコンタクト領域（３３）とがある
。

ここでは第２図Ａに示すように、破線で示したベース領
域（３４）、ベース領域のガードリング（３５〉、エミ
ッタ領域（３６）、コレクタコンタクト領域（３７）が
ある。

次に、この半導体基板（３１）上に被覆される第１の絶
縁層（３８）と、この絶縁層（３８）を蝕刻して形成さ
れ、第２図Ａに於いて一点鎖線で示されるエミッタコン
タクト（３９）、ベースコンタクト（４０＞およびコレ
クタコンタクト（４１）がある。

更にこのコンタクトを介してオーミックコンタクトする
第１層の電極（４２＞　、　（４３）　、　（４４）が
ある。

この第１層の電極は、２〜３％のシリコンを含んだアル
ミニウムを材料とし、スパッタ法等で形成され、第２図
Ａに二点鎖線で示されている。

最後にこの半導体基板（３１）上に被覆される第２の絶
縁層（４５〉と、この第２の絶縁層（４５）を蝕刻して
、第２図Ａの三点鎖線で示きれるコンタクト（４６）と
、このコンタクト（４６）を介してショットキコンタク
ト部（３３）と第１層のベース電極（４３）をつなぐ一
連の第２層の電極（４７）とがある。

ここで第２層の電極（４７）は実線で示され、シリコン
を含有しないアルミニウムを材料とし、ショットキコン
タクト部（３３）を介してショットキバリアダイオード
を形成している。

（ハ）発明が解決しようとする問題点先ず前述の構成に於いて、第２層の電極（４７）を除去
すると、三点鎖線で示したコンタクト（４６）が露出き
れ、このコンタクト（４６）内には第１層のベース電極
（４３）が露出される。

このベース電極（４３〉の膜厚が厚いと、第２図Ｂの破
線で囲んだ領域の如く、第２層の電極（４７）に括れ部
を生じ、第２図Ａの如くｘ印で示した領域のステップカ
バレージが悪化する。

この時ベースよりショットキバリアダイオードを介して
コレクタへ流れる電流が大きくなると、Ｘ印は溶断し、
電流は第２図ア、イで示した狭い領域から矢印の方向へ
流れるバスしか存在しないため、信頼性が低下する問題
点を有していた。

（ニ）問題点を解決するための手段本発明は前述の問題点に鑑みてなされ、少なくとも１つ
の半導体素子（？）とショットキバリアダイオード（良
）が形成される半導体基板（４）と、この半導体基板（
４）上に形成される第１の絶縁層（１２）と、この第１
の絶縁層（１２）の開孔部（１４）を介して少なくとも
１つ形成される前記半導体素子（？）の第１層の電極（
１７）と、前記半導体基板（４）上に形成される第２の
絶縁層（１９）と、前記ショットキコンタクト領域（８
）に対応する前記第１および第２の絶縁［（１２）　、
　（１９）の開孔部（８）　、　（２０）と、前記第１
ＷＩの電極層（１７）と接続し宜つ前記ショットキコン
タクト領域（８）にショットキコンタクトする第２層の
電極（２２）とを備え、前記第１層の電極（１７）の一
部が前記第２の絶縁層（１９）で被覆されることで解決
するものである。

（＊）作用前述の如く第１層の電極（１７）の一部に第２の絶縁層
（１９）を被覆し、第１図Ａの三点鎖線で示す如き舌片
領域（２１）を設けると、太い二点鎖線で示す第１層の
電極（１７）上には、第２の絶縁層（１９）があるため
、従来の如き括れ部が第２層の電極（２２〉に生じない
。従って電流のバス面積が広がるため信頼性が向上する
。

（へ）実施例以下に本発明の半導体装置（１）の実施例を図面を参照
しながら説明する。

ここではショットキクランプ型トランジスタで説明して
いるが、このトランジスタは他の半導体素子でも良い。

先ず第１図Ｂに示す如く、半導体素子、ここではトラン
ジスタ（２）とショットキバリアダイオード（塁）が形
成される半導体基板（４）がある。

ここでこの半導体基板（４）は、Ｐ型の半導体基板上に
Ｎ型のエピタキシャル層が形成されたものであり、図面
上では示してないがこの半導体基板（４）にＮ０型の埋
込み層、この埋込み領域を囲むように形成されるＰゝ型
の分離領域があり、この分離領域で電気的に分離した島
領域（５）を第１図Ａおよび第１図Ｂに示す。

この島領域（５）内には、破線で示すベース領域（６）
があり、このベース領域（６）内には、破線で示すエミ
ッタ領域（７）がある。また−点鎖線で示したショット
キコンタクトの開孔部（８）の中の破線で囲まれた領域
（９）は、Ｎ型のエピタキシャル層（４）が露出してお
り、ここでショットキコンタクトされる。更にほこのシ
ョットキコンタクト領域の囲りには、ベース領域（６）
で形成されるガードリング領域（１０）が形成され、前
記コレクタ領域（４）の一部にはフレフタコンタクト領
域（１１）が形成されている。

次に、この半導体基板（４）上に形成される第１の絶縁
層（１２）と、この第１の絶縁層（１２）の開孔部（１
３）　、　（１４）　、　（１５）を介して形成される
前記半導体素子（？）の第１層の電極（１６）　、　（
１７）　、　（１８）とがある。

ここで第１の絶縁層（１２）は、熱酸化法より形成され
るシリコン酸化膜であり、このシリコン酸化膜（１２）
を写真蝕刻法により開孔、エミッタコンタクト（１３）
、ベースコンタクト（１４）およびコレクタコンタクト
（１５）が形成される。ここでショットキコンタクトの
開孔部（８）は説明の都合上後とする。

また夫々のコンタクトを介して第１層に形成されるエミ
ッタ、ベースおよびコレクタ電極（１６）　。

（１７）　、　（１８）が、シリコンの含有したアルミ
ニウム電極で形成きれる。これは周知の如くアロイスパ
イクの防止のために形成される。また電極は微細パター
ンであるためドライエツチングで所定形状に形成される
。

更にこの半導体基板（４）上に形成される第２の絶縁層
（１９）と、前記ショットキコンタクト領域〈８〉に対
応する前記第１および第２の絶縁層（１２）。

（１９）の開孔部（８）　、　（２０）と、この開孔部
（２０）と−体となる舌片領域（２１）とがある。

ここで第２の絶縁層（１９）は、ＣＶＤ酸化膜やポリイ
ミド膜等を用いる。一方、三点鎖線で示す開孔部（２０
）は、この第２の絶縁層（１９）を蝕刻した際に形成さ
れるものであり、舌片領域（２１）も含まれている。ま
た−点鎖線で示ず開孔部（８）は、前記開孔部（２０）
が形成された後で開孔し、ベース領域（６）で形成され
たガードリング（１０）の一部とショットキコンタクト
面が露出されている。またこれらの開孔部（８）　、　
（２０）　、　（２１）は比較的ラフな寸法であり、ま
た傾斜を与えてエツチングしたいためにウェットエツチ
ングで形成している。

最後にこの開孔部（８）　、　（２０）　、　（２１）
を介して形成される第２Ｍの電極（２２）がある。

ここでこの第２層の電極（２２）は、シリコンの含有き
れてないアルミニウムより成り、前記第１層のベース電
極（１７）とはオーミックコンタクトし、一方ショット
キコンタクト領域（８）ではショットキ接合される。

本発明の特徴とする所は、前記第１層のベース電極（１
７）の一部が前記第２の絶縁層（１９）で被覆されてい
る点にあり、三点鎖線で示す舌片領域（２１）を形成す
ることにある。

従って太い二点鎖線で示すベース電極（１７）の上には
、第２の絶縁層（１９）が形成されるため、ｘ印で示し
た領域に発生する括れ部が無くなる。よって矢印で示し
た方向に流れる電流のバス面積は更に広がるため信頼性
を向上させることができる。

（ト）発明の詳細な説明した如く、第１層の電極（１７）の一部に前記第
２の絶縁層（１９）を形成することで、第２層の電極（
２２）に発生する括れ部を低下させ、断線や信頼性低下
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは本発明の半導体装置の平面図、第１図Ｂは第
１図ＡのＡ−Ａ’線における断面図、第２図Ａは従来の
半導体装置の平面図、第２図Ｂは第２図ＡのＡ−Ａ″線
における断面図である。（１２）・・・第１の絶縁層、　（１６）　、　（１７
）　、　（１８）・・・第１層の電極、　（１９）・・
・第２の絶縁層、　（２１）・・・舌片領域、　（２２
）・・・第２層の電極。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも１つの半導体素子とショットキバリア
ダイオードが形成される半導体基板と、この半導体基板
上に形成される第１の絶縁層と、この第１の絶縁層の開
孔部を介して少なくとも１つ形成される前記半導体素子
の第１層の電極と、前記半導体基板上に形成される第２
の絶縁層と、前記ショットキコンタクト領域に対応する
前記第１のおよび第２の絶縁層の開孔部と、前記第１層
の電極層と接続し宜つ前記ショットキコンタクト領域に
ショットキコンタクトする第２層の電極とを備え、前記
第１層の電極の一部が前記第２の絶縁層で被覆されてい
ることを特徴とした半導体装置。