JPH01169919A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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Publication number
JPH01169919A
JPH01169919A JP32691787A JP32691787A JPH01169919A JP H01169919 A JPH01169919 A JP H01169919A JP 32691787 A JP32691787 A JP 32691787A JP 32691787 A JP32691787 A JP 32691787A JP H01169919 A JPH01169919 A JP H01169919A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
film forming
substrate
chamber
forming equipment
Prior art date
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Pending
Application number
JP32691787A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Oritsuki
折付 良二
Takemi Toritsuka
鳥塚 武美
Mikio Takahashi
高橋 幹男
Tetsuaki Suzuki
哲明 鈴木
Akira Sasano
笹野 晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH01169919A publication Critical patent/JPH01169919A/ja
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスパッタもしくはプラズマCVD装置に係り、
特に異物低減に好適な襦造に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、基板の搬送を真空を破らずに実施するこ
とにより、製造能力を拡大させていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は基板以外に付着形成される膜について配
慮がされておらず、これらの膜がフレーク状に剥が九で
異物となり不良となる。さらに、スパッタ装置に言及す
るならば、成膜によりターゲット材料が摩耗するため定
期的交換が必要である。上述の2つの問題点は設備の製
造能力を増大させる上で不都合点となる。
本発明の目的は膜剥がれ防止のための設備清掃とターゲ
ット材料等の交換による時間の損失を低減し生産性の高
い成膜装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、膜が付着する放電電極装置、基板加熱装置
、防着板等の治具類、又は成膜により摩耗するターゲッ
ト材料等を真空を破らずに交換することにより、達成さ
れる。
〔作用〕
上記問題点は交換が必要な部品材料を移動する移動設備
と真空を遮断するゲートバルブを設けることで解決でき
る。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図の1は真空チャンバであり、この中で2の基板に薄膜
を形成する。基板2は被加工物であり、半導体や液晶表
示デバイスの一方のガラス基板等が処理の対象となる。
3は基板を搬送する機構で図面上では垂直方向に基板を
動かし、この図には書いていないが、通常ゲートバルブ
を設は真空を破らずに基板を交換することにより多数枚
の基板を連続して成膜できる。4は対向電極で、プラズ
マCVD装置に於いては放電を維持継続するカソード電
極であり、スパッタ装置に於いては通常ターゲットと呼
ばれる被着材料とターゲットに高圧を印加するカソード
電極からなる。よく知られているようにプラズマCVD
装置の場合はシランガスのような材料ガスをl tor
r程度導入し。
スパッタ装置に於いてはアルゴンガスを1mtorr程
度導入してプラズマ放電することにより3の基板上に膜
を被着するものである。ここで、5は膜質を向上させる
ために基板を加熱する加熱装置でチャンバの汚染を防止
する防着板の機能を兼ねるものである。多数枚の基板に
成膜するとともに、プラズマCVD装置に於いてはカソ
ード電極に付着した膜がフレークとなって異物となるの
で、周期的な清掃交換が必要となる。スパッタ装置の場
合は、ターゲット材料の消耗とターゲット近傍に付着す
るフレークのために同様の清掃交換が必要となる。清掃
交換は6の予備室のガス雰囲気を1のチャンバと同一に
した上で7のゲートバルブを開け4の対向電極と5の加
熱装置を8の移動装置により6の予備室に移動する。つ
いで7のゲートバルブを閉じ6の予備室を大気に置換し
たのち、4の対向電極と5の加熱装置を清掃交換する。
このとき1の真空チャンバはガス雰囲気に影響を与えな
いので複数個の対向電極を並べることにより生産を中止
する必要はない。ついで、交換が終わった6の予備室を
真空にし8のヒータでよくガス出ししたのち、1の真空
チャンバと同じガス雰囲気にしたのち7のゲートバルブ
をあけ4の対向電極と5の加熱装置を1の真空チャンバ
に戻し放電を再開する。この間、成膜作業を中断するこ
とはない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、成膜を中断することなくカソード電極
および防着板を交換できるので、生産性の高いスパッタ
装置又はプラズマCVD装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による成膜装置の断面図である。 1・・・真空チャンバ、2・・・基板、3・・・基板搬
送、4・・・カソード電極、5・・・基板加熱、6・・
・予備室、7・・・ゲートバルブ、8・・・予備室ガス
出し。 7・・・ゲートバルブ 8・・・予備室力゛ス出し

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、放電により被膜を形成する成膜装置に於いて、放電
    電極、防着板、基板加熱装置の一部又は全部を、真空を
    破らずに交換できるようにしたことを特徴とする成膜装
    置。
JP32691787A 1987-12-25 1987-12-25 成膜装置 Pending JPH01169919A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04274318A (ja) * 1991-02-28 1992-09-30 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池製造装置

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JPS5519842A (en) * 1978-07-31 1980-02-12 Agency Of Ind Science & Technol Thin film growing device under vacuum
JPS59208067A (ja) * 1983-05-13 1984-11-26 Hitachi Ltd 連続スパッタ装置
JPS61210633A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Hitachi Ltd 真空装置
JPS61256997A (ja) * 1985-05-02 1986-11-14 Nissin Electric Co Ltd 分子線エピタキシヤル成長方法
JPS6293939A (ja) * 1985-10-21 1987-04-30 Hitachi Ltd 真空装置用加熱試料台

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