JPH01140497A - センスアンプ回路 - Google Patents
センスアンプ回路Info
- Publication number
- JPH01140497A JPH01140497A JP62300605A JP30060587A JPH01140497A JP H01140497 A JPH01140497 A JP H01140497A JP 62300605 A JP62300605 A JP 62300605A JP 30060587 A JP30060587 A JP 30060587A JP H01140497 A JPH01140497 A JP H01140497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bit line
- apu
- sense amplifier
- line pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はダイナミック・ランダムアクセスメモリに係り
、特に2対のビット線間の信号増幅とリフレッシュ機能
とを有するMOS)ランジスタ構成のセンスアンプ回路
に関する。
、特に2対のビット線間の信号増幅とリフレッシュ機能
とを有するMOS)ランジスタ構成のセンスアンプ回路
に関する。
[従来の技術]
第2図に、近年の半導体記憶装置における高集積化・大
容量化により、制限を受けたメモリセルの少ない情報(
電荷il)をより高感度に読み出すことを目的としたシ
エアードセンスアンプの代表例を示す。このセンスアン
プ回路および入出力線は、トランジスタTI、T2.T
AI〜TA4゜TBI〜TB4.Tll〜T14および
コンデンサC11,CI2よりなり、リフレッシュ機能
を有するものである。
容量化により、制限を受けたメモリセルの少ない情報(
電荷il)をより高感度に読み出すことを目的としたシ
エアードセンスアンプの代表例を示す。このセンスアン
プ回路および入出力線は、トランジスタTI、T2.T
AI〜TA4゜TBI〜TB4.Tll〜T14および
コンデンサC11,CI2よりなり、リフレッシュ機能
を有するものである。
第3図は第2図の回路の回路動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
ミングチャートである。
次にこの従来例の回路の動作の説明をする。プリチャー
ジ時に、トランジスタのスレッショルド電圧(以下VT
と称す)を十分越える高い電圧を加えることにより、2
対のビット線BLI/BL1(オーバーパー)、BL2
/BL2 (オーバーパー)入出力線(Ilo)/ (
Ilo (、オーバーパー))および接点N1〜N6は
高レベルになるものとする。そのプリチャージの終了(
プリチャージ信号が高レベルからVT以下の低レベル電
圧となる)により、ビット線対と節点Nl/N2および
N3/N4を選択接続するための信号φTl。
ジ時に、トランジスタのスレッショルド電圧(以下VT
と称す)を十分越える高い電圧を加えることにより、2
対のビット線BLI/BL1(オーバーパー)、BL2
/BL2 (オーバーパー)入出力線(Ilo)/ (
Ilo (、オーバーパー))および接点N1〜N6は
高レベルになるものとする。そのプリチャージの終了(
プリチャージ信号が高レベルからVT以下の低レベル電
圧となる)により、ビット線対と節点Nl/N2および
N3/N4を選択接続するための信号φTl。
φT2のうちどちらか一方が低レベルになることにより
、増幅するべきビット線対と節点を接続する。第3図に
従い信号φT2が低レベルになると、高レベルである信
号φT1によりビット線対BL1/BLI(オーバーパ
ー)と節点Nl/N2が接続すると、ビット線BLI及
びBLI (オーバーパー)に対応する節点N1及びN
2にメモリセルからの微少な情報が出力される。この時
の節点N1の電位は節点N2の電位より高いと仮定する
。
、増幅するべきビット線対と節点を接続する。第3図に
従い信号φT2が低レベルになると、高レベルである信
号φT1によりビット線対BL1/BLI(オーバーパ
ー)と節点Nl/N2が接続すると、ビット線BLI及
びBLI (オーバーパー)に対応する節点N1及びN
2にメモリセルからの微少な情報が出力される。この時
の節点N1の電位は節点N2の電位より高いと仮定する
。
次に信号φSE(オーバーパー)が低レベルから高レベ
ルとなりセンスアンプが活性化されトランジスタTAI
およびTA2により節点N1およびN2の差電位を増幅
し、節点N2は低レベル節点、N1はわずかに低下した
高レベルとなる。節点N1および節点N2から節点N3
および節点N4への伝達は配線抵抗により、第3図に示
すようにわずかの遅延を持つ。
ルとなりセンスアンプが活性化されトランジスタTAI
およびTA2により節点N1およびN2の差電位を増幅
し、節点N2は低レベル節点、N1はわずかに低下した
高レベルとなる。節点N1および節点N2から節点N3
および節点N4への伝達は配線抵抗により、第3図に示
すようにわずかの遅延を持つ。
次に節点N6はトランジスタTI2により高レベルから
低レベルとなり、節点N5は高レベルを保持する。信号
φAPが低レベルから高レベルになると、節点N5はコ
ンデンサC1lを介して電源電圧(以下VCCと称す)
よりVT以上高いレベルになり、節点N5をゲート入力
とするトランジスタT13は節点N3.Nlおよびビッ
ト線BL1をvCCレベルとし、コンデンサC12を介
して電圧補給を受けた節点N6の電位は、トランジスタ
T12およびTAIを介して低レベルを保持する。゛ 各節点レベルが確定すると、φに1を低レベルから高レ
ベルとし、トランジスタT1及びT2を介し人出力線I
10.l10(オーバーパー)にビット線の情報を伝達
する。
低レベルとなり、節点N5は高レベルを保持する。信号
φAPが低レベルから高レベルになると、節点N5はコ
ンデンサC1lを介して電源電圧(以下VCCと称す)
よりVT以上高いレベルになり、節点N5をゲート入力
とするトランジスタT13は節点N3.Nlおよびビッ
ト線BL1をvCCレベルとし、コンデンサC12を介
して電圧補給を受けた節点N6の電位は、トランジスタ
T12およびTAIを介して低レベルを保持する。゛ 各節点レベルが確定すると、φに1を低レベルから高レ
ベルとし、トランジスタT1及びT2を介し人出力線I
10.l10(オーバーパー)にビット線の情報を伝達
する。
[発明が解決しようとする問題点1
以上のような従来の回路では、第2図に示すようにトラ
ンジスタTAIおよびTA2からなるセンスアンプ回路
における主構成要素であるフリップフロップ回路(以下
F/F回路と称す)と、トランジスタTll〜T14お
よびコンデンサC11、CI2よりなるリフレッシュの
ためのアクティブプルアップ回路(以下APU回路と称
す)との間にレイアウト上大きな配線抵抗が存在する。
ンジスタTAIおよびTA2からなるセンスアンプ回路
における主構成要素であるフリップフロップ回路(以下
F/F回路と称す)と、トランジスタTll〜T14お
よびコンデンサC11、CI2よりなるリフレッシュの
ためのアクティブプルアップ回路(以下APU回路と称
す)との間にレイアウト上大きな配線抵抗が存在する。
このため2つのビットi対BLI/BLI (、オーバ
ーパー)と、BL2/BL2 (、オーバーパー)との
それぞれの増幅感度に差が生じるという欠点がある。
ーパー)と、BL2/BL2 (、オーバーパー)との
それぞれの増幅感度に差が生じるという欠点がある。
換言すると上述した従来のシエアードセンスアンプ回路
では、F/F回路とAPU回路間の配線抵抗により、メ
モリ回路において重要な構成要素であるセンスアンプ回
路に於けるアンバランスが存在する。そのためメモリ回
路動作において不可欠な条件である安定増幅を、満足で
きないだけでなく、センスアンプ感度の問題から高速度
化にも支障をきたすという欠点がある。
では、F/F回路とAPU回路間の配線抵抗により、メ
モリ回路において重要な構成要素であるセンスアンプ回
路に於けるアンバランスが存在する。そのためメモリ回
路動作において不可欠な条件である安定増幅を、満足で
きないだけでなく、センスアンプ感度の問題から高速度
化にも支障をきたすという欠点がある。
[発明の従来技術に対する相違点]
上述した従来のセンスアンプ回路に対し、本発明は2つ
のビット線のそれぞれに対し増幅機能を有し、さらにリ
フレッシュのためのAPU回路を従来の172サイズの
ものを人出力線の両側に配!することによって、バラン
スを保った安定増幅をするという相異点を有する。
のビット線のそれぞれに対し増幅機能を有し、さらにリ
フレッシュのためのAPU回路を従来の172サイズの
ものを人出力線の両側に配!することによって、バラン
スを保った安定増幅をするという相異点を有する。
[問題点を解決するための手段]
本発明のセンスアンプ回路は、2対のピッ)4対それぞ
れが増幅機能を有するF/F回路をもち、また従来のA
PU回路のサイズを半分にしたものを人出力線I10.
l10(オーバーパー)の両側に配置することにより、
レイアウト上の対称性を有し、バランスのとれた増幅が
可能であることを特徴とする。
れが増幅機能を有するF/F回路をもち、また従来のA
PU回路のサイズを半分にしたものを人出力線I10.
l10(オーバーパー)の両側に配置することにより、
レイアウト上の対称性を有し、バランスのとれた増幅が
可能であることを特徴とする。
[実施例コ
本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例であるNチャンネルMO5)
ランジスタ構成のセンスアンプ回路および人出力線回路
であり、トランジスタTI、T2゜TAI〜TA4.T
A3’、TA4’、−TBI〜TB4.TB3’、TB
4’、Tll〜T14゜T11′〜T14′およびコン
デンサーC1l。
ランジスタ構成のセンスアンプ回路および人出力線回路
であり、トランジスタTI、T2゜TAI〜TA4.T
A3’、TA4’、−TBI〜TB4.TB3’、TB
4’、Tll〜T14゜T11′〜T14′およびコン
デンサーC1l。
CI2.C21,C23よりなる。第2図の従来例回路
の素子と同一機能素子は同じ番号(ダッシュ″″”の有
無に関係なく)を用いている。
の素子と同一機能素子は同じ番号(ダッシュ″″”の有
無に関係なく)を用いている。
本実施例と従来例の回路動作のシーケンスは同一である
ので省略する。第1図に示すように、人出力線I10.
l10(オーバーパー)を中心に、従来のAPU回路の
1/2サイズのAPU回路とF/F回路をレイアウト上
の対称性をもつように配置することによって、ビット線
対BLI/BL1(オーバーパー)およびBL2/BL
2 (オーバーパー)のどちらのビット線対が選択され
た場合でもビット線の情報をバランスよく安定に増幅し
ようというものである。またビット線の情報をF/F回
路およびAPU回路に接続するためのトランジスタを第
2図の従来例に示すような1つのトランジスタを介する
構成から第1図に示す2つのトランジスタを介する構成
へとその数を増やす。
ので省略する。第1図に示すように、人出力線I10.
l10(オーバーパー)を中心に、従来のAPU回路の
1/2サイズのAPU回路とF/F回路をレイアウト上
の対称性をもつように配置することによって、ビット線
対BLI/BL1(オーバーパー)およびBL2/BL
2 (オーバーパー)のどちらのビット線対が選択され
た場合でもビット線の情報をバランスよく安定に増幅し
ようというものである。またビット線の情報をF/F回
路およびAPU回路に接続するためのトランジスタを第
2図の従来例に示すような1つのトランジスタを介する
構成から第1図に示す2つのトランジスタを介する構成
へとその数を増やす。
すなわちF/F回路とAPU回路との間にトランジスタ
を介することにより、2つのF/F回路が同時に動作す
ることがなく、一方の選択されたビット線側のF/F回
路のみを動作させることが可能である。
を介することにより、2つのF/F回路が同時に動作す
ることがなく、一方の選択されたビット線側のF/F回
路のみを動作させることが可能である。
以上の場合、トランジスタTA3およびTA4とTA3
’およびTA4’ (またはトランジスタTB3およ
びTB4とTB3’およびTB4”)は同時に動作しビ
ット線の情報を接続し、またトランジスタTll〜TI
4とトランジスタTll′〜T14′およびコンデンサ
ーC1l、CI2とコンデンサーC1l’、C12’は
それぞれ対応する素子が同時に動作するものである。
’およびTA4’ (またはトランジスタTB3およ
びTB4とTB3’およびTB4”)は同時に動作しビ
ット線の情報を接続し、またトランジスタTll〜TI
4とトランジスタTll′〜T14′およびコンデンサ
ーC1l、CI2とコンデンサーC1l’、C12’は
それぞれ対応する素子が同時に動作するものである。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明は、シェアートセンスアンプ
回路においてF/F回路とAPU回路(従来のAPU回
路の1/2の大きさをもつAPU回路)のそれぞれ2つ
ずつを使って構成することにより、レイアウト上、2つ
のビット線対に対し、対象性を持たせることにより、セ
ンスアンプ回路の動作上のバランスを持った安定増幅が
できるという効果がある。
回路においてF/F回路とAPU回路(従来のAPU回
路の1/2の大きさをもつAPU回路)のそれぞれ2つ
ずつを使って構成することにより、レイアウト上、2つ
のビット線対に対し、対象性を持たせることにより、セ
ンスアンプ回路の動作上のバランスを持った安定増幅が
できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例によるセンスアンプ回路およ
び人出力線回路を示す回路図、第2図は従来例によるセ
ンスアンプ回路および入出力線回路を示す回路図、第3
図は回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。 TI、T2.TAI〜TA4.TB、1〜T B 4゜
TA3’、TA4’、TB3’、TB4’、T11〜T
14.T11〜T14′ ・・・・・・・・・・・・・
NチャンネルエンハンスメントMOSトランジスタ、 C1l、CI2.C1l’、CI2’ φ・・・・・
・・・・・・コンデンサー、 Ilo、I10’ ・・・・・入出力線、BLI/B
LI (オーバーパー)、BL2/BL2(オーバーパ
ー)・・・・・ビット線対、φT!、 φT2・・・
・・ビット線対選択信号、φSE(オーバーパー)・・
・・センスアンプ活性化信号、 φAP・・・・・・・リフレッシュ信号、φK・・・・
・・・ビット線・入出力線接続信号、vCC・・・・・
・電源電圧、 N1〜N6.Nl’、N2’、N5’、N6’ ・・
・・・・・・・・節点。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 桑 井 清 − −川 1糸 ; 宸 ツ 品 胃 貢
び人出力線回路を示す回路図、第2図は従来例によるセ
ンスアンプ回路および入出力線回路を示す回路図、第3
図は回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。 TI、T2.TAI〜TA4.TB、1〜T B 4゜
TA3’、TA4’、TB3’、TB4’、T11〜T
14.T11〜T14′ ・・・・・・・・・・・・・
NチャンネルエンハンスメントMOSトランジスタ、 C1l、CI2.C1l’、CI2’ φ・・・・・
・・・・・・コンデンサー、 Ilo、I10’ ・・・・・入出力線、BLI/B
LI (オーバーパー)、BL2/BL2(オーバーパ
ー)・・・・・ビット線対、φT!、 φT2・・・
・・ビット線対選択信号、φSE(オーバーパー)・・
・・センスアンプ活性化信号、 φAP・・・・・・・リフレッシュ信号、φK・・・・
・・・ビット線・入出力線接続信号、vCC・・・・・
・電源電圧、 N1〜N6.Nl’、N2’、N5’、N6’ ・・
・・・・・・・・節点。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 桑 井 清 − −川 1糸 ; 宸 ツ 品 胃 貢
Claims (1)
- 2つのビット線対のうち選択された1対のビット線間の
信号増幅とリフレッシュ機能とを有するシェアード型の
センスアンプ回路において、センスアンプ回路をレイア
ウト上、対称性をもたせるよう配置することを特徴とす
るセンスアンプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300605A JPH01140497A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | センスアンプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300605A JPH01140497A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | センスアンプ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140497A true JPH01140497A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17886861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300605A Pending JPH01140497A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | センスアンプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100492791B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2005-08-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센스앰프구동회로 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62300605A patent/JPH01140497A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100492791B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2005-08-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센스앰프구동회로 |
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