JPH03192551A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03192551A JPH03192551A JP33106489A JP33106489A JPH03192551A JP H03192551 A JPH03192551 A JP H03192551A JP 33106489 A JP33106489 A JP 33106489A JP 33106489 A JP33106489 A JP 33106489A JP H03192551 A JPH03192551 A JP H03192551A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁性多層膜と初期補助磁界を用いるオーバラ
イト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
イト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることにより、
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、（Ｃ）初期補助
磁界を印加することによって、記録前に前記記録補助層
の磁化のみを上向きまたは下向きのいずれか一方に揃え
ておくこと、（ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射
すること、（ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき
２値化情報に従って、パルス状に変調すること、（ｆ）
前記レーデビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁
界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方。
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、（Ｃ）初期補助
磁界を印加することによって、記録前に前記記録補助層
の磁化のみを上向きまたは下向きのいずれか一方に揃え
ておくこと、（ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射
すること、（ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき
２値化情報に従って、パルス状に変調すること、（ｆ）
前記レーデビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁
界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方。
のビットを形成させ、レーザビームの強度が低レベルの
時に１也方のビットを形成させること、 からなることを特徴とする重ね書き可能な記録方法であ
る（例えば特開昭６２−１７５９４８号公報参照）。
時に１也方のビットを形成させること、 からなることを特徴とする重ね書き可能な記録方法であ
る（例えば特開昭６２−１７５９４８号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］
オーバライト可能な磁性多層膜媒体のうち、パラタイプ
（Ｐタイプ）と呼ばれる媒体は、記録層の磁化情報を記
録補助層に転写することが必要であるので、そのＭ−Ｈ
ループは低レベルのレーザ照射時の温度では、第２図に
示したような反転磁界を１段階しかもたないループでな
ければならない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎる
と第３図に示したような２段階のループになり、オーバ
ライトができなくなる。
（Ｐタイプ）と呼ばれる媒体は、記録層の磁化情報を記
録補助層に転写することが必要であるので、そのＭ−Ｈ
ループは低レベルのレーザ照射時の温度では、第２図に
示したような反転磁界を１段階しかもたないループでな
ければならない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎる
と第３図に示したような２段階のループになり、オーバ
ライトができなくなる。
また、オーバライト可能な磁性多層膜媒体のうち、アン
チパラタイプ（Ａタイプ）と呼ばれる媒体は、Ｍ−Ｈル
ープが低レベルのレーザ照射時の温度では第４図に示し
たような３段階の反転磁界を持つループでなければなら
ない。しかるに、２層間の結合力が弱ずぎると第５図に
示したような２段階のループになり、オーバライトがで
きなくなる。
チパラタイプ（Ａタイプ）と呼ばれる媒体は、Ｍ−Ｈル
ープが低レベルのレーザ照射時の温度では第４図に示し
たような３段階の反転磁界を持つループでなければなら
ない。しかるに、２層間の結合力が弱ずぎると第５図に
示したような２段階のループになり、オーバライトがで
きなくなる。
本発明は以上述べたような従来の課題を解決するために
なされたもので、磁性多層膜間の結合力を適当な値に強
めたオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
なされたもので、磁性多層膜間の結合力を適当な値に強
めたオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上にスペーサ層を形成した後、該スペー
ナ層上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上に
保護層を形成することよりなるオーバライト可能な光磁
気記録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成した
後、逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
ナ層上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上に
保護層を形成することよりなるオーバライト可能な光磁
気記録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成した
後、逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
［作用］
磁性多層膜を有するパラタイプの光磁気記録媒体が第３
図に示したような２段階のループになるのは、記録再生
層と記録補助層の間の結合力が弱すぎるためである。そ
こで、第１の磁性層を成膜する前に、基板上に形成され
たスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記の２層間の結
合力が強まり、第２図に示したような１段階の反転磁界
を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト可能な磁性多
層膜が得られる。
図に示したような２段階のループになるのは、記録再生
層と記録補助層の間の結合力が弱すぎるためである。そ
こで、第１の磁性層を成膜する前に、基板上に形成され
たスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記の２層間の結
合力が強まり、第２図に示したような１段階の反転磁界
を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト可能な磁性多
層膜が得られる。
また、磁性多層膜を有するアンチパラタイプの光磁気記
録媒体が第５図に示したような２段階のループになるの
は、記録再生層と記録補助層の間の結合力か弱すぎるた
めである。そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基板
上に形成されたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記
の２層間の結合力が強まり、第４図に示したような３段
階の反転磁界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト
可能な磁性多層膜が得られる。
録媒体が第５図に示したような２段階のループになるの
は、記録再生層と記録補助層の間の結合力か弱すぎるた
めである。そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基板
上に形成されたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記
の２層間の結合力が強まり、第４図に示したような３段
階の反転磁界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト
可能な磁性多層膜が得られる。
［実施例］
第１図は本発明の方法によって製造される光磁気記録多
層膜媒体の部分断面図である。媒体構成は、基板１／ス
ペ一４ノ層２／第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３
の磁性層５／保護層６である。
層膜媒体の部分断面図である。媒体構成は、基板１／ス
ペ一４ノ層２／第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３
の磁性層５／保護層６である。
ここで、基板１としては、ポリカーボネート樹脂。
エポキシ樹脂またはガラスを用いた基板等を使用する。
基板はグループ付きでもグループなしでも構わない。ま
た、ガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成さ
せたものでもよい。スペーサ層２および保護層６として
は、珪素の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、
アルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用
できる。
た、ガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成さ
せたものでもよい。スペーサ層２および保護層６として
は、珪素の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、
アルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用
できる。
また、第１の磁性層３．第２の磁性層４および第３の磁
性層５は、希土類と遷移金属の組み合わせからなるアモ
ルファス合金薄膜である。この場合、希土類としては、
例えばＴｂ、Ｇｄ、ＤＶ、Ｎｄ。
性層５は、希土類と遷移金属の組み合わせからなるアモ
ルファス合金薄膜である。この場合、希土類としては、
例えばＴｂ、Ｇｄ、ＤＶ、Ｎｄ。
ＨＯ等の中から単独または複数の元素、遷移金属として
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ ｉ等の中から単独または複数の元
素を用いる。また、少量のＴｉ、Ｍ。
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ ｉ等の中から単独または複数の元
素を用いる。また、少量のＴｉ、Ｍ。
等を添加することも可能である。
実施例１
ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ
／Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金スパ
ッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタと
いう順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（８００人）／ＴｂＦｅ合金（１ｏ
ｏｏ入）／ＮｄＦｅＣｏ合金（６０人）／ＴｂＦｅＣｏ
合金（１ｏｏｏ人）／窒化珪素（８００人）という膜構
成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタすること
なしに作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッ
タ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅ層、ＮｄＦｅＣ
ｏ層およびＴｂＦｅＣ０層の単層における２５℃での緒
特性を第１表に示す。
／Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金スパ
ッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタと
いう順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（８００人）／ＴｂＦｅ合金（１ｏ
ｏｏ入）／ＮｄＦｅＣｏ合金（６０人）／ＴｂＦｅＣｏ
合金（１ｏｏｏ人）／窒化珪素（８００人）という膜構
成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタすること
なしに作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッ
タ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅ層、ＮｄＦｅＣ
ｏ層およびＴｂＦｅＣ０層の単層における２５℃での緒
特性を第１表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１００℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅ合金層
とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱すぎるため
である。
ときの媒体の温度１００℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅ合金層
とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱すぎるため
である。
（以下余白）
次に、同じ膜構成の媒体を、ＴｂＦｅ層をスパッタする
前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆
スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ
条件は、パワー２００Ｗ、時間２０分である。逆スパッ
タにより、ポリカーボネート基板上に成膜された８３０
人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪素がスパッタによ
り飛散した。
前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆
スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ
条件は、パワー２００Ｗ、時間２０分である。逆スパッ
タにより、ポリカーボネート基板上に成膜された８３０
人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪素がスパッタによ
り飛散した。
この媒体のカーループは、１００℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
合金層とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が窒化珪
素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたため
である。この結果、低レベルのレーザを照射したときに
、ＴｂＦｅＣ。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
合金層とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が窒化珪
素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたため
である。この結果、低レベルのレーザを照射したときに
、ＴｂＦｅＣ。
層（記録補助層）の磁化情報がＴｂＦｅ層（記録層〉に
転写されるようになり、オーバライトが可能になった。
転写されるようになり、オーバライトが可能になった。
実施例２
ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ
／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合金スパッ
タ／Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金スパッタ／窒化珪素スパッタと
いう順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（８００人）／ＴｂＦｅＣ０合金（
６００人＞／ＮｄＦｅＣｏ合金（６０人＞／ＴｂＦｅ合
金（１２００人）／窒化珪素（ａＯＯ人）という膜構成
の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタすることな
しに作製した。
／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合金スパッ
タ／Ｔ ｂ Ｆ ｅ合金スパッタ／窒化珪素スパッタと
いう順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（８００人）／ＴｂＦｅＣ０合金（
６００人＞／ＮｄＦｅＣｏ合金（６０人＞／ＴｂＦｅ合
金（１２００人）／窒化珪素（ａＯＯ人）という膜構成
の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタすることな
しに作製した。
成膜はすべてＲＦマグネトロ゛ンスパッタ装置の連続ス
パッタによる。ＴｂＦｅ層、ＮｄＦｅＣｏ層およびＴｂ
ＦｅＣ０層の単層における２５℃での緒特性を第２表に
示す。
パッタによる。ＴｂＦｅ層、ＮｄＦｅＣｏ層およびＴｂ
ＦｅＣ０層の単層における２５℃での緒特性を第２表に
示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１００℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅ合金層
とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱すぎるため
である。
ときの媒体の温度１００℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅ合金層
とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱すぎるため
である。
（以下余白）
第
２
表
次に、同じ膜構成の媒体を、ＴｂＦｅＣｏ層をスパッタ
する前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素
を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパ
ッタ条件は、パワー２００Ｗ 。
する前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素
を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパ
ッタ条件は、パワー２００Ｗ 。
時間２０分である。逆スパッタにより、ポリカーボネー
ト基板上に成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０
への窒化珪素がスパッタにより飛散した。
ト基板上に成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０
への窒化珪素がスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１００℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
合金層とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が窒化珪
素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたため
である。この結果、低レベルのレーザを照射したときに
、ＴｂＦｅＣ。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
合金層とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が窒化珪
素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたため
である。この結果、低レベルのレーザを照射したときに
、ＴｂＦｅＣ。
層（記録補助層）の磁化情報がＴｂＦｅ層（記録層）に
転写されるようになり、オーバライトが可能になった。
転写されるようになり、オーバライトが可能になった。
実施例３
ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（ａＯＯ入）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合
金（５００人）／ＮｄＦｅＣｏ合金（１００人）／Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金（１ｏｏｏ人）／窒化珪素（８００人）と
いう膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタ
することなしに作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅＣ０層
、ＮｄＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣ０層の単層にお
ける２５℃での諸特性を第３表に示す。
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（ａＯＯ入）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合
金（５００人）／ＮｄＦｅＣｏ合金（１００人）／Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金（１ｏｏｏ人）／窒化珪素（８００人）と
いう膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタ
することなしに作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅＣ０層
、ＮｄＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣ０層の単層にお
ける２５℃での諸特性を第３表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１３０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣｏ合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
ときの媒体の温度１３０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣｏ合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
（以下余白）
第
表
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＴｂＦｅＣ。
層をスパッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜
した窒化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワーｉｏｏｗ、時間４０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪
素がスパッタにより飛散した。
した窒化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワーｉｏｏｗ、時間４０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪
素がスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃ０合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金位間の磁気合金合間
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＴｂＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０Ｉｆ：Ａ （記録層）に転写されるよ
うになり、オーバライトが可能になった。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃ０合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金位間の磁気合金合間
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＴｂＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０Ｉｆ：Ａ （記録層）に転写されるよ
うになり、オーバライトが可能になった。
実施例４
エポキシ基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ／ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏ合金スパッタ／ＧｄＮｄＦｅＣ０合金スパッ
タ／ＤｙＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタとい
う順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、エポキシ樹脂（グループ付き）
基板／窒化珪素（ａＯＯ入）／ＧｄＤｙＦｅＣ０ＧｄＤ
ｙＦｅ０層／ＧｄＮｄＦｅＣｏ合金（８０人）／Ｄｙ’
ＦｅＣｏＤｙＦｅＣ０合金層化珪素（ａＯＯ人〉という
膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタする
ことなしに作製した。
ｙＦｅＣｏ合金スパッタ／ＧｄＮｄＦｅＣ０合金スパッ
タ／ＤｙＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタとい
う順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、エポキシ樹脂（グループ付き）
基板／窒化珪素（ａＯＯ入）／ＧｄＤｙＦｅＣ０ＧｄＤ
ｙＦｅ０層／ＧｄＮｄＦｅＣｏ合金（８０人）／Ｄｙ’
ＦｅＣｏＤｙＦｅＣ０合金層化珪素（ａＯＯ人〉という
膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタする
ことなしに作製した。
成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続スパ
ッタによる。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層、ＧｄＮｄＦｅＣｏ層
およびＤＶＦｅＣＯ層の単層における２５℃での諸性性
を第４表に示す。
ッタによる。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層、ＧｄＮｄＦｅＣｏ層
およびＤＶＦｅＣＯ層の単層における２５℃での諸性性
を第４表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１５０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＤｙＦｅＣ０合
金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が弱す
ぎるためである。
ときの媒体の温度１５０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＤｙＦｅＣ０合
金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が弱す
ぎるためである。
（以下余白）
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＤｙＦｅＣ。
層をスパッタする前に、エポキシ基板上に成膜した窒化
珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆
スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間２０分である。
珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆
スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間２０分である。
逆スパッタにより、エポキシ樹脂基板上に成膜された８
１５への窒化珪素のうち、１５人の窒化珪素がスパッタ
により飛散した。
１５への窒化珪素のうち、１５人の窒化珪素がスパッタ
により飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＤｙＦｅ
Ｃ０合金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＤｙＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＤＶＦｅＣＯ層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＤｙＦｅ
Ｃ０合金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＤｙＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＤＶＦｅＣＯ層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
実施例５
ポリカーボネート基板／酸化珪素スパッタ／逆スパッタ
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／酸化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／酸化珪素（８００人＞／Ｇｄ’ＴｂＦｅＣｏ
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ｄＦｅＣｏ合金（１００人＞／Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金（７００人）／酸化珪素（ａＯＯ人）と
いう膜構成の媒体をスペーサ層の酸化珪素を逆スパッタ
することなしに作製した。
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣ０合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／酸化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／酸化珪素（８００人＞／Ｇｄ’ＴｂＦｅＣｏ
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ｄＦｅＣｏ合金（１００人＞／Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金（７００人）／酸化珪素（ａＯＯ人）と
いう膜構成の媒体をスペーサ層の酸化珪素を逆スパッタ
することなしに作製した。
成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続スパ
ッタによる。ＴｂＦｅＣｏ層、ＮｄＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における２５℃での諸性性を第
５表に示す。
ッタによる。ＴｂＦｅＣｏ層、ＮｄＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における２５℃での諸性性を第
５表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１３０ ’Ｃでは、第３図に示すよう
な２段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ
ｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か
弱すぎるためである。
ときの媒体の温度１３０ ’Ｃでは、第３図に示すよう
な２段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ
ｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か
弱すぎるためである。
（以下余白）
第
表
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＴｂＦｅＣ。
層をスパッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜
した酸化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間６０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の酸化珪素のうち、３０人の酸化珪
素がスパッタにより飛散した。
した酸化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間６０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の酸化珪素のうち、３０人の酸化珪
素がスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が酸化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＴｂＦｅＣｏ層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が酸化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＴｂＦｅＣｏ層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
実施例６
ポリカーボネート基板／酸化タンタルスパッタ／逆スパ
ッタ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合
金スパッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／Ｉ！２化タン
タルスパッタという順序で成膜した媒体（パラタイプ）
の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／酸化タンタル（８００人）／ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ合金（３００人）／ＮｄＦｅＣ。
ッタ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合
金スパッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／Ｉ！２化タン
タルスパッタという順序で成膜した媒体（パラタイプ）
の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／酸化タンタル（８００人）／ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ合金（３００人）／ＮｄＦｅＣ。
合金（１００人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（７００人）／酸
化タンタル（ａＯＯ人）という膜構成の媒体をスペーサ
層の酸化タンタルを逆スパッタすることなしに作製した
。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続ス
パッタによる。ＴｂＦｅＣ。
化タンタル（ａＯＯ人）という膜構成の媒体をスペーサ
層の酸化タンタルを逆スパッタすることなしに作製した
。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続ス
パッタによる。ＴｂＦｅＣ。
層、ＮｄＦｅＣ０ＩｉおよびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層
における２５℃での諸性性を第６表に示す。
における２５℃での諸性性を第６表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１３０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ０合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
ときの媒体の温度１３０℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ０合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
（以下余白）
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＴｂＦｅＣ。
層をスパッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜
した酸化タンタルを逆スパッタするという工程を入れて
成膜した。逆スパッタ条件は、パワー １００Ｗ、時間
６０分である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基
板上に成膜された８３０への酸化タンタルのうち、３０
人の酸化タンタルがスパッタにより飛散した。
した酸化タンタルを逆スパッタするという工程を入れて
成膜した。逆スパッタ条件は、パワー １００Ｗ、時間
６０分である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基
板上に成膜された８３０への酸化タンタルのうち、３０
人の酸化タンタルがスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が酸化タンタル層（スペーサ層）の逆スパッタにより強
められたためである。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が酸化タンタル層（スペーサ層）の逆スパッタにより強
められたためである。
この結果、低レベルのレーザを照射したときに、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ層（記録補助層）の磁化情報がＴｂＦｅＣｏ
層（記録層）に転写されるようになり、オーバライトが
可能になった。
ｂＦｅＣｏ層（記録補助層）の磁化情報がＴｂＦｅＣｏ
層（記録層）に転写されるようになり、オーバライトが
可能になった。
実施例７
ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（ａＯＯ八）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合
金（４００人）／ＮｄＦｅＣｏ合金（１００人＞／Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金（８００人）／窒化珪素（８００人）とい
う膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタす
ることなしに作製した。
／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／ＮｄＦｅＣｏ合金ス
パッタ／ＴｂＦｅＣｏ合金スパッタ／窒化珪素スパッタ
という順序で成膜した媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グループ付
き）基板／窒化珪素（ａＯＯ八）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ合
金（４００人）／ＮｄＦｅＣｏ合金（１００人＞／Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金（８００人）／窒化珪素（８００人）とい
う膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆スパッタす
ることなしに作製した。
成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続スパ
ッタによる。ＴｂＦｅｃｏ層、ＮｄＦｅＣ０層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における２５°Ｃでの諸性性を
第７表に示す。
ッタによる。ＴｂＦｅｃｏ層、ＮｄＦｅＣ０層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における２５°Ｃでの諸性性を
第７表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１３０℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ０合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が弱す
ぎるためである。
ときの媒体の温度１３０℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＴｂＦｅＣ０合
金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力が弱す
ぎるためである。
（以下余白）
第
表
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＴｂＦｅＣ。
層をスパッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜
した窒化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間４０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪
素がスパッタにより飛散した。
した窒化珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜
した。逆スパッタ条件は、パワー１００Ｗ、時間４０分
である。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に
成膜された８３０人の窒化珪素のうち、３０人の窒化珪
素がスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第４図に示すよ
うな３段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たとぎに、ＧｄＴｂＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
うな３段階の反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たとぎに、ＧｄＴｂＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＴｂＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
実施例８
ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ
／ＧｄＤｙＦｅＣ○合金スパッタ／ＧｄＮｄＦｅＣｏ合
金スパッタ／ＤＶＦｅＣＯ合金スパッタ／窒化珪素スパ
ッタという順序で成膜した媒体（アンチパラタイプ）の
場合はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルー
プ付き）基板／窒化珪素（８００人）／ＧｄＤＶＦｅＣ
Ｏ合金（４３０人）／ＧｄＮｄＦｅＣ。
／ＧｄＤｙＦｅＣ○合金スパッタ／ＧｄＮｄＦｅＣｏ合
金スパッタ／ＤＶＦｅＣＯ合金スパッタ／窒化珪素スパ
ッタという順序で成膜した媒体（アンチパラタイプ）の
場合はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルー
プ付き）基板／窒化珪素（８００人）／ＧｄＤＶＦｅＣ
Ｏ合金（４３０人）／ＧｄＮｄＦｅＣ。
合金（８０人）／ＤＶＦｅＣｏ合金（８００人）／窒化
珪素（８０〇人）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層。
珪素（８０〇人）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層。
ＧｄＮｄＦｅＣ０層およびＤｙＦｅＣ０層の単層におけ
る２５℃での諸性性を第８表に示す。
る２５℃での諸性性を第８表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射した
ときの媒体の温度１５０℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＤｙＦｅＣｏ合
金層とＧｄＤＶＦｅＣＯ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
ときの媒体の温度１５０℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。ＤｙＦｅＣｏ合
金層とＧｄＤＶＦｅＣＯ合金層間の磁気的結合力か弱す
ぎるためである。
（以下余白）
第
表
次に、同じ膜構成の媒体を、ＧｄＤｙＦｅＣ０層をスパ
ッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化
珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆
スパッタ条件は、パワー１００Ｗ 、時間３０分である
。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に成膜さ
れた８２５人の窒化珪素のうち、２５人の窒化珪素がス
パッタにより飛散した。
ッタする前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化
珪素を逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆
スパッタ条件は、パワー１００Ｗ 、時間３０分である
。逆スパッタにより、ポリカーボネート基板上に成膜さ
れた８２５人の窒化珪素のうち、２５人の窒化珪素がス
パッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、１３０℃では第４図に示すよ
うな３段階の反転磁界を持つループになった。ＤｙＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＤｙＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＤｙＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
うな３段階の反転磁界を持つループになった。ＤｙＦｅ
Ｃｏ合金層とＧｄＤｙＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が窒化珪素層（スペーサ層）の逆スパッタにより強めら
れたためである。この結果、低レベルのレーザを照射し
たときに、ＧｄＤｙＦｅＣ０層（記録補助層）の磁化情
報がＤｙＦｅＣ０層（記録層）に転写されるようになり
、オーバライトが可能になった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によれば光磁気記録
媒体の記録層と記録補助層の間の磁気的結合力をオーバ
ライトができるような適当な値に強くすることが可能に
なる。
媒体の記録層と記録補助層の間の磁気的結合力をオーバ
ライトができるような適当な値に強くすることが可能に
なる。
第１図は本発明の方法によって製造される光磁気記録媒
体の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得
られたパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ
−Ｈループを示す特性図、第３図は従来技術によるパラ
タイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−Ｈループ
を示す特性図、第４図は本発明の方法により得られたア
ンチパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−
Ｈループを示す特性図、第５図は従来技術によるアンチ
パラタイプのオーバライト用磁気記録媒体のＭ −＋−
１ループを示す特性図である。
体の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得
られたパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ
−Ｈループを示す特性図、第３図は従来技術によるパラ
タイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−Ｈループ
を示す特性図、第４図は本発明の方法により得られたア
ンチパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−
Ｈループを示す特性図、第５図は従来技術によるアンチ
パラタイプのオーバライト用磁気記録媒体のＭ −＋−
１ループを示す特性図である。
Claims (1)
- （１）基板上にスペーサ層を形成した後、該スペーサ層
上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上に保護
層を形成することよりなるオーバライト可能な光磁気記
録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成した後、
逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成することを
特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331064A JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331064A JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192551A true JPH03192551A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2536202B2 JP2536202B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=18239456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1331064A Expired - Lifetime JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536202B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243150A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS6370946A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63205835A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1331064A patent/JP2536202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243150A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS6370946A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63205835A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536202B2 (ja) | 1996-09-18 |
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