JPH01156776A - 画像形成方法 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は画像形成方法に関し、特に電子写真複写方法に
関するものである。
関するものである。
口、従来技術
カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。 同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。 同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐剛性、耐摩耗性、耐湿性
等の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露
光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好で
あることが要求される。
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐剛性、耐摩耗性、耐湿性
等の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露
光時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好で
あることが要求される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光4電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
化カドミウム等の無機光4電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば、特公昭50−10496号公報には、ポリ−N
−ビニルカルバゾールと2.4.7−1−リートロー9
−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体に
ついて記載されている。 しかし、この感光体は、感度
及び耐久性において必ずしも満足できるものではない。
−ビニルカルバゾールと2.4.7−1−リートロー9
−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体に
ついて記載されている。 しかし、この感光体は、感度
及び耐久性において必ずしも満足できるものではない。
このような欠点を改善するために、感光層において、
キャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に
個別に分担させることにより、感度が高(て耐久性の大
きい有機感光体を開発する試みがなされている。
キャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に
個別に分担させることにより、感度が高(て耐久性の大
きい有機感光体を開発する試みがなされている。
このようないわば機能分離型の電子写真感光体において
は、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択す
ることができるので、任意の特性を有する電子写真感光
体を比較的容易に作製することが可能である。 そのた
め、感度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られる
ことが期待されている。
は、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択す
ることができるので、任意の特性を有する電子写真感光
体を比較的容易に作製することが可能である。 そのた
め、感度が高く、耐久性の大きい有機感光体が得られる
ことが期待されている。
第5図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。
型の電子写真感光体を示すものである。
この電子写真感光体は、導電性基体1の上にキャリア発
生層6、キャリア輸送層4を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。 即
ち、感光層8はキャリア発生層6とキャリア輸送層4か
ら構成されている。
生層6、キャリア輸送層4を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。 即
ち、感光層8はキャリア発生層6とキャリア輸送層4か
ら構成されている。
上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。
これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。 かかる理由より、上述のような感光体は負帯
電用に使用されている。
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。 かかる理由より、上述のような感光体は負帯
電用に使用されている。
この場合、高感度を達成する上で、ホール輸送能の大き
な材料を使用することが有利である。
な材料を使用することが有利である。
しかしながら、上述のような感光体においては、第5図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。 こうした局所
的なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電
性基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一
等が原因として考えられる。
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。 こうした局所
的なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電
性基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一
等が原因として考えられる。
そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。
問題点が生じている。
即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、Vt)にト
ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されてい
る部分、VH)にはトナー像が形成されない。
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、Vt)にト
ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されてい
る部分、VH)にはトナー像が形成されない。
しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。 このようなカプリは通常のカブリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
に消失、減少することにより発生する現象であり、「黒
ポチ」と呼ばれている。 こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。 このようなカプリは通常のカブリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
に消失、減少することにより発生する現象であり、「黒
ポチ」と呼ばれている。 こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画像欠陥である。
こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層4
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減ら−し、あるいはCTMやバイ
ンダー樹脂の種類を変更することが考えられる。 これ
らはいずれも、キャリア輸送層4のホール輸送能を低下
せしめて感光体表面うのキャリア注入を抑制しようとす
るものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留
電位の上昇、1vLlの上昇、繰り返し使用時の1vL
l安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、
低温においては特にlv Llの上昇等、感光体特性が
大きく悪化する。
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減ら−し、あるいはCTMやバイ
ンダー樹脂の種類を変更することが考えられる。 これ
らはいずれも、キャリア輸送層4のホール輸送能を低下
せしめて感光体表面うのキャリア注入を抑制しようとす
るものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留
電位の上昇、1vLlの上昇、繰り返し使用時の1vL
l安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、
低温においては特にlv Llの上昇等、感光体特性が
大きく悪化する。
以上のように、従来黒ポチ等の画像欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
ハロ発明の目的
本発明の目的は、黒ポチの生じ易い反転現像法において
、黒ポチ等の画像欠陥を著しく減少せしめ、長期間に亘
り、画像全面に亘って均一かつ良好な画像を得られるよ
うな画像形成方法を提供することである。
、黒ポチ等の画像欠陥を著しく減少せしめ、長期間に亘
り、画像全面に亘って均一かつ良好な画像を得られるよ
うな画像形成方法を提供することである。
二8発明の構成及びその作用効果
本発明は、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設け
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 (a)、前記感光体として、前記キャリア発生層中に有
機ケイ素系樹脂が含有され、導電性基体と前記キャリア
発生層との間に接着性下引層が設けられ、かつヒドロキ
シル基を有する共重合体樹脂が前記接着性下引層に含有
されている感光体を使用し、 (b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400 V〜
900 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜
像を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりもO〜2
oOV低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 (a)、前記感光体として、前記キャリア発生層中に有
機ケイ素系樹脂が含有され、導電性基体と前記キャリア
発生層との間に接着性下引層が設けられ、かつヒドロキ
シル基を有する共重合体樹脂が前記接着性下引層に含有
されている感光体を使用し、 (b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400 V〜
900 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜
像を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりもO〜2
oOV低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。
但し、直流バイアス電圧と帯電電位とは同符号とする。
本発明で使用する感光体において、キャリア発生層中に
有機ケイ素系樹脂を含有せしめている点に顕著な特徴を
有する。
有機ケイ素系樹脂を含有せしめている点に顕著な特徴を
有する。
即ち、高抵抗という有機ケイ素系樹脂の特質より、本発
明においては、導電性基体側からの局所的なキャリア注
入による表面電荷の消失、減少を阻止することができる
。 従って、反転現像を行だ場合に画像上に黒ポチが生
ずることはなく、画像欠陥のない高品質の画像を得ると
いう顕著な作用効果を奏することができる。
明においては、導電性基体側からの局所的なキャリア注
入による表面電荷の消失、減少を阻止することができる
。 従って、反転現像を行だ場合に画像上に黒ポチが生
ずることはなく、画像欠陥のない高品質の画像を得ると
いう顕著な作用効果を奏することができる。
基体側からの局所的なキャリア注入を防止できる理由は
明らかではないが、−心火のように考えられる。
明らかではないが、−心火のように考えられる。
即ち、第5図に示したような従来の感光体においては、
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層6中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層4を介して感光体表面にまで至るのである。
言い変えると、キャリア発生層6は局所的なキャリア注
入に対する障壁としては機能し得ないのである。
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層6中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層4を介して感光体表面にまで至るのである。
言い変えると、キャリア発生層6は局所的なキャリア注
入に対する障壁としては機能し得ないのである。
これに対し、本発明においては、キャリア発生層中に有
機ケイ素系樹脂を含有せしめることにより、キャリア発
生層自体に局所的なキャリア注入に対するブロッキング
機能が付与され、反転現像において黒ポチを防止できる
。 しかも、キャリア発生層の光キヤリア発生能は良好
に保持され、光感度も保持できる。
機ケイ素系樹脂を含有せしめることにより、キャリア発
生層自体に局所的なキャリア注入に対するブロッキング
機能が付与され、反転現像において黒ポチを防止できる
。 しかも、キャリア発生層の光キヤリア発生能は良好
に保持され、光感度も保持できる。
ただし、導電性基体上に直接、有機ケイ素系樹脂を含有
するキャリア発生層を設けた場合には、基体とキャリア
発生層との接着性が充分ではなく、基体とキャリア発生
層との剥離が生じ易いという難点がある。 このため、
現像器の両端にある“つきあてコ0”の部分(現像器の
縁部にある。)の膜ハガレが生じ、また基体ドラムに衝
撃が加わった場合、基体とキャリア発生層とが離れる膜
浮きが生ずる。 このため、繰り返し使用時に、膜ハガ
レ、膜浮きの生じた部分に対応して画像不良が生じた。
するキャリア発生層を設けた場合には、基体とキャリア
発生層との接着性が充分ではなく、基体とキャリア発生
層との剥離が生じ易いという難点がある。 このため、
現像器の両端にある“つきあてコ0”の部分(現像器の
縁部にある。)の膜ハガレが生じ、また基体ドラムに衝
撃が加わった場合、基体とキャリア発生層とが離れる膜
浮きが生ずる。 このため、繰り返し使用時に、膜ハガ
レ、膜浮きの生じた部分に対応して画像不良が生じた。
その他、クリーニング部材との圧着、現像剤との摩擦
等によっても、膜ハガレが生じる。
等によっても、膜ハガレが生じる。
これに対し、本発明においては、導電性基体とキャリア
発生層との間に接着性下引層を設け、かつヒドロキシル
基を有する共重合体樹脂を接着性下引層に含有せしめて
いる点が重要である。
発生層との間に接着性下引層を設け、かつヒドロキシル
基を有する共重合体樹脂を接着性下引層に含有せしめて
いる点が重要である。
即ち、接着性下引層の働きにより、キャリア発 ゛主層
は接着性下引層を介して導電性基体に良好に接着され、
上記したようなキャリア発生層の膜ハガレ、膜浮きを防
止できる。 従って、繰り返し使用時にも膜ハガレ、膜
浮きに起因する画像不良は防止でき、長期間に亘り均一
かつ良好な画像が得られる。
は接着性下引層を介して導電性基体に良好に接着され、
上記したようなキャリア発生層の膜ハガレ、膜浮きを防
止できる。 従って、繰り返し使用時にも膜ハガレ、膜
浮きに起因する画像不良は防止でき、長期間に亘り均一
かつ良好な画像が得られる。
ここにおいて、最も重要なことは接着性下引層の材質の
選択であり、この選択が不適当な場合は上記したような
膜ハガレ、膜浮き防止という顕著な効果は望み得す、か
えって光感度に悪影響を及ぼしかねない。 しかしなが
ら、無数に存在する高分子材料中から、有機ケイ素系樹
脂を含有するキャリア発生層及び基体の双方に良好な接
着性を示す樹脂について一般的、画一的な選択手段があ
るというものではなく、実験の積み重ねにより良好な材
質を決定していく他はないのが実情である。
選択であり、この選択が不適当な場合は上記したような
膜ハガレ、膜浮き防止という顕著な効果は望み得す、か
えって光感度に悪影響を及ぼしかねない。 しかしなが
ら、無数に存在する高分子材料中から、有機ケイ素系樹
脂を含有するキャリア発生層及び基体の双方に良好な接
着性を示す樹脂について一般的、画一的な選択手段があ
るというものではなく、実験の積み重ねにより良好な材
質を決定していく他はないのが実情である。
本発明者は、種々の高分子材料について検討を加えた結
果、上記したヒドロキシル基を有する共重合体樹脂を接
着性下引層の材質として選択することにより、キャリア
発生層及び基体双方との接着が良好となり、キャリア発
生層の膜ハガレ、膜浮き防止という顕著な作用効果を奏
しうろことを見出した。
果、上記したヒドロキシル基を有する共重合体樹脂を接
着性下引層の材質として選択することにより、キャリア
発生層及び基体双方との接着が良好となり、キャリア発
生層の膜ハガレ、膜浮き防止という顕著な作用効果を奏
しうろことを見出した。
更に、本発明において注目すべきことは、上記したこと
に加えて、既述した lV、、lで表わされる帯電電位
の絶対値を 1VHl=400 V〜900■と特定範
囲に限定しているので、既述した如き欠陥は生じない。
に加えて、既述した lV、、lで表わされる帯電電位
の絶対値を 1VHl=400 V〜900■と特定範
囲に限定しているので、既述した如き欠陥は生じない。
即ち1V141<400 Vでは、必要とされる電界
強度を得ることが困難であるが、1vlIl>900■
とするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、これ
によって感度が低下し、好ましくない。 また、本発明
では1vHlとIVIICI(直流バイアス電圧の絶対
値)との差である lV、I−lv、。1をO〜200
Vと特定していることも重要である。
強度を得ることが困難であるが、1vlIl>900■
とするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、これ
によって感度が低下し、好ましくない。 また、本発明
では1vHlとIVIICI(直流バイアス電圧の絶対
値)との差である lV、I−lv、。1をO〜200
Vと特定していることも重要である。
即ち、lv、l lv、cl <OVの場合には、
カブリが発生してしまい、また看V帽−IVoc!
>200Vの場合は、キャリア付着(二成分現像剤のと
き)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のとき
)が生じてしまうのである。
カブリが発生してしまい、また看V帽−IVoc!
>200Vの場合は、キャリア付着(二成分現像剤のと
き)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のとき
)が生じてしまうのである。
従って、本発明に基いて、lV、1=400〜900■
(望ましくは500〜700 V )とすべきであり、
かツIVIII IVDcI = 0〜200 V
(望ましくは50〜150V)とすべきであり、これ
らの条件で反転現像を行うことが高感度を保持しながら
、高画質で黒ポチのない良好な画像を得るための必須不
可欠な条件である。
(望ましくは500〜700 V )とすべきであり、
かツIVIII IVDcI = 0〜200 V
(望ましくは50〜150V)とすべきであり、これ
らの条件で反転現像を行うことが高感度を保持しながら
、高画質で黒ポチのない良好な画像を得るための必須不
可欠な条件である。
しかも、反転現像法によるものであるから、特に、プリ
ンタに適用した場合等においては、文字部(黒地部)が
白地部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、
正規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面
で有利である。
ンタに適用した場合等においては、文字部(黒地部)が
白地部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、
正規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面
で有利である。
以上述べたように、本発明によれば、キャリア発生層の
材質と下引層の材質とを独得に選択することにより、黒
ポチを防止すると同時にキャリア発生層の膜ハガレ、膜
浮きを防止でき、これらに起因する画像欠陥も発生しな
い。 従って、長期間に亘り、かつ画像全面に亘り画像
欠陥の著しく抑制された均一かつ高品質の画像を安定し
て供給できる。
材質と下引層の材質とを独得に選択することにより、黒
ポチを防止すると同時にキャリア発生層の膜ハガレ、膜
浮きを防止でき、これらに起因する画像欠陥も発生しな
い。 従って、長期間に亘り、かつ画像全面に亘り画像
欠陥の著しく抑制された均一かつ高品質の画像を安定し
て供給できる。
本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第1図に例示する。
的な構成を第1図に例示する。
第1図の感光体においては、導電性基体1の上に接着性
下引N7を介してキャリア発生層6が設けられ、キャリ
ア発生層6上にキャリア輸送層4が設けられている。
キャリア発生層6中には有機ケイ素系樹脂が含有されて
いる。 なお、8は感光層を示す。
下引N7を介してキャリア発生層6が設けられ、キャリ
ア発生層6上にキャリア輸送層4が設けられている。
キャリア発生層6中には有機ケイ素系樹脂が含有されて
いる。 なお、8は感光層を示す。
第1図のような感光体において、キャリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。 また、耐刷性向上等のため感
光体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば
合成樹脂被膜をコーティングして良い。
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。 また、耐刷性向上等のため感
光体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば
合成樹脂被膜をコーティングして良い。
キャリア発生層において一般的には、粒状のキャリア発
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。 即ち、層中に顔料の形で分散されている。
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。 即ち、層中に顔料の形で分散されている。
次に、有機ケイ素系樹脂及びヒドロキシル基を有量る樹
脂について述べる。
脂について述べる。
有機ケイ素系樹脂の主なものを、ケイ素を含む骨核構造
の形式に従って分類すると、次のようになる。
の形式に従って分類すると、次のようになる。
これらのうち、最も重要なものは(C)のオルガノポリ
シロキサンである。
シロキサンである。
鎖状オルガノポリシロキサンはシリコーンと呼ばれるが
、かかるシリコーン樹脂としてはいわゆるストレートシ
リコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂の双方を含む。
変性樹脂としては、アルキッド変性、アクリル変性、エ
ポキシ変性、ポリエステル変性、ウレタン変性樹脂等が
挙げられる。
、かかるシリコーン樹脂としてはいわゆるストレートシ
リコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂の双方を含む。
変性樹脂としては、アルキッド変性、アクリル変性、エ
ポキシ変性、ポリエステル変性、ウレタン変性樹脂等が
挙げられる。
具体的な商品名としては、例えばSR2100、SR2
101、SR2107、SR2108、SR2109、
SR2110、SR2115、SR2400、SH80
4、SH805、SH806A、 SH840(以上、
トーレ・シリコーン株式会社製)、KR271、KR2
B2 、KR311、KR255、KR155、KR2
11、KR212、KR214、KR216、KR21
3、KR21? 、KR9218,5A−4、KR20
6、KR5206、KR5207、ES 100IN
。
101、SR2107、SR2108、SR2109、
SR2110、SR2115、SR2400、SH80
4、SH805、SH806A、 SH840(以上、
トーレ・シリコーン株式会社製)、KR271、KR2
B2 、KR311、KR255、KR155、KR2
11、KR212、KR214、KR216、KR21
3、KR21? 、KR9218,5A−4、KR20
6、KR5206、KR5207、ES 100IN
。
ES 1002T、 ES 1004、KR305
、KR9706、KR5203、KR5221(以上、
信越化学工業株式会社製)等が例示される。
、KR9706、KR5203、KR5221(以上、
信越化学工業株式会社製)等が例示される。
ヒドロキシル基を有する樹脂において、共重合成分は種
々選択することが可能であり、共重合体の特性を最適に
調整することができる。 製造方法としては、樹脂中の
酢酸ビニル単位等を一部加水分解する方法と、β−ヒド
ロキシエチルメタクリレート等のヒドロキシル基含有モ
ノマーを共重合成分として用いる方法とがある。
々選択することが可能であり、共重合体の特性を最適に
調整することができる。 製造方法としては、樹脂中の
酢酸ビニル単位等を一部加水分解する方法と、β−ヒド
ロキシエチルメタクリレート等のヒドロキシル基含有モ
ノマーを共重合成分として用いる方法とがある。
共電合成モノマーとしては、公知のものを使用でき、例
えば酢酸ビニル、プロピオン酸等のビニルエステル、塩
化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタク
リレートリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、
種々のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エ
チレン、プロピレン、イソブチン、ブタジェン、イソプ
レン、ビニルエーテル、了り−ルエーテル、アリールエ
ステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイン
酸エステル等が例示される。
えば酢酸ビニル、プロピオン酸等のビニルエステル、塩
化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタク
リレートリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、
種々のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エ
チレン、プロピレン、イソブチン、ブタジェン、イソプ
レン、ビニルエーテル、了り−ルエーテル、アリールエ
ステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイン
酸エステル等が例示される。
上記樹脂は乳化重合、溶液重合、懸濁重合、塊状重合等
の重合法により重合される。 いずれの方法においても
、必要に応じて分子量調節剤、重合開始剤、モノマーの
分割添加あるいは連結添加などの公知の技術が応用でき
る。
の重合法により重合される。 いずれの方法においても
、必要に応じて分子量調節剤、重合開始剤、モノマーの
分割添加あるいは連結添加などの公知の技術が応用でき
る。
上記樹脂の具体的な商品名としては、V A G Hl
VAGD、VROH,、VYES、VAGF、(:ff
−ニオンカーバイド社製)、エスレンクA−3(積木化
学工業社製)、エスレソクBL−3、エスレソクBX−
L、エスレックBX−1、エスレソクBX−7(積木化
学工業社製)等が例示される。
VAGD、VROH,、VYES、VAGF、(:ff
−ニオンカーバイド社製)、エスレンクA−3(積木化
学工業社製)、エスレソクBL−3、エスレソクBX−
L、エスレックBX−1、エスレソクBX−7(積木化
学工業社製)等が例示される。
キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有量比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、3/1〜1/3とすると更に好ましい。 キ
ャリア発生物質の含有量比が上記範囲より大きいと黒ポ
チ等が著しく現れるか或いは現れ易くなる。 但し、キ
ャリア発生物質の割合があまり小さいと、却って光感度
等が低下してしまう。
ー物質に対する含有量比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、3/1〜1/3とすると更に好ましい。 キ
ャリア発生物質の含有量比が上記範囲より大きいと黒ポ
チ等が著しく現れるか或いは現れ易くなる。 但し、キ
ャリア発生物質の割合があまり小さいと、却って光感度
等が低下してしまう。
キャリア発生層の膜厚は0.1 μm以上とすることが
好ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好
ましい。
好ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好
ましい。
キャリア輸送層の膜厚は10μm以上であることが好ま
しい。
しい。
感光層全体の膜厚は10〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。 この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために
帯電電位が小さくなり、耐剛性も低下する傾向がある。
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。 この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために
帯電電位が小さくなり、耐剛性も低下する傾向がある。
また、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上昇が起こり易くなる。
電位は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎ
る場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がた
くなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電
位の上昇が起こり易くなる。
キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。
ことも可能である。
粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μm以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは2μm以下の
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μm以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは2μm以下の
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
また、キャリア輸送層において、キャリア発生層中は、
バインダー物質との相溶性に優れたちのが好ましい。
バインダー物質との相溶性に優れたちのが好ましい。
これにより、バインダー物質に対する量を多くしても濁
り及び不透明化を生ずることがないので、バインダー物
質との混合割合を非常に広くとることができ、また、相
溶性がすぐれていることから電荷発生層が均一、かつ安
定であり、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、
更に高感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろこと
ができる。
り及び不透明化を生ずることがないので、バインダー物
質との混合割合を非常に広くとることができ、また、相
溶性がすぐれていることから電荷発生層が均一、かつ安
定であり、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、
更に高感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろこと
ができる。
更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労劣化
を生ずることが少ないという作用効果を奏することがで
きる。
を生ずることが少ないという作用効果を奏することがで
きる。
キャリア発生物質(CGM)としては、TL磁波を吸収
してフリーキャリアを発生するものであれば、無機顔料
及び有機顔料の何れも用いることができる。
してフリーキャリアを発生するものであれば、無機顔料
及び有機顔料の何れも用いることができる。
CGMとして以下のものが例示される。
(1)無定型セレン、三方晶系セレン、セレン−砒素合
金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン化カ
ドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、硫化鉛、
酸化亜鉛、酸化チタン、無定型シリコン等の無機顔料 (2)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料(3)アントラキノンHA m
体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘
導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体及び
イソビオラントロン誘導体等のアントラキノン系又は多
環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)チタニルフタロシアニン、バナジルフタロシアニ
ン等の各種金属フタロシアニン、及びα型・β型・τ型
・τ型・τ′型・β型・η′型等の無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 (15)フルオレノン系顔料 (16)スクアリリウム顔料 (17)アズレニウム化合物 (18)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペ
リレン系顔料 更に、好ましいアゾ化合物、多環キノン系顔料の例につ
いて示す。 これら化合物の具体例については特願昭6
1−195881号明細書に詳細に記載されている。
金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン化カ
ドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、硫化鉛、
酸化亜鉛、酸化チタン、無定型シリコン等の無機顔料 (2)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料(3)アントラキノンHA m
体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘
導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体及び
イソビオラントロン誘導体等のアントラキノン系又は多
環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)チタニルフタロシアニン、バナジルフタロシアニ
ン等の各種金属フタロシアニン、及びα型・β型・τ型
・τ型・τ′型・β型・η′型等の無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 (15)フルオレノン系顔料 (16)スクアリリウム顔料 (17)アズレニウム化合物 (18)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペ
リレン系顔料 更に、好ましいアゾ化合物、多環キノン系顔料の例につ
いて示す。 これら化合物の具体例については特願昭6
1−195881号明細書に詳細に記載されている。
A−N=N−Ar’−CH=CH−Ar”−N=N−A
A−N=N−Ar’−CH=CH−Ar”−CH=CH
−−Ar’−N=N−A (I−8) A−N=N−Ar’−N=N−Ar”−N=N−AA−
N=N−Ar’−N=N−Ar”−N=N −−Ar3
−N=N−A −N=N−A 〔但、上記各一般式中、 Ar’、Ar”及びAr3:それぞれ、置換若しくは未
置換の炭素環式芳香族 環基、 R’ 、R2、R’及びR4,それぞれ、電子吸引性基
又は水素源 子であって、R1 〜R4の少なくと も1つはシアノ基 等の電子吸引性基、 Ar’ (Xは、ヒドロキシ基、 八R7 (但、R6及びR7はそれぞれ、水素原子又は置換若し
くは未置換のアルキル 基、 R11は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若し
くは未置換のアリール 基〉、 Yは、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換の
アルキル基、アルコキシ 基、カルボキシル基、スルホ基、置換 若しくは未置換のカルバモイル基又は 置換若しくは未置換のスルファモイル ル基(但、mが2以上のときは、互い に異なる基であってもよい。)、 Zは、置換若しくは未置換の炭素環式芳香族環又は置換
若しくは未置換の複素環 式芳香族環を構成するに必要な原子群、R5は、水素原
子、置換若しくは未置換のアミノ基、置換若しくは未置
換のカルバ モイル基、カルボキシル基又はそのエ ステル基、 Ar’は、置換若しくは未置換のアリール基、nは、■
または2の整数、 mは、0〜4の整数である。)〕 また、次の一般式CI+)群の多環キノン顔料もCGM
として使用できる。
A−N=N−Ar’−CH=CH−Ar”−CH=CH
−−Ar’−N=N−A (I−8) A−N=N−Ar’−N=N−Ar”−N=N−AA−
N=N−Ar’−N=N−Ar”−N=N −−Ar3
−N=N−A −N=N−A 〔但、上記各一般式中、 Ar’、Ar”及びAr3:それぞれ、置換若しくは未
置換の炭素環式芳香族 環基、 R’ 、R2、R’及びR4,それぞれ、電子吸引性基
又は水素源 子であって、R1 〜R4の少なくと も1つはシアノ基 等の電子吸引性基、 Ar’ (Xは、ヒドロキシ基、 八R7 (但、R6及びR7はそれぞれ、水素原子又は置換若し
くは未置換のアルキル 基、 R11は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若し
くは未置換のアリール 基〉、 Yは、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換の
アルキル基、アルコキシ 基、カルボキシル基、スルホ基、置換 若しくは未置換のカルバモイル基又は 置換若しくは未置換のスルファモイル ル基(但、mが2以上のときは、互い に異なる基であってもよい。)、 Zは、置換若しくは未置換の炭素環式芳香族環又は置換
若しくは未置換の複素環 式芳香族環を構成するに必要な原子群、R5は、水素原
子、置換若しくは未置換のアミノ基、置換若しくは未置
換のカルバ モイル基、カルボキシル基又はそのエ ステル基、 Ar’は、置換若しくは未置換のアリール基、nは、■
または2の整数、 mは、0〜4の整数である。)〕 また、次の一般式CI+)群の多環キノン顔料もCGM
として使用できる。
一般式〔■〕 :
(但、この一般式中、X′はハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、アシル基又はカルボキシル基を表わし、pは
O〜4の整数、qはO〜6の整数を表わす。) スクアリウム顔料については特開昭60−258550
号公報等に記載がある。
シアノ基、アシル基又はカルボキシル基を表わし、pは
O〜4の整数、qはO〜6の整数を表わす。) スクアリウム顔料については特開昭60−258550
号公報等に記載がある。
チタニルフタロシアニンについては特M昭62−241
983号明細書に記載がある。
983号明細書に記載がある。
アズレニウム化合物については、特願昭62−2511
88号明細書に記載がある。
88号明細書に記載がある。
更に、特殊な無金属フタロシアニンについて、特願昭6
1−295784号明細書等に記載がある。
1−295784号明細書等に記載がある。
本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズ
イミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノ
スチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニ
レンジアミン誘導体、スチルベン333 体、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ
−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種
以上であってよい。
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズ
イミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノ
スチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニ
レンジアミン誘導体、スチルベン333 体、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ
−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種
以上であってよい。
かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭61
−195881号明細書に記載されている。 以下にそ
の一般式を掲げる。
−195881号明細書に記載されている。 以下にそ
の一般式を掲げる。
キャリア輸送物質としての次の一般式(I[[)又は(
IV)のスチリル化合物が使用可能である。
IV)のスチリル化合物が使用可能である。
一般式〔■〕 :
(但、この一般式中、
R9、RIO,置換若しくは未置換のアルキル基、アリ
ール基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用いる。
ール基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用いる。
Ar’、、 Ar’ :置換若しくは未置換の了り−ル
基を表わし、置換基としてはアルキ ル基、アルコキシ基、置換アミノ 基、水酸基、ハロゲン原子、アリ ール基を用いる。
基を表わし、置換基としてはアルキ ル基、アルコキシ基、置換アミノ 基、水酸基、ハロゲン原子、アリ ール基を用いる。
R11、RIt:置換若しくは未置換のアリール基、水
素原子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミノ基、水酸基、ハロゲン原 子、アリール基を用いる。) 一般式〔■〕 : R” (但、この一般式中、 RI3.置換若しくは未置換のアリール基、R14:水
素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル
基、アル コキシ基、アミノ基、置換アミノ 基、水酸基、 RIS、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換の複素環基を 表わす、) また、キャリア輸送物質として次の一般式[V)、(V
l)、(Vl a )、(V[b)又は〔■〕のヒドラ
ゾン化合物も使用可能である。
素原子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミノ基、水酸基、ハロゲン原 子、アリール基を用いる。) 一般式〔■〕 : R” (但、この一般式中、 RI3.置換若しくは未置換のアリール基、R14:水
素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル
基、アル コキシ基、アミノ基、置換アミノ 基、水酸基、 RIS、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換の複素環基を 表わす、) また、キャリア輸送物質として次の一般式[V)、(V
l)、(Vl a )、(V[b)又は〔■〕のヒドラ
ゾン化合物も使用可能である。
一般式〔■〕 :
(但、この一般式中、
R16及びR1?、それぞれ水素原子又はハロゲン原子
、 RIB及びRI9:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar’:置換若しくは未置換のアリー レン基を表わす。) 一般式〔■〕 : (但、この一般式中、 R20:置換若しくは未置換の了り−ル基、置換若しく
は未置換のカルバゾリ ル基、又は置換若しくは未置換の 複素環基を表わし、 RlI、R22及びR23コ水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、 又ハ置換若しくは未置換のアラル キル基を表わす。) 一般式(Vla): 昌・ (但、この一般式中、 R24:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチ ル基、 Hzs、メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 −R16,メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニ
ル基を示す。
、 RIB及びRI9:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar’:置換若しくは未置換のアリー レン基を表わす。) 一般式〔■〕 : (但、この一般式中、 R20:置換若しくは未置換の了り−ル基、置換若しく
は未置換のカルバゾリ ル基、又は置換若しくは未置換の 複素環基を表わし、 RlI、R22及びR23コ水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、 又ハ置換若しくは未置換のアラル キル基を表わす。) 一般式(Vla): 昌・ (但、この一般式中、 R24:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチ ル基、 Hzs、メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 −R16,メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニ
ル基を示す。
一般式(Vlb):
(但、この一般式中、R2”rは置換若しくは未置換の
ナフチル基;R28は置換若しくは未置換のアルキル基
、アラルキル基又はアリール基;R29は水素原子、ア
ルキル基又はアルコキシ基;R″′及びR”は置換若し
くは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基
からなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) 一般式〔■〕 : (但、この一般式中、 R32=置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環 基・ R31;水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは装置 換のアリール基、 Q:水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 S:O又はlの整数を表わす。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式〔■〕のピ
ラゾリン化合物も使用可能である。
ナフチル基;R28は置換若しくは未置換のアルキル基
、アラルキル基又はアリール基;R29は水素原子、ア
ルキル基又はアルコキシ基;R″′及びR”は置換若し
くは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基
からなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。) 一般式〔■〕 : (但、この一般式中、 R32=置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環 基・ R31;水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは装置 換のアリール基、 Q:水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 S:O又はlの整数を表わす。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式〔■〕のピ
ラゾリン化合物も使用可能である。
一般式〔■〕 :
〔但、この一般式中、
l:0又は1、
R34及びR35:置換若しくは未置換のアリール基、
R36=置換若しくは未置換のアリール基若しくは複素
環基、 R37及びR35=水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは 未置換のアリール基若しくはア ラルキル基(但、R37及びR311 は共に水素原子であることはな く、また前記lが0のときはRff? は水素原子ではない。)〕 更に、次の一般式(IX)のアミン誘導体もキャリア輸
送物質として使用できる。
環基、 R37及びR35=水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは 未置換のアリール基若しくはア ラルキル基(但、R37及びR311 は共に水素原子であることはな く、また前記lが0のときはRff? は水素原子ではない。)〕 更に、次の一般式(IX)のアミン誘導体もキャリア輸
送物質として使用できる。
一般式〔■〕 :
(但、この一般式中、
Ar”、Ar’:置換若しくは未置換のフェニル基を表
し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。
し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。
Ar”:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル基
、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。 但、置換アミノ基の置 換基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基を用い る。) 更に、次の一般式(X)の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。 但、置換アミノ基の置 換基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基を用い る。) 更に、次の一般式(X)の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
一般式〔X〕 :
(但、この一般式中、
Ar” :置換又は未置換のアリーレン基を表し、
R”、R”% R”及びR”
:置換基しくは未置換のアルキル基、
置換若しくは未置換のアリール基、
又は置換若しくは未置換のアラル
キル基を表す。)
更に、次の一般式(XI)の化合物もキャリア輸送物質
として使用できる。
として使用できる。
一般式(XI):
〔但、この一般式中、R43、R”、R4S及びR”は
、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基
、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ベン
ジル基又はアラルキル基、R”及びR”は、それぞれ水
素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜40のア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルケニル基、了り−ル基又はアラルキル基(但、R47
とR411とが共同して炭素原子数3〜10の飽和若し
くは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。) R49、R”、R5I及びR”は、ツレツレ水素原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、了り−
ル基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基又はアリールアミノ基である。〕 キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。 これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇
や帯電電位の低下を防止できる。
、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基
、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ベン
ジル基又はアラルキル基、R”及びR”は、それぞれ水
素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜40のア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルケニル基、了り−ル基又はアラルキル基(但、R47
とR411とが共同して炭素原子数3〜10の飽和若し
くは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。) R49、R”、R5I及びR”は、ツレツレ水素原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、了り−
ル基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基又はアリールアミノ基である。〕 キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。 これにより放電で発生するオ
ゾンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇
や帯電電位の低下を防止できる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。
ドアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。
これらの具体的化合物としては、特願昭61−1628
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。
る。
こうした高分子有機半導体のうちポリ−N−ビニルカル
バゾール又はその誘導体が効果が大であり、好ましく用
いられる。 かかるポリ−N−ビニルカルバゾール誘導
体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカル
バゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ
基、アミ/M、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって
置換されたものである。
バゾール又はその誘導体が効果が大であり、好ましく用
いられる。 かかるポリ−N−ビニルカルバゾール誘導
体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカル
バゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ
基、アミ/M、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって
置換されたものである。
また、感光層内に感度の向上、残留電位なしい反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、
1.3.5−1−ジニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジ
クロロジシアノバラヘンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−
フルオレニリデンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリ
ル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノ
メチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ
安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息
香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸
、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸
、その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種以
上を挙げることができる。 これらのうち、フルオレノ
ン系、キノン系や、C1,CN、Not等の電子吸引性
の置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、
1.3.5−1−ジニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジ
クロロジシアノバラヘンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−
フルオレニリデンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリ
ル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノ
メチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ
安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息
香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸
、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸
、その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種以
上を挙げることができる。 これらのうち、フルオレノ
ン系、キノン系や、C1,CN、Not等の電子吸引性
の置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。 また耐久性向上剤と
してアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
界面活性剤を存在させてもよい。 また耐久性向上剤と
してアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
更に紫外線吸収剤を用いてもよい。
好ましい紫外線吸収剤としては、安息香酸、スチルベン
化合物等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダ
ゾール化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オ
キサジアゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導
体等の含窒素化合物類が用いられる。
化合物等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダ
ゾール化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オ
キサジアゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導
体等の含窒素化合物類が用いられる。
感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
メラミン樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、重付
加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単位の
うち2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェ
ン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共
重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等の高分
子有機半導体を挙げることができる。
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
メラミン樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、重付
加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単位の
うち2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェ
ン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共
重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等の高分
子有機半導体を挙げることができる。
上記のバインダーは、単独であるいは二種以上の混合物
として用いることができる。
として用いることができる。
必要に応じて設けられる保護層のバインダーとしては、
体積抵抗10”Ω・cm以上、好ましくは10IoΩ・
cm以上、より好ましくは1013Ω・cm以上の透明
樹脂が用いられる。 又前記バインダーは光又は熱によ
り硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により
硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂
、光硬化性桂皮酸樹脂等又はこれらの共重合若しくは縮
合樹脂があり、その他電子写真材料に供される光又は熱
硬化性樹脂の全てが利用される。 又前記保護層中には
加工性及び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目
的として必要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有
せしめることができる。
体積抵抗10”Ω・cm以上、好ましくは10IoΩ・
cm以上、より好ましくは1013Ω・cm以上の透明
樹脂が用いられる。 又前記バインダーは光又は熱によ
り硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により
硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂
、光硬化性桂皮酸樹脂等又はこれらの共重合若しくは縮
合樹脂があり、その他電子写真材料に供される光又は熱
硬化性樹脂の全てが利用される。 又前記保護層中には
加工性及び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目
的として必要により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有
せしめることができる。
かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレン、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリカー
ボネート樹脂又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等の高分子有機半導体、その他電子写真
材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリカー
ボネート樹脂又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等の高分子有機半導体、その他電子写真
材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。
ができる。
(イ)キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加え・
て混合溶解した溶液を塗布する方法。
て混合溶解した溶液を塗布する方法。
(ロ)キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。
ると、均一分散が可能になる。
また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
この場合、キャリア発生層中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。 この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重量部に対して1〜100重量部の
範囲内とするのが好ましい。 また、キャリア輸送物質
を含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア
発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物
質をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。 こ
の方法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層
中にキャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上
述の三方法を同時に行うことも差し支えない。
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。 この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重量部に対して1〜100重量部の
範囲内とするのが好ましい。 また、キャリア輸送物質
を含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア
発生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物
質をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。 こ
の方法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層
中にキャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上
述の三方法を同時に行うことも差し支えない。
層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、n
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、 N−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド等を挙げることができる。
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、 N−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,2
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド等を挙げることができる。
上記感光層、下引jき層、中間層、保護層等は、例えば
ブレード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗
布、スパイラル塗布等により設けることができる。 例
えばブレード塗布は、数μmの層を設けるのに適してい
る。
ブレード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗
布、スパイラル塗布等により設けることができる。 例
えばブレード塗布は、数μmの層を設けるのに適してい
る。
なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。
第2図は本発明の方法を実施する記録装置の一例を示す
構成概要図、第3図は現像器の一例を示す部分断面図、
第4図は本発明の方法の実施フローチャートである。
構成概要図、第3図は現像器の一例を示す部分断面図、
第4図は本発明の方法の実施フローチャートである。
第2図の装置において、23は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、22は像担持体23の表面を一様帯電する本帯電
器、24は像露光、15は現像器である。 20は像担
持体23上にトナー像が形成された画像を記録体Pに転
写し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光
ランプ、21は転写器、19は分離用コロナ放電器、1
2は記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器
である。 13は除電ランプと除電用コロナ放電器の一
方又は両者の組合せからなる除電器、14は像担持体2
3の画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するた
めのクリーニングブレードやファーブラシを有するクリ
ーニング装置である。
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、22は像担持体23の表面を一様帯電する本帯電
器、24は像露光、15は現像器である。 20は像担
持体23上にトナー像が形成された画像を記録体Pに転
写し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光
ランプ、21は転写器、19は分離用コロナ放電器、1
2は記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器
である。 13は除電ランプと除電用コロナ放電器の一
方又は両者の組合せからなる除電器、14は像担持体2
3の画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するた
めのクリーニングブレードやファーブラシを有するクリ
ーニング装置である。
現像器15としては第3図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。 第3図において現像剤Deは磁
気ロール62が矢印F方向、スリーブ61が矢印G方向
に回転することにより矢印G方向に搬送される。 現像
剤Deは搬送途中で穂立規制ブレード63によりその厚
さtが規制される。
好ましく用いられる。 第3図において現像剤Deは磁
気ロール62が矢印F方向、スリーブ61が矢印G方向
に回転することにより矢印G方向に搬送される。 現像
剤Deは搬送途中で穂立規制ブレード63によりその厚
さtが規制される。
穂立規制ブレード63は弾性金属板製でスリーブ61の
表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御する。
現像剤溜り66内には現像剤Deの攪拌が十分に行われ
るよう攪拌スクリュー65が設けられており、現像剤溜
り66内の現像剤Deが消費された時には、トナー供給
ローラ68が回転することによりトナーホッパー67か
らトナーTが補給される。
表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御する。
現像剤溜り66内には現像剤Deの攪拌が十分に行われ
るよう攪拌スクリュー65が設けられており、現像剤溜
り66内の現像剤Deが消費された時には、トナー供給
ローラ68が回転することによりトナーホッパー67か
らトナーTが補給される。
そして、スリーブ61に現像バイアスを印加する直流電
源69及び保護抵抗70が直列に接続されている。
源69及び保護抵抗70が直列に接続されている。
また、スリーブ61と像担持体23とは間隙dを隔てて
対向配列され、現像領域Eで現像剤が像担持体23に対
し接触し、t>dとなっている。
対向配列され、現像領域Eで現像剤が像担持体23に対
し接触し、t>dとなっている。
図は現像スリーブ61と磁石体62がそれぞれ矢印G−
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ61が固定であっても、磁石体62が固定であ
っても、あるいは現像スリーブ61と磁石体62が同方
向に回転するようなものであってもよい。 磁石体62
を固定とする場合は、通常、像担持体23に対向する磁
極の磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするた
めに、磁化を強くしたり、そこに同極あるいは異極の2
個の磁極を近接させて設けたりすることが行われる。
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ61が固定であっても、磁石体62が固定であ
っても、あるいは現像スリーブ61と磁石体62が同方
向に回転するようなものであってもよい。 磁石体62
を固定とする場合は、通常、像担持体23に対向する磁
極の磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするた
めに、磁化を強くしたり、そこに同極あるいは異極の2
個の磁極を近接させて設けたりすることが行われる。
上記した装置において、本発明に基いて、静電潜像の1
■副が400〜900■となるように帯電せしめ、かつ
反転現像時のlV、l−1v。、1 =O〜200vと
する。 但し、vo。は像担持体23に対向する現像剤
搬送担体としてのスリーブ61に印加する直流バイアス
電圧である。 直流バイアス電圧に交流バイアス電圧を
重畳するのが好ましい。
■副が400〜900■となるように帯電せしめ、かつ
反転現像時のlV、l−1v。、1 =O〜200vと
する。 但し、vo。は像担持体23に対向する現像剤
搬送担体としてのスリーブ61に印加する直流バイアス
電圧である。 直流バイアス電圧に交流バイアス電圧を
重畳するのが好ましい。
この際、交流バイアス電圧の実効値は0.5KV〜4に
Vが好ましく 、0.1 KH2〜I MH2が好まし
い。
Vが好ましく 、0.1 KH2〜I MH2が好まし
い。
以上のような記録装置によって、第4図に示したような
本発明の方法を実施することができる。
本発明の方法を実施することができる。
第4図は、像露光部が背景部よりも低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に前景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に前景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
第2図の記録装置を用いた場合の第4図の例について説
明する。
明する。
最初に、除電器13で除電され、クリーニング装置14
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の像担持体23の表面に、帯電器22によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光24を投影して静電像部
の電位が略0となる像露光を行い、得られた静電像を現
像器15(トナーT)によって現像する。
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の像担持体23の表面に、帯電器22によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光24を投影して静電像部
の電位が略0となる像露光を行い、得られた静電像を現
像器15(トナーT)によって現像する。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
く感光体の製造〉
まず、下記のようにして実施例の感光体A−H及び比較
例の感光体a w fを製造した。 即ち、各感光体の
製造手順は共通である。
例の感光体a w fを製造した。 即ち、各感光体の
製造手順は共通である。
表−2に示す所定のバインダー樹脂1.0 gをアセト
ンLoom l中に溶解させて得た接着性下引層用塗布
液を、アルミニウムを蒸着した厚さ約75μmのポリエ
チレンテレフタレートよりなる導電性基体上にドクター
ブレードを用いて塗布し、膜厚約0.1 μ鋼の接着性
下引層を形成した。
ンLoom l中に溶解させて得た接着性下引層用塗布
液を、アルミニウムを蒸着した厚さ約75μmのポリエ
チレンテレフタレートよりなる導電性基体上にドクター
ブレードを用いて塗布し、膜厚約0.1 μ鋼の接着性
下引層を形成した。
次に、下記(1)又は(2)のキャリア発生物質(C,
GM)20gを磁性ボールミルにて40rpn+で18
時間粉砕した後、表−2に示すシリコーンフェス又は樹
脂20gを1. 2−ジクロロエタン1O00I111
に溶解させた溶液を加えて更に24時間分散させ、得ら
れたキャリア発生層用塗布液を前記接着性下引層上にド
クターブレードを用いて塗布し、約0.2μ麟の膜厚を
有するキャリア発生層を得た。
GM)20gを磁性ボールミルにて40rpn+で18
時間粉砕した後、表−2に示すシリコーンフェス又は樹
脂20gを1. 2−ジクロロエタン1O00I111
に溶解させた溶液を加えて更に24時間分散させ、得ら
れたキャリア発生層用塗布液を前記接着性下引層上にド
クターブレードを用いて塗布し、約0.2μ麟の膜厚を
有するキャリア発生層を得た。
ただし、比較例の感光体a−bについては接着性下引層
を設けず、導電性基体上に直接キャリア発生層を形成し
た。 また、比較例の感光体C・eについては、表−2
に示す樹脂を用いて、上記と同様に膜厚0.1 μmの
下引層を設けた。
を設けず、導電性基体上に直接キャリア発生層を形成し
た。 また、比較例の感光体C・eについては、表−2
に示す樹脂を用いて、上記と同様に膜厚0.1 μmの
下引層を設けた。
更に、下記(3)のキャリア輸送物質11.25 gと
ポリカーボネート樹脂「パンライトに−13004(奇
人化成社製)15gとを1.2−ジクロロエタンLoo
m 1に溶解し、得られた溶液をキャリア発生層上にド
クターブレードを用いて塗布し、温度90℃で1時間乾
燥してキャリア輸送層を形成し、膜厚20μmの感光層
とした。
ポリカーボネート樹脂「パンライトに−13004(奇
人化成社製)15gとを1.2−ジクロロエタンLoo
m 1に溶解し、得られた溶液をキャリア発生層上にド
クターブレードを用いて塗布し、温度90℃で1時間乾
燥してキャリア輸送層を形成し、膜厚20μmの感光層
とした。
以上のようにして、共通の製造手順により、それぞれ個
別の構成及び処方を有する各感光体A〜H及びa w
fが製造された。
別の構成及び処方を有する各感光体A〜H及びa w
fが製造された。
即ち、各感光体において、接着性下引層又は下引層の材
質、キャリア発生層のバインダー樹脂等はそれぞれ互い
に変化させられている。
質、キャリア発生層のバインダー樹脂等はそれぞれ互い
に変化させられている。
キャリア発生物質(1)
キャリア発生物質(2)
τ型無金属フタロシアニン
(τ型無金属フタロシアニンの合成例)α型無金属フタ
ロシアニン化合物(I C+1モノライトフアーストプ
ルGS)を加熱したジメチルホルムアルデヒドにより3
回抽出して精製した。
ロシアニン化合物(I C+1モノライトフアーストプ
ルGS)を加熱したジメチルホルムアルデヒドにより3
回抽出して精製した。
この操作により精製物はβ型に転移した。 次にこのβ
型無金属フタロシアニン化合物の1部分を濃硫酸に溶解
し、この溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより
、α型に転移させた。 この再沈澱物をアンモニア水、
メタノール等で洗浄後10℃で乾燥した。 次に上記に
より精製したα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助
剤及び分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±
20℃で15〜25時間混練した。 この操作Oこ′よ
り結晶形がτ型に転移したのを確認後、容器より取り出
し、水及びメタノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除
去した後乾燥して鮮明な青味を帯びたτ型無金属フタロ
シアニンの青色結晶を得た。
型無金属フタロシアニン化合物の1部分を濃硫酸に溶解
し、この溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより
、α型に転移させた。 この再沈澱物をアンモニア水、
メタノール等で洗浄後10℃で乾燥した。 次に上記に
より精製したα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助
剤及び分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±
20℃で15〜25時間混練した。 この操作Oこ′よ
り結晶形がτ型に転移したのを確認後、容器より取り出
し、水及びメタノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除
去した後乾燥して鮮明な青味を帯びたτ型無金属フタロ
シアニンの青色結晶を得た。
キャリア輸送物質(3)
樹脂(Q)
ポリアミド樹脂[ラッカマイト5003 J(大日本イ
ンキ化学工業社製) 樹脂(R) ポリエステル樹脂「バイロン200」 (東洋紡社製) 樹脂(S) ポリカーボネート樹脂「パンライトL−12504(奇
人化成社製) 樹脂(T) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂rVYHHJ(ユ
ニオンカーバイド社製) 樹脂(U) ヒドロキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
「エスレックA−5」 (積木化学工業社製) 樹脂(V) ヒドロキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
rVAGHJ (ユニオンカーバイド社製) 樹脂(W) ポリビニルブチラール樹脂[エスレックBX−LJ(積
木化学工業社製) 樹脂(X) K R−5207(信越化学工業社製)樹脂(Y) ES−1001N (信越化学工業社製)樹脂(Z) KR−214(信、越化学工業社製) 1 び Ql 実施例、比較例の各感光体をrKON r CALP
3005J (コニカ社製)(LD搭載のプリンタ
ー)改造機に搭載し、■9が一600±10(V)にな
るようにグリッド電圧を調節し、現像バイアス−480
(V)で反転現像し、複写画像の白地部分の黒ポチ及び
黒地部分の画像濃度Dmaxを評価した。 また、2万
回コピー後の画像不良及び感光体の欠陥の有無を調べた
。
ンキ化学工業社製) 樹脂(R) ポリエステル樹脂「バイロン200」 (東洋紡社製) 樹脂(S) ポリカーボネート樹脂「パンライトL−12504(奇
人化成社製) 樹脂(T) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂rVYHHJ(ユ
ニオンカーバイド社製) 樹脂(U) ヒドロキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
「エスレックA−5」 (積木化学工業社製) 樹脂(V) ヒドロキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
rVAGHJ (ユニオンカーバイド社製) 樹脂(W) ポリビニルブチラール樹脂[エスレックBX−LJ(積
木化学工業社製) 樹脂(X) K R−5207(信越化学工業社製)樹脂(Y) ES−1001N (信越化学工業社製)樹脂(Z) KR−214(信、越化学工業社製) 1 び Ql 実施例、比較例の各感光体をrKON r CALP
3005J (コニカ社製)(LD搭載のプリンタ
ー)改造機に搭載し、■9が一600±10(V)にな
るようにグリッド電圧を調節し、現像バイアス−480
(V)で反転現像し、複写画像の白地部分の黒ポチ及び
黒地部分の画像濃度Dmaxを評価した。 また、2万
回コピー後の画像不良及び感光体の欠陥の有無を調べた
。
なお、黒ポチの評価は、画像解析装置「オムニコン30
00形」 (島津製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と
個数を測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが
1 cm”当たり何個あるかにより判定した。
00形」 (島津製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と
個数を測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが
1 cm”当たり何個あるかにより判定した。
黒ポチ評価の判定基準は、表−1に示す通りでなお、黒
ポチ判定の結果が◎、○、△であれば実用になるが、×
である場合は実用に適さない。
ポチ判定の結果が◎、○、△であれば実用になるが、×
である場合は実用に適さない。
各感光体における黒ポチ評価の結果等は下記表−2に示
す。
す。
(以下余白、次頁に続く)
表−2
M1llハガレした部分が黒スジあるいはベタ黒となっ
た。
た。
N:膜浮きした部分カ泊スジあるいは白ヌケとなった。
感光体の欠陥:
m:膜ハガレ
n:膜浮き
表−2に示す結果から、本発明の画像形成方法に基づい
て複写画像形成を行えば、黒ポチが著しく減少し、また
ロングラン後にも感光層の膜ハガレ、膜浮きも生ぜず、
画像不良も生じないことが解る。
て複写画像形成を行えば、黒ポチが著しく減少し、また
ロングラン後にも感光層の膜ハガレ、膜浮きも生ぜず、
画像不良も生じないことが解る。
実方伊2 び比較例2
下記表−3に示す条件で、実施例1 (又は比較例1)
と同様に反転現像を行い、黒ポチ、複写画像の黒地部分
の画像濃度Dtmax 、キャリア付着及びカブリをみ
た。 但し、キャリア付着については、Oは付着のない
ことを表わし、×は付着の発生を表わす。
と同様に反転現像を行い、黒ポチ、複写画像の黒地部分
の画像濃度Dtmax 、キャリア付着及びカブリをみ
た。 但し、キャリア付着については、Oは付着のない
ことを表わし、×は付着の発生を表わす。
(以下余白、次頁に続く)
表 −3
本IO回コピー後に950Vまでは帯電不能となった。
この結果から、次のことが明らかである。
感光体Aの場合1vsl<4oo vでは画像駆足。
lv、l −1v、CI >200 Vテハキヤ’JT
付着発生、IVIII 1vocl < o vでは
全面カブリ発生。
付着発生、IVIII 1vocl < o vでは
全面カブリ発生。
感光体dの場合:!!Aポチが発生、画像濃度不足。
第1図〜第4図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図は本発明に使用する感光体の1ipyi断面図、
第2図は像形成装置の構成概要図、
第3図は現像器の要部断面図、
第4図は像形成の過程を示すフローチャートである。
第5図は従来使用されている感光体の一部断面図である
。 なお、図面に示す符号において、 1・・・−一−−−・・−導電性基体 4−−−−−−−−−−−キャリア輸送層6−・−−−
−−−−・−キャリア発生層7−・・・−・−・・接着
性下引層 8・・−−−−一−−−−感光層 12−・−・・−・一定着器 13−・−・−−一−−除電器 1 t−−−−−−−−−−−クリーニング装置15−
−−−−・・・−現像器 20−・−〜−−−−−・転写前露光ランプ21・−・
−・−・・−・転写器 22−・−・・−帯電器 23−・−・・−像担持体 61−−−−−−−−−−一現像スリーブ62−−−−
−・・−磁石体 63−一一一・・−・−層厚規制′ブレード69−−−
−−−−一・−バイアス電源70−・−−−−−・−・
・保護抵抗 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 (自発)千ff:ε(市正書 昭和63年5月20日 1、事件の表示 昭和62年 特許願第317837号 2、発明の名称 画像形成方法 36補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)コニカ株式会社 4、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町2−4−1’l FINE
ビルe 0425−24−5411(15添加」と訂
正します。 −以上一
。 なお、図面に示す符号において、 1・・・−一−−−・・−導電性基体 4−−−−−−−−−−−キャリア輸送層6−・−−−
−−−−・−キャリア発生層7−・・・−・−・・接着
性下引層 8・・−−−−一−−−−感光層 12−・−・・−・一定着器 13−・−・−−一−−除電器 1 t−−−−−−−−−−−クリーニング装置15−
−−−−・・・−現像器 20−・−〜−−−−−・転写前露光ランプ21・−・
−・−・・−・転写器 22−・−・・−帯電器 23−・−・・−像担持体 61−−−−−−−−−−一現像スリーブ62−−−−
−・・−磁石体 63−一一一・・−・−層厚規制′ブレード69−−−
−−−−一・−バイアス電源70−・−−−−−・−・
・保護抵抗 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 (自発)千ff:ε(市正書 昭和63年5月20日 1、事件の表示 昭和62年 特許願第317837号 2、発明の名称 画像形成方法 36補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)コニカ株式会社 4、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町2−4−1’l FINE
ビルe 0425−24−5411(15添加」と訂
正します。 −以上一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
、 (a)、前記感光体として、前記キャリア発生層中に有
機ケイ素系樹脂が含有され、導電性基体と前記キャリア
発生層との間に接着性下引層が設けられ、かつヒドロキ
シル基を有する共重合体樹脂が前記接着性下引層に含有
されている感光体を使用し、 (b)、この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜9
00Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200
V低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前
記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31783787A JPH01156776A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31783787A JPH01156776A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156776A true JPH01156776A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18092603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31783787A Pending JPH01156776A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01156776A (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31783787A patent/JPH01156776A/ja active Pending
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