JPH0289825U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0289825U JPH0289825U JP16914888U JP16914888U JPH0289825U JP H0289825 U JPH0289825 U JP H0289825U JP 16914888 U JP16914888 U JP 16914888U JP 16914888 U JP16914888 U JP 16914888U JP H0289825 U JPH0289825 U JP H0289825U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- groove
- fitted
- semiconductor substrate
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図ないし第３図は本考案に係る液相エピタ
キシヤル成長装置の一実施例を各々示す側断面図
であり、各図は各エピタキシヤル成長層生成過程
おけるスライドボートと融液保持部材との位置関
係を各々示すものである。 １……スライドボート、２……るつぼ（融液保
持部材）、２ａ，２ｂ……融液収納部、３……半
導体基板、４……溝、５……溝、６……蓋。
キシヤル成長装置の一実施例を各々示す側断面図
であり、各図は各エピタキシヤル成長層生成過程
おけるスライドボートと融液保持部材との位置関
係を各々示すものである。 １……スライドボート、２……るつぼ（融液保
持部材）、２ａ，２ｂ……融液収納部、３……半
導体基板、４……溝、５……溝、６……蓋。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の表面にＡｌＧａＡｓを用いてエピ
タキシヤル成長層を形成する液相エピタキシヤル
成長装置において、 結晶成長材料を溶かし込んだ融液を収納可能と
するとともに、上部開口部が閉成される底なしの
融液保持部材と、 上記半導体基板が面一となるように嵌め込まれ
る溝が形成されとともに、Ａｌが嵌め込まれる溝
が形成され、これら溝が形成された面が上記融液
保持部材の底に密接してこの融液保持部材の底を
閉成するスライドボートとを備え、 このスライドボートを上記融液保持部材に対し
てスライドさせることにより上記溝に嵌め込まれ
たＡｌを上記融液保持部材内の融液に接触させて
この融液中に溶け込ませることを特徴とする液相
エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16914888U JPH0289825U (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16914888U JPH0289825U (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289825U true JPH0289825U (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=31458945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16914888U Pending JPH0289825U (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289825U (ja) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP16914888U patent/JPH0289825U/ja active Pending
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