JPH01159368A - 堆積膜形成装置 - Google Patents
堆積膜形成装置Info
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- JPH01159368A JPH01159368A JP31521987A JP31521987A JPH01159368A JP H01159368 A JPH01159368 A JP H01159368A JP 31521987 A JP31521987 A JP 31521987A JP 31521987 A JP31521987 A JP 31521987A JP H01159368 A JPH01159368 A JP H01159368A
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- Japan
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- deposited film
- film
- film forming
- deposited
- shielding member
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は堆積膜形成装置に係り、特に堆積膜物質の付着
を防止するための遮蔽部材が設けられた堆積膜形成装置
に関するものである。
を防止するための遮蔽部材が設けられた堆積膜形成装置
に関するものである。
［従来の技術］
従来、基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置として
は、真空蒸着装置、スパッタ装置。
は、真空蒸着装置、スパッタ装置。
ＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置等が知られている。これらの中
でも、真空蒸着装置、スパッタ装置が、比較的多く用い
られている。
でも、真空蒸着装置、スパッタ装置が、比較的多く用い
られている。
これらの装置にはバッチ方式のものと、ロードロツタ室
を備えたインライン方式のものがある。
を備えたインライン方式のものがある。
これらの装置はいずれも、長時間堆積膜を形成している
と、装置の内壁に蒸軒物質が厚く堆積していき、ついに
は、はがれてしまう問題点があり、時にははがれる時に
粉々となり装置内に飛散してダストの原因となる場合も
ある。そのため、こういう状態にならないように、通常
時々真空を破って、人為的に堆積膜を除去して装置内を
掃除する必要がある。
と、装置の内壁に蒸軒物質が厚く堆積していき、ついに
は、はがれてしまう問題点があり、時にははがれる時に
粉々となり装置内に飛散してダストの原因となる場合も
ある。そのため、こういう状態にならないように、通常
時々真空を破って、人為的に堆積膜を除去して装置内を
掃除する必要がある。
このとき、直接堆積膜が、装置本体の内壁に付着すると
堆積膜を除去できない場合が多いため、通常、真空装置
の内壁を覆うように、取外し可能な防着板と呼ばれる遮
蔽板が設けられており、この防着仮に付着した堆積膜を
掃除する。防着板としては、耐熱性があり、真空中での
放出ガス州の少ない材料、例えばステンレス系の材料が
用いられ、使用に際しては、掃除の回数を減らすために
通常、防着板に溶剤、洗浄、サンドブラスト等の処理を
行なって、堆積膜がなるべくはがれないようにしている
。
堆積膜を除去できない場合が多いため、通常、真空装置
の内壁を覆うように、取外し可能な防着板と呼ばれる遮
蔽板が設けられており、この防着仮に付着した堆積膜を
掃除する。防着板としては、耐熱性があり、真空中での
放出ガス州の少ない材料、例えばステンレス系の材料が
用いられ、使用に際しては、掃除の回数を減らすために
通常、防着板に溶剤、洗浄、サンドブラスト等の処理を
行なって、堆積膜がなるべくはがれないようにしている
。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記のような処理を行っても、付着する
膜の内部応力が大きい場合、例えば誘電体の材料で、ス
パッタ装置で成膜される場合は、比較的早い時に膜がは
がれるため、頻繁にサンドブラストによりクリーニング
をしなければならないという問題があった。
膜の内部応力が大きい場合、例えば誘電体の材料で、ス
パッタ装置で成膜される場合は、比較的早い時に膜がは
がれるため、頻繁にサンドブラストによりクリーニング
をしなければならないという問題があった。
バッチ方式の堆積膜形成装置の場合は、特にこの傾向が
強いが、インライン方式の場合でも、−定の限界があり
、ターゲットの消耗による交換のための交換サイクルよ
りも、早く膜がはがれ落ちるため、成膜室内のクリーニ
ングの工程が特別に必要となる。そのため、成膜工程が
停止して、時間的損失が大きくなるという問題があった
。
強いが、インライン方式の場合でも、−定の限界があり
、ターゲットの消耗による交換のための交換サイクルよ
りも、早く膜がはがれ落ちるため、成膜室内のクリーニ
ングの工程が特別に必要となる。そのため、成膜工程が
停止して、時間的損失が大きくなるという問題があった
。
［問題点を解決するための手段］
本発明の堆積膜形成装置は、堆積膜物質の付着を防止す
るための遮蔽部材が設けられた堆積膜形成装置において
、 西紀遮蔽部材の表面に、この遮蔽部材及び堆積膜物質と
密着性が良（、且つ放出ガスの少ない金属層を形成した
ことを特徴とする。
るための遮蔽部材が設けられた堆積膜形成装置において
、 西紀遮蔽部材の表面に、この遮蔽部材及び堆積膜物質と
密着性が良（、且つ放出ガスの少ない金属層を形成した
ことを特徴とする。
［作用］
本発明の堆積膜形成装置は、防着板、シャッター等の遮
蔽部材の表面Ｅにこの遮蔽部材と密着性が良く、融点が
成膜時の昇温温度より高く、真空中での放出ガスが少な
く、また付着する膜とも、密着性が良い金属層を設ける
ことにより、膜がはがれる膜厚を厚くし、クリーニング
の回数を減らし、成膜工程の時間的損失が少なくなるよ
うに改丙したものである。
蔽部材の表面Ｅにこの遮蔽部材と密着性が良く、融点が
成膜時の昇温温度より高く、真空中での放出ガスが少な
く、また付着する膜とも、密着性が良い金属層を設ける
ことにより、膜がはがれる膜厚を厚くし、クリーニング
の回数を減らし、成膜工程の時間的損失が少なくなるよ
うに改丙したものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に用いられる遮蔽部材の構成を示す断面
図である。
図である。
まず、防着板、シャッター等の遮蔽部材１の表面を使用
前に、サンドブラスト処理後、溶剤洗浄によりクリーニ
ングする。なお、他の洗浄法、清浄法でも良い。
前に、サンドブラスト処理後、溶剤洗浄によりクリーニ
ングする。なお、他の洗浄法、清浄法でも良い。
その後、別の蒸着装置あるいはスパッタ装置内で、堆積
膜が付着する面に金属層２を形成する。
膜が付着する面に金属層２を形成する。
次に、防着板、シャッター等の遮蔽部材を本来の堆積膜
形成装置に装着して、所望の堆積膜を基体上に積層させ
る。このとき金属層２上にも堆積膜３が積層される。
形成装置に装着して、所望の堆積膜を基体上に積層させ
る。このとき金属層２上にも堆積膜３が積層される。
なお、防着板、シャッター等の遮蔽部材が装着される装
置内に金属材料をあるいはスパッタする源がめれば、そ
れを用いて金属層２を形成した後、真空を破らずに連続
に所望の堆積膜を基体上に積層させることができる。
置内に金属材料をあるいはスパッタする源がめれば、そ
れを用いて金属層２を形成した後、真空を破らずに連続
に所望の堆積膜を基体上に積層させることができる。
金属層２は、堆積膜形成装置の使用時の１胃温度より融
点が高い材料が選ばれ、真空中での放出ガスが少なく、
蒸気圧の低い材料が用いられる。
点が高い材料が選ばれ、真空中での放出ガスが少なく、
蒸気圧の低い材料が用いられる。
金属層２の好ましい材料として、Ａ１． Ｃｒ、 Ｃｕ
等が挙げられる。
等が挙げられる。
金属層２の厚さは、厚い方が緩衝材としてよりよく機能
するが、あまり厚いと、この金属層の吸着ガス等の影響
が考えられるので、１０００人〜１００００人程度が好
ましい。
するが、あまり厚いと、この金属層の吸着ガス等の影響
が考えられるので、１０００人〜１００００人程度が好
ましい。
以下、ｌ１記遮蔽部材を用いた堆積膜形成装置の実施例
について説明する。
について説明する。
（実施例１）
バッチ式のスパッタ装置において、誘電体膜として窒化
ケイ素の膜を成膜する。
ケイ素の膜を成膜する。
第２図はバッチ式の二極スパッタ装置の概略的構成図で
ある。
ある。
同図において、９は真空槽、６は窒化ケイ素のターゲッ
ト、７は堆積膜を形成する基板８を固定する基板ホルダ
ー、１０はターゲット６をシールドするシールドリング
、１１は排気口である。真空槽９は真空ポンプに接続さ
れている。
ト、７は堆積膜を形成する基板８を固定する基板ホルダ
ー、１０はターゲット６をシールドするシールドリング
、１１は排気口である。真空槽９は真空ポンプに接続さ
れている。
窒化ケイ素のターゲット６のシャッター（ＳＵＳ３０４
’３２） ５と真空槽９に近接させて設けられた防着
板（５ＬＩＳ３０４製）４にあらかじめ別の装置で八１
をＳｉＮが厚く付着する側に約５０００人コートした。
’３２） ５と真空槽９に近接させて設けられた防着
板（５ＬＩＳ３０４製）４にあらかじめ別の装置で八１
をＳｉＮが厚く付着する側に約５０００人コートした。
これらを真空槽９内の所定の位置に装着した後、窒化ケ
イ素の膜を基板８上に堆積させ、シャッター５および防
着板４に堆積した窒化ケイ素の堆積膜の状態を調べた。
イ素の膜を基板８上に堆積させ、シャッター５および防
着板４に堆積した窒化ケイ素の堆積膜の状態を調べた。
この際、バッチ式であるため、何回か、装置内が人気に
さらされた。
さらされた。
はがれたＳｉＮの膜厚を測定すると、〜５．０μｍ位で
あった。比較例として、ＡＩをコートしない場合につい
ても同様に観測を行ったが、はがれたＳｉＮの膜厚を測
定した結果は〜２μｍ位であった。
あった。比較例として、ＡＩをコートしない場合につい
ても同様に観測を行ったが、はがれたＳｉＮの膜厚を測
定した結果は〜２μｍ位であった。
（実施例２）
ロードロツタ室を備えたインライン型スパッタ装置にお
いて、スパッタ室内にＡ１ターゲットと、誘電体膜用の
ターゲットとしてＳｉＮのターゲットを設け、 ＡＩ膜
、５ｉＮＩＩ！！を積層させる。
いて、スパッタ室内にＡ１ターゲットと、誘電体膜用の
ターゲットとしてＳｉＮのターゲットを設け、 ＡＩ膜
、５ｉＮＩＩ！！を積層させる。
第３図はインライン型スパッタ装置の概略的構成図であ
る。なお、ここでは簡易化のためにターゲットは一つし
か図示されておらず、また第２図に示したバッチ式の二
極スパッタ装置と同一構成部材については同一符号を付
する。
る。なお、ここでは簡易化のためにターゲットは一つし
か図示されておらず、また第２図に示したバッチ式の二
極スパッタ装置と同一構成部材については同一符号を付
する。
同図において、１２はスパッタ室、６は月のターゲット
、７は堆積膜を形成する基板８を固定する基板ホルダー
、１３はロードロック室、Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３はロードロ
ック室１３．ロードロック室１３とスパッタ室１２との
間、スパッタ室１２゜に設けられた真空バルブである。
、７は堆積膜を形成する基板８を固定する基板ホルダー
、１３はロードロック室、Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３はロードロ
ック室１３．ロードロック室１３とスパッタ室１２との
間、スパッタ室１２゜に設けられた真空バルブである。
ロードロック室１３とスパッタ室１２とは真空バルブＶ
ｌ、Ｖ３を通して真空ポンプに接続されている。Ａｔタ
ーゲット６のＬ部には、シャッター５が設けており、ス
パッタ室１２の内壁に近接して、防着板４が設けられて
いる。
ｌ、Ｖ３を通して真空ポンプに接続されている。Ａｔタ
ーゲット６のＬ部には、シャッター５が設けており、ス
パッタ室１２の内壁に近接して、防着板４が設けられて
いる。
ＳｉＮターゲットのシャッターを閉じた状態で（不図示
）、最初にＡｔターゲット６を用いて、八１を蒸発させ
、基板８上に薄い所で〜１０００人の膜厚になるように
Ａ１膜を形成する。その後、スパッタ室内をリークしな
いでＳｉＮ膜を所定のプロセスに従って、基板８上に堆
積させる。このとき、ＳｉＮのターゲット（大きさφ５
、厚さ６ ｍｍ）が消耗するまで、防着板クリーニング
のためのリークを２回行なっただけで堆積膜の形成を行
うことができた。比較例として、Ａ１膜をコートしない
場合についても同様に行ったが、防着板クリーニングの
ためのリークが５回必要であった。
）、最初にＡｔターゲット６を用いて、八１を蒸発させ
、基板８上に薄い所で〜１０００人の膜厚になるように
Ａ１膜を形成する。その後、スパッタ室内をリークしな
いでＳｉＮ膜を所定のプロセスに従って、基板８上に堆
積させる。このとき、ＳｉＮのターゲット（大きさφ５
、厚さ６ ｍｍ）が消耗するまで、防着板クリーニング
のためのリークを２回行なっただけで堆積膜の形成を行
うことができた。比較例として、Ａ１膜をコートしない
場合についても同様に行ったが、防着板クリーニングの
ためのリークが５回必要であった。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明による堆積膜形成装
置によれば、防着板、シャッター等の遮蔽部材の上に金
属層を形成することによって、それらの再生回数を大幅
に減少させることができ、且つ成膜プロセスの時間的損
失を減らして、ランニングコストの低下させ、生産効率
の向上を図ることができる６
置によれば、防着板、シャッター等の遮蔽部材の上に金
属層を形成することによって、それらの再生回数を大幅
に減少させることができ、且つ成膜プロセスの時間的損
失を減らして、ランニングコストの低下させ、生産効率
の向上を図ることができる６
第１図は本発明に用いられる遮蔽部材の構成を示す断面
図である。 第２図はバッチ式の二極スパッタ装置の概略的構成図で
ある。 第３図はインライン型スパッタ装置の概略的構成図であ
る。 １：遮蔽部材、２：金属層、３：堆積膜、４：防着板、
５：シャッター。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図
図である。 第２図はバッチ式の二極スパッタ装置の概略的構成図で
ある。 第３図はインライン型スパッタ装置の概略的構成図であ
る。 １：遮蔽部材、２：金属層、３：堆積膜、４：防着板、
５：シャッター。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 堆積膜物質の付着を防止するための遮蔽部材が設けられ
た堆積膜形成装置において、 前記遮蔽部材の表面に、この遮蔽部材及び堆積膜物質と
密着性が良く、且つ放出ガスの少ない金属層を形成した
ことを特徴とする堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31521987A JPH01159368A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31521987A JPH01159368A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 堆積膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159368A true JPH01159368A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18062831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31521987A Pending JPH01159368A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159368A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05106020A (ja) * | 1990-03-02 | 1993-04-27 | Applied Materials Inc | 物理的蒸着室の微粒子を減少するためのシールド準備法 |
| EP0584483A1 (en) * | 1992-08-11 | 1994-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5972114A (en) * | 1995-03-10 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus with anti-adhesion film and chamber cooling means |
| KR100266873B1 (ko) * | 1995-04-06 | 2000-11-01 | 나카무라 규조 | 막형성장치용 구성부품 및 그 제조방법 |
| CN1726302B (zh) | 2002-11-25 | 2010-05-05 | 应用材料有限公司 | 对具有涂层的处理腔组件进行清洁的方法 |
| JP2011074442A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着装置 |
| WO2012086535A1 (ja) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | シャープ株式会社 | 成膜材料の回収方法 |
| JP2014141709A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 防着部材及びこれを備えた成膜装置並びに防着部材の整備方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156277A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Hitachi Ltd | 成膜装置 |
| JPS6157906A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光フアイバ両端配列校正装置 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31521987A patent/JPH01159368A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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