JPH01153367U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01153367U JPH01153367U JP5039688U JP5039688U JPH01153367U JP H01153367 U JPH01153367 U JP H01153367U JP 5039688 U JP5039688 U JP 5039688U JP 5039688 U JP5039688 U JP 5039688U JP H01153367 U JPH01153367 U JP H01153367U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- wafer
- molecular beam
- beam epitaxy
- showing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案の第１実施例装置を示す概略
斜視図、第２図は第１実施例装置を用いて作製し
た製品エピの構造を示す一部切欠き模式斜視図、
第３図はこの考案の第２の実施例装置を示す概略
斜視図、第４図は製品エピの構造を示す模式斜視
図、第５図は評価エピの構造を示す模式斜視図。 Ａ……サブストレート・ウエハ、Ｂ……バツフ
ア層、Ｃ……デバイス層、Ｄ……コンタクト層、
１……ウエハ・ホルダー、２……シヤツター、３
……シヤツター駆動部、４……大気―超高真空運
動導入機、５……アクチユエータ、６……コント
ローラ、７……基板ホルダー回転機構、８……シ
ヤツター支持回転軸、９……シヤツター開閉レバ
ー、１０……シヤツター・レバー駆動用レバー、
１１……基板ホルダー保持機構、１２……シヤツ
ター開閉レバー、１３……シヤツターレバー駆動
用リング、１４……ウエハ。
斜視図、第２図は第１実施例装置を用いて作製し
た製品エピの構造を示す一部切欠き模式斜視図、
第３図はこの考案の第２の実施例装置を示す概略
斜視図、第４図は製品エピの構造を示す模式斜視
図、第５図は評価エピの構造を示す模式斜視図。 Ａ……サブストレート・ウエハ、Ｂ……バツフ
ア層、Ｃ……デバイス層、Ｄ……コンタクト層、
１……ウエハ・ホルダー、２……シヤツター、３
……シヤツター駆動部、４……大気―超高真空運
動導入機、５……アクチユエータ、６……コント
ローラ、７……基板ホルダー回転機構、８……シ
ヤツター支持回転軸、９……シヤツター開閉レバ
ー、１０……シヤツター・レバー駆動用レバー、
１１……基板ホルダー保持機構、１２……シヤツ
ター開閉レバー、１３……シヤツターレバー駆動
用リング、１４……ウエハ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ ウエハー・ホルダー１の直前にシヤツター２
を進退自在に設けた分子線エピタキシー装置。 ２ 上記のシヤツターが、枚葉型装置のウエハー
の一部分をさえぎるようにした、実用新案登録請
求の範囲第１項記載の分子線エピタキシー装置。 ３ 上記のシヤツターが、多枚型装置の、一部の
ウエハーの全部あるいは一部のウエハーの一部を
さえぎるようにした、実用新案登録請求の範囲第
１項記載の分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988050396U JPH077329Y2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 分子線エピタキシー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988050396U JPH077329Y2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 分子線エピタキシー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153367U true JPH01153367U (ja) | 1989-10-23 |
| JPH077329Y2 JPH077329Y2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=31276448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988050396U Expired - Lifetime JPH077329Y2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 分子線エピタキシー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077329Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116511A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Nec Corp | 分子線結晶成長装置 |
| JPS61121322A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH01138194A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線エピタキシャル成長装置 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP1988050396U patent/JPH077329Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116511A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Nec Corp | 分子線結晶成長装置 |
| JPS61121322A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH01138194A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線エピタキシャル成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077329Y2 (ja) | 1995-02-22 |
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